CN201365236Y - 互补转换驱动电路 - Google Patents

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CN201365236Y CNU2008201620001U CN200820162000U CN201365236Y CN 201365236 Y CN201365236 Y CN 201365236Y CN U2008201620001 U CNU2008201620001 U CN U2008201620001U CN 200820162000 U CN200820162000 U CN 200820162000U CN 201365236 Y CN201365236 Y CN 201365236Y
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陶学峰
梁学龙
孙晓瑞
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Abstract

本实用新型公开了一种互补转换之驱动电路，包括有二个PFET驱动端及二个NFET驱动端的方波控制器，上述四个驱动端分别经一反向驱动器后分别输出至NFET管的栅极与PFET管的栅极。本实用新型将方波控制器之每一驱动端加入一反相驱动器，因PFET驱动讯号反相后与NFET驱动讯号相同，且NFET驱动讯号反相后与PFET驱动讯号相同，故将因PFET驱动讯号反相后接至NFET，且NFET驱动讯号反相后接至PFET，可达到依电子开关调整输入信号大小及驱动能力的互补转换驱动电路。

Description

互补转换驱动电路
技术领域
本实用新型是一种驱动电路，特别是指一种互补转换之驱动电路。
背景技术
请参照图1，所示为现有驱动电路图示，由图1可知，现有驱动电路包括：一方波控制器1，所述方波控制器1分别有二个PFET驱动端V1与V3、二个NFET驱动端V2与V4，二个PFET管Q1与Q3的栅极分别连接至二个PFET驱动端V1与V3，二个NFET管Q2与Q4的栅极分别连接至二个分别连接至NFET驱动端V2与V4，二个PFET管Q1与Q3的源极接高电位，二个NFET管Q2与Q4的漏极接低电位，PFET管Q1的漏极与NFET管Q2的源极连接，接点为方波输出端Vo1，PFET管Q3的漏极与NFET管Q4的源极连接，接点为方波输出端Vo2。
请参照图2，所示为另一现有驱动电路图示，由图2可知，当上述驱动电路输入电压过高时，可在PFET管Q1的输入端增设由一电容C1、一电阻R1及一二极体D1组成的电路，在PFET管Q3的输入端增设由一电容C2、一电阻R2及一二极体D2组成的电路，可利用增设的电路将高电压转换至输入电压准位。
上述现有驱动电路均存在电子开关PFET管与NFET管的输入信号大小由方波控制器决定及驱动电路的驱动能力无法依电子开关调整等缺陷。
为克服上述现有技术的缺点，发明人提供本实用新型发明。
发明内容
本实用新型的发明目的在于：针对前述现状，提供一种可依电子开关调整输入信号大小及驱动能力的互补转换驱动电路。
本实用新型的目的通过以下技术解决方案来实现：
一种互补转换驱动电路，包括：一方波控制器，所述方波控制器有二个PFET驱动端、二个NFET驱动端，上述四个驱动端分别连接至一反向驱动器，与上述方波控制器PFET驱动端连接的反向驱动器分别输出至一NFET管的栅极，与上述方波控制器NFET驱动端连接的反向驱动器分别输出至一PFET管栅极。将上述二个PFET管与二个NFET管分成二组，每一组包含一个PFET管与一个NFET管，连接方式为：将上述其中一个PFET管的源极接高电平，该PFET管的漏极与一个NFET管的源极连接，该NFET管的漏极接地，该PFET管的漏极与该NFET管的源极接点为信号输出端。
本实用新型的目的还可以通过以下技术解决方案来进一步实现：
前述的互补转换驱动电路，所述PFET管栅极与源极间增设一电阻与一二极体并联电路，在所述PFET管栅极与所述反向驱动器间增设一电容。
本实用新型所述互补转换驱动电路，将方波控制器之每一驱动端加入一反相驱动器，因PFET驱动讯号反相后与NFET驱动讯号相同，且NFET驱动讯号反相后与PFET驱动讯号相同，故将因PFET驱动讯号反相后接至NFET，且NFET驱动讯号反相后接至PFET，可达到依电子开关调整输入信号大小及驱动能力的互补转换驱动电路。
下文将举若干实施例，并结合附图作进一步详细说明。
附图说明
图1是现有驱动电路图示；
图2是另一现有驱动电路图示；
图3是本实用新型第一种实施例的互补转换驱动电路图示；
图4是本实用新型第二种实施例的互补转换驱动电路图示；
具体实施方式
第一实施例：
请参照图3，为本实用新型第一种实施例的互补转换驱动电路图示。如图3所示，本实用新型之互补转换驱动电路包括：所述方波控制器1分别有二个PFET驱动端V1与V3、二个NFET驱动端V2与V4，二个PFET管Q1与Q3的栅极分别经过一反向驱动器2连接至二个NFET驱动端V2与V4，二个NFET管Q2与Q4的栅极分别经过一反向驱动器2连接至PFET驱动端V1与V3，二个PFET管Q1与Q3的源极接高电位，二个NFET管Q2与Q4的漏极接低电位，PFET管Q1的漏极与NFET管Q2的源极连接，接点为方波输出端Vo1，PFET管Q3的漏极与NFET管Q4的源极连接，接点为方波输出端Vo2。
第二实施例：
请参照图4，为本实用新型第二种实施例的互补转换驱动电路图示。如图4所示，本实用新型之互补转换驱动电路，在PFET管Q1与Q3的栅极与源极间分别增设一电阻R1与R2、一二极体D1与D2之并联电路，在PFET管Q1与Q3的栅极与反向驱动器2间分别增设一电容C1与C2。当输入电压过高时，可利用一电容及电阻及二极管将反向驱动器信号之输出转换至输入电压准位。
除上述实施例外，本实用新型还可以有其他实施方式。凡采用等同替换或等效变换形成的技术方案，均落在本实用新型要求的保护范围。

Claims (2)

1、一种互补转换驱动电路，其特征在于所述互补转换驱动电路包括：
一方波控制器，所述方波控制器有二个PFET驱动端、二个NFET驱动端，上述四个驱动端分别连接至；
一反向驱动器，与上述方波控制器PFET驱动端连接的反向驱动器分别输出至一NFET管的栅极，与上述方波控制器NFET驱动端连接的反向驱动器分别输出至一PFET管栅极；
将上述二个PFET管与二个NFET管分成二组，每一组包含一个PFET管与一个NFET管，连接方式为：将上述其中一个PFET管的源极接高电平，该PFET管的漏极与一个NFET管的源极连接，该NFET管的漏极接地，该PFET管的漏极与该NFET管的源极接点为信号输出端。
2、如权利要求1所述的互补转换驱动电路，其特征在于在所述PFET管栅极与源极间增设一电阻与一二极体并联电路，在所述PFET管栅极与所述反向驱动器间增设一电容。
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