CN201364902Y - 提高光吸收率的太阳能电池板 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种提高光吸收率的太阳能电池板，该太阳能电池板包括玻璃基片层、PIN层、背电极层、玻璃层，所述的背电极层是由ZnO层、Ag层和Al层构成的复合层，其中ZnO层与PIN层相邻，Ag层在ZnO层5和Al层之间，Al层与玻璃层相邻。本实用新型由于将背电极层由原来单纯的Al层变为目前的ZnO层、Ag层和Al层构成的复合层，所以ZnO层和Ag层会对通过PIN层的太阳光进行反射，则太阳光可再次通过PIN层，进行二次发电，并且(ZnO层和Ag层)具有隔透作用，使铝分子不至于扩撒到PIN结，影响PIN层的发电。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种太阳能电池板，具体的说是一种提高光吸收率的太阳能电池板。
背景技术
在非晶硅太阳能电池生产中，用透明导电玻璃作为基片，在玻璃基片上运用PECVD(等离子化学气象沉积)沉积PIN层，下一步运用磁控溅射溅积Al层作为背电极层(导电层)把每一点上的电收集起来，则形成一个非晶硅太阳能电池板。太阳光照射到电池板上，在PIN层的作用下进行发电，PIN层结的两端分别作为正负极。所以Al层有两个作用，分别是能增加太阳光的反射率和导电。
由于Al本身的特性，反射光强不能达到最佳，所以对太阳光的吸收不能达到最优，并且由于分子的扩散作用，Al向PIN层有较大的扩散作用，影响PIN层的结构，进而影响太阳能电池的发电。
发明内容
本实用新型的目的是要提供一种增大反射光强，使PIN层对太阳光的吸收达到最优，增大非晶硅太阳能电池的转换效率的太阳能电池板。
本实用新型的目的是这样实现的：该太阳能电池板包括玻璃基片层、PIN层、背电极层、玻璃层，所述的背电极层是由ZnO层、Ag层和Al层构成的复合层，其中ZnO层与PIN层相邻，Ag层在ZnO层5和Al层之间，Al层与玻璃层相邻。
所述的ZnO层厚度为80nm，Ag层厚度为100nm，Al层的厚度为80nm。
本实用新型由于将背电极层由原来单纯的Al层变为目前的ZnO层、Ag层和Al层构成的复合层，所以ZnO层和Ag层会对通过PIN层的太阳光进行反射，则太阳光可再次通过PIN层，进行二次发电，并且(ZnO层和Ag层)具有隔透作用，使铝分子不至于扩撒到PIN结，影响PIN层的发电。
附图说明
图1为提高光吸收率的太阳能电池板结构示意图
图2为本实用新型端面A部位局部放大结构示意图。
图3为现有技术中太阳能电池板端面局部放大结构示意图。
具体实施方式
由附图1、2所示：该太阳能电池板包括玻璃基片层1、PIN层2、背电极层3、玻璃层4，其特征在于：所述的背电极层3是由ZnO层5、Ag层6和Al层7构成的复合层，其中ZnO层5与PIN层2相邻，Ag层6在ZnO层5和Al层7之间，铝层7与玻璃层4相邻。
在非晶硅太阳能电池生产过程中，PECVD沉积完PIN层2时，进入磁控溅射设备，此时先溅镀ZnO层5，厚度为80nm；再溅镀Ag层6，厚度为100nm；然后再进行下一步的溅射Al层7，Al层7的厚度为80nm。后续的过程不发生变化。增加溅射ZnO层5和Ag层6后，会对通过PIN层的太阳光进行反射，则太阳光可再次通过PIN层2。进行二次发电。并且ZnO层5和Ag层6具有隔透作用，使铝分子不至于扩撒到PIN结，影响PIN层2的发电。
Claims (1)
1、一种提高光吸收率的太阳能电池板，该太阳能电池板包括玻璃基片层(1)、PIN层(2)、背电极层(3)、玻璃层(4)，其特征在于：所述的背电极层(3)是由ZnO层(5)、Ag层(6)和Al层(7)构成的复合层，其中ZnO层(5)与PIN层(2)相邻，Ag层(6)在ZnO层(5)和Al层(7)之间，Al层(7)与玻璃层(4)相邻。
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| CNU2008200729558U CN201364902Y (zh) | 2008-12-19 | 2008-12-19 | 提高光吸收率的太阳能电池板 |
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| CNU2008200729558U CN201364902Y (zh) | 2008-12-19 | 2008-12-19 | 提高光吸收率的太阳能电池板 |
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| CNU2008200729558U Expired - Lifetime CN201364902Y (zh) | 2008-12-19 | 2008-12-19 | 提高光吸收率的太阳能电池板 |
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| CN (1) | CN201364902Y (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102024857A (zh) * | 2010-10-28 | 2011-04-20 | 杭州天裕光能科技有限公司 | 薄膜太阳能电池背电极 |
| WO2011079540A1 (zh) * | 2009-12-31 | 2011-07-07 | Yuan Changsheng | 一种太阳能发电集热装置的高能模组 |
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2008
- 2008-12-19 CN CNU2008200729558U patent/CN201364902Y/zh not_active Expired - Lifetime
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| WO2011079540A1 (zh) * | 2009-12-31 | 2011-07-07 | Yuan Changsheng | 一种太阳能发电集热装置的高能模组 |
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