CN201360238Y - 压控三次泛音晶体振荡器 - Google Patents

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CN201360238Y CNU2009201446654U CN200920144665U CN201360238Y CN 201360238 Y CN201360238 Y CN 201360238Y CN U2009201446654 U CNU2009201446654 U CN U2009201446654U CN 200920144665 U CN200920144665 U CN 200920144665U CN 201360238 Y CN201360238 Y CN 201360238Y
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胡志雄
王洪斌
张立强
王海艳
王晓魁
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Tongfang Guoxin Electronics Co., Ltd.
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TANGSHAN JINGYUAN YUFENG ELECTRONICS CO Ltd
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Abstract

本实用新型涉及一种晶体振荡器，具体的说是一种压控三次泛音晶体振荡器。它包括三次泛音晶体谐振器，同向放大器，可变电抗网络，在同向放大器和可变电抗网络的输出端连接由基频抑制电路与并联加感展宽电路构成的复合电路。采用上述技术方案的本实用新型与现有技术相比，能够大幅度提高振荡器的使用范围，并且频率范围的升高减少了应用时倍频所带来的噪声，提高了系统的性能，所使用的三次泛音晶体振荡器，其晶片厚度是基频晶片厚度的三倍，提高了抗冲击振荡能力，可靠性得到增强。

Description

压控三次泛音晶体振荡器
技术领域：
本实用新型涉及一种晶体振荡器，具体的说是一种压控三次泛音晶体振荡器。
背景技术：
现有的压控晶体振荡器，采用的都是基频晶体振荡模式。由于受到晶体加工工艺的制约，普通的AT切基频晶体，其频率无法做的很高，只有1-50MHz。假如频率再高，则晶片厚度将会更薄，不但加工时的工艺难度增加，而且晶体抗冲击振动的能力急剧下降，严重影响使用时的可靠性。
目前国内尚无采用三次泛音晶体谐振器制作压控振荡器的原因，是因为无法解决因泛音晶体频率牵引小而导致的振荡器的压控范围过窄的难题。因此目前国内压控石英晶体振荡器没有超过百兆赫兹的产品。
而现如今做百兆以上频率的压控晶体振荡器的厂家且均采用高基频晶体。由于其加工工艺的难度所在，其制作成本将会高数十倍甚至数百倍，所以由于其费用过高，难以广泛应用。
发明内容：
本实用新型号的目的在于克服背景技术之不足而提供一种压控三次泛音晶体振荡器。
本实用新型采用如下技术方案：
一种压控三次泛音晶体振荡器，包括三次泛音晶体谐振器，同向放大器，可变电抗网络，在同向放大器和可变电抗网络的输出端连接由基频抑制电路与并联加感展宽电路构成的复合电路。
采用上述技术方案的本实用新型与现有技术相比，能够大幅度提高振荡器的使用范围，并且频率范围的升高减少了应用时倍频所带来的噪声，提高了系统的性能，所使用的三次泛音晶体振荡器，其晶片厚度是基频晶片厚度的三倍，提高了抗冲击振荡能力，可靠性得到增强。
附图说明：
图1是本实用新型的电路方框图。
图2是本实用新型的电路原理图。
具体实施方式：
下面结合附图及实施例详述本实用新型：
一种压控三次泛音晶体振荡器，参见附图1和附图2；其中：三次泛音晶体谐振器1，可变电抗网络2，同向放大器3，复合电路4，信号输出装置5组成。
复合电路4由基频抑制电路6和并联加感展宽电路7组成。
如图1所示三次泛音晶体谐振器1的两端分别与同向放大器3和可变电抗网络2连接，在同向放大器3的共射级输出端与可变电抗网络2的输出端连接有基频抑制电路6，并联加感展宽电路7与基频抑制电路6并联并构成复合电路4。
基频抑制电路6中的电容C9与电感L1串联并与同向放大器中的电阻R9的一端连接；并联加感展宽电路7中的电容C8与基频抑制电路中的电容C9与电感L1构成的串接电路并联，并与共同向放大器3中的电阻R9的一端连接；并联加感展宽电路7中的电容C8其选择条件满足基频抑制电路6和并联加感展宽电路7构成的复合电路4其频率略大于三次泛音晶体谐振器的频率fn，即满足：
( 2 &pi; f n L 1 - 1 2 &pi; f n C 9 ) - 1 2 &pi; f n C 8 < 0 .
本实施例中为C8＝43pF，L1＝68nH，C9＝270pF，其最结果为-0.02，其值小于0，满足呈感性电路的要求。
信号输出装置5与同向放大器3的电容C2的一端连接，复合电路4的功能一是抑制基频，二是并联加感，使得在基频抑制的同时大幅度的展宽三泛音晶体谐振频率的牵引范围。
本实施例利用了价格低廉的三次泛音晶体谐振器1，使得压控晶体振荡器的频率可以很容易提高到150MHZ；其压控范围可以达到±100ppm，且因使用了三次泛音晶体谐振器1，由于其Q值比基频晶体高很多，所以相位噪声可以得到很好的改善，其指标可达到-140dB@1kHZ(122.88MHZ)；该压控三次泛音晶体振荡器能够大幅度提高振荡器的使用范围，并且频率范围的升高减少了应用时倍频所带来的噪声，提高了系统的性能，所使用的三次泛音晶体振荡器，其晶片厚度是基频晶片厚度的三倍，提高了抗冲击振荡能力，可靠性得到增强。

Claims (4)

1、一种压控三次泛音晶体振荡器，包括三次泛音晶体谐振器，同向放大器，可变电抗网络，其特征在于：在同向放大器和可变电抗网络的输出端连接由基频抑制电路与并联加感展宽电路构成的复合电路。
2、根据权利要求1所述的压控三次泛音晶体振荡器，其特征在于：基频抑制电路中的电容(C9)与电感(L1)串联并与同向放大器中的电阻(R9)的一端连接。
3、根据权利要求1所述的压控三次泛音晶体振荡器，其特征在于：所述并联加感展宽电路中的电容(C8)与基频抑制电路中的电容(C9)与电感(L1)构成的串接电路并联，并与同向放大器中的电阻(R9)的一端连接。
4、根据权利要求1所述的压控三次泛音晶体振荡器，其特征在于：所述并联加感展宽电路中的电容(C8)其选择条件满足基频抑制电路和并联加感展宽电路构成的复合电路其频率略大于三次泛音晶体谐振器的频率fn，即满足：
( 2 &pi; f n L 1 - 1 2 &pi; f n C 9 ) - 1 2 &pi; f n C 8 < 0 .
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C56 Change in the name or address of the patentee

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Patentee after: Tongfang Guoxin Electronics Co., Ltd.

Address before: 064100 No. 3129 west end street, Yutian County, Hebei

Patentee before: Tangshan Jingyuan Yufeng Electronics Co., Ltd.

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Granted publication date: 20091209

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