CN201411508Y - 直拉单晶炉 - Google Patents
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Abstract
直拉单晶炉，由晶体提升电机、坩埚转动电机、炉壳、石英坩埚、石墨坩埚、加热器、保温层、导流管、掺杂托盘、坩埚托盘组成，其特征是所述的坩埚转动电机的上部设置坩埚托盘，坩埚托盘上面设置石墨坩埚，石墨坩埚的里面设置石英坩埚，石英坩埚的里面放置熔化物，石墨坩埚的外面设置加热器，加热器的外面设置保温层，保温层的外面设置炉壳，炉壳的下端设置坩埚转动电机，炉壳的上端设置晶体提升电机，坩埚转动电机、晶体提升电机均设置在炉壳的外部，晶体从熔化物中生长出后，由晶体提升电机缓慢向上提升。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种直拉单晶生长装置，属于半导体生长设备技术领域，具体是一种直拉单晶炉。
背景技术
目前，晶体的生长一般有二种方法：直拉法、区熔法，直拉单晶炉是直拉法生产单晶的重要设备，国内外文献中有不少关于直拉单晶炉的报道，其中，我国专利200720096818.3介绍了一种直拉法生长掺镓硅单晶的装置，专利200820059264.4介绍了一种带有一次加料器的直拉单晶炉，这些专利都很好地解决了一些单晶生长过程的难题，但其结构都过于复杂，且保温性能不是很好，掺杂不够均匀，导致在生产晶体的过程中耗能太大，且所生产的晶体质量不够稳定，因而，设计一种保温节能、掺杂方便均匀的直拉单晶炉成为当务之急。
发明内容
为克服上述缺点，本实用新型设计了一种结构合理、保温节能、掺杂方便均匀的直拉单晶炉，它的技术方案为：所述的直拉单晶炉由晶体提升电机、坩埚转动电机、炉壳、石英坩埚、石墨坩埚、加热器、保温层、导流管、掺杂托盘、坩埚托盘组成，其特征是所述的坩埚转动电机的上部设置坩埚托盘，坩埚托盘上面设置石墨坩埚，石墨坩埚的里面设置石英坩埚，石英坩埚的里面放置熔化物，石墨坩埚的外面设置加热器，加热器的外面设置保温层，保温层的外面设置炉壳，炉壳的下端设置坩埚转动电机，炉壳的上端设置晶体提升电机，坩埚转动电机、晶体提升电机均设置在炉壳的外部，晶体从熔化物中生长出后，由晶体提升电机缓慢向上提升。
本实用新型所述的导流管设置在石英坩埚的里面，导流管的下端设置掺杂托盘，掺杂托盘距石英坩埚的底部5厘米。
本实用新型所述的掺杂托盘为圆盘型，由多晶材料制成，所掺杂质可均匀地放入掺杂托盘中。
本实用新型所述的保温层为真空层。
本实用新型所述的坩埚转动电机可带动石英坩埚、石墨坩埚及石英坩埚内的熔化物一起转动。
本实用新型结构合理、保温节能、掺杂方便均匀，可生产出质量稳定的晶体材料，且能耗低。
附图说明：
附图是本实用新型结构示意图；
附图中，1.晶体提升电机，2.炉壳，3.石英坩埚，4.石墨坩埚，5.加热器，6.保温层，7.坩埚转动电机，8.晶体，9.导流管，10.掺杂托盘，11.熔化物，12.坩埚托盘。
具体实施方式
结合附图对本实用新型进一步详细描述，以便公众更好地掌握本实用新型的实施方法，本实用新型具体的技术方案为：
所述的直拉单晶炉由晶体提升电机1、坩埚转动电机7、炉壳2、石英坩埚3、石墨坩埚4、加热器5、保温层6、导流管9、掺杂托盘10、坩埚托盘12组成，其特征是所述的坩埚转动电机7的上部设置坩埚托盘12，坩埚托盘12上面设置石墨坩埚4，石墨坩埚4的里面设置石英坩埚3，石英坩埚3的里面放置熔化物11，石墨坩埚4的外面设置加热器5，加热器5的外面设置保温层6，保温层6的外面设置炉壳2，炉壳2的下端设置坩埚转动电机7，炉壳2的上端设置晶体提升电机1，坩埚转动电机7、晶体提升电机1均设置在炉壳2的外部，晶体8从熔化物11中生长出后，由晶体提升电机1缓慢向上提升。
所述的导流管9设置在石英坩埚3的里面，导流管9的下端设置掺杂托盘10，掺杂托盘10距石英坩埚3的底部5厘米。
所述的掺杂托盘10为圆盘型，由多晶材料制成，所掺杂质可均匀地放入掺杂托盘10中。
所述的保温层6为真空层。
所述的坩埚转动电机7可带动石英坩埚3、石墨坩埚4及石英坩埚3内的熔化物11一起转动。
本实用新型结构合理、保温节能、掺杂方便均匀，可生产出高质量且性能稳定的晶体材料，且生产过程中能耗低。
Claims (2)
1.直拉单晶炉，由晶体提升电机(1)、坩埚转动电机(7)、炉壳(2)、石英坩埚(3)、石墨坩埚(4)、加热器(5)、保温层(6)、导流管(9)、掺杂托盘(10)、坩埚托盘(12)组成，其特征是所述的坩埚转动电机(7)的上部设置坩埚托盘(12)，坩埚托盘(12)上面设置石墨坩埚(4)，石墨坩埚(4)的里面设置石英坩埚(3)，石英坩埚(3)的里面放置熔化物(11)，石墨坩埚(4)的外面设置加热器(5)，加热器(5)的外面设置保温层(6)，保温层(6)的外面设置炉壳(2)，炉壳(2)的下端设置坩埚转动电机(7)，炉壳(2)的上端设置晶体提升电机(1)，坩埚转动电机(7)、晶体提升电机(1)均设置在炉壳(2)的外部，晶体(8)从熔化物(11)中生长出后，由晶体提升电机(1)缓慢向上提升。
2.根据权利要求1所述的直拉单晶炉，其特征在于所述的导流管(9)设置在石英坩埚(3)的里面，导流管(9)的下端设置掺杂托盘(10)，掺杂托盘(10)距石英坩埚(3)的底部5厘米。
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| CN (1) | CN201411508Y (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113337881A (zh) * | 2021-05-25 | 2021-09-03 | 宋斐 | 一种单晶炉 |
| CN115948792A (zh) * | 2022-12-07 | 2023-04-11 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 单晶炉装置 |
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2009
- 2009-06-20 CN CN2009200277644U patent/CN201411508Y/zh not_active Expired - Fee Related
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| CN113337881A (zh) * | 2021-05-25 | 2021-09-03 | 宋斐 | 一种单晶炉 |
| CN115948792A (zh) * | 2022-12-07 | 2023-04-11 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 单晶炉装置 |
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