CN201211643Y - 一种新型的修布砂轮装置 - Google Patents

一种新型的修布砂轮装置 Download PDF

Info

Publication number
CN201211643Y
CN201211643Y CNU2007201734845U CN200720173484U CN201211643Y CN 201211643 Y CN201211643 Y CN 201211643Y CN U2007201734845 U CNU2007201734845 U CN U2007201734845U CN 200720173484 U CN200720173484 U CN 200720173484U CN 201211643 Y CN201211643 Y CN 201211643Y
Authority
CN
China
Prior art keywords
mending
grinding wheel
ceramic wafer
novel
polishing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CNU2007201734845U
Other languages
English (en)
Inventor
万关良
王继
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
You Yan Semi Materials Co., Ltd.
Original Assignee
Beijing General Research Institute for Non Ferrous Metals
Grinm Semiconductor Materials Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing General Research Institute for Non Ferrous Metals, Grinm Semiconductor Materials Co Ltd filed Critical Beijing General Research Institute for Non Ferrous Metals
Priority to CNU2007201734845U priority Critical patent/CN201211643Y/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN201211643Y publication Critical patent/CN201211643Y/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

一种新型的修布砂轮装置，它包括：抛光陶瓷板，安装在陶瓷板上的多个砂轮，所述的砂轮的位置按硅片贴在陶瓷板上的位置布置。本实用新型的优点：砂轮在抛光盘上的运行轨迹完全模拟硅片的运行轨迹，砂轮在抛光布上的运行轨迹与硅片的运行轨迹完全重合。本实用新型不仅适用于贴布初的修整，还适用于布使用中途的修整，此装置操作方便，修整作用强，能够适应现代硅片平整度的要求。

Description

一种新型的修布砂轮装置
技术领域
本实用新型涉及在抛光工序中对抛光布进行修整以保持其平整度的一种装置。对由于抛光大盘不平及抛光布使用时间变长引起的参数变差有明显的改善作用。
背景技术
抛光片是集成电路厂商使用的基本原材料，今年来随着技术的发展，对抛光片的要求也越来越高，特别是对抛光片局部平整度的要求比以往任何时候都要严格。提高平整度参数的方法包括消除凹坑(dimple)、改善压力环和修布。
目前的修布方法有两种，一是用贴有硅片的陶瓷板修布，二是用一个中空的金刚石圈修布。
第一种方式由于硅片的硬度有限，且表面较为光滑，不能很好的修整抛光布；第二种方法虽然硬度和粗糙度都到达要求，但没有模拟硅片的运行轨迹，修布效果仍然不能满足高品质硅片的要求。因此有必要提供一种既简易又有效的修布装置。
发明内容
本实用新型提供了一种新型的修布砂轮装置，砂轮在抛光布上的运行轨迹与硅片的运行轨迹完全重合，此装置操作方便，修整作用强，能够适应现代硅片平整度的要求。
本实用新型采用以下设计方案：它包括抛光陶瓷板，安装在陶瓷上的多个砂轮，所述的砂轮的位置按硅片贴在陶瓷板上的位置布置(即：金刚石砂轮在陶瓷板上的位置与硅片贴在陶瓷板上的位置重合)。
所述的砂轮是钢基底的金刚石砂轮，金刚石砂轮与陶瓷板为粘接，一块陶瓷板上可粘有八个或六个砂轮。
所述的砂轮的各自平整度均控制在20微米之内，砂轮相互之间的平整度差别小于20微米，钢基底硬度HRC28-32。
所述的砂轮表面的金刚砂粒径小于150微米。
本实用新型的优点：砂轮在抛光盘上的运行轨迹完全模拟硅片的运行轨迹，砂轮在抛光布上的运行轨迹与硅片的运行轨迹完全重合。本实用新型不仅适用于贴布初的修整，还适用于布使用中途的修整，此装置操作方便，修整作用强，能够适应现代硅片平整度的要求。
附图说明
图1a：本实用新型的主视图
图1b：图1a的A-A向视图
具体实施方式
图1a、图1b中，1为陶瓷板，有八个(其数量按硅片的尺寸而定，大尺寸的硅片可设计成六个)，八个砂轮的各自平整度均控制在20微米之内，八个砂轮相互之间的平整度差别小于20微米，砂轮的基体没有弹性，不变形，硬度HRC28-32，砂轮表面的金刚砂均匀，不掉颗粒，粒度均匀，粒径小于150微米。2为金刚石砂轮，用胶粘接在陶瓷板上，所用的胶可用市场上出售的环氧树脂A、B胶。
本装置的大致加工过程：将本装置平稳的放在抛光盘上，按照手动抛光的操作要点将压力头压下，罩在装置上，调整抛光速度使其在抛光盘上缓缓转动，经过一定时间后，停止转动压头，将其取下。

Claims (4)

1、一种新型的修布砂轮装置，其特征在于：它包括抛光陶瓷板，安装在陶瓷板上的多个砂轮，所述的砂轮的位置按硅片贴在陶瓷板上的位置布置。
2、根据权利要求1所述的一种新型的修布砂轮装置，其特征在于：所述的砂轮是钢基底的金刚石砂轮，金刚石砂轮与陶瓷板为粘接，一块陶瓷板上粘有八个或六个砂轮。
3、根据权利要求1或2所述的一种新型的修布砂轮装置，其特征在于：所述的砂轮的各自平整度均控制在20微米之内，砂轮相互之间的平整度差别小于20微米，钢基底硬度HRC28-32。
4、根据权利要求1或2所述的一种新型的修布砂轮装置，其特征在于：所述的砂轮表面的金刚砂粒径小于150微米。
CNU2007201734845U 2007-09-29 2007-09-29 一种新型的修布砂轮装置 Expired - Lifetime CN201211643Y (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNU2007201734845U CN201211643Y (zh) 2007-09-29 2007-09-29 一种新型的修布砂轮装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNU2007201734845U CN201211643Y (zh) 2007-09-29 2007-09-29 一种新型的修布砂轮装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN201211643Y true CN201211643Y (zh) 2009-03-25

Family

ID=40495799

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNU2007201734845U Expired - Lifetime CN201211643Y (zh) 2007-09-29 2007-09-29 一种新型的修布砂轮装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN201211643Y (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103817600A (zh) * 2012-11-16 2014-05-28 有研半导体材料股份有限公司 一种双面抛光用抛光布的修整工艺
CN117245458A (zh) * 2023-11-16 2023-12-19 山东有研艾斯半导体材料有限公司 一种硅片的中抛光方法、硅片及其制备方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103817600A (zh) * 2012-11-16 2014-05-28 有研半导体材料股份有限公司 一种双面抛光用抛光布的修整工艺
CN117245458A (zh) * 2023-11-16 2023-12-19 山东有研艾斯半导体材料有限公司 一种硅片的中抛光方法、硅片及其制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5294637B2 (ja) セラミック球を研摩するための方法及び装置
CN103909465B (zh) 一种大尺寸蓝宝石衬底片研磨抛光的方法
CN201211643Y (zh) 一种新型的修布砂轮装置
CN100478137C (zh) 一种砂布及其制造方法
CN109702649A (zh) 化学机械研磨修整器的制造方法
CN110549258B (zh) 一种抛光片及其制备方法
CN201881284U (zh) 一种除锈砂轮
CN103612193B (zh) 一种超硬材料的表面快速研磨抛光装置
CN203282356U (zh) 一种抛光磨轮
JP2005224892A (ja) 研磨方法
CN208663530U (zh) 一种金属抛光盘
CN213472397U (zh) 一种直边不锈钢专用磨具
CN100363152C (zh) 化学机械研磨制作工艺的假制作工艺与研磨垫调节方法
CN103009273A (zh) 金字塔研磨盘
CN208929974U (zh) 一种用于半导体衬底研磨的半固结研磨盘
CN202344363U (zh) 一种新型石材打磨工具
CN207788622U (zh) 抛光用压力缓冲垫及抛光装置
EP1542267A4 (en) METHOD AND APPARATUS FOR POLISHING A WAFER
CN106737130A (zh) 蓝宝石基板研磨装置
KR20130011879A (ko) 유리기판 연마 및 세정용 패드
TWM412027U (en) Combined glass surface grinding device
CN206436115U (zh) 蓝宝石基板研磨装置
CN201881281U (zh) 一种易于排削的砂轮
CN202540146U (zh) 套圈式修膜装置
JPH10315121A (ja) 平面研磨装置

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Free format text: FORMER OWNER: GRINM SEMICONDUCTOR MATERIALS CO., LTD.

Effective date: 20120113

Owner name: GRINM SEMICONDUCTOR MATERIALS CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: BEIJING GENERAL RESEARCH INSTITUTE FOR NONFERROUS METALS

Effective date: 20120113

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20120113

Address after: 100088, 2, Xinjie street, Beijing

Patentee after: GRINM Semiconductor Materials Co., Ltd.

Address before: 100088, 2, Xinjie street, Beijing

Co-patentee before: GRINM Semiconductor Materials Co., Ltd.

Patentee before: General Research Institute for Nonferrous Metals

C56 Change in the name or address of the patentee

Owner name: GRINM ADVANCED MATERIALS CO., LTD.

Free format text: FORMER NAME: GRINM SEMICONDUCTOR MATERIALS CO., LTD.

CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: 100088, 2, Xinjie street, Beijing

Patentee after: YOUYAN NEW MATERIAL CO., LTD.

Address before: 100088, 2, Xinjie street, Beijing

Patentee before: GRINM Semiconductor Materials Co., Ltd.

ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: GRINM SEMICONDUCTOR MATERIALS CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: GRINM ADVANCED MATERIALS CO., LTD.

Effective date: 20150611

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20150611

Address after: 101300 Beijing city Shunyi District Shuanghe Linhe Industrial Development Zone on the south side of the road

Patentee after: You Yan Semi Materials Co., Ltd.

Address before: 100088, 2, Xinjie street, Beijing

Patentee before: YOUYAN NEW MATERIAL CO., LTD.

CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20090325

CX01 Expiry of patent term