CN201332079Y - 全范围快速熔断器 - Google Patents

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林海鸥
倪溢雯
沈一鸣
徐鹤
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Abstract

本实用新型公开了一种全范围快速熔断器，该熔断器包括熔管、设于熔管两端的铜帽和触刀以及设于熔管内的熔体和石英砂，熔体包括数个银片，每个银片上设有数列断口，每列断口内纵向开有相等数量的通孔，每列断口的两边部分别呈半矩形结构，通孔为矩形孔。两触刀之间的总长度为50～52mm，熔管的直径为18mm。采用该结构的全范围快速熔断器具有体积小、额定电流范围大的特点，并且通过设置锡桥能够产生冶金效应，从而降低银片的熔点，提高其低倍过载的保护性能，为半导体电路提供更加全面的保护。

Description

全范围快速熔断器
技术领域
本实用新型涉及熔断器技术，更具体地说，涉及一种额定电压为交流250V，直流170V，额定电流范围为50～160A的全范围快速熔断器。
背景技术
熔断器是一种用于电缆、电线以及设备电路的过载与短路保护装置。熔断器的种类有很多，目前，较为常见的有：用于电缆电线保护的全范围普通熔断器(gG)、用于半导体保护的部分范围快速熔断器(aR)等，这些熔断器结构基本相同，一般均包括熔管、触刀、熔体和石英砂，触刀设于熔管两端，熔体和石英砂设于熔管内。不同的是，请参阅图1所示，全范围普通熔断器的熔体包括数个铜片10，每个铜片10设有数列断口11，每列断口内通孔为六边形孔12。请再参阅图2所示，而局部范围快速熔断器的熔体则包括数个银片20，每个银片20设有数列断口21，每列断口21内通孔为为圆孔22。但是，目前市场上用于半导体保护的全范围快速熔断器(gR)较少，特别是额定电压为交流250V，直流170V，最大额定电流能够到达160A的全范围快速熔断器到目前为止还没有。随着半导体技术的迅速发展，半导体设备逐渐趋于小型化，并且对额定电流范围以及低倍过载电流保护的要求也越来越高，目前市场上的全范围快速熔断器因体积较大、且可到达的最大额定电流较小而导致额定电流范围较小，显然已无法较好的满足相应半导体电路保护的需求，因此，迫切需要一种新的全范围快速熔断器来满足上述需求。
实用新型内容
针对现有技术存在的上述缺点，本实用新型的目的是提供一种全范围快速熔断器，该熔断器的体积小、额定电流范围可达50～160A，有利于为半导体电路提供更加全面的保护。
为实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案：
该全范围快速熔断器包括熔管、设于熔管两端的铜帽和触刀以及设于熔管内的熔体和石英砂，熔体包括数个银片，每个银片上设有数列断口，每列断口内纵向开有相等数量的通孔，所述的每列断口的两边部分别呈半矩形结构，所述的通孔为矩形孔。
所述的银片一端断口的内侧还纵向焊接有一锡桥。
所述的银片的数量为一个或对称设置的两个，银片两端分别与铜帽内壁相连接。
所述的银片的厚度范围为0.1～0.18mm。
所述的断口数为平行设置的三列，每列断口的纵向开有一个矩形孔。
所述的断口边部与矩形孔之间的距离为0.5mm。
所述的矩形孔的长为2.2mm，宽为0.7mm。
所述的两触刀之间的总长度为50～52mm，所述的熔管的直径为18mm。
在上述技术方案中，本实用新型的全范围快速熔断器包括熔管、设于熔管两端的铜帽和触刀以及设于熔管内的熔体和石英砂，熔体包括数个银片，每个银片上设有数列断口，每列断口内纵向开有相等数量的通孔，每列断口的两边部分别呈半矩形结构，通孔为矩形孔。两触刀之间的总长度为50～52mm，熔管的直径为18mm。采用该结构的全范围快速熔断器具有体积小、额定电流范围大的特点，并且通过设置锡桥能够产生冶金效应，从而降低银片的熔点，提高其低倍过载的保护性能，为半导体电路提供更加全面的保护。
附图说明
图1是现有技术的一种熔断器铜片的结构示意图；
图2是现有技术的另一种熔断器铜片的结构示意图；
图3是本实用新型的全范围快速熔断器的结构示意图；
图4是本实用新型的熔断器的银片的结构示意图；
图5是采用一个银片的本实用新型的熔断器的剖视图；
图6是采用两个银片的本实用新型的熔断器的剖视图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例进一步说明本实用新型的技术方案。
请参阅图3、图4所示，本实用新型的全范围快速熔断器30包括熔管31、设于熔管31两端的铜帽311和触刀32以及设于熔管31内的熔体、石英砂等，铜帽311分别罩设于熔管31的两端，触刀32分别与两铜帽311的外侧面相连接。熔体包括数个银片33，每个银片33上平行设有数列断口331，每列断口331内的纵向开有相等数量的通孔。上述每列断口331的两边部分别呈半矩形结构，通孔为矩形孔332。银片33的数量为一个或对称设置的两个，并且银片33两端分别与铜帽311内壁相连接。每个银片33的具体尺寸如下，银片33长度为28mm，厚度范围取值为0.1～0.18mm，并且其断口331数量为三个，每个断口331内纵向开有一个矩形孔332，每个断口331的矩形孔332的长为2.2mm，宽为0.7mm。并且银片33的“颈”的宽度，即断口331边部与矩形孔332之间的距离为0.5mm。该熔断器30的体积较小，其总长度即两触刀之间的长度为50～52mm，而熔管31的直径只有18mm。
在此需要说明的是，传统的快速熔断器的熔体一般仅采用银质材料制作，并取变截面状，使其狭颈部分取较高的电流密度，以达到快速分断的效果。而本实用新型的全范围快速熔断器30为了更好的降低该银片33的熔化温度，提高其低倍过载的保护性能，因此还在每个银片33一端断口331的内侧纵向焊接有一锡桥34，用以产生冶金效应，当银片33的温度上升到锡桥34的熔点时，锡桥34立即发生熔化，从而可促进银片33的熔断，这样有利于熔体在较低过载时的快速熔断，可使电路较低的过载也能得到保护。
另外，由于银片33的通孔采用了矩形孔332，便于银片冲孔模的制作，可降低加工难度以及成本。而且在触刀32上分别还设有一用于螺栓连接的U型开口，可通过螺栓方便连接在相应的电路里。
采用该结构制作的熔断器30，其额定电流范围较大，最小额定电流可达到50A，而最大额定电流可达到160A，下面进行具体举例说明：
实施例1
请结合图4、图5所示，该熔断器30熔体采用的银片33为一个，而银片的厚度为0.1mm，其它尺寸参数不变。经过多次反复测试得出，该熔断器30的额定电压为直流250V，交流170V，额定电流为50A，可适用于额定电压为直流250V，交流170V，额定电流为50A的半导体电路保护。
实施例2
请结合图4、图5所示，该熔断器30熔体采用的银片33为一个，而银片的厚度为0.18mm，其它尺寸参数不变。经过多次反复测试得出，该熔断器30的额定电压为直流250V，交流170V，交流170V，额定电流为80A，从而适用于额定电压为直流250V，交流170V，额定电流为80A的半导体电路保护。
实施例3
请再结合图4、图6所示，该熔断器30熔体采用的银片33为两个，而银片的厚度为0.18mm，其它尺寸参数不变。经过多次反复测试得出，该熔断器30的额定电压为直流250V，交流170V，额定电流达到160A，从而适用于额定电压为直流250V，交流170V，额定电流可高达160A的半导体电路保护。
综上所述，本实用新型的全范围快速熔断器30的体积较小而可达到的额定电流范围较大，并且还具有熔断速度快、低倍过载保护性能佳以及结构简单、制作方便等优点，能够较好的适用于额定电压为交流250V，直流170V，额定电流为50～160A的半导体电路，从而为设备提供更加全面、有效的保护。
本技术领域中的普通技术人员应当认识到，以上的实施例仅是用来说明本实用新型，而并非用作为对本实用新型的限定，只要在本实用新型的实质精神范围内，对以上所述实施例的变化、变型都将落在本实用新型的权利要求书范围内。

Claims (8)

1.一种全范围快速熔断器，该熔断器包括熔管、设于熔管两端的铜帽和触刀以及设于熔管内的熔体和石英砂，熔体包括数个银片，每个银片上设有数列断口，每列断口内纵向开有相等数量的通孔，其特征在于：
所述的每列断口的两边部分别呈半矩形结构，所述的通孔为矩形孔。
2.如权利要求1所述的全范围快速熔断器，其特征在于：
所述的银片一端断口的内侧还纵向焊接有一锡桥。
3.如权利要求1所述的全范围快速熔断器，其特征在于：
所述的银片的数量为一个或对称设置的两个，银片两端分别与铜帽内壁相连接。
4.如权利要求1中任一项所述的全范围快速熔断器，其特征在于：
所述的银片的厚度范围为0.1～0.18mm。
5.如权利要求1中任一项所述的全范围快速熔断器，其特征在于：
所述的断口数为平行设置的三列，每列断口的纵向开有一个矩形孔。
6.如权利要求1中任一项所述的全范围快速熔断器，其特征在于：
所述的断口边部与矩形孔之间的距离为0.5mm。
7.如权利要求1中任一项所述的全范围快速熔断器，其特征在于：
所述的矩形孔的长为2.2mm，宽为0.7mm。
8.如权利要求1中任一项所述的全范围快速熔断器，其特征在于：
所述的两触刀之间的总长度为50～52mm，所述的熔管的直径为18mm。
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