CN201168346Y - 芯片集成led光子体内腔道炎症治疗设备 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种芯片集成LED体内腔道炎症治疗设备，可用于阴道炎、盆腔炎、胃溃疡，食管炎等腔道疾病的治疗。该设备包括芯片集成LED、散热器、光纤、光头、控制电路及电源；芯片集成LED、散热器组装成光源头，其前端与光纤连接，光纤再连接上光头。本实用新型解决了传统光子治疗设备不能用于体内治疗的问题，可替代药物对一些腔道炎症等疾病进行治疗。
Description
技术领域
本实用新型涉及多芯片集成大功率LED(本文简称为芯片集成LED)光子体内腔道炎症治疗设备。
背景技术
目前光子用于皮肤病的治疗已取得明显效果，对带状疱疹，斑秃、皮炎、湿疣、伤口感染等表皮疾病应用广泛。
但是以上所有专利及市场所售设备都不能用于体内炎症的治疗，其原因是所有传统单颗二极管功率小，不能直接用于体内照射。二极管面阵可扩大总功率，但因二极管为球面发光无法经过透镜汇聚成大功率的小光束而进入体内。申请号200510009880.X把发光二极管做成平面矩阵，再经透镜阵列及石英透镜两次整形，把光汇聚到光纤中。这种方法不具有实际临床治疗意义，原因是发光二极管所发生的光为半球面形状，经透镜整形时其光损失严重，技术上传统LED的发光光效率为10％左右，即1W的LED发光光功率为100mw，如再加上透镜损失，经透镜后的光功率为小于100mw，一个4W的发光二极管阵列实际光输出应小于400mw。不能满足治疗要求。同时二极管阵列的面积不能任意扩大，因为透镜的尺寸是有限的。
在医学临床应用中，要求光功率密度必须大于40mw/cm2才能达到治疗及消炎的效果，例如德国Woldman皮肤治疗仪，光功率密度为50mw/cm2～200mw/cm2，激光可以有很高的光功率密度，但光斑面积小，对大面积炎症和溃疡无能为力，故激光也末用于体内炎症治疗。
综上所述，上述专利所使用的发光二极管阵列及激光不能用于体内腔道炎症等疾病的治疗。传统二极管功率小，汇聚时光损失大，激光器成本高，光斑小。目前体内光治疗还是空白。
芯片集成LED(功率＞25w)现已问世，因其体积小、光功率密度大、照射面大将是取代普通LED和白炽灯、卤钨灯的新一代照明设备，并且已出现了若干照明用相关专利。到目前为止，人们对芯片集成LED的认识均停留在照明上的应用，称为第四代半导体照明光源。却未想到将其应用到光治疗领域中，以拓展光治疗应用范围和疗效。
发明内容
本实用新型针对现有红光治疗中存在的光功率密度小、光斑小、光功率损耗大等问题，而不能实现体内腔道炎症光子治疗的现状，提出芯片集成LED光子体内腔道炎症治疗设备，拓展光治疗应用范围和疗效，提供了一种新的光源及治疗手段，真正实现体内腔道炎症的红光治疗。
本实用新型采用的技术方案如下：
芯片集成LED光子体内腔道炎症治疗设备，其特征在于：包括芯片集成LED、散热器、光纤、光头、控制电路及电源；芯片集成LED、散热器组装成光源头，其前端与光纤连接，光纤再连接上光头。
所述芯片集成LED直接贴在散热器上，芯片集成LED与散热器中间加导热胶，散热器后端设置风扇。
本实用新型使用的芯片集成LED，其功率为25w～1500w，平面或凸面发光，发光面积为5×5mm2～150×150mm2，波长较佳地选为630nm±20nm，也可采用670nm±20nm的波长。
散热器上开上下相通的通风槽，既可解决通风又可扩大散热面积。通常散热器上开槽可以是发射状或网状形状。芯片集成LED的热量通过散热风扇使其热量由光源头周边的外壳孔中排出。
所述散热器的材料为铜、铝、铝合金等高导热率的材料。
本实用新型芯片集成LED前端聚光器形状为汇聚状锥形，可以是圆锥或方锥等。其材料选用铜、铝合金并镀高反光材料，也可选塑料、铁、铜合、橡胶等镀上高反光材料来做聚光器。根据实际情况，也可不选用聚光器，直接将光纤对接在芯片集成LED上。也可使用非球面透镜汇聚光线到光纤中。
本实用新型为保证芯片集成LED的正常工作，装置器中设有一个检测LED温度的温度感应器。在温度超过设定值后，控制台上报警器会发报警信号和停机。
本实用新型中有照射表面光功率检测器，可根据病情调节光功率输出大小，其调节可以手动也可自动调节。
本实用新型为解决大光功率密度和大面积的矛盾，使用了新型多芯片集成LED为治疗光源。多芯片集成LED又称单颗芯片集成LED或多芯片LED模组等。本实用新型中简称芯片集成LED。芯片集成LED是利用多个芯片组装(Multi-ChipModule Assembly)技术和倒装焊技术(Flip-Chip Technology)，将一个或者多个LED芯片，信号控制芯片与防静电芯片(Electrostatic Discharge)通过工艺集成和组装，形成一个大的可以防静电，可以控制的LED模组，其中LED芯片可以是不同波长不同尺寸的LED芯片。根据需要倒装于不同尺寸，不同形状、不同材质的底板上面。省略了繁复的封装工序，一次性解决了LED的散热问题，主要的封装形成为COB(Chip on Board)和Sip(System in Package)等。芯片集成LED和传统意义的LED的区别在于：1、功率大，芯片集成LED为25～1500W，传统LED为0.5W～3W之间。2、芯片集成LED为平面或凸面发光，而传统LED为点光源发光。3、电光转换效率高。芯片集成LED的发光效率为20％左右，而传统LED为10％。4、高功率密度，芯片集成LED的光功率密度是传统LED的数倍到数十倍。
本实用新型使用芯片集成LED(25W～1500W)，使用特别设计的聚光器，把超大功率的光经聚光器后直接耦合到光纤中。实际测量，即25W的LED光输出为25W×20％＝5W，经聚光器后(光损失＜50％)耦合在光纤中，在光纤末端光功率为5W×50％＝2.5W。2500mw的光纤末端输出已能满足临床治疗要求，使单颗芯片集成LED体内治疗能为可能。
下面结合附图对本实用新型作进一步阐述。
附图说明
图1为本实用新型芯片集成LED光子体内腔道炎症治疗设备结构简图图中标记：1为芯片集成LED，2为导热胶，3为散热器，4为外壳内空腔，5为风扇，6为外壳，7为光纤，8为光头
具体实施方式
本实用新型提出了一种芯片集成LED光子体内腔道炎症治疗设备，技术方案是：包括芯片集成LED、散热器、光纤、光头、控制电路及电源；芯片集成LED、散热器组装成光源头，其前端与光纤连接，光纤再连接上光头。所述芯片集成LED直接贴在散热器上，芯片集成LED与散热器中间加导热胶，散热器后端设置风扇。本实用新型使用的芯片集成LED，其功率为25w～1500w，平面或凸面发光，发光面积为5×5mm2～150×150mm2，波长较佳地选为630nm±20nm，也可采用670nm±20nm的波长。散热器上开上下相通的通风槽，既可解决通风又可扩大散热面积。通常散热器上开槽可以是发射状或网状形状。芯片集成LED的热量通过散热风扇使其热量由光源头周边的外壳孔中排出。所述散热器的材料为铜、铝、铝合金等高导热率的材料。本实用新型芯片集成LED前端聚光器形状为汇聚状锥形，可以是圆锥或方锥等。其材料选用铜、铝合金并镀高反光材料，也可选塑料、铁、铜合、橡胶等镀上高反光材料来做聚光器。根据实际情况，也可不选用聚光器，直接将光纤对接在芯片集成LED上。也可使用非球面透镜汇聚光线到光纤中。本实用新型为保证芯片集成LED的正常工作，装置器中设有一个检测LED温度的温度感应器。在温度超过设定值后，控制台上报警器会发报警信号和停机。本实用新型中有照射表面光功率检测器，可根据病情调节光功率输出大小，其调节可以手动也可自动调节。
本实用新型使用25W～1500W单颗芯片集成LED，波长选用630±20nm，也可采用670nm±20nm的波长。使用圆锥形聚光器，直接把耦合到光纤中，也可先用大面积光纤束直接贴在LED发光面上，在大面积光纤束后加聚光器。光纤直径从400nm～20mm，根据部位不同而有所变化。如支气管用400nm，阴道用20mm等。
特别地，在体内治疗中随着治疗部位的不同光纤的形状有不同的设计。如附图所示。例如在治疗消化道炎症时，使用了光纤为圆柱形的光纤。为便于进入消化道，光纤头的末端设计为半圆球置于圆柱体上。形状也可变为圆柱体或平头。在治疗中耳炎、鼻炎等腔体时可用球形光头。球的直径可随病人的年龄有所改变，如小儿，婴儿可选用小直径的光发头，成年人选用大直径的发射头。经直肠治疗前列腺炎时，可选半圆面光头。
以上光纤末端光发射头的形状，大小为多种多样，随病人年龄，治疗部位的不同而有所改变。同时可改变芯片集成LED的电流来调节光输出量，从而调节到达病灶部位的光功率。在光功率为100mw/cm2时，照射时间优选为20分钟，在光功率密度为50mw/cm2时，照射时间优选为30分钟。
本设备由芯片集成LED，散热器，聚光器，光纤及光头，控制电路及电源组成。为保证芯片集成LED的散热，LED直接贴在散热器上，LED和散热器中间加导热胶，散热器后面加风扇，聚光器把芯片集成LED面上发光光线汇聚到光纤中，光线经光纤导入人体，通过光纤末端的光头对病人照射。照射的时间和光功率由主机控制。
应用本实用新型，适应症包括：
内科：胃炎，气管炎、支气管哮喘等；
妇科：阴道炎、盆腔炎等；
消化科：食管炎、结肠炎、咽炎等；
口腔科：牙周炎、口腔溃疡等；
耳鼻喉科：中耳炎等。
通常用于消炎选用LED的波长为630±20nm，光功率为25W～1500W，光功率密度＞40mw/cm2。实际使用中，体内治疗如咽炎、中耳炎、阴道炎经7次治疗后炎症基本消除，临床观察发现对体内消炎有效率达95％。
Claims (7)
1、芯片集成LED光子体内腔道炎症治疗设备，其特征在于：包括芯片集成LED、散热器、光纤、光头、控制电路及电源；芯片集成LED、散热器组装成光源头，其前端与光纤连接，光纤再连接上光头。
2、根据权利要求1所述的芯片集成LED光子体内腔道炎症治疗设备，其特征在于：所述芯片集成LED贴在散热器上，芯片集成LED与散热器中间加导热胶，散热器后端设置风扇。
3、根据权利要求1或2所述的芯片集成LED光子体内腔道炎症治疗设备，其特征在于：所述芯片集成LED，其功率为25w～1500w，平面或凸面发光，发光面积为5×5mm2～150×150mm2，波长为630nm±20nm或670nm±20nm。
4、根据权利要求2所述的芯片集成LED光子体内腔道炎症治疗设备，其特征在于：散热器上开上下相通的通风槽，通风槽为发射状或网状形状。
5、根据权利要求3所述的芯片集成LED光子体内腔道炎症治疗设备，其特征在于：芯片集成LED前端与光纤之间设置有聚光器，形状为汇聚状锥形。
6、根据权利要求3所述的芯片集成LED光子体内腔道炎症治疗设备，其特征在于：芯片集成LED前端与光纤之间设置有聚光器，聚光器为非球面透镜，汇聚光线到光纤中。
7、根据权利要求1所述的芯片集成LED光子体内腔道炎症治疗设备，其特征在于：设备中设有一个检测LED温度的温度感应器，和调节光功率输出大小的光功率检测器。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: SHENZHEN PUMEN SCIENCE CO., LTD. ADDRESS Free format text: FORMER OWNER: XU YAN ADDRESS Effective date: 20081121 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20081121 Address after: Guangdong province Shenzhen city Nanshan District high tech Zone No. 8 Building second layer Ke Feng Lu 1, zip code: 518057 Patentee after: Lifotronic Technology Co., Ltd. Address before: No. 507, golden tower building, 63 South Xi'an Road, Chengdu, Sichuan, zip code: 610072 Co-patentee before: Liu Xiancheng Patentee before: Creep rock |
|
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: SHENZHEN PUMEN SCIENCE CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: XU YAN Effective date: 20081121 |
|
| C56 | Change in the name or address of the patentee |
Owner name: SHENZHEN PUMEN SCIENCE CO., LTD. Free format text: NEW ADDRESS: IRST FLOOR DISTRICT A, NO.3 FACTORY WORKSHOP, (NO.1 DISTRICT), BAIWANGXIN INDUSTRY DISTRICT, NANSHAN DISTRICT, SHENZHEN CITY, GUANGDONG PROVINCE, ZIP CODE:518108 |
|
| CP02 | Change in the address of a patent holder |
Address after: The A District of Guangdong city of Shenzhen province Nanshan District Baiwang letter Industrial Zone (an area) No. 3 plant (floor area A), zip code: 518108 Patentee after: Lifotronic Technology Co., Ltd. Address before: Guangdong province Shenzhen city Nanshan District high tech Zone No. 8 Building second layer Ke Feng Lu 1, zip code: 518057 Patentee before: Lifotronic Technology Co., Ltd. |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20081224 Termination date: 20151130 |
|
| EXPY | Termination of patent right or utility model |