CN201130672Y - 高功率发光二极管 - Google Patents

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胡建华
曾志平
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Abstract

本实用新型提供一种高功率发光二极管，包括发光芯片、透镜、支架及电极引脚，于支架上开设有凹槽，透镜罩设在凹槽的槽口上；所述支架上设有热沉；所述热沉上开设有凹槽，所述凹槽与支架上的凹槽相通，所述发光芯片置于热沉上的凹槽内，所述热沉上的凹槽内填充有硅胶；所述电极引脚与热沉相连接。上述高功率发光二极管采用金属热沉，发光芯片产生的热量通过热沉很快传递到空气中以及散热器件中，有利于二次散热传递，同时金属电极引脚和热沉相连也可以起到传递热量的作用，有效的降低了发光芯片的温度，增强了发光芯片的发光效率，由于将发光芯片发出的热量及时的排到了外界，发光芯片本身没有受到温度的影响，可提高产品的使用寿命和可靠性。

Description

高功率发光二极管
【技术领域】
本实用新型涉及一种发光灯具，尤其涉及一种高功率发光二极管。
【背景技术】
发光二极管(LED，light-emitting diode)是一种能直接将电能转换成光能的半导体器件，不同的半导体材料能发出不同颜色的光，且具有效率高、光色纯、光线质量高、能耗小、寿命长等优点，在通讯、消费性电子、汽车、照明、信号灯等领域发挥着越来越重要的作用。
常用LED的输出功率较小，使用玻璃环氧树脂封装基板，但是照明用高功率LED的发光效率只有20％～30％，且芯片面积非常小，虽然整体消费电力非常低，不过单位面积的发热量却很大。散热性佳是高功率LED封装基板的重要条件。针对高亮度LED在使用上存在的另一个问题是静电的影响，静电是造成LED材料漏电的主要因素，因此需增强LED的抗静电能力。
【实用新型内容】
本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种高功率发光二极管，其可以有效防止发热量大所产生的光衰减和寿命缩小的问题。
为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是：提供一种高功率发光二极管，包括发光芯片、透镜、支架及电极引脚，于支架上开设有凹槽，透镜罩设在凹槽的槽口上；所述支架上设有热沉；所述热沉上开设有凹槽，所述凹槽与支架上的凹槽相通，所述发光芯片置于热沉上的凹槽内，所述热沉上的凹槽内填充有硅胶；所述电极引脚与热沉相连接。
所述高功率发光二极管的支架上放置有与发光芯片连接的齐纳二极管。
所述高功率发光二极管的支架上开设有小孔，所述齐纳二极管放置在小孔内，所述电极引脚的端部插设在支架的凹槽内，于端部上开设有可导出齐纳二极管发出的光的孔。
与现有技术相比较，上述高功率发光二极管采用金属热沉，发光芯片产生的热量通过热沉很快传递到空气中以及散热器件中，有利于二次散热传递，同时金属电极引脚和热沉相连也可以起到传递热量的作用，有效的降低了发光芯片的温度，增强了发光芯片的发光效率，由于将发光芯片发出的热量及时的排到了外界，发光芯片本身没有受到温度的影响，可提高产品的使用寿命和可靠性。
另外，所述齐纳二极管和发光芯片连接，大大增强了发光二极管的抗静电能力以及寿命，同时用小孔将齐纳二极管包围起来，可以防止齐纳二极管影响发光芯片的出光，提高发光二极管的发光效率。
【附图说明】
图1是本实用新型一较佳实施例的立体示意图。
图2是图1所示实施例中灌封透镜的立体示意图。
图3是图1所示实施例中电极引脚与热沉的示意图。
【具体实施方式】
为了使本实用新型所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
请参阅图1至图3，是本实用新型高功率发光二极管的一较佳实施例，其包括发光芯片(图中未示出)、透镜1、支架2及电极引脚3、4。所述支架2为PPA塑胶，于支架2上开设有凹槽20，所述发光芯片置于凹槽20内，透镜1罩设在凹槽20的槽口上，可封闭凹槽20，所述电极引脚3、4分别连接在支架2的两侧。
所述支架2上设有高导热的金属热沉5，所述热沉5置于支架2的下端。所述热沉5上设有一个凸台50，所述凸台50上开设有凹槽52。所述凸台50从支架2的下方插入凹槽20内，凹槽52与凹槽20相通，且支架2上的凹槽20的斜率和热沉5上的凹槽52的斜率相同，能够有效将发光芯片发出的光经斜面反射和导出。所述热沉5的下部分做成阶梯状的环面54，可以牢固的固定在支架2凹槽20里。所述发光芯片置于热沉5的凹槽52内，并于凹槽52内填充有硅胶(图中未示出)，起到保护发光芯片和提供良好散热途径的作用。所述透镜1罩设于凹槽20的上方，透过透镜1可以将发光芯片发出的光导出，并且聚合成一定的角度出光，达到良好的聚光效果。所述电极引脚3一端的端部30呈环状，且环设在热沉5的凸台50外围，与凸台50过盈配合，将热沉5牢牢的卡住，能保证良好的电连接，也能将热沉上面的热量经由电极引脚3导出，增强了产品的导热能力。所述热沉5的底面设有凸起部53，以便于焊接至焊盘上或者其他散热器件上，有利于二次散热。
所述电极引脚3、4由金属材料制成，且电极引脚3和4上都含有通孔31、40，所述电极引脚3、4镶嵌在支架2里，电极引脚3、4上设孔，那么支架2会贯穿到通孔31、40里面，可以牢固的将支架2固定，若未设孔，支架2在高温的时候会膨胀，电极引脚3、4会松动，因此设通孔31、40，可以保证电极引脚3和4牢固的固定于支架2里面。所述电极引脚3、4一端均以一定角度向下弯折延伸而成接触部32、41。
于支架2上开设有小孔22，所述小孔22内放置有齐纳二极管(图中未示出)，所述电极引脚3的端部30插设在支架2的凹槽20内，所述端部30上相对于小孔22处亦开设有孔32，以便导出齐纳二极管发出的光。所述齐纳二极管与发光芯片为并联连接。所述支架2上的小孔22将齐纳二极管包围起来，和发光芯片隔开，既能增强产品的抗静电能力，又能防止齐纳二极管影响发光芯片的出光，提高了出光效率。
上述高功率发光二极管采用高导热的金属热沉5，对发光芯片产生的热量通过热沉5很快传递到空气中以及散热器件中，有利于二次散热传递，同时金属电极引脚3和热沉5相连也可以起到传递热量的作用，有效的降低了发光芯片的温度，增强了发光芯片的发光效率，由于将发光芯片发出的热量及时的排到了外界，发光芯片本身没有受到温度的影响，可提高产品的使用寿命和可靠性。所述齐纳二极管和发光芯片并联连接，大大增强了发光二极管的抗静电能力以及寿命，同时用小孔22将齐纳二极管包围起来，可以防止齐纳二极管影响发光芯片的出光，提高发光二极管的发光效率。热沉5底面的凸起部分53可以方便的焊接到焊盘，有利于产品的二次散热。上述高功率发光二极管可以有效防止发热量大所产生光衰减和寿命缩小的问题，而且可以大大增强抗静电能力，对发光二极管的聚光以及提高光效也都有非常好的效果。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种高功率发光二极管，包括发光芯片、透镜、支架及电极引脚，于支架上开设有凹槽，透镜罩设在凹槽的槽口上；所述支架上设有热沉；其特征在于：所述热沉上开设有凹槽，所述凹槽与支架上的凹槽相通，所述发光芯片置于热沉上的凹槽内，所述热沉上的凹槽内填充有硅胶；所述电极引脚与热沉相连接。
2.如权利要求1所述的高功率发光二极管，其特征在于：所述热沉上设有凸台，热沉上的凹槽设在凸台上，所述凸台插入支架上的凹槽内。
3.如权利要求2所述的高功率发光二极管，其特征在于：所述电极引脚一端的端部呈环状，且环设在热沉的凸台外围，与凸台过盈配合。
4.如权利要求1所述的高功率发光二极管，其特征在于：所述支架上的凹槽的斜率和热沉上的凹槽的斜率相同。
5.如权利要求1所述的高功率发光二极管，其特征在于：所述热沉固定在支架的凹槽内，且热沉的下部分为方便固定在凹槽内的阶梯状环面。
6.如权利要求1至5中任意一项所述的高功率发光二极管，其特征在于：所述热沉的底面设有便于焊接至散热器件上的凸起部。
7.如权利要求1至5中任意一项所述的高功率发光二极管，其特征在于：所述支架上放置有与发光芯片连接的齐纳二极管。
8.如权利要求7所述的高功率发光二极管，其特征在于：所述支架上开设有小孔，所述齐纳二极管放置在小孔内，所述电极引脚的端部插设在支架的凹槽内，于端部上开设有可导出齐纳二极管发出的光的孔。
9.如权利要求1所述的高功率发光二极管，其特征在于：所述热沉为高导热的金属热沉。
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