CN201349015Y - 晶体硅-非晶硅异质结太阳电池 - Google Patents
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Abstract
一种晶体硅－非晶硅异质结太阳电池，包括第二电极(2)和设于晶体硅－非晶硅异质结太阳电池背光面(9)上的第一电极(1)，所述的第二电极(2)设于所述的晶体硅－非晶硅异质结太阳电池的背光面(9)。本实用新型晶体硅－非晶硅异质结太阳电池增加了受光面积以提高光电转换效率。
Description
技术领域
本实用新型涉及光伏发电技术，具体讲是一种晶体硅--非晶硅异质结太阳电池。
背景技术
目前，国外一知名大公司生产了一种基于HIT技术的晶体硅-非晶硅太阳电池，具有光伏效应的PN结是由非晶硅和N型单晶硅构成，其非晶硅层包含P型非晶硅层和本征非晶硅层。这家公司的非晶硅-晶体硅异质结太阳电池使用的禁带宽度不同的非晶硅和单晶硅形成的PN结，利用两种材料吸收不同的能量的光量子，可以提高电池的光电转换效率。但是现有技术的这种晶体硅-非晶硅异质结太阳电池的受光面设有电极和与电极连接的栅线，因而减少了晶体硅-非晶硅异质结太阳电池的受光面积，从而导致光电转换效率较低。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是，提供一种增加受光面积以提高光电转换效率的晶体硅-非晶硅异质结太阳电池。
本实用新型的技术方案是，提供一种晶体硅-非晶硅异质结太阳电池，包括第二电极和设于晶体硅-非晶硅异质结太阳电池背光面上的第一电极，所述的第二电极设于所述的晶体硅-非晶硅异质结太阳电池的背光面。
采用以上结构后，本实用新型与现有技术相比，具有以下优点：
本实用新型改变了现有的与栅线连接的电极设在受光面的结构，而将电极设在背光面上，增加了晶体硅-单晶硅异质结太阳电池的受光面积，从而提高了晶体硅-非晶硅异质结太阳电池光电转换效率。
附图说明
附图是本实用新型的结构图。
图中所示1、第一电极，2、第二电极，3、p型非晶硅层，4、n型非晶硅层，5、i型非晶硅层，6、晶体硅层，7、氮化硅薄膜层，8、受光面，9、背光面。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步说明。
如附图所示，本实用新型一种晶体硅(c-Si)-非晶硅(a-Si)异质结太阳电池，包括第二电极2和设于晶体硅(c-Si)-非晶硅(a-Si)异质结太阳电池背光面9上的第一电极1，所述的第二电极2设于所述的晶体硅(c-Si)-非晶硅(a-Si)异质结太阳电池的背光面9。
所述的第二电极2设于所述的晶体硅(c-Si)-非晶硅(a-Si)异质结太阳电池的背光面9是指：第二电极2一端与导线连接，其另一端与n型非晶硅(a-Si)层4连接；所述的n型非晶硅(a-Si)层4与p型非晶硅(a-Si)层3交替分布，形成了n型非晶硅(a-Si)层4与p型晶体硅(a-Si)层3的交替分布层。
在本实施例中，太阳电池从背光面9至受光面8的结构依次为：p型非晶硅(a-Si)层3和n型非晶硅(a-Si)层、i型非晶硅层5、晶体硅(c-Si)层6、氮化硅(SiNx)薄膜层7。由于将第二电极2设于背光面9，晶体硅(c-Si)-非晶硅(a-Si)太阳电池的受光面8为光滑表面，因此可最大化的增加受光面积。
所述的受光面8上还设有一层氮化硅(SiNx)薄膜7，减少了光反射，提高了光电转换效率，该氮化硅(SiNx)薄膜层7表面与受光面8贴合。
本实用新型的晶体硅(c-Si)-非晶硅(a-Si)异质结太阳电池采用的PECVD技术技术制成。
Claims (2)
1、一种晶体硅-非晶硅异质结太阳电池，包括第二电极(2)和设于晶体硅-非晶硅异质结太阳电池背光面(9)上的第一电极(1)，其特征在于：所述的第二电极(2)设于所述的晶体硅-非晶硅异质结太阳电池的背光面(9)。
2、根据权利要求1所述的晶体硅-非晶硅异质结太阳电池，其特征在于：所述的第二电极(2)设于所述的晶体硅-非晶硅异质结太阳电池的背光面(9)是指：第二电极(2)一端与导线连接，其另一端与n型非晶硅层(4)连接。
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Cited By (2)
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| CN102738289A (zh) * | 2011-04-02 | 2012-10-17 | 上海太阳能工程技术研究中心有限公司 | 异质结太阳能电池及其制作方法 |
| CN102738289B (zh) * | 2011-04-02 | 2016-09-14 | 上海太阳能工程技术研究中心有限公司 | 异质结太阳能电池及其制作方法 |
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