CN1967864B - 显示装置及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种显示装置,其包括:薄膜晶体管,形成在第一绝缘基板上;第一电极,与薄膜晶体管电连接;发光层,形成在第一电极上;第二电极,形成在发光层上;辅助电极,形成为类似于网的形状,以至少部分地露出第一电极,该辅助电极与第二电极电连接并接收来自第二电极的共用电压;以及第二绝缘基板,放置在辅助电极上。根据本发明的显示装置及其制造方法的典型实施例可以有效地将共用电压施加于整个显示器,并具有改进的对比度。
Description
相关申请交叉参考
本申请要求于2005年11月15日提交的韩国专利申请第2005-0109142号以及于2006年9月18日提交的韩国专利申请第2006-0090046号的优先权,其全部内容结合于此作为参考。
技术领域
本发明涉及一种显示装置及其制造方法,更具体地说,涉及一种可以有效地将共用电压施加于整个显示器并具有改进的对比度的显示装置及其制造方法。
背景技术
在平板显示器中,近来有机发光二极管(“OLED”)显示器由于其具有低电压驱动、既薄又轻、宽视角、相对短的响应时间、以及各种其它吸引人的并为人们所需的特点而倍受瞩目。OLED显示器根据其相应的驱动方法分为无源矩阵类型和有源矩阵类型。
在有源矩阵OLED显示器中,每个像素区连接至控制该像素区中的有机发光层的发光的单独的薄膜晶体管(“TFT”)。每个像素区包括像素电极,并且每个像素电极与相邻像素电极电隔离,从而每个像素电极可被单独驱动。共用电极形成在有机发光层上。
而且,OLED显示器根据有机发光层发射光的方向分为底部发光型和顶部发光型。
在顶部发光型OLED显示器中,光从有机发光层通过共用电极发射到外部。因此,顶部发光型OLED显示器避免了与通过TFT向外部发射光有关的孔径比损失。然而,在顶部发光型OLED显示器中,共用电极应该是透明的。为了使共用电极透明,共用电极通过薄薄地沉积金属或通过溅射氧化铟锡(“ITO”)或氧化铟锌(“IZO”)而形成。但是,薄共用电极的电阻相对较高,从而难以有效地施加共用电压。
发明内容
因此,本发明的一方面在于提供一种显示器,其可以有效地施加共用电压并具有改进的对比度。
本发明的另一方面在于提供一种显示装置的制造方法,该显示装置可以有效地施加共用电压并具有改进的对比度。
在下面的描述中将部分阐明本发明的其它方面和/或优点,并且部分将通过描述而显而易见,或者可以通过本发明的实践而获知。
通过提供显示装置的典型实施例可以实现本发明的前述和/或其它方面,所述显示装置包括:薄膜晶体管,形成在第一绝缘基板上;第一电极,与薄膜晶体管电连接;发光层,形成在第一电极上;第二电极,形成在发光层上;辅助电极,形成为类似于网的形状,其至少部分地露出第一电极,与第二电极电连接并接收共用电压、以及第二绝缘基板,放置在辅助电极上。
根据本发明的另一典型实施例,显示装置还包括形成在辅助电极与第二绝缘基板之间的黑色矩阵。
根据本发明的另一典型实施例,黑色矩阵包含含有黑色颜料的有机材料和氧化铬中的一种。
根据本发明的另一典型实施例,显示装置还包括形成在第一电极的通过辅助电极而露出的一部分上的有机层。
根据本发明的另一典型实施例,发光层包括所发出光的颜色互不相同的多个子层,并且有机层是透明的。
根据本发明的另一典型实施例,发光层发射白光,并且有机层是包括颜色不同的多个层的滤色片。
根据本发明的另一典型实施例,多个子层中的每一层均包括以下层之一:从中发射红光的层、从中发射绿光的层、和从中发射蓝光的层。
根据本发明的另一典型实施例,辅助电极包含选自由铝、银、铜、和金所组成的组中的至少一种。
根据本发明的另一典型实施例,第二电极具有约50%或更大的光透射比。
根据本发明的另一方面,显示装置还包括介于第二电极与辅助电极之间的导电层。
根据本发明的另一典型实施例,导电层包含选自由聚吡咯、聚苯胺、和聚噻吩所组成的组中的至少一种。
根据本发明的另一典型实施例,导电层包括导电颗粒。
根据本发明的另一方面,导电颗粒包含银和镍中的一种。
根据本发明的另一典型实施例,从发光层发射的光通过第二绝缘基板发射到外部。
根据本发明的另一典型实施例,第一绝缘基板包括显示区域和沿显示区域的周边形成的非显示区域,并且非显示区域形成有非导电密封剂,以将第一和第二绝缘基板结合在一起。
根据本发明的另一典型实施例,显示装置还包括介于黑色矩阵与辅助电极之间的吸湿层。
根据本发明的另一典型实施例,吸湿层包含选自由钙(ca)、钡(Ba)、氧化钙(CaO)、和氧化钡(BaO)所组成的组中的至少一种。
根据本发明的另一典型实施例,第一绝缘基板包括显示区域和沿显示区域的周边形成的非显示区域,并且非显示区域形成有向辅助电极施加共用电压的短路棒。
根据本发明的另一典型实施例,显示装置还包括包围发光层的隔离壁。
根据本发明的另一典型实施例,第一绝缘基板包括显示区域和形成于显示区域的周边中的非显示区域,并且辅助电极和隔离壁在显示区域中彼此面对。
通过提供制造显示装置的方法的典型实施例也可以实现本发明的前述和/或其它方面,所述方法包括:通过在第一绝缘基板上形成薄膜晶体管、形成连接至薄膜晶体管的第一电极、在第一电极上形成发光层、以及在发光层上形成第二电极,而提供第一基板;通过在第二绝缘基板上形成类似于网形状的黑色矩阵、在未由黑色矩阵覆盖的第二绝缘基板上形成有机层、以及在黑色矩阵上形成辅助电极,而提供第二基板;沿第一和第二基板中的至少一个的周边形成密封剂;以及将第一和第二基板结合在一起,以将辅助电极与第二电极电连接。
根据本发明的另一典型实施例,提供第二基板的过程包括在辅助电极上形成导电层。
通过提供制造显示装置的方法的典型实施例也可以实现本发明的前述和/或其它方面,所述方法包括:在绝缘基板上形成类似于网形状的黑色矩阵;在未被黑色矩阵覆盖的第二绝缘基板上形成有机层;以及在黑色矩阵上形成辅助电极。
附图说明
通过以下结合附图对实施例的描述,本发明的上述和/或其它方面和优点将变得显而易见并更容易理解。附图中:
图1是根据本发明显示装置的第一典型实施例的等效电路图;
图2是根据本发明显示装置的第一典型实施例的横截面视图;
图3是示出了根据本发明显示装置的第一典型实施例中的黑色矩阵的典型实施例的平面视图;
图4A至图4H是示出了制造根据本发明显示装置的第一典型实施例的方法的典型实施例的横截面视图;以及
图5至图7分别是根据本发明显示装置的第二至第四典型实施例的横截面视图。
具体实施方式
以下,将参照附图描述本发明的实施例,其中相同标号表示相同元件,必要时将省略重复性描述。
以下将参照示出了本发明典型实施例的附图对本发明进行更全面的描述。但是,本发明可以以多种不同形式来实施,而不应该仅限于这里所阐述的典型实施例来构造。当然,提供这些典型实施例是为了使本公布更全面和完整,并能够向本领域技术人员充分传达本发明的范围。附图中,为了清楚起见,层和区域的尺寸和相对尺寸可能被放大了。
应当理解,当指出一个元件或层在另一个元件或层“上”、“连接到”或“耦合到”另一个元件或层时,该元件可以直接在另一元件或层上、直接连接到或直接耦合到另一个元件或层,或者可能存在中间元件或层。相反,当指出一个元件或层“直接”在另一个元件或层上、“直接连接到”或“直接耦合到”另一个元件或层时,则不存在中间元件或层。全文中,相同标号表示相同元件。正如在此所应用的,术语“和/或”包括一个或多个相关所列条目的任一个及所有组合。
应当理解,尽管在此可以使用术语第一、第二、第三等来描述不同的元件、部件、区域、层和/或部分,但是这些元件、部件、区域、层和/或部分不应该限于这些术语。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分区分开来。因此,在不背离本发明宗旨的情况下,下文所述的第一元件、部件、区域、层或部分可以称为第二元件、部件、区域、层或部分。
为了便于说明,在此可以使用诸如“下面”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”等空间关系术语,以描述图中所示的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。应当理解,除图中所示的方位之外,空间关系术语还包括使用或操作中的装置的不同方位。例如,如果翻转图中的装置,则描述为位于其它元件或特征“下方”或“下面”的元件将被定位为在其它元件或特征的“上方”。因此,典型术语“下方”包括上方和下方两个方位。装置可以以其它方式定位(旋转90度或在其它方位),并且在此所用的空间关系描述可相应地进行解释。
在此使用的术语仅用于描述特定典型实施例的目的,而不是旨在限制本发明。正如在此使用的,除非文中以其它方式清楚地指出,否则单数形式的“一个(“a”、“an”和“the”)”也可以包括复数形式。还可以理解,当在本说明书中使用术语“包括(comprises)”和/或“包含(comprising)”时,表明存在所述的特征、整体、步骤、操作、元件、和/或部件,但并不排除存在或附加有一个或多个其它的特征、整体、步骤、操作、元件、部件、和/或其组合。
这里,将参照横截面图描述本发明的典型实施例,这些横截面图是本发明的理想化典型实施例(和中间结构)的示意图。同样,可以预料由于例如制造技术和/或制造公差所导致的图中形状的变化。由此,本发明的典型实施例不应该被构造成仅限于在此所示的区域的特定形状,而应包括诸如制造所导致的形状上的偏差。例如,示为矩形的注入区通常具有圆形或曲线形特征和/或在其边缘的注入浓度梯度,而不是从注入区到未注入区的二元变化。同样,通过注入形成的掩埋区可导致在掩埋区与进行注入的表面之间的区域中的一些注入。因此,附图中所示的区域实质上是示意性的,并且它们的形状并非为了示出装置区域的实际形状,也不是为了限定本发明的范围。
除非以其它方式限定,否则在此所使用的所有术语(包括技术和科技术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解相同的含义。还可以理解,诸如在常用词典中定义的那些术语应该解释为具有与其在相关技术的上下文中的含义相同的含义,除非在此特别限定,否则不应理解为理想化的或过于正式的含义。
图1是根据本发明显示装置的第一典型实施例的等效电路图。
参照图1,根据第一实施例的显示装置1包括多条信号线。
信号线包括传输扫描信号的栅极线、传输数据信号的数据线、以及施加驱动电压的驱动电压线。数据线和驱动电压线彼此相邻并布置成彼此平行。而且,栅极线交叉于数据线和驱动电压线。
像素包括有机发光器件LD、开关晶体管Tsw、驱动晶体管Tdr、以及电容器C。
驱动晶体管Tdr具有连接至开关晶体管Tsw的控制端子、连接至驱动电压线的输入端子、以及连接至有机发光器件LD的输出端子。
有机发光器件LD具有连接至驱动晶体管Tdr输出端子的阳极以及连接至共用电压Vcom的阴极。有机发光器件LD发射亮度随驱动晶体管Tdr所输出的电流的强度而变化的光。多个发光器件可联合工作,以显示图像。这里,由驱动晶体管Tdr输出的电流的强度根据施加在驱动晶体管Tdr的控制端子与输出端子之间的电压而变化。
开关晶体管Tsw具有连接至栅极线的控制端子、连接至数据线的输入端子、和连接至驱动晶体管Tdr的控制端子以及电容器C的一侧的输出端子。开关晶体管Tsw响应施加于栅极线的扫描信号将数据信号从数据线传输到驱动晶体管Tdr。
电容器C在一端上连接至驱动晶体管Tdr的控制端子,而另一端通过驱动电压线连接至驱动晶体管Tdr的输入端子。电容器C存储并保持待输入到驱动晶体管Tdr的控制端子的数据信号。
以下,将参照图2和图3更详细地描述根据第一实施例的显示装置。图2是根据本发明第一典型实施例的显示装置的横截面视图,而图3是示出了根据本发明第一实施例的显示装置的第一典型实施例中的黑色矩阵的典型实施例的平面视图。在图2中,仅示出了驱动晶体管Tdr。
根据本发明的显示装置1的第一典型实施例包括第一基板100、第二基板200、以及将这两个基板100、200结合在一起的密封剂310。
第一基板100形成有驱动晶体管Tdr、像素电极161、发光层180、和共用电极190。第二基板200形成有黑色矩阵221、滤色片231、和辅助电极241。
第一基板100具有栅电极121、第一共用电压施加部122、和第二共用电压施加部123,其都形成在由诸如玻璃、石英、塑料、或类似物质的绝缘材料制成的第一绝缘基板110上。第一和第二共用电压施加部122、123接收来自外部的共用电压,并将共用电压分别施加至共用电极190和辅助电极241。栅电极121、第一共用电压施加部122、和第二共用电压施加部123形成在同一层上,并且第一和第二共用电压施加部122、123设置在非显示区域上。
包含氮化硅(“SiNx”)或类似物质的栅极绝缘膜131形成在第一绝缘基板110和栅电极121上。栅极绝缘膜131在第一和第二共用电压施加部122、123上被部分地去除。
包含非晶硅的半导体层132和包含高度掺杂n型杂质的n+氢化非晶硅的欧姆接触层133依次形成在对应于栅电极121的栅极绝缘膜131上。这里,欧姆接触层133相对于栅电极121被分为两部分。
源电极141和漏电极142形成在欧姆接触层133和栅极绝缘层131上。此外,源电极141和漏电极142相对于栅电极121被分开。
钝化膜151形成在源电极141、漏电极142、欧姆接触层133的露出部分、以及半导体层132的露出在源电极141与漏电极142之间的上部上。钝化膜151可以包含氮化硅(“SiNx”)或其它类似物质。钝化膜151在漏电极142以及第一和第二共用电压施加部122、123上被部分地去除。
有机膜152形成在钝化膜151上。有机膜152包含以下之一:苯并环丁烯(benzocyclobutene,“BCB”)系、烯烃系、丙烯酸树脂系、聚酰亚胺系、和氟聚合物(诸如聚四氟乙烯(PTFE)、多氟环丁烷(PFCB)、氟化乙丙烯聚合物(FEP)、聚氟烷氧化合物(PFA)、亚乙烯基四氟乙烯(ETFE)、聚偏氟乙烯(PVDF))。氟聚合物可以具有由日本的Asahi Glass生产的称为cytop(商标)的结构式1。有机膜152在漏电极142以及第一和第二共用电压施加部122、123上被部分地去除。
结构式1:
像素电极161形成在有机膜152的顶部上。也称为阳极的像素电极161向发光层180供应空穴。像素电极161包含诸如氧化铟锡(“ITO”)、氧化铟锌(“IZO”)、或其它类似物质的透明导电材料,并通过接触孔153连接至漏电极142。
第一和第二接触件162、163分别形成在第一和第二共用电压施加部122、123上。第一和第二接触件162、163形成在与像素电极161相同的层上。第一接触件162通过接触孔154连接至第一共用电压施加部122,而第二接触件163通过接触孔155连接至第二共用电压施加部123。
隔离壁171形成在像素电极161和有机膜152上,并包围像素电极161。隔离壁171划分像素电极161并限定像素区。而且,隔离壁171通过在其间提供物理隔离而防止薄膜晶体管Tdr的源电极141和漏电极142与共用电极190短路。隔离壁171包含具有耐热性和耐溶性的感光材料,诸如丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、或其它类似物质;或者可替换地,隔离壁171可以包含诸如SiO2和TiO2的无机材料。隔离壁171的可替换实施例可以具有包含有机层和无机层的双层结构。而且,隔离壁171形成有接触孔172,第一接触件162通过接触孔172而露出。
发光层180形成在像素电极161的未被隔离壁171覆盖的部分上。发光层180包括空穴注入层181和有机发光层182。
空穴注入层181包含空穴注入材料,诸如聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)(“PEDOT”)和聚苯乙烯基磺酸(“PSS”)。空穴注入材料通过喷墨方法以水相悬浮状态被滴入,从而形成空穴注入层181。
根据该第一典型实施例,有机发光层182也通过喷墨方法形成,发射白光。
来自像素电极161的空穴和来自共用电极190的电子在有机发光层182中结合成电子空穴对,并在电子空穴对形成过程中发射出光。
共用电极190设置在隔离壁171和发光层182上。也称为阴极的共用电极190向有机发光层182供应电子。共用电极190可以包含镁和银的合金或者可替换地钙和银的合金。共用电极可以具有约50nm至约200nm的厚度。当共用电极190的厚度小于约50nm时,电阻过度增加,使得不能有效地将共用电压施加于整个显示器。另一方面,当共用电极190的厚度大于约200nm时,共用电极190可能变得不透明。优选地,共用电极190具有50%或更大的光透射比。
共用电极190通过接触孔172与第一接触件162连接。第一接触件162与第一共用电压施加部122连接,使得共用电极190接收共用电压。但是,第一共用电压施加部122布置在显示区域的外周边中,使得距离第一共用电压施加部122相对较远的共用电极190中出现电压降。在顶部发光型显示器(其中从有机发光层182发出的光穿过共用电极190)的情况下,正如该第一典型实施例中一样,共用电极190的厚度被限定为防止穿过的光的亮度减弱。但是,受限定的厚度导致共用电极190的电阻增加,并且导致距离电压施加部122相对较远的共用电极190的电压降被加强。
在可替换的典型实施例中,共用电极190可以具有双层结构。例如,该双层结构可以包括金属合金的下层以及ITO或IZO的上层。这里,ITO或IZO的上层应该通过低温沉积而形成,以便于保护下发光层180不受热或等离子体的影响。但是,通过低温沉积法形成的ITO或IZO可能具有较差的膜质量和较差的电阻率,使得上述电压降问题无法得以解决。
通过根据本发明的第二基板200的辅助电极241的典型实施例可以解决上述的电压降问题。第二基板200可以描述如下。
参照图2和3,黑色矩阵221形成在第二绝缘基板210上。黑色矩阵221形成为类似于图3所示的网的形状。其中未形成黑色矩阵221的开口222对应于第一基板100的发光层180。黑色矩阵221包括形成在显示区域上的并具有相对较窄宽度的内部黑色矩阵221a和形成在沿第二绝缘基板210边缘的非显示区域中的并具有相对较宽宽度的外部黑色矩阵221b。黑色矩阵221包含含有黑色颜料的感光有机材料或氧化铬。这里,炭黑或氧化钛可以用作黑色颜料。
根据该第一典型实施例,滤色片231设置在黑色矩阵221的开口222中。滤色片231包括彼此在颜色上不同并具有预定图案的三个子层231a、231b、231c中的一个子层。因此,从发光层180发射的白光在穿过滤色片231的同时被上色。
辅助电极241形成在黑色矩阵221上,并形成为类似于网的形状。但是,辅助电极241不形成在滤色片231上。这里,辅助电极241包含具有相对较低电阻的金属,例如铝(Al)、银(Ag)、铜(Cu)、金(Au)、或具有类似特性的其它金属。
辅助电极241与覆盖第二共用电压施加部123的第二接触件163通过短路棒320连接,从而接收共用电压。辅助电极241与共用电极190直接接触并与之电连接。辅助电极241向共用电极190供应共用电压,使得共用电极190可以有效地将共用电压供应到发光层180。
第一基板100和第二基板200通过形成在非显示区域中的密封剂310结合在一起。密封剂310是非导电性的,并且可以包含丙烯酸树脂和/或环氧树脂。
此外,吸湿剂(未示出)可以设置在第二基板200中,以便于保护发光层180免受湿气的影响。吸湿剂可以放置在非显示区域中。
以下将参照图4A至图4H描述制造根据本发明第一实施例的显示装置的方法。图4A至图4D示出了第一基板100的制造方法,而图4F至图4H示出了第二基板200的制造方法。
以下将参照图4A至图4D描述制造第一基板100的方法。
首先,如图4A所示,在第一绝缘基板110上形成薄膜晶体管Tdr。薄膜晶体管Tdr具有包含非晶硅的沟道,并可以通过众所周知的方法形成。在形成薄膜晶体管Tdr的同时,也形成了第一和第二共用电压施加部122和123。在形成薄膜晶体管Tdr之后,在薄膜晶体管Tdr上形成钝化膜151。在钝化膜151包含氮化硅的情况下,可以使用化学气相沉积法来形成钝化膜151。此外,通过接触孔154、155露出第一和第二共用电压施加部122、123。
接着,如图4B所示,形成有机膜152、像素电极161、第一接触件162、和第二接触件163。这里,有机膜152通过狭缝涂布法或旋转涂布法形成,并且通过曝光和显影,有机膜152形成有接触孔153、154。通过对溅射方法形成的透明导电层进行光刻,可以形成像素电极161、第一接触件162、和第二接触件163。同时,在顶部发光型显示器的情况下,不必使像素电极161透明。这样,像素电极161可以由反射金属制成。
接着,如图4C所示,形成隔离壁171。这里,隔离壁171通过曝光和显影感光材料层而形成。
接着,如图4D所示,形成发光层180。通过喷墨方法滴入空穴注入溶液(该溶液包含作为溶质的空穴注入材料)进而再将溶剂蒸发出去,而形成空穴注入层181。空穴注入材料可以包括诸如聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)(“PEDOT”)的聚噻吩衍生物、诸如聚苯乙烯基磺酸(“PSS”)的混合物、以及溶解该混合物的极性溶剂。作为极性溶剂的实例,有异丙醇(“IPA”)、正丁醇、γ-丁内脂、N-甲基吡咯烷酮、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮(“DMI”)及其衍生物、诸如二甘醇一乙醚乙酸酯、二甘醇一丁醚乙酸酯、以及具有类似特性的其它物质的乙二醇醚。可以通过喷墨方法滴入含有作为溶质的白光发射材料的发光溶液并将溶剂蒸发出去而形成有机发光层182。
接着,如图4E所示,在隔离壁171和有机发光层182上形成共用电极190,从而完成了第一基板100。
以下将参照图4F至图4H描述制造第二基板200的方法。
首先,如图4F所示,在第二绝缘基板210上形成黑色矩阵221。在黑色矩阵221包含氧化铬的情况下,黑色矩阵221可以通过溅射和光刻形成。可替换地,当黑色矩阵221包含含有黑色颜料的有机材料时,其可以通过涂布、曝光、和显影来形成。在任何情况下,黑色矩阵221均包括内部黑色矩阵221a和外部黑色矩阵221b,并且在内部黑色矩阵221a之间形成开口222。
接着,如图4G所示,在黑色矩阵221的开口222中形成滤色片231。滤色片231可以包括通过涂布、曝光、和显影而形成的三子层231a、231b、231c中的一个子层。
接着,如图4H所示,在黑色矩阵221上形成辅助电极241,从而完成了第二基板200。这里,辅助电极241可以通过溅射方法沉积金属层并对所沉积的金属层进行光刻而形成。
可以在两个基板100和200结合在一起之前在它们中的任何一个中形成短路棒320。
在完成第一和第二基板100和200并且在它们中的任何一个上形成短路棒之后,沿第一基板100或第二基板200的任一边缘形成密封剂310,并将两个基板100和200结合在一起。当密封剂310变硬时,根据本发明第一实施例的显示装置1就完成了。当两个基板100和200结合在一起时,辅助电极241与共用电极190直接接触,从而接收来自第二共用电压施加部123的共用电压。
根据本发明的第一实施例,通过辅助电极241,共用电压在整个显示器上被有效地施加至共用电极190。而且,黑色矩阵221可以用来增加显示器的对比度。
图5至图7分别是根据本发明第二至第四实施例的显示装置的截面视图。
参照图5,根据第二实施例的有机发光层182可以包括所发出光的颜色互不相同的三个子层182a、182b、182c中的一个子层,从三个子层中,例如,三个子层可以分别发射红、蓝、绿光。有机发光层182可以包含聚芴衍生物、聚对苯基亚乙烯基衍生物、聚亚苯基衍生物、聚乙烯咔唑、和聚噻吩。上面所列出的聚合物材料可以掺杂苝类颜料、若丹明类颜料、红荧烯、苝、9,10-二苯基蒽、四苯基丁二烯、尼罗红、香豆素6、喹吖啶酮、或具有类似特性的其它物质。同时,透明有机层251形成在有机发光层182上。有机层251是无色的,并包括以下之一:苯并环丁烯(“BCB”)系、烯烃系、丙烯酸树脂系、聚酰亚胺系、以及氟聚合物。
参照图6,根据本发明的第三实施例,导电层330形成在共用电极190与辅助电极241之间。导电层330包含导电聚合物,并增强了共用电极190与辅助电极241之间的电连接。作为导电聚合物的实例,有聚吡咯、聚苯胺、聚噻吩、以及具有类似特性的其它物质。导电层330还包括导电颗粒331。这里,导电颗粒331包括镍或银。
导电层330在制造时可以形成在第一基板100或第二基板200上。
参照图7,根据本发明的第四实施例,吸湿层形成在黑色矩阵221与辅助电极241之间。吸湿层251防止发光层180被湿气损坏。吸湿层251可以包含钙(Ca)、钡(Ba)、氧化钙(CaO)、或氧化钡(BaO)。
在上述典型实施例中,聚合物材料用于发光层180,但本发明不限于此。可替换的典型实施例可以采用低分子量材料作为发光层180。在使用低分子量材料的情况下,发光层180可以通过蒸发方法形成。在发光层中使用低分子量材料的显示装置还被称为小分子OLED显示器或SMOLED显示器。
如上所述,本发明提供了一种显示装置,其可有效地将共用电压施加于整个显示器,并具有改进的对比度。
而且,本发明提供了一种显示装置的制造方法,该显示装置能够有效地将共用电压施加于整个显示器并具有改进的对比度。
虽然已经示出并描述了本发明的几个典型实施例,本领域技术人员可以理解,在不背离所附权利要求及其等同物所限定的本发明原则和精神的前提下,可以对本发明进行更改。
Claims (25)
1.一种显示装置,包括
第一绝缘基板;
薄膜晶体管,形成在所述第一绝缘基板上;
第一电极,与所述薄膜晶体管电连接;
发光层,形成在所述第一电极上;
第二电极,形成在所述发光层上;
辅助电极,与所述第二电极电连接,并且接收共用电压;
第二绝缘基板,放置在所述辅助电极上;
黑色矩阵,形成在所述辅助电极与所述第二绝缘基板之间,
其中,所述第二电极通过第一共用电压施加部接收所述共用电压,所述辅助电极通过第二共用电压施加部接收所述共用电压,
其中,所述第一绝缘基板包括显示区域和沿所述显示区域的周边形成的非显示区域,
其中,所述辅助电极形成在所述显示区域和所述非显示区域中且具有网的形状。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述黑色矩阵为网形状。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述黑色矩阵包含含有黑色颜料的有机材料和氧化铬中的一种。
4.根据权利要求1所述的显示装置,还包括有机层,其形成在所述第一电极的通过所述辅助电极而露出的一部分上。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其中,所述发光层包括所发出光的颜色互不相同的多个子层,并且所述有机层是透明的。
6.根据权利要求4所述的显示装置,其中,所述发光层发射白光,并且
所述有机层是包括颜色不同的多个子层的滤色片。
7.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述多个子层中的每一层均包括以下层之一:从中发射红光的层、从中发射绿光的层、以及从中发射蓝光的层。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述辅助电极包含选自由铝、银、铜、和金所组成的组中的至少一种。
9.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二电极具有50%或更大的光透射比。
10.根据权利要求1所述的显示装置,其中,从所述发光层发射的光通过所述第二绝缘基板发射到外部。
11.根据权利要求10所述的显示装置,其中,所述非显示区域形成有非导电密封剂,以将所述第一和第二绝缘基板结合在一起。
12.根据权利要求2所述的显示装置,还包括介于所述黑色矩阵与所述辅助电极之间的吸湿层。
13.根据权利要求12所述的显示装置,其中,所述吸湿层包含选自由钙(Ca)、钡(Ba)、氧化钙(CaO)、和氧化钡(BaO)所组成的组中的至少一种。
14.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述非显示区域形成有向所述辅助电极施加所述共用电压的短路棒。
15.根据权利要求1所述的显示装置,还包括包围所述发光层的隔离壁。
16.根据权利要求15所述的显示装置,其中,所述辅助电极和隔离壁在所述显示区域中彼此面对。
17.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二共用电压施加部设置在所述非显示区域上。
18.根据权利要求17所述的显示装置,进一步包括:第一接触件和第二接触件,所述第一接触件和所述第二接触件分别形成在与第一电极相同的层上,并且,位于所述第一共用电压施加部和所述第二共用电压施加部上。
19.根据权利要求18所述的显示装置,其中,所述辅助电极通过所述第二接触件和短路棒连接至所述第二共用电压施加部。
20.一种显示装置,包括:
第一绝缘基板;
薄膜晶体管,形成在所述第一绝缘基板上;
第一电极,与所述薄膜晶体管电连接;
发光层,形成在所述第一电极上;
第二电极,形成在所述发光层上;
辅助电极,形成在所述第一电极上,并接收共用电压;
导电层,介于所述第二电极与所述辅助电极之间;
第二绝缘基板,形成在所述辅助电极上;以及
黑色矩阵,形成在所述辅助电极与所述第二绝缘基板之间,
其中,所述第二电极通过第一共用电压施加部接收所述共用电压,所述辅助电极通过第二共用电压施加部接收所述共用电压,
其中,所述第一绝缘基板包括显示区域和沿所述显示区域的周边形成的非显示区域,
其中,所述辅助电极形成在所述显示区域和所述非显示区域中且具有网的形状。
21.根据权利要求20所述的显示装置,其中,所述导电层包含选自由聚吡咯、聚苯胺、和聚噻吩所组成的组中的至少一种。
22.根据权利要求20所述的显示装置,其中,所述导电层包括导电颗粒。
23.根据权利要求22所述的显示装置,其中,所述导电颗粒包含银和镍中的一种。
24.一种制造显示装置的方法,包括:
通过在第一绝缘基板上形成薄膜晶体管、形成连接至所述薄膜晶体管的第一电极、在所述第一电极上形成发光层、以及在所述发光层上形成第二电极,而提供第一基板;
通过在第二绝缘基板上形成网形状的黑色矩阵、在未被所述黑色矩阵覆盖的所述第二绝缘基板上形成有机层、以及在所述黑色矩阵上形成辅助电极,而提供第二基板;
沿所述第一和第二基板中的至少一个的周边形成密封剂;以及
将所述第一基板和所述第二基板结合在一起,以将所述辅助电极与所述第二电极电连接,
其中,所述辅助电极直接形成在所述第二电极上,
其中,所述第二电极通过第一共用电压施加部接收所述共用电压,所述辅助电极通过第二共用电压施加部接收所述共用电压,
其中,所述第一绝缘基板包括显示区域和沿所述显示区域的周边形成的非显示区域,
其中,所述辅助电极形成在所述显示区域和所述非显示区域中且具有网的形状。
25.一种制造显示装置的方法,包括:
通过在第一绝缘基板上形成薄膜晶体管、形成连接至所述薄膜晶体管的第一电极、在所述第一电极上形成发光层、以及在所述发光层上形成第二电极,而提供第一基板;
通过在第二绝缘基板上形成黑色矩阵、在未被所述黑色矩阵覆盖的所述第二绝缘基板上形成有机层、以及在所述黑色矩阵上形成辅助电极,而提供第二基板,其中,所述提供第二基板的步骤包括在所述辅助电极上形成导电层;
沿所述第一和第二基板中的至少一个的周边形成密封剂;以及
将所述第一基板和所述第二基板结合在一起,以将所述辅助电极与所述第二电极电连接,
其中,所述第二电极通过第一共用电压施加部接收所述共用电压,所述辅助电极通过第二共用电压施加部接收所述共用电压,
其中,所述第一绝缘基板包括显示区域和沿所述显示区域的周边形成的非显示区域,
其中,所述辅助电极形成在所述显示区域和所述非显示区域中且具有网的形状。
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Citations (1)
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