CN107733411B - 半控型器件驱动节流装置 - Google Patents

Abstract

本发明半控型器件驱动节流装置属于电学领域，特别是一种适用在晶闸管等半控型器件的驱动回路中使用的无驱动盲区或驱动盲区极小的半控型器件驱动节流装置，其包括第一晶体管、第二晶体管、一电容、第一限流元件，第二晶体管的输入端通过第一限流元件与所需驱动的半控型器件的第一端连接，第二晶体管的输出信号通过电容连接至第一晶体管，第一晶体管串联在半控型器件的驱动回路中，第一晶体管在半控型器件两端电位差不大于半控型器件通态电压时导通，第一晶体管在半控型器件导通后截止，本发明具有电路简单、驱动盲区小或无驱动盲区驱动，且节流效果好的优点。

Description

半控型器件驱动节流装置

技术领域

本发明半控型器件驱动节流装置属于电学领域,特别是一种适用在晶闸管等半控型器件的驱动回路中使用的无驱动盲区或驱动盲区极小的半控型器件驱动节流装置。

背景技术

目前在需要对负载频繁投切的电控系统中,广泛使用晶闸管（半控型器件）对阻性、感性或容性负载进行投切，为了减少晶闸管的驱动功率，市场上出现了用于减少驱动能耗的相关技术，如专利号为：ZL201110430747.7，专利名称为：触发节能装置及晶闸管开关，其所揭示的工作原理是：电压检测电路检测到晶闸管的主回路两端电压大于晶闸管的通态电压（一般为1.1到1.9V，原文件定义为导通电压降）时，控制电子开关导通，驱动信号通过电子开关驱动晶闸管导通，电压检测电路检测到晶闸管导通时，控制电子开关截止，虽其可以做到与传统晶闸管的驱动方式相比其驱动盲区更小，但仍然存在以下不足：

电压检测电路必须检测到晶闸管的主回路两端电压大于晶闸管通态电压时，才控制电子开关导通，由于滞后提供晶闸管驱动信号，已客观存在驱动盲区，并且晶闸管从其触发极得到驱动信号到晶闸管导通输出存在一定的响应时间，理论上无法做到对晶闸管无盲区驱动，见采用该技术的晶闸管导通时两端的电压波形图（如图1）。

发明内容

本发明的目的在于解决现有晶闸管驱动的不足而提供一种适用在晶闸管等半控型器件的驱动回路中使用的无驱动盲区或驱动盲区极小，同时具备较好的节流效果的的半控型器件驱动节流装置。

实现本发明的目的是通过以下技术方案来达到的：

一种半控型器件驱动节流装置，包括第一晶体管、第二晶体管、一电容、第一限流元件，第二晶体管的输入端通过第一限流元件与所需驱动的半控型器件的第一端连接，第二晶体管的输出信号通过电容连接至第一晶体管，第一晶体管串联在半控型器件的驱动回路中，第一晶体管在半控型器件两端电位差不大于半控型器件通态电压时导通，第一晶体管在半控型器件导通后截止。

一种半控型器件驱动节流装置，在半控型器件两端电位差达到半控型器件通态电压且半控型器件导通前，通过第一晶体管的电流大于或等于驱动半控型器件导通所需的最小驱动电流。

一种半控型器件驱动节流装置，为四个端口电路，其中三个端口分别与半控型器件的第一端、半控型器件的第二端、半控型器件的第三端连接，另一端口用于连接驱动信号。

一种半控型器件驱动节流装置，还包括第三晶体管，第三晶体管与电容并联，用于对电容放电。

一种半控型器件驱动节流装置，还包括第一二极管，第三电阻，第三晶体管的第一端、第三晶体管的第三端与电容连接，第三晶体管的第一端通过第三电阻与第三晶体管的第二端连接，第三晶体管的第二端、第三晶体管的第三端与第一二极管反向并联，第二晶体管的输出信号通过第一二极管、电容连接至第一晶体管。

一种半控型器件驱动节流装置，还包括第五晶体管，第五晶体管的输入端与第二晶体管的输入端反向并联，第五晶体管的输出信号连接至第三晶体管，用于控制第三晶体管对电容放电。

一种半控型器件驱动节流装置，还包括第四晶体管、第二电阻、第二二极管，第一限流元件为第一电阻，第二晶体管的输入端依次通过第二电阻、第一电阻与所需驱动的半控型器件的第一端连接，第二晶体管的输入端与第二电阻组成第一串联电路，第四晶体管的输入端与第二二极管串联组成的第二串联电路与第一串联电路并联，第四晶体管的输出端与第二晶体管的输入端并联。

一种半控型器件驱动节流装置，半控型器件为双向半控型器件，还包括第三晶体管、第一二极管，第三电阻、第六晶体管、第七晶体管，第三晶体管用于对电容放电，第三晶体管的第一端、第三晶体管的第三端与电容连接，第三晶体管的第一端通过第三电阻与第三晶体管的第二端连接，第三晶体管的第二端、第三晶体管的第三端与第一二极管反向并联，第二晶体管的输出信号通过第一二极管、电容连接至第一晶体管，第六晶体管的输入端与第二晶体管的输入端反向并联，第六晶体管的输出信号通过第七晶体管、第一二极管、电容连接至第一晶体管。

一种半控型器件驱动节流装置，还包括第四晶体管、第八晶体管、第二电阻、第二二极管、第三二极管，第一限流元件为第一电阻，第二晶体管的输入端依次通过第二电阻、第一电阻与半控型器件的第一端连接，第二晶体管的输入端与第二电阻组成第一串联电路，第四晶体管的输入端与第二二极管串联组成的第二串联电路与第一串联电路并联，第四晶体管的输出端与第二晶体管的输入端并联；第八晶体管的输入端与第三二极管串联组成的第三串联电路与第一串联电路并联，第八晶体管的输出端与第二晶体管的输入端并联。

一种半控型器件驱动节流装置，半控型器件为单向晶闸管或双向晶闸管。

一种半控型器件驱动节流装置，用于无盲区或低盲区驱动，半控型器件在半控型器件的通态电压时导通，或在不大于半控型器件的二倍通态电压时导通。

一种半控型器件驱动节流装置，第一限流元件为电阻。

本发明具有电路简单、驱动盲区小或无驱动盲区驱动，且节流效果好的优点。

附图说明

图1采用先前相关技术驱动的半控型器件导通时两端的电压波形图。

图2本发明半控型器件驱动节流装置电路原理图及实施例之一电路原理图。

图3本发明半控型器件驱动节流装置电路原理图及实施例之二电路原理图。

图4本发明半控型器件驱动节流装置电路原理图及实施例之三电路原理图。

具体实施方式

本发明半控型器件驱动节流装置的实施例之一，如图2所示：

一种半控型器件驱动节流装置，包括第一晶体管Q1、第二晶体管Q2、第三晶体管Q3、电容C1、第一限流元件R1（为电阻，这里定义为第一电阻）、第一二极管D1、第三电阻R3、第四晶体管Q4、第二电阻R2、第二二极管D2，第二晶体管Q2的输入端通过第二电阻R2（根据需要选用）、第一限流元件R1与所需驱动的半控型器件SCR1（单向晶闸管）的第一端（阳极）连接，第二晶体管Q2的输出信号通过第一二极管D1（根据需要选用）、电容C1连接至第一晶体管Q1，第一晶体管Q1串联在半控型器件SCR1的驱动回路中，第一晶体管Q1在半控型器件SCR1两端电位差不大于半控型器件SCR1通态电压时导通，第一晶体管Q1在半控型器件SCR1导通后截止；第三晶体管Q3与电容C1并联，用于对电容C1放电，第三晶体管Q3的第一端（集电极）、第三晶体管Q3的第三端（发射极）与电容C1连接，第三晶体管Q3的第一端通过第三电阻R3与第三晶体管Q3的第二端（基极）连接，第三晶体管Q3的第二端、第三晶体管Q3的第三端与第一二极管D1反向并联，第二晶体管Q2的输出信号通过第一二极管D1、电容C1连接至第一晶体管Q1，第二晶体管Q2的输入端依次通过第二电阻R2、第一电阻R1与半控型器件SCR1的第一端连接，第二晶体管Q2的输入端与第二电阻R2组成第一串联电路，第四晶体管Q4的输入端与第二二极管D2串联组成的第二串联电路与第一串联电路并联，第四晶体管Q4的输出端与第二晶体管Q2的输入端并联。

第四晶体管Q4、第二电阻R2、第二二极管D2用于过零控制，当半控型器件SCR1两端电压较高时，控制第一晶体管Q1不导通，在不需要过零接通控制时，第四晶体管Q4、第二电阻R2、第二二极管D2可以省略；第三晶体管Q3、第一二极管D1、第三电阻R3用于提高电容C1的放电速度，减少通过第一晶体管Q1电流的脉宽，提高节流效果。

工作原理：为方便理解和描述，现以半控型器件SCR1并联一二极管DA为例，在半控型器件SCR1两端电位差达到半控型器件SCR1通态电压且半控型器件SCR1导通前，建议通过第一晶体管Q1的电流大于或等于驱动半控型器件SCR1导通所需的最小驱动电流，在半控型器件SCR1两端电位差小于半控型器件SCR1的通态电压（一般为1.1V至1.9V之间），半控型器件SCR1两端电位差的方向满足半控型器件SCR1的导通电压方向，且大于第二晶体管Q2的开启电压时（约0.7V），通过第一限流元件R1的电流驱动第二晶体管Q2导通，第二晶体管Q2输出低电平，电容C1充电，J4端输入的直流驱动信号通过第一晶体管Q1传递到半控型器件SCR1，半控型器件SCR1两端电压达到半控型器件SCR1通态电压时，半控型器件SCR1导通，达到驱动半控型器件SCR1导通盲区极小或无盲区导通的目的，在半控型器件SCR1截止到导通区间，半控型器件SCR1两端存在很高的dv/dt（电压变化率），由于电容C1两端电压不能突变的物理特征，电容C1通过比较大的电流；在半控型器件SCR1导通后，半控型器件SCR1的第一端（阳极）对半控型器件SCR1的第三端（阴极）通态电压呈现为平波信号，电容C1呈现高阻态，第一晶体管Q1驱动电流极小或无，第一晶体管Q1截止，完成驱动节流过程，当半控型器件SCR1两端电压小于第二晶体管Q2的开启电压时，第二晶体管Q2截止，电容C1通过第三电阻R3驱动第三晶体管Q3导通，第三晶体管Q3快速对电容C1放电，准备下个工作循环。

本发明半控型器件驱动节流装置的实施例之二，如图3所示：

一种半控型器件驱动节流装置，包括第一晶体管Q1、第二晶体管Q2、第三晶体管Q3、电容C1、第一限流元件R1（为电阻，这里定义为第一电阻）、第五晶体管Q5、第四晶体管Q4、第二电阻R2、第二二极管D2，第二晶体管Q2的输入端通过第二电阻R2（根据需要选用）、第一限流元件R1与所需驱动的半控型器件SCR1（单向晶闸管）的第一端（阳极）连接，第二晶体管Q2的输出信号通过电容C1连接至第一晶体管Q1，第一晶体管Q1串联在半控型器件SCR1的驱动回路中，第一晶体管Q1在半控型器件SCR1两端电位差不大于半控型器件SCR1通态电压时导通，第一晶体管Q1在半控型器件SCR1导通后截止；第三晶体管Q3与电容C1并联，用于对电容C1放电，第三晶体管Q3的第一端（集电极）、第三晶体管Q3的第三端（发射极）与电容C1连接，第五晶体管Q5的输入端与第二晶体管Q2的输入端反向并联，第五晶体管Q5的输出信号连接至第三晶体管Q3，用于控制第三晶体管Q3对电容C1放电，第二晶体管Q2的输入端依次通过第二电阻R2、第一电阻R1与半控型器件SCR1的第一端连接，第二晶体管Q2的输入端与第二电阻R2组成第一串联电路，第四晶体管Q4的输入端与第二二极管D2串联组成的第二串联电路与第一串联电路并联，第四晶体管Q4的输出端与第二晶体管Q2的输入端并联。

第四晶体管Q4、第二电阻R2、第二二极管D2用于过零控制，当半控型器件SCR1两端电压较高时，控制第一晶体管Q1不导通，在不需要过零接通控制时，第四晶体管Q4、第二电阻R2、第二二极管D2可以省略；第三晶体管Q3、第五晶体管Q5用于提高电容C1的放电速度，减少通过第一晶体管Q1电流的脉宽，提高节流效果。

工作原理：为方便理解和描述，现以半控型器件SCR1并联一二极管DA为例，在半控型器件SCR1两端电位差达到半控型器件SCR1通态电压且半控型器件SCR1导通前，建议通过第一晶体管Q1的电流大于或等于驱动半控型器件SCR1导通所需的最小驱动电流，在半控型器件SCR1两端电位差小于半控型器件SCR1的通态电压（一般为1.1V至1.9V之间），且半控型器件SCR1两端电位差的方向满足半控型器件SCR1的导通电压方向，且大于第二晶体管Q2的开启电压时（约0.7V），通过第一限流元件R1的电流驱动第二晶体管Q2导通，第二晶体管Q2输出低电平，电容C1充电，J4端输入的直流驱动信号通过第一晶体管Q1传递到半控型器件SCR1，半控型器件SCR1两端电压达到半控型器件SCR1通态电压时，半控型器件SCR1导通，达到驱动半控型器件SCR1导通盲区极小或无盲区导通的目的，在半控型器件SCR1截止到导通区间，半控型器件SCR1两端存在很高的dv/dt（电压变化率），由于电容C1两端电压不能突变的物理特征，电容C1通过比较大的电流；在半控型器件SCR1导通后，半控型器件SCR1的第一端（阳极）对半控型器件SCR1的第三端（阴极）通态电压呈现为平波信号，电容C1呈现高阻态，第一晶体管Q1驱动电流极小或无，第一晶体管Q1截止，完成驱动节流过程，当半控型器件SCR1两端电压出现反向电压且大于第五晶体管Q5的开启电压时，驱动第三晶体管Q3导通，第三晶体管Q3快速对电容C1放电，准备下个工作循环。

本发明半控型器件驱动节流装置的实施例之三，如图4所示：

一种半控型器件驱动节流装置，包括第一晶体管Q1、第二晶体管Q2、第三晶体管Q3、电容C1、第一限流元件R1（为电阻，这里定义为第一电阻）、第四晶体管Q4、第六晶体管Q6、第七晶体管Q7、第八晶体管Q8、第一二极管D1，第二二极管D2、第三二极管D3、第二电阻R2、第三电阻R3，第二晶体管Q2的输入端通过第二电阻R2（根据需要选用）、第一限流元件R1与所需驱动的半控型器件TR1（双向晶闸管）的第一端（第二阳极）连接，第二晶体管Q2的输出信号通过第一二极管D1（根据需要选用）、电容C1连接至第一晶体管Q1，第六晶体管Q6的输入端与第二晶体管Q2的输入端反向并联，第六晶体管Q6的输出信号通过第七晶体管Q7、第一二极管D1、电容C1连接至第一晶体管Q1，第一晶体管Q1串联在半控型器件TR1的驱动回路中，第一晶体管Q1在半控型器件TR1两端电位差不大于半控型器件TR1通态电压时导通，第一晶体管Q1在半控型器件TR1导通后截止；第三晶体管Q3与电容C1并联，用于对电容C1放电，第三晶体管Q3的第一端（集电极）、第三晶体管Q3的第三端（发射极）与电容C1连接，第三晶体管Q3的第一端通过第三电阻R3与第三晶体管Q3的第二端（基极）连接，第三晶体管Q3的第二端、第三晶体管Q3的第三端与第一二极管D1反向并联，第二晶体管Q2的输入端依次通过第二电阻R2、第一电阻R1与半控型器件TR1的第一端连接，第二晶体管Q2的输入端与第二电阻R2组成第一串联电路，第四晶体管Q4的输入端与第二二极管D2串联组成的第二串联电路与第一串联电路并联，第四晶体管Q4的输出端与第二晶体管Q2的输入端并联；第八晶体管Q8的输入端与第三二极管D3串联组成的第三串联电路与第一串联电路并联，第八晶体管Q8的输出端与第二晶体管Q2的输入端并联。

第四晶体管Q4、第八晶体管Q8、第二电阻R2、第二二极管D2、第三二极管D3用于过零控制，当半控型器件TR1两端电压较高时，控制第一晶体管Q1不导通，在不需要过零接通控制时，第四晶体管Q4、第八晶体管Q8、第二电阻R2、第二二极管D2、第三二极管D3可以省略；第三晶体管Q3、第一二极管D1、第三电阻R3用于提高电容C1的放电速度，减少通过第一晶体管Q1电流的脉宽，提高节流效果。

工作原理：在半控型器件TR1两端电位差达到半控型器件TR1通态电压且半控型器件TR1导通前，建议通过第一晶体管Q1的电流大于或等于驱动半控型器件TR1导通所需的最小驱动电流，在半控型器件TR1两端电位差小于半控型器件TR1的通态电压（一般为1.1V至1.9V之间），半控型器件TR1两端电位差的方向满足半控型器件TR1的导通电压方向，且大于第二晶体管Q2的开启电压时（约0.7V），通过第一限流元件R1的电流驱动第二晶体管Q2导通，电容C1充电，J4端输入的直流驱动信号通过第一晶体管Q1传递到半控型器件TR1，半控型器件TR1两端电压达到半控型器件TR1通态电压时，半控型器件TR1导通，达到驱动半控型器件TR1导通盲区极小或无盲区导通的目的，在半控型器件TR1截止到导通区间，半控型器件TR1两端存在很高的dv/dt（电压变化率），由于电容C1两端电压不能突变的物理特征，电容C1通过比较大的电流；在半控型器件TR1导通后，半控型器件TR1的第一端（第二阳极）对半控型器件TR1的第三端（第一阳极）通态电压呈现为平波信号，电容C1呈现高阻态，第一晶体管Q1驱动电流极小或无，第一晶体管Q1截止，完成一个半波驱动节流过程，当半控型器件TR1两端电压小于第二晶体管Q2的开启电压时，第二晶体管Q2截止，电容C1通过第三电阻R3驱动第三晶体管Q3导通，第三晶体管Q3快速对电容C1放电；

在半控型器件TR1两端电位差小于半控型器件TR1的通态电压（一般为1.1V至1.9V之间），半控型器件TR1两端电位差的方向满足半控型器件TR1的导通电压方向，且大于第六晶体管Q6的开启电压时（约0.7V），通过第一限流元件R1的电流驱动第六晶体管Q6导通，第七晶体管Q7导通，电容C1充电，J4端输入的直流驱动信号通过第一晶体管Q1传递到半控型器件TR1，半控型器件TR1两端电压达到半控型器件TR1通态电压时，半控型器件TR1导通，达到驱动半控型器件TR1导通盲区极小或无盲区导通的目的，在半控型器件TR1截止到导通区间，半控型器件TR1两端存在很高的dv/dt（电压变化率），由于电容C1两端电压不能突变的物理特征，电容C1通过比较大的电流；在半控型器件TR1导通后，半控型器件TR1的第一端（第二阳极）对半控型器件TR1的第三端（第一阳极）通态电压呈现为平波信号，电容C1呈现高阻态，第一晶体管Q1驱动电流极小或无，第一晶体管Q1截止，完成下一个半波驱动节流过程，当半控型器件TR1两端电压小于第六晶体管Q6的开启电压时，第六晶体管Q6截止，电容C1通过第三电阻R3驱动第三晶体管Q3导通，第三晶体管Q3快速对电容C1放电。

本发明以上实施例半控型器件驱动节流装置为四个端口电路，其中J1、J2、J3三个端口与分别半控型器件的第一端、半控型器件的第二端、半控型器件的第三端连接，另一端口（J4）用于连接驱动信号。

本发明以上实施例所述的晶体管可以为三极管、或场效应管、或IGBT等类似半导体器件，图2、图3、图4仅仅是工作原理图，实际应用时可以常识性增加电阻，如电容C1串联电阻限流，第一晶体管Q1与第二晶体管Q2的基极和发射极之间连接电阻，用于提高电路稳定性，但工作原理相同，仍在本发明专利保护范围。

综上所述本发明具有以下优点：

1.电路简单、可靠性高、体积小、功耗小、成本低；

2.在不大于半控型器件的通态电压时第一晶体管提前导通，克服了先前相关技术客观存在的驱动盲区，并克服了半控型器件由得到驱动信号到其导通存在的响应速度带来的驱动盲区，使得半控型器件无导通盲区（半控型器件在通态电压时导通），或导通盲区极小（半控型器件在二倍半控型器件的通态电压内导通），大大减少对电网的谐波污染和干扰，并具有节流效果，减少驱动源的能耗和体积。

3.图2、图3、图4所示第一限流元件采用的是一电阻，根据情况也可以采用一电容，但电阻没有倍压现象，采用电阻更有利外部对半控型器件的频繁控制，节流效果更明显，同时过零控制电路更为简单。

4.电容C1连接用于对放电的第三晶体管，大大提高本发明的节流效果。

Claims (11)

1.一种半控型器件驱动节流装置，其特征是：包括第一晶体管、第二晶体管、一电容、第一限流元件，所述第二晶体管的输入端通过所述第一限流元件与所需驱动的半控型器件的第一端连接，所述第二晶体管的输出信号通过所述电容连接至所述第一晶体管，所述第一晶体管串联在所述半控型器件的驱动回路中，所述第一晶体管在所述半控型器件两端电位差不大于所述半控型器件通态电压时导通，在所述半控型器件两端电位差达到所述半控型器件通态电压且所述半控型器件导通前，通过所述第一晶体管的电流大于或等于驱动所述半控型器件导通所需的最小驱动电流，所述第一晶体管在所述半控型器件导通后截止。

2.根据权利要求1所述的半控型器件驱动节流装置，其特征是：为四个端口电路，其中三个端口分别与所述半控型器件的第一端、所述半控型器件的第二端、所述半控型器件的第三端连接，另一端口用于连接驱动信号。

3.根据权利要求1所述的半控型器件驱动节流装置，其特征是：还包括第三晶体管，所述第三晶体管与所述电容并联，用于对所述电容放电。

4.根据权利要求3所述的半控型器件驱动节流装置，其特征是：还包括第一二极管，第三电阻，所述第三晶体管的第一端、所述第三晶体管的第三端与所述电容连接，所述第三晶体管的第一端通过所述第三电阻与所述第三晶体管的第二端连接，所述第三晶体管的第二端、所述第三晶体管的第三端与所述第一二极管反向并联，所述第二晶体管的输出信号通过所述第一二极管、所述电容连接至所述第一晶体管。

5.根据权利要求3所述的半控型器件驱动节流装置，其特征是：还包括第五晶体管，所述第五晶体管的输入端与所述第二晶体管的输入端反向并联，所述第五晶体管的输出信号连接至所述第三晶体管，用于控制所述第三晶体管对所述电容放电。

6.根据权利要求1至5任一项所述的半控型器件驱动节流装置，其特征是：还包括第四晶体管、第二电阻、第二二极管，所述第一限流元件为第一电阻，所述第二晶体管的输入端依次通过所述第二电阻、所述第一电阻与所需驱动的半控型器件的第一端连接，所述第二晶体管的输入端与所述第二电阻组成第一串联电路，所述第四晶体管的输入端与所述第二二极管串联组成的第二串联电路与所述第一串联电路并联，所述第四晶体管的输出端与所述第二晶体管的输入端并联。

7.根据权利要求1至2任一所述的半控型器件驱动节流装置，其特征是：所述半控型器件为双向半控型器件，还包括第三晶体管、第一二极管，第三电阻、第六晶体管、第七晶体管，所述第三晶体管用于对所述电容放电，所述第三晶体管的第一端、所述第三晶体管的第三端与所述电容连接，所述第三晶体管的第一端通过所述第三电阻与所述第三晶体管的第二端连接，所述第三晶体管的第二端、所述第三晶体管的第三端与所述第一二极管反向并联，所述第二晶体管的输出信号通过所述第一二极管、所述电容连接至所述第一晶体管，所述第六晶体管的输入端与所述第二晶体管的输入端反向并联，所述第六晶体管的输出信号通过所述第七晶体管、所述第一二极管、所述电容连接至所述第一晶体管。

8.根据权利要求7所述的半控型器件驱动节流装置，其特征是：还包括第四晶体管、第八晶体管、第二电阻、第二二极管、第三二极管，所述第一限流元件为第一电阻，所述第二晶体管的输入端依次通过所述第二电阻、所述第一电阻与所述半控型器件的第一端连接，所述第二晶体管的输入端与所述第二电阻组成第一串联电路，所述第四晶体管的输入端与所述第二二极管串联组成的第二串联电路与所述第一串联电路并联，所述第四晶体管的输出端与所述第二晶体管的输入端并联；所述第八晶体管的输入端与所述第三二极管串联组成的第三串联电路与所述第一串联电路并联，所述第八晶体管的输出端与所述第二晶体管的输入端并联。

9.根据权利要求1所述的半控型器件驱动节流装置，其特征是：所述半控型器件为单向晶闸管或双向晶闸管。

10.根据权利要求1所述的半控型器件驱动节流装置，其特征是：用于无盲区或低盲区驱动，所述半控型器件在所述半控型器件的通态电压时导通，或在不大于所述半控型器件的二倍通态电压时导通。

11.根据权利要求1所述的半控型器件驱动节流装置，其特征是：所述第一限流元件为电阻。

Images