CN102280525A - 一种晶硅电池背场背极及其印刷工艺 - Google Patents

一种晶硅电池背场背极及其印刷工艺 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种晶硅电池背场背极及其印刷工艺,先在晶硅硅片背表面印刷铝浆,在一定温度下烘干铝浆形成铝背场,再在烘干后的铝浆表面印刷背电极浆料形成背电极图形。本发明能增加晶硅电池铝背场的面积,减少晶硅背表面复合,增加铝背场的吸杂效果,有效提升晶硅电池的电性能。

Description

一种晶硅电池背场背极及其印刷工艺
技术领域:
本发明涉及一种晶硅电池及其加工工艺。
背景技术:
工业上常规的晶硅电池丝网印刷工艺,一般都是先印刷背电极再印刷铝背场。铝背场能够覆盖裸露的硅片,钝化保护晶硅背表面,吸杂分凝硅基体内金属离子杂质。此外,铝背场还起到了收集电流、导电,并将电流汇流到背电极的作用。而背电极的主要作用是引出电流,测试时用于和测试仪探针接触,焊接时提供焊接基底等等。
如果按照常规的电池生产工艺进行生产,先印背电极再印背场,则背电极所在区域会阻挡铝浆的覆盖,也即背电极所覆盖的区域不能形成铝背场,从而不能起到钝化背面、吸杂等作用,不利于电池电性能的提高。
发明内容:
本发明的目的在于克服上述不足,而提供一种晶硅电池背场背极及其印刷工艺,该种工艺能增加铝背场的形成面积,减少背表面复合,从而提高电池电性能。
本发明采取的技术方案为:
一种晶硅电池背场背极,包括晶硅硅片,晶硅硅片的正面有减反射膜,减反射膜上有银正电极,晶硅硅片的背面刷有铝浆形成的铝背场,铝背场上印有背电极。
一种晶硅电池背场背极的印刷工艺,步骤如下:
第一步,在晶硅硅片背表面印刷铝浆;
第二步,在一定温度下烘干铝浆形成铝背场;
第三步,在烘干后的铝浆表面印刷背电极浆料形成背电极图形。
上述晶硅电池背场背极的印刷工艺,所述的铝浆厚度为10~50μm;背电极浆料厚度为10~50μm,单条背极宽度为1~4mm。
所述的背电极浆料为晶硅电池生产用银浆或银铝浆。
所述的背电极图形为连续式或分段式图形。
所述的铝浆烘干温度为100~300℃。
本发明采用单晶硅或多晶硅片作为印刷基底,通过先印刷铝浆,再印刷背电极的方法,来增大铝背场的钝化面积,减少背表面的复合,提高电池电性能。
附图说明
图1为本发明所制备的晶硅电池结构示意图;
其中:1、银正电极,2、减反射膜,3、晶硅硅片,4、铝背场,5、背电极。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作进一步说明。但它们并不构成对本发明的限制。
一种晶硅电池背场背极,包括晶硅硅片3,晶硅硅片3的正面有减反射膜2,减反射膜2上有银正电极1,晶硅硅片3的背面刷有铝浆形成的铝背场4,铝背场4上印有背电极5。
实施例1
将单晶硅片进行扩散、受光面镀膜等处理后,采用现有丝网印刷技术在其背表面印刷铝浆,铝浆为儒兴公司生产。印刷的铝浆厚度为30μm。将铝浆在150℃左右烘干后,在铝浆表面印刷连续式背电极银铝浆,背电极银铝浆型号为福禄33462,背电极单条宽度为2mm,厚度为15μm。最后进行印刷正银、烧结等后续生产工艺。
实施例2
将多晶硅片进行扩散、受光面镀膜等处理后,采用丝网印刷技术在其背表面印刷铝浆,铝浆为儒兴公司生产。印刷的铝浆厚度为40μm。将铝浆在200℃下烘干后,在其表面印刷分段式的背电极银浆,背电极银浆型号为杜邦PV505,背电极单条宽度为3mm,厚度为30μm。最后进行印刷正银、烧结等后续生产工艺。
比较例1
将单晶硅片进行扩散、受光面镀膜等处理后,采用现有丝网印刷技术在其背表面印刷连续式背电极银铝浆,背电极银铝浆型号为福禄33462,背电极单条宽度为2mm,厚度为15μm。将背电极在150℃左右烘干后,再在其表面印刷铝浆,铝浆为儒兴公司生产,铝浆厚度为30μm。最后进行正银印刷、烧结等后续生产工艺。
比较例2
将多晶硅片进行扩散、受光面镀膜等处理后,采用丝网印刷技术在其表面印刷分段式的背电极银浆,背电极银浆型号为杜邦PV505,背电极单条宽度为3mm,厚度为30μm。将银浆在200℃下烘干后,再在其表面印刷铝浆,铝浆为儒兴公司生产,印刷的铝浆厚度为40μm。最后进行正银印刷、烧结等后续生产工艺。
性能测试:
表1比较例和实施例电池的电性能数据对比
Figure BDA0000078378350000021
Figure BDA0000078378350000031

Claims (6)

1.一种晶硅电池背场背极,包括晶硅硅片,晶硅硅片的正面有减反射膜,减反射膜上有银正电极,其特征是,晶硅硅片的背面刷有铝浆形成的铝背场,铝背场上印有背电极。
2.一种晶硅电池背场背极的印刷工艺,其特征是,步骤如下:
第一步,在晶硅硅片背表面印刷铝浆;
第二步,在一定温度下烘干铝浆形成铝背场;
第三步,在烘干后的铝浆表面印刷背电极浆料形成背电极图形。
3.根据权利要求2所述的晶硅电池背场背极的印刷工艺,其特征是,所述的铝浆厚度为10~50μm;背电极浆料厚度为10~50μm。
4.根据权利要求2或3所述的晶硅电池背场背极的印刷工艺,其特征是,所述的背电极浆料为银浆或银铝浆。
5.根据权利要求2所述的晶硅电池背场背极的印刷工艺,其特征是,所述的背电极图形为连续式或分段式图形。
6.根据权利要求2所述的晶硅电池背场背极的印刷工艺,其特征是,所述的铝浆烘干温度为100~300℃。
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