CN201352562Y - 单结铜铟镓硫薄膜太阳能电池 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及太阳能电池技术,特别涉及一种化合物半导体薄膜单结铜铟镓硫CuInGaS2太阳电池技术,其特征在于;它是依次在玻璃,不锈钢板,特制塑胶板衬底1,上,电镀钼Mo或钛Te层作电极2,然后再应用多靶濺射沉积法在衬底1,上先濺射铜层Cu,再濺射铟层In,和镓层Ga,而后在硫的气氛中H2S或S粉的低温炉中作硫化处理后可得到具有黄铜矿结构的铜铟镓硫CuInGaS2多晶膜3,再相继在铜铟镓硫CuInGaS2表面3,上,采用濺射法溅射氧化锌ZnO过渡层4,和透明导电膜AzO层5,再镀減反射层6,最后镀金属柵极7,用于输出电流的结构。其优点为;性能稳定,转化率高、成本低、原料丰富,可大面积生产。
Description
技术领域;
本实用新型涉及一种太阳能电池技术,特别是一种化合物半导体合金;单结铜铟镓硫CuInGaS2簿膜太阳能电池技术。
背景技术;
太阳能发电是利用硅或合金等半导体材料的光伏效应,在光的照射下产生电能。硅系列产品分为单晶硅,多晶硅和非晶硅。单晶和多晶硅电池。是利用地球上的沙岩,〔二氧化硅〕用真空冶炼提纯铸成单晶或多晶硅棒,切割为片状铺设在密封并抽真空的玻璃扳下,嵌以电极串联或并联而成电池。其缺点:耗能量大,硅棒原料贫乏,成本高、不便于大面积生产。
非晶硅太阳能电池是最近才发展起来的一种新型簿膜电池。非晶硅电池的最大优点是成本低,〔为多晶硅电池成本的50%左右〕耗材少(电池厚度小于1μm.,是多晶硅片厚的1/50左右),材料与器件同时完成,便于大面积生产。且具有弱光发电特性。但转化率低、因此受到人们的普遍重视,并得到迅速发展。但转化率较低,衰減严重。
化合物半导体合金铜铟硒镓CuInGaSe2簿膜太阳能电池。制备方法简单,性能稳定,转化率高、成本低、原料丰富,可大面积生产。但硒化物有毒,价格高昂。
发明内容;
本实用新型发明的目的是;克服硅系列太阳能电池的缺点:回避了化合物半导体合金铜铟硒镓CuInGaSe2簿膜太阳能电池,硒化物有毒,价格高昂的币病。提供一种制备方法简单,性能稳定,加硫后禁带宽度为1。5eV更接近于太阳能电池材料最佳禁带宽度1.45eV.;能产生更高的开路电压,转化率高、成本低、原料丰富,可大面积生产的化合物半导体合金单结铜铟镓硫CuInGaS2簿膜太阳能电池。
本发明的技术方案是:
本实用新型;一种单结铜铟镓硫CuInGaS2太阳能电池,它是一种化合物半导体薄膜太阳能电池:,它是依次在玻璃,不锈钢板,特制塑胶板衬底上电镀钼Mo或钛Te层作电极。然后再应用多靶濺射沉积法在衬底上先濺射铜层Cu,再濺射铟层In,和镓层Ga,而后在硫的气氛中H2S或S粉的低温炉中作硫化处理后可得到具有黄铜矿结构的单结铜铟镓硫CuInGaS2多晶膜。相继在铜铟镓硫CuInGaS2表面上采用濺射法濺射氧化锌Zno过渡层和透明导电膜Azo层,再镀減反射层,最后镀金属栅极用于输出电流的结构。
本实用新型;一种单结铜铟镓硫CuInGaS2太阳能电池,它是一种化合物半导体薄膜太阳能电池:,它是依次在玻璃,不锈钢板,特制塑胶板衬底上电镀钼Mo或钛Te层作电极。然后再应用多靶濺射沉积法在衬底上先濺射铜层Cu,再濺射铟和镓层[In+Ga];铜/铟+镓,Cu/[In+Ga]比例控制在0.85-0.95之间;镓/铟,Ga/In比例控制在;0.25---0.35左右。而后在硫的气氛中H2S或S粉的低温炉中作硫化处理,利用氩气或氢气作载气,炉温保持在350---450℃之间;硫化时间10---30min;控制热处理的时间和温度即控制了S的含量;硫化,后可得到具有黄铜矿结构的单结铜铟镓硫CuInGaS2多晶薄膜,[晶粒大于1μm,膜厚为---2μm,电阻率在1---10Ω·cm;之后,相继在单结铜铟镓硫CuInGaS2表面上采用濺射法濺射氧化锌Zno过渡层和透明导电膜Azo层,再镀減反射层,最后镀金属栅极用于输出电流的结构。
附图说明:
图“1”为本实用新型单结铜铟镓硫薄膜太阳能电池结构示意图:
图中:1,衬底2,钼或钛电极3,铜铟镓硫多晶膜4,氧化锌过渡层5,透明导电膜层6,減反射层,7,金属栅极
参照附图具体实施方式;
本实用新型;一种单结铜铟镓硫,CuInGaS2太阳能电池,它是一种化合物半导体薄膜太阳能电池:,它是依次在玻璃,不锈钢板,特制塑胶板衬底1,上,电镀钼To或钛Te层作电极2,然后再应用多靶濺射沉积法在衬底上先濺射铜层Cu,再濺射铟和镓层,In,Ga而后在硫的气氛中H2S或S粉的低温炉中作硫化处理,后可得到具有黄铜矿结构的单结铜铟镓硫CuInGaS2多晶薄膜3;再相继在铜铟镓相继在铜铟镓硫膜CuInGaS2表面上采用濺射法濺射氧化锌Zno过渡层4,和透明导电膜Azo层5,;在其表面镀減反射膜6,最后镀金属栅极7,用于输出电流的结构。
本实用新型;一种单结铜铟镓硫CuInGaS2太阳能电池,它是一种化合物半导体薄膜太阳能电池:,它是依次在玻璃,不锈钢板,特制塑胶板衬底1,上,电镀钼Mo或钛Te层作电极2;然后再应用多靶濺射沉积法在衬底1上,先濺射铜层Cu,再濺射铟和镓层[In+Ga];铜/铟+镓,Cu/[In+Ga]比例控制在0.85-0.95之间;镓/铟,Ga/In比例控制在;0.25---0.35左右。而后在硫的气氛中H2S或S粉的低温炉中作硫化处理,利用氩气或氢气作载气,炉温保持在350---450℃之间;硫化时间10---30min;控制热处理的时间和温度即控制S的含量;硫化后可得到具有黄铜矿结构的单结铜铟镓硫CuInGaS2多晶薄膜3,[晶粒大于1μm,膜厚为---2μm,电阻率在1---10Ω·cm之间;],之后相继在铜铟镓硫CuInGaS2表面上采用濺射法濺射氧化锌Zno过渡层4,和透明导电膜Azo层5,;在其表面镀減反射膜6,最后镀金属栅极7,用于输出电流。
Claims (1)
1,一种单结铜铟镓硫薄膜太阳电池,特别涉及一种化合物半导体薄膜单结铜铟镓硫CuInGaS2太阳电池其特征在于;它是一种在扳式平面上镀不同原素膜的叠层电池;依次在玻璃,不锈钢板,特制塑胶平面板衬底(1)上,电镀钼Mo或钛Te层作电极(2),然后再应用多靶濺射沉积法在衬底(1)上,先濺射铜层Cu,再濺射铟层In,和镓层Ga,而后在硫的气氛中H2S或S粉的低温炉中作硫化处理附着硫S2层,组成了具有黄铜矿结构的单结铜铟镓硫CuInGaS2多晶膜(3;)再相继在铜铟镓硫CuInGaS2表面(3),上,采用濺射法濺射氧化锌Zno过渡层(4),和透明导电膜Azo层(5),再镀減反射层(6),最后镀金属柵极(7),用于输出电流的结构。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CNU2008201126806U CN201352562Y (zh) | 2008-04-17 | 2008-04-17 | 单结铜铟镓硫薄膜太阳能电池 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CNU2008201126806U CN201352562Y (zh) | 2008-04-17 | 2008-04-17 | 单结铜铟镓硫薄膜太阳能电池 |
Publications (1)
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CN201352562Y true CN201352562Y (zh) | 2009-11-25 |
Family
ID=41375947
Family Applications (1)
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CNU2008201126806U Expired - Fee Related CN201352562Y (zh) | 2008-04-17 | 2008-04-17 | 单结铜铟镓硫薄膜太阳能电池 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112279306A (zh) * | 2020-10-21 | 2021-01-29 | 南京晓庄学院 | 硫化物纳米晶的优化方法和Sn-S-Co纳米晶及其优化产物 |
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2008
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CN112279306B (zh) * | 2020-10-21 | 2021-07-06 | 南京晓庄学院 | 硫化物纳米晶的优化方法和Sn-S-Co纳米晶及其优化产物 |
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