CN201388190Y - 双可控硅触发电路 - Google Patents
双可控硅触发电路 Download PDFInfo
- Publication number
- CN201388190Y CN201388190Y CN200920135842U CN200920135842U CN201388190Y CN 201388190 Y CN201388190 Y CN 201388190Y CN 200920135842 U CN200920135842 U CN 200920135842U CN 200920135842 U CN200920135842 U CN 200920135842U CN 201388190 Y CN201388190 Y CN 201388190Y
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- controllable silicon
- square wave
- circuit
- double
- isolating transformer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 69
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 69
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 69
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 claims description 7
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
本实用新型双可控硅触发电路，包括方波发生电路、方波放大电路、磁隔离电路、第一可控硅和第二可控硅，其特征在于，所述磁隔离电路包括第一隔离变压器和第二隔离变压器，所述第一隔离变压器的副边脉冲驱动所述第一可控硅，所述第二隔离变压器的副边脉冲驱动所述第二可控硅。本实用新型简化了双可控硅触发电路，节约了成本；同时，采用共模电感代替脉冲变压器，缩小了体积，节约了成本；更进一步地，采用隔直电容产生交流方波，以交流方波的正负半周分别驱动两个可控硅，大大降低了触发脉冲电流的大小，极大的降低了电源负载的波动，也避免了可控硅的误动作，使触发更加可靠；而且控制信号采用TTL电平，触发延时在10uS以内，不会对控制电路产生干扰。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种可控硅触发电路，尤其涉及一种双可控硅的触发电路。
背景技术
在由可控硅构成的双向导通电路中，可由两个单向可控硅以背靠背方式反并联构成。传统的单向可控硅驱动电路如图1所示，通过微处理器输出的信号控制三极管的通断形成脉冲电流，脉冲变压器T1实现控制电路与主电路的电气隔离，脉冲变压器的副边脉冲通过二极管整流驱动单向可控硅。现有技术中，采用双可控硅反并联电路中有如下两种驱动方法：一种方案是采用两套独立的电路分别驱动，这个方案的缺点是：电路复杂，两套独立的电路分别驱动增加了成本，同时需要两路微处理器控制信号，占用较大的微处理器资源；另一种方案是两个可控硅的门极并接在一起，共用一个驱动信号，这种方案的缺点是瞬时驱动电流增大，电源的瞬时负载增大，容易引起电源的瞬时波动，同时，电路中使用的脉冲变压器体积比较大，成本比较高。
实用新型内容
本实用新型解决的技术问题是：克服现在技术中驱动电路复杂，电路成本高以及驱动电路易引起驱动电源波动的缺点，并增加驱动电路的可靠性。
本实用新型采取的技术方案是：包括方波发生电路、方波放大电路、磁隔离电路，第一可控硅和第二可控硅，其特征在于，所述磁隔离电路包括第一隔离变压器和第二隔离变压器，所述第一隔离变压器的副边脉冲驱动所述第一可控硅，所述第二隔离变压器的副边脉冲驱动所述第二可控硅。
本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是：所述第一可控硅和第二可控硅反向并联，所述第一可控硅和第二可控硅为单向可控硅。
本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是：所述第一隔离变压器和第二隔离变压器采用共模电感。
本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是：所述共模电感为10～18mH。
本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是：所述方波信号选通的控制采用TTL电平。
本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是：所述方波放大电路采用共基极的NPN三极管与PNP三极管串联。
本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是：所述方波放大电路中由达林顿管控制所述NPN三极管与PNP三极管的通断。
本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是：所述方波放大电路与磁隔离电路通过隔直电容连接，方波放大电路放大后的正方波信号经隔直电容变为交流波驱动第一可控硅和第二可控硅。
本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是：所述隔直电容为0.1uF的独石电容。
本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是：所述通过独石电容后产生的交流信号的正半波驱动第二可控硅，所述交流信号的负半波驱动第一可控硅。
本实用新型技术解决技术问题的技术效果是：通过所述第一可控硅和第二可控硅反向并联，所述第一隔离变压器的副边脉冲驱动所述第一可控硅，所述第二隔离变压器的副边脉冲驱动所述第二可控硅，简化了双可控硅触发电路，节约了成本；同时，采用共模电感代替脉冲变压器，缩小了体积，节约了成本；更进一步地，采用隔直电容产生交流方波，以交流方波的正负半周分别驱动两个可控硅，大大降低了触发脉冲电流的大小，使触发更加可靠，同时极大的降低了电源负载的波动，也避免了可控硅的误动作；而且控制信号采用TTL电平，触发延时在10uS以内，不会对控制电路产生干扰。
附图说明
图1为现在技术中单向可控硅驱动电路图。
图2为本实用新型双可控硅触发电路图。
图3为本实用新型方波发生电路中产生的方波。
图4为本实用新型M点产生的波形。
图5为本实用新型N点产生的波形。
图6为本实用新型可控硅触发脉冲波形。
具体实施方式
下面结合具体实施例和附图对本实用新型技术方案进行进一步说明：
如图2所示，本实用新型双可控硅触发电路，包括方波发生电路、方波放大电路、磁隔离电路，所述磁隔离电路包括第一隔离变压器T1和第二隔离变压器T2，还包括第一可控硅Q1和第二可控硅Q2，所述第一可控硅Q1和第二可控硅Q2反向并联，所述第一隔离变压器T1的副边串联电阻R5后再与第一可控硅Q1的控制端连接，即所述第一隔离变压器T1的副边脉冲驱动所述第一可控硅Q1，所述第二隔离变压器T2的副边串联电阻R4后再与第二可控硅Q2的控制端连接，即所述第二隔离变压器T2的副边脉冲驱动所述第二可控硅Q2。本实用新型简化了双可控硅触发电路，节约了成本；同时，采用共模电感代替脉冲变压器，缩小了体积，节约了成本；
如图2所示，所述第一可控硅和第二可控硅为单向可控硅。所述第一隔离变压器和第二隔离变压器采用10～18mH的共模电感，这样即可以获得较好的脉冲传递效果，通过所述第一隔离变压器和第二隔离变压器采用共模电感代替传统的成本高、体积大的脉冲变压器。图中，R3是偏置电阻，R4、R5是限流电阻，C4是滤波电容。
如图2所示，所述方波放大电路包括达林顿管和NPN三极管和PNP三极管，所述NPN三极管与PNP三极管串联并且共基极，其共同的基极接在达林顿管ULN2003的输出脚，达林顿管ULN2003控制所述NPN三极管与PNP三极管的通断。
如图2所示，所述方波放大电路与磁隔离电路通过隔直电容C3连接，方波放大电路放大后的正方波信号经隔直电容C3变为交流波驱动第一可控硅Q1和第二可控硅Q2。所述隔直电容C3为0.1uF的独石电容。
如图2所示，方波发生电路生成幅值为0～5V的方波，根据需要调整R、C值可以改变方波频率，采用如图2所示的参数所产生的方波频率在70KHz左右，方波波形如图3所示。控制信号通过或门控制方波的选通，方波信号通过达林顿管ULN2003控制所述共基极的NPN三极管与PNP三极管的通断，从而实现方波的放大，在M点处产生幅值为0～12V的正方波信号，波形如图4所示。该电压信号再通过所述0.1uF的独石电容C3在N点生成幅值为-6～+6V的交流信号，波形如图5所示。所述通过独石电容后产生的交流信号的正半波驱动第二可控硅Q2，所述交流信号的负半波驱动第一可控硅Q1，可控硅门极触发脉冲波形如图6所示。
如图2所示，当不需要可控硅导通时，控制信号为高电平，或门输出高电平，达林顿管ULN2003导通，三极管基极为0电平，三极管不导通，N点为0电平，可控硅不导通。当需要可控硅导通时，控制信号为低电平，或门输出方波，经达林顿管ULN2003，三极管同频率的导通与截止，M点得到放大的方波，经隔直电容C3隔直，在N点行到交流的可控硅驱动信号。
本实用新型简化了双可控硅触发电路，节约了成本；同时，采用共模电感代替脉冲变压器，缩小了体积，节约了成本；更进一步地，采用隔直电容产生交流方波，以交流方波的正负半周分别驱动两个可控硅，大大降低了触发脉冲电流的大小，使触发更加可靠，同时极大的降低了电源负载的波动，也避免了可控硅的误动作；而且控制信号采用TTL电平，触发延时在10uS以内，不会对控制电路产生干扰。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本实用新型所作的进一步详细说明，不能认定本实用新型的具体实施只局限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本实用新型的保护范围。
Claims (10)
1.一种双可控硅触发电路，包括方波发生电路、方波放大电路、磁隔离电路，第一可控硅和第二可控硅，其特征在于，所述磁隔离电路包括第一隔离变压器和第二隔离变压器，所述第一隔离变压器的副边脉冲驱动所述第一可控硅，所述第二隔离变压器的副边脉冲驱动所述第二可控硅。
2、根据权利要求1所述的双可控硅触发电路，其特征在于，所述第一可控硅和第二可控硅反向并联，所述第一可控硅和第二可控硅为单向可控硅。
3、根据权利要求1所述的双可控硅触发电路，其特征在于，所述第一隔离变压器和第二隔离变压器采用共模电感。
4、根据权利要求3中任一所述的双可控硅触发电路，其特征在于，所述共模电感为10～18mH。
5、根据权利要求1所述的双可控硅触发电路，其特征在于，所述方波信号选通的控制采用TTL电平。
6、根据权利要求1所述的双可控硅触发电路，其特征在于，所述方波放大电路采用共基极的NPN三极管与PNP三极管串联。
7、根据权利要求6所述的双可控硅触发电路，其特征在于，所述方波放大电路中由达林顿管控制所述NPN三极管与PNP三极管的通断。
8、根据权利要求1所述的双可控硅触发电路，其特征在于，所述方波放大电路与磁隔离电路通过隔直电容连接，方波放大电路放大后的正方波信号经隔直电容变为交流波驱动第一可控硅和第二可控硅。
9、根据权利要求8所述的双可控硅触发电路，其特征在于，所述隔直电容为0.1uF的独石电容。
10、根据权利要求8所述的双可控硅触发电路，其特征在于，所述通过独石电容后产生的交流信号的正半波驱动第二可控硅，所述交流信号的负半波驱动第一可控硅。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200920135842U CN201388190Y (zh) | 2009-03-24 | 2009-03-24 | 双可控硅触发电路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200920135842U CN201388190Y (zh) | 2009-03-24 | 2009-03-24 | 双可控硅触发电路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN201388190Y true CN201388190Y (zh) | 2010-01-20 |
Family
ID=41580735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN200920135842U Expired - Fee Related CN201388190Y (zh) | 2009-03-24 | 2009-03-24 | 双可控硅触发电路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN201388190Y (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102583019A (zh) * | 2012-01-12 | 2012-07-18 | 张建东 | 一种电磁振动机械控制电路 |
| CN105589047A (zh) * | 2015-12-22 | 2016-05-18 | 易事特集团股份有限公司 | 一种电源的老化测试电路 |
| CN113054740A (zh) * | 2021-01-21 | 2021-06-29 | 中电装备山东电子有限公司 | 一种畸变电流发生装置及采用其的拓扑识别系统 |
| CN116256610A (zh) * | 2023-05-12 | 2023-06-13 | 南京宏泰半导体科技股份有限公司 | 一种实现自动触发半导体测试机测试信号的方法 |
-
2009
- 2009-03-24 CN CN200920135842U patent/CN201388190Y/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102583019A (zh) * | 2012-01-12 | 2012-07-18 | 张建东 | 一种电磁振动机械控制电路 |
| CN105589047A (zh) * | 2015-12-22 | 2016-05-18 | 易事特集团股份有限公司 | 一种电源的老化测试电路 |
| CN113054740A (zh) * | 2021-01-21 | 2021-06-29 | 中电装备山东电子有限公司 | 一种畸变电流发生装置及采用其的拓扑识别系统 |
| CN116256610A (zh) * | 2023-05-12 | 2023-06-13 | 南京宏泰半导体科技股份有限公司 | 一种实现自动触发半导体测试机测试信号的方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN201388190Y (zh) | 双可控硅触发电路 | |
| CN102522970A (zh) | 触发节能装置及晶闸管开关 | |
| CN202435365U (zh) | 触发节能装置及晶闸管开关 | |
| CN107818218A (zh) | 一种用于电磁故障注入的纳秒级电磁脉冲发生器 | |
| CN101997477A (zh) | 吸油烟机马达pwm脉冲调节电路 | |
| CN101997420A (zh) | 一种不对称半桥磁耦合驱动电路 | |
| CN105449997A (zh) | 一种功率变换器的功率开关管隔离栅驱动电路 | |
| CN104633225B (zh) | 一种快速电磁阀的驱动控制电路 | |
| CN202798435U (zh) | 高性能低成本igbt负压自举驱动电路 | |
| CN102280990B (zh) | 一种磁隔离驱动电路 | |
| CN109240408A (zh) | SiCMOSFET门极驱动电压控制电路及其控制方法 | |
| CN202737834U (zh) | 一种mcr励磁系统的调制驱动装置 | |
| CN203368305U (zh) | Igbt模块功率开关的驱动电路 | |
| CN107733411B (zh) | 半控型器件驱动节流装置 | |
| CN105490528A (zh) | 用于点火系统的高压分流电路 | |
| CN205356130U (zh) | 一种igbt驱动电路 | |
| CN103780108A (zh) | 一种开关电源驱动电路及其死区时间调节方法 | |
| CN205283380U (zh) | 一种宽占空比的mosfet隔离驱动电路 | |
| CN202600410U (zh) | 一种控制电路 | |
| CN204031103U (zh) | Igbt的栅极保护电路及电磁炉 | |
| CN101604965A (zh) | 一种场效应晶体管死区控制驱动信号的发生电路 | |
| CN101072020B (zh) | 场效应晶体管死区控制驱动信号的发生电路 | |
| CN207720105U (zh) | 一种隔离的开关管驱动电路 | |
| CN206117489U (zh) | 一种数控与模拟混合驱动电路结构 | |
| CN205901600U (zh) | 输入电流可调、输出恒流的推挽电路 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20100120 Termination date: 20130324 |