CN201069774Y - 薄膜晶体管阵列基板 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种薄膜晶体管阵列基板，包括多条沿第一方向延伸的栅极扫描线；多条沿第二方向延伸的数据线，栅极扫描线和数据线交叉形成像素区域；设置在像素区域内的薄膜晶体管和像素电极；其中所述栅极扫描线上或数据线下形成有金属图案，所述金属图案与数据线金属层图案、栅极扫描线金属层图案相互隔开；该薄膜晶体管阵列基板可以修复像素区间的数据线或栅极扫描线的断路情况，且修复简单方便。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种阵列基板，特别是涉及一种可修复线缺陷的液晶显示用的薄膜晶体管阵列基板。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示(TFT-LCD)面板是利用薄膜晶体管(TFT)控制液晶分子的取向从而控制透光的强弱来显示图像的。一块完整的TFTLCD面板通常包括背光模组、偏光片、TFT阵列基板、CF(彩膜)基板、夹在上下基板之间的液晶分子层以及驱动电路。TFT阵列基板上的显示区域包含多个子像素区域，每个子像素区域一般为两条栅极扫描线与两条数据线交叉所形成的矩形或者其它形状区域，其内设置有薄膜晶体管以及像素电极，薄膜晶体管充当开关元件。
通常，薄膜晶体管阵列基板上依次形成有栅极及与该栅极电气连接的栅级扫描线、覆盖栅电极以及栅极扫描线的栅极绝缘层、半导体层、源/漏极及与源极电气连接的数据线、钝化层、像素电极、取向膜。
栅极扫描线与数据线主要用来提供影像信号以驱动像素电极，但是由于制作时候成膜、微影、刻蚀等制造工艺的影响，栅极扫描线与数据线容易发生断路，导致线缺陷，因此，在阵列基板的制造过程中，不能完全避免栅极线或者数据线的断线引起的显示不良。为避免LCD面板生产由于线缺陷而导致的良率下降，需要对线缺陷进行修复，针对栅极扫描线或者数据线的断线不良，通常的处理方法是在紧接着的检查工序中检出断线不良的位置，用激光成膜(Laser CVD)的方法加以修复。这种方法存在一些问题：1，发生断线不良的位置未被检出，即漏检；2，断线发生在检查以后的工序中，这种断线无法通过上述方法进行修复。美国专利US7019805B2中公开了一种对数据线断路进行修复的液晶显示基板的结构及其修复方法，该专利利用栅极层遮光线修复数据线的方法，即在液晶显示屏显示检查发现数据线断线以后，使用激光溶接(Laser Welding)将断线两侧的数据线和遮光线导通，使信号可以绕过断线位置，从栅极层遮光线传到断线另一侧的数据线上。但是，该结构只能修复发生在数据线上的断路，对于发生在栅极线上的断线则无法修复。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种可修复数据线或栅极扫描线断路的薄膜晶体管阵列基板。
为实现上述目的，本实用新型提供了一种薄膜晶体管阵列基板，包括多条沿第一方向延伸的栅极扫描线；多条沿第二方向延伸的数据线，栅极扫描线和数据线交叉形成像素区域；设置在像素区域内的薄膜晶体管和像素电极；其中所述栅极扫描线上或数据线下形成有金属图案，所述金属图案与数据线金属层图案、栅极扫描线金属层图案相互隔开。
所述的栅极扫描线及其上面的金属图案上形成有接触孔，栅极扫描线上还形成有像素电极层金属图案。
基于上述构思，本实用新型的薄膜晶体管阵列基板，由于在栅极扫描线上或数据线下形成有金属图案，克服了现有技术中只能修复像素区间数据线断路的缺点，不仅可以修复像素区间的数据线的断路情况，还可以对栅极扫描线的断路进行修复；可通过在数据线下直接保留部分第一金属层或在栅极扫描线上保留部分第二金属层实现具有修复功能的薄膜晶体管阵列基板，不增加现有工序，不影响开口率，只要在断线处的两侧进行激光照射焊接即可达到修复的目的，修复方便简单。当所述的栅极扫描线及其上面的金属图案上形成接触孔，栅极扫描线上形成有像素电极层金属图案时，像素电极层金属图案将栅极扫描线及其上面的金属图案通过接触孔连接，可以减少栅极扫描线上信号传输的延迟(RC Delay)。
为了更进一步了解本实用新型的特征及技术内容，请参阅以下有关本实用新型的详细说明与附图。然而附图仅供参考与辅助说明用，不构成对本实用新型的限制。
附图说明
图1是本实用新型实施例一的薄膜晶体管阵列基板的结构示意图；
图2是本实用新型实施例一的薄膜晶体管阵列基板的结构示意图；
图3是本实用新型实施例二的薄膜晶体管阵列基板的结构示意图；
图4是采用本实用新型实施例一结构对栅极扫描线断路进行修复的示意图。
附图标号说明：
10：栅极扫描线 11：金属图案 12、接触孔
13：像素电极层图案 14、15：熔接点
20：数据线 21：金属图案
30：像素电极
40：薄膜晶体管 41：栅极 42：源极 43：漏极
431：接触孔
具体实施方式
下面结合附图及典型实施例对本实用新型作进一步说明。
实施例一
图1、图2是本实用新型实施例一的薄膜晶体管阵列基板的结构示意图。
参照图1，薄膜晶体管阵列基板包括多条沿第一方向延伸的栅极扫描线10；多条沿第二方向延伸的数据线20，栅极扫描线10和数据线20交叉形成像素区域；像素区域内设置薄膜晶体管40和像素电极30，栅极扫描线10上形成有金属图案11，薄膜晶体管40由栅极41、源极42和漏极43构成，栅极41与栅极扫描线10电连接，漏极43与数据线20电连接，源极42通过接触孔41和像素电极30连接，栅极41、栅极扫描线10形成在第一金属层(M1)上，源极42、漏极43、数据线20形成在第二金属层(M2)上，M1、M2可为导电性能良好的Al、Ta或Cr金属层，两层之间有SiNx绝缘层隔开，源极42和漏极43对称重叠沉积在栅极41两侧，非晶Si层位于栅极41和源、漏极42、43之间；ITO(氧化铟锡)像素电极层沉积在最上层，与源/漏极金属层之间通过SiNx保护层绝缘。像素电极30通过接触孔431与漏极43电气连接。
金属图案11形成在与数据线20同一金属层(第二金属层)上，金属图案11的材料与数据线20的材料相同，且金属图案11与M2层形成的其它金属层图案相互隔开、即与数据线20、源极42、漏极43相互隔开不至于造成短路。在形成源/漏极42、43金属图案的同时，保留栅极扫描线10上部分源/漏金属层金属图案11，例如该部分金属图案11为长方形，所述金属图案11跟源极42、漏极43以及数据线20相互分离，并且所述金属图案11跟其它源/漏金属层金属图案的距离足够大(比如10um以上)而不至于跟其它源/漏金属层金属图案发生短路，即可实现上述结构的薄膜晶体管阵列基板。
参照图2，所述栅极扫描线10及其上面的金属图案11上形成有接触孔13，栅极扫描线10上还形成有像素电极层图案13。图案13将栅极扫描线10及其上面的金属图案11通过接触孔12连接，可以减少栅极扫描线10上信号传输的延迟。
图4是采用本实用新型实施例一结构对栅极扫描线断路进行修复的示意图。
参照图4，当栅极扫描线10在A-B处发生短路时，可以从阵列基板的背面(液晶盒的外面)在熔接点C、D两个位置进行激光溶接，通过金属图案11将断线两侧的栅极扫描线10金属导通，从而可以对栅极扫描线断线进行修复。
实施例二
图3是本实用新型实施例二的薄膜晶体管阵列基板的结构示意图。
参照图3，与实施例一提供的薄膜晶体管阵列基板的结构不同的是，本实施例中的数据线20下形成有金属图案21，金属图案21形成在与栅极扫描线10相同的层上，金属图案21的材料与栅极扫描线10的材料相同。在制造阵列基板的流程中，在图案化第一金属层时，保留数据线20对应位置的金属图案21，且该金属图案21与同层的其它金属图案如栅极41、栅极扫描线10相互隔开。
当数据线20上发生断路时，可以从阵列基板的背面(液晶盒的外面)在断线的两侧进行激光溶接，通过金属图案21将断线两侧的栅极扫描线10金属导通，从而可以对数据线断线进行修复。
综上所述，由于本实用新型的TFT阵列基板结构在数据线20下和栅极扫描线10上形成有金属图案21或11，可以克服传统技术中的缺点，既可修复像素区间的数据线20的断路情况，也可修复栅极扫描线10的断路情况，在不增加现有制造工序的情况下就可实现该结构，而且修复方便简单。
Claims (6)
1.一种薄膜晶体管阵列基板，包括
多条沿第一方向延伸的栅极扫描线；
多条沿第二方向延伸的数据线，栅极扫描线和数据线交叉形成像素区域；
设置在像素区域内的薄膜晶体管和像素电极；
其特征在于所述栅极扫描线上或数据线下形成有金属图案，所述金属图案与数据线金属层图案、栅极扫描线金属层图案相互隔开。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于所述的栅极扫描线及其上面的金属图案上形成有接触孔，栅极扫描线上还形成有像素电极层图案。
3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于所述的栅极扫描线上的金属图案形成在与数据线相同的层上。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于所述的金属图案的材料与数据线的材料相同。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于所述的数据线下的金属图案形成在与栅极扫描线相同的层上。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于所述的金属图案的材料与栅极扫描线的材料相同。
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|---|---|---|---|
| CNU2007200733563U CN201069774Y (zh) | 2007-08-07 | 2007-08-07 | 薄膜晶体管阵列基板 |
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN201069774Y true CN201069774Y (zh) | 2008-06-04 |
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ID=39491163
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| CNU2007200733563U Expired - Lifetime CN201069774Y (zh) | 2007-08-07 | 2007-08-07 | 薄膜晶体管阵列基板 |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100454561C (zh) * | 2007-08-07 | 2009-01-21 | 上海广电光电子有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、修复方法 |
| CN104505392A (zh) * | 2014-12-29 | 2015-04-08 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 阵列基板及其制作方法、阵列基板的修复方法、显示装置 |
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2007
- 2007-08-07 CN CNU2007200733563U patent/CN201069774Y/zh not_active Expired - Lifetime
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| CN104505392A (zh) * | 2014-12-29 | 2015-04-08 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 阵列基板及其制作方法、阵列基板的修复方法、显示装置 |
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| AV01 | Patent right actively abandoned |
Effective date of abandoning: 20070807 |
|
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