CN201551740U - 癌症放化疗后口腔溃疡的治疗设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种癌症放化疗后口腔溃疡的治疗设备，用于治疗癌症放射治疗和化学治疗引起的口腔溃疡。该设备包括半导体芯片集成LED，散热器，聚光器，光斑压缩器，控制电路及电源等。解决了传统治疗方法疗效不显著问题，大大提高了溃疡部位的恢复速度。

Description

癌症放化疗后口腔溃疡的治疗设备

技术领域

本实用新型涉及用于治疗癌症放射治疗和化学治疗引起的口腔溃疡的半导体治疗设备。

背景技术

癌症是全世界一个主要死亡原因。在2005年全世界5800万死亡总数中，癌症导致的死亡达到760万。目前对肿瘤的治疗方法主要有手术、放疗、化疗、生物治疗等。据统计目前有65％～75％的肿瘤患者在病程的不同时期，因不同的治疗目的需接受放射治疗。在肿瘤的放化疗过程中容易引起口腔粘膜的损伤，形成口腔溃疡。根据现有的资料显示，口腔溃疡发病率高达24.8％～67％，口腔溃疡的形成将引起病人强烈的疼痛感，严重影响患者进食，造成营养缺乏，水电解质紊乱，阻碍患者接受进一步治疗，甚至发生败血症，导致患者死亡。目前肿瘤病人口腔溃疡的治疗手段主要有：①保持口腔卫生，②预防感染，③抗炎药，④活性氧抑制剂，⑤唾液功能调节因子，⑥氮卓斯汀，⑦谷氨酰胺，⑧冷冻疗法，⑨包衣衣料，⑩激光治疗。

半导体癌症溃疡治疗作为一种肿瘤病人口腔溃疡治疗的新方法，其作用在于半导体光子照射能够促进肉芽组织增生，促进肿瘤病人口腔溃疡的愈合；降低5-HT含量，缓解疼痛；减轻局部炎症。与传统的治疗方法相比，半导体光子治疗的作用更为全面，能够明显减轻患者的疼痛，缩短口腔溃疡的治疗过程。

在医学临床应用中，要求半导体光功率密度必须大于40mw/cm²才能达到治疗及消炎的效果，例如深圳普门科技有限公司生产的Carnation系列光子治疗仪，光功率密度大于200mw/cm²，激光可以有很高的光功率密度，但光斑面积小，对大面积溃疡无能为力。

半导体芯片集成LED(功率＞25w)现已问世，因其体积小、光功率密度大、照射面积大将是取代普通LED和白炽灯、卤钨灯的新一代照明设备，并且已出现了若干照明用相关专利。到目前为止，人们对半导体芯片集成LED的认识均停留在照明上的应用，称为第四代半导体照明光源。将半导体芯片集成LED光应用于治疗领域中，将大大拓展半导体LED的应用范围和疗效。

发明内容

本实用新型针对现有红光治疗中存在的光功率密度小、光斑小、光功率损耗大等问题，提出癌症放化疗后口腔溃疡的治疗设备，拓展光子治疗应用范围和疗效，提供了一种新的癌症口腔溃疡治疗方法及治疗手段，实现癌症口腔溃疡的红光治疗。

本实用新型采用的技术方案如下：

癌症放化疗后口腔溃疡的治疗设备，其特征在于：包括芯片集成LED、散热器、聚光器、光斑压缩器、控制电路及电源；芯片集成LED、聚光器、散热器组装成光源，所述芯片集成LED直接贴在散热器上，芯片集成LED与散热器中间加导热胶，散热器后端设置风扇，所述聚光器设在芯片集成LED发光面前端，所述光斑压缩器设在所述聚光器前端。

本实用新型使用的芯片集成LED，其功率为25w～1500w，平面或凸面发光，发光面积为5×5mm²～150×150mm²，波长较佳地选为600nm～1200nm。

散热器上开上下相通的通风槽，既可解决通风又可扩大散热面积。通常散热器上开槽可以是发射状或网状形状。芯片集成LED的热量通过散热风扇使其热量由光源头周边的外壳孔中排出。

所述散热器的材料为铜、铝、铝合金等高导热率的材料。

本实用新型芯片集成LED前端聚光器形状为锥形或柱型或抛物面型或不同二次曲面型的组合等。其材料选用铜、铝合金并镀高反光材料，也可选塑料、铁、铜合金、橡胶等镀上高反光材料来做聚光器。

本实用新型芯片集成LED前端的聚光器还可以是透镜或透镜系统组成。

本实用新型聚光器前端的光斑压缩器为内壁镀高反光材料的聚光筒或聚光筒与汇聚透镜的组合。

本实用新型为保证芯片集成LED的正常工作，装置器中设有一个检测LED温度的温度感应器。在温度超过设定值后，控制台上报警器会发报警信号并停机。

本实用新型中有照射表面光功率检测器，可根据病情调节光功率输出大小，其调节可以手动也可自动调节。

本实用新型为解决大光功率密度和大面积的矛盾，使用了新型半导体多芯片集成LED为治疗光源。半导体多芯片集成LED又称单颗半导体芯片集成LED或半导体多芯片LED模组等。本实用新型中简称半导体芯片集成LED。半导体芯片集成LED是利用多个半导体芯片组装(Multi-Chip Module Assembly)技术和倒装焊技术(Flip-Chip Technology)，将一个或者多个半导体LED芯片，信号控制芯片与防静电芯片(Electrostatic Discharge)通过工艺集成和组装，形成一个大的可以防静电，可以控制的LED模组，其中半导体LED芯片可以是不同波长不同尺寸的LED芯片。根据需要倒装于不同尺寸、不同形状、不同材质的底板上面。省略了繁复的封装工序，一次性解决了LED的散热问题，主要的封装形式为COB(Chip on Board)和Sip(System in Package)等。半导体芯片集成LED和传统意义的LED的区别在于：1、功率大，半导体芯片集成LED为25W～1500W，传统LED为0.5W～3W之间。2、半导体芯片集成LED为平面或凸面发光，而传统LED为点光源发光。3、电光转换效率高。半导体芯片集成LED的发光效率为20％左右，而传统LED为10％。4、高功率密度，半导体芯片集成LED的光功率密度是传统LED的数倍到数十倍。

本实用新型使用半导体芯片集成LED(25W～1500W)，使用特别设计的聚光器，使得经聚光器聚光后的LED光均匀且光功率密度高。实际测量，即25W的LED光输出为25W×20％＝5W，经聚光器后(光损失＜50％)光功率密度可达200mW/cm²，具有良好的光子照射治疗效果。

下面结合附图对本实用新型作进一步阐述。

附图说明

图1为本实用新型半导体芯片集成LED光子癌症口腔溃疡治疗设备结构简图

图中标记：1为半导体芯片集成LED，2为导热胶，3为散热器，4为风扇，5聚光器，6为外壳、7为光斑压缩器。

具体实施方式

本实用新型使用25W～1500W单颗半导体芯片集成LED，波长选用630±20nm，也可采用670nm±20nm、808nm±20nm或830nm±20nm的波长，或这些波长的组合。使用锥柱形聚光器，反射曲面为专用光学计算机辅助设计的特殊曲面，经聚光器后LED光出射均匀、照射距离远、光衰减小、照射面积大且光功率密度高，光斑压缩器可以进一步压缩光斑大小并提高光功率密度且保证均匀照射。

通过调节半导体LED出射光到病灶部位的距离，可以调节病灶部位上的光功率。也可以同时可改变半导体芯片集成LED的电流来调节光输出量，从而调节到达病灶部位的光功率满足最佳照射治疗阈值。在光功率为100mw/cm²时，照射时间优选为20分钟，在光功率密度为50mw/cm²时，照射时间优选为30分钟。

本设备由半导体芯片集成LED，散热器，聚光器，光斑压缩器，控制电路及电源组成。为保证半导体芯片集成LED的散热，LED直接贴在散热器上，LED和散热器中间加导热胶，散热器后面加风扇，LED光经聚光器后对病人病灶部位照射治疗。照射的时间和光功率由主机控制。

应用本实用新型，适应症包括：治疗癌症放射治疗和化学治疗引起的口腔溃疡。

通常用于溃疡治疗选用半导体LED的波长为630±20nm，光功率为25W～1500W，光功率密度＞40mw/cm²。

本实用新型为保证半导体芯片集成LED的正常工作，装置器中设有一个检测LED温度的温度感应器。在温度超过设定值后，控制台上报警器会发报警信号和停机。

本实用新型中有照射表面光功率检测器，可根据病情调节光功率输出大小，其调节可以手动也可自动调节。

Claims (7)

1.癌症放化疗后口腔溃疡的治疗设备，其特征在于：包括半导体芯片集成LED、散热器、聚光器、光斑压缩器、控制电路及电源组成治疗系统，所述半导体芯片集成LED贴在散热器上，芯片集成LED与散热器中间加导热胶，散热器后端设置风扇，所述聚光器设置在半导体芯片集成LED前端，所述光斑压缩器设置在所述聚光器前端。

2.根据权利要求1所述的癌症放化疗后口腔溃疡的治疗设备，其特征在于：所述半导体芯片集成LED，其功率为25w～1500w，平面或凸面发光，发光面积为5×5mm²～150×150mm²，波长为630nm±20nm、670nm±20nm、808nm±20nm或830nm±20nm，或者具有上述不同波长的芯片的混合。

3.根据权利要求1所述的癌症放化疗后口腔溃疡的治疗设备，其特征在于：所述聚光器的形状为柱型或抛物面体型或不同二次曲面型的组合。

4.根据权利要求1所述的癌症放化疗后口腔溃疡的治疗设备，其特征在于：所述聚光器为球面透镜。

5.根据权利要求1所述的癌症放化疗后口腔溃疡的治疗设备，其特征在于：所述聚光器为非球面透镜。

6.根据权利要求1所述的癌症放化疗后口腔溃疡的治疗设备，其特征在于：设备中设有一个检测LED温度的温度感应器，和调节光功率输出大小的光功率检测器。

7.根据权利要求1所述的癌症放化疗后口腔溃疡的治疗设备，其特征在于：所述光斑压缩器为内壁镀高反光材料的聚光筒或者聚光筒与汇聚透镜的组合。

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