CN201270257Y - 利用烧结炉通过二次烧结规模化生产的晶硅太阳电池 - Google Patents

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王栩生
吴现实
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Abstract

本实用新型公开了一种利用烧结炉通过二次烧结规模化生产的晶硅太阳电池，包括P型衬底层，P型衬底层一侧设置绒面N型层，在绒面N型层与P型衬底层之间设置PN结，P型衬底层另一侧设置P+层，在绒面N型层外侧设置氮化硅薄膜层，在氮化硅薄膜表面设置伸入绒面N型层的正面栅线，在P+层外侧设置铝浆层，在铝浆层表面设置背电极，P+层的厚度为5～10μm。本实用新型结构合理，电池效率比共烧工艺制造的提高0.25－0.6％，本实用新型适合于规模化生产。

Description

利用烧结炉通过二次烧结规模化生产的晶硅太阳电池
技术领域：
本实用新型涉及一种晶硅太阳电池。
背景技术：
人类的发展将面临着常规能源的短缺和温室效应严重挑战，二次能源，太阳能发电将有可能成为重要的替代能源。目前晶硅太阳电池推广应用的主要障碍是效率偏低，成本高。提高效率降低成本，是广大科技工作者的神圣职责。
目前国内外晶硅太阳电池在丝网印刷烧结工艺中都采用一次共烧工艺，在一次烧结中要圆满完成多种任务：正面电极、背面电极形成良好的欧姆接触；氮化硅薄膜对晶体缺陷和衬底重金属粒子形成良好的钝化；铝背场在电池的背面形成P+层的最佳厚度，对衬底具有良好的吸杂作用。(随着硅片越来越薄，吸杂效果也越来越明显，效率提高的幅度也越大)为完成多种任务，选择烧结工艺为最佳折衷方案。实践中发现，一次烧结产品还存在着一些不足。
发明内容：
本实用新型的目的在于提供一种结构合理，工作效率高的利用烧结炉通过二次烧结规模化生产的晶硅太阳电池。
本实用新型的技术解决方案是：
一种利用烧结炉通过二次烧结规模化生产的才晶硅太阳电池，其特征是：包括P型衬底层，P型衬底层一侧设置绒面N型层，在绒面N型层与P型衬底层之间设置PN结，P型衬底层另一侧设置P+层，在绒面N型层外侧设置氮化硅薄膜层，在氮化硅薄膜表面设置伸入绒面N型层的正面栅线，在P+层外侧设置铝浆层，在铝浆层表面设置背电极，P+层的厚度为5～10μm。
本实用新型结构合理，电池效率比共烧工艺制造的提高0.25-0.6％，本实用新型适合于规模化生产。
附图说明：
下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明。
图1是本实用新型一个实施例的结构示图。
具体实施方式：
一种利用烧结炉通过二次烧结规模化生产的才晶硅太阳电池，包括P型衬底层5，P型衬底层5一侧设置绒面N型层3，在绒面N型层与P型衬底层之间设置PN结4，P型衬底层另一侧设置P+层6，在绒面N型层外侧设置氮化硅薄膜层2，在氮化硅薄膜表面设置伸入绒面N型层的正面栅线1，在P+层外侧设置铝浆层7，在铝浆层表面设置背电极8，P+层的厚度为5～10μm。

Claims (1)

1、一种利用烧结炉通过二次烧结规模化生产的才晶硅太阳电池，其特征是：包括P型衬底层，P型衬底层一侧设置绒面N型层，在绒面N型层与P型衬底层之间设置PN结，P型衬底层另一侧设置P+层，在绒面N型层外侧设置氮化硅薄膜层，在氮化硅薄膜表面设置伸入绒面N型层的正面栅线，在P+层外侧设置铝浆层，在铝浆层表面设置背电极，P+层的厚度为5～10μm。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102280525A (zh) * 2011-07-25 2011-12-14 润峰电力有限公司 一种晶硅电池背场背极及其印刷工艺
CN104063587B (zh) * 2014-06-11 2017-04-05 西安电子科技大学 基于分块形式计算面板加工误差对电性能影响的方法

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