CN1965451A - 具有间接耦合的集成电路的连接器或其他电路元件 - Google Patents
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Abstract
一种装置(130),该装置(130)包括集成电路(200200a)和用于将集成电路(200 200a)和导体(323a 323b)电磁耦合的至少一个耦合器(302a 302b),该导体(323a 323b)可以是人造的或自然发生的,如在人类或人类以外的动物中。耦合是电磁耦合,即间接的,且不是机械附着的结果,而是通过电磁场(或仅有电或磁分量)。导体(323a 323b)可适于传送电子或自旋电子或光信号,并且耦合更具体地说是耦合至与这样的信号相关联的场。集成电路/芯片(200和200a)可以是电、光、光电、或量子集成电路/芯片,并且可以是普通尺度或纳米尺度,并可以利用自旋电子器件。本发明还提供了包括这样的装置(130)的连接器(100 100a)。
Description
技术领域
本发明涉及用于电和光信号并具有作为电路部件的集成电路(IC)的电路的领域,包括嵌入用于电和光信号负载线路的连接器中的IC。具体地说,本发明涉及具有间接耦合至其他电路部件的IC并且特别包括间接耦合的纳米尺度IC的电路。
背景技术
现有技术提供了用于连接电或光导体的许多类型的连接器。另外,用于同时连接几干个低频(包括DC)载流导体(即两条线路,每条线路包括几个载流导体)的多元电连接器在本领域是公知的。现有技术还包括用于同时连接多芯和同轴电缆的多芯/同轴电连接器。例如,美国专利No.3,154,360提供了插塞构件和插孔(插座)构件。正如在美国专利No.6,416,334中所公开的,现有技术还包括用于连接光纤的连接器以及甚至包括用于同时连接几个低频载流导体(包括DC)还有光纤的两个或多个末端的连接器。
另外,集成电路(IC)在本领域中是公知的;现有技术教导提供了用于执行大量不同功能的集成电路(IC)。IC可用作电压或电流放大器,可用于电路的测试和评估,用作计算机的元件,用于控制,和光电路一起使用(如用于按照波分复用信号实施增/减多路复用器的一个或另一个任务),以及用于提供大量其他有用的功能。
在使用一种或多种信号类型的两个或多个导体的许多应用中,在连接导体的位置常常有必要执行一类或另一类功能。例如,在将两个导体连接的点处提供阻抗匹配将会有用。另外,利用模拟信号放大器或数字信号放大器在连接器处放大信号常常是有用的,或者在纯粹的模拟应用中,提供电流或电压放大是有用的。在其他的应用中,在两个或多个导体或者一种或多种类型的连接点处将有利地执行其他种类的功能。
因此,所需要的是不仅提供两个或多个导体或者一种或多种类型导体的连接,而且提供与由连接器传送的信号有关或与连接本身(包括比如连接的测试和评估)有关的有用功能的连接器。
另外,为了便于进行现场修理以及出于影响性能的其他原因,在与连接器所连接的导体建立物理连接时,并不是由IC在该连接器中提供有用的功能,而是间接耦合到所连接的线路/导体,即并不与所连接的线路/导体建立物理连接,这样做是有好处的。而且,这样的间接耦合不仅在连接器的情形中而且通常在电气电路和光学电路的情形中也是有好处的。
发明内容
因此,在本发明的第一方面,提供了一种装置,该装置包括集成电路和用于使集成电路与至少一个导体耦合的耦合器,其特征在于,对耦合器进行配置和布置,以电磁耦合到至少一个导体,而并不物理连接到该至少一个导体。
根据本发明的第一方面,耦合器可提供比如电容耦合或电感耦合,或者耦合器可包括用于提供电磁耦合的天线,或者耦合器可包括定向光耦合器。
根据本发明的第一方面,至少集成电路或耦合器可包括纳米尺度元件。例如,耦合器可包括合并了比如纳米碳管的纳米尺度天线。
根据本发明的第一方面,至少集成电路或耦合器可包括超导元件。
根据本发明的第一方面,耦合器可提供与比如电子电流或自旋电子电流或光信号的耦合。
根据本发明的第一方面,耦合器可依赖于电子或自旋电子现象作为与导体耦合的基础。
根据本发明的第一方面,集成电路可依赖于电子或自旋电子现象作为响应由导体传送的信号的基础。
根据本发明的第一方面,集成电路可包括由包括纳米纤维的电磁材料制成的晶体管,并且集成电路可包括磁结合材料。
根据本发明的第一方面,可对装置进行配置以与人类或人类以外的动物的心脏组织电磁耦合。而且,耦合器可感测电信号,并且该装置还可包括第二耦合器,对第二耦合器进行配置以同样与心脏组织电磁耦合并提供用于调整心脏速率的电信号。
根据本发明的第一方面,装置还可包括第二耦合器,对第二耦合器进行配置以与第二导体电磁耦合,而并不在物理上附在该第二导体,因此该装置在没有物理连接到两个导体的任何一个的情况下提供两个导体之间的连接。
根据本发明的第一方面,导体可以是人类或人类以外的动物的突触中的神经元,因此可将耦合器进行配置以与人类或人类以外的动物的突触中的神经元电磁耦合。而且,该装置还可包括第二耦合器,对第二耦合器进行配置以在没有物理连接到神经元的情况下与突触中的第二神经元电磁耦合,因此该装置提供两个神经元之间的连接。
在本发明的第二方面,提供用于调解两个导体之间的连接的连接器,该连接器包括容纳其中一个导体的第一外壳和容纳另外一个导体的第二外壳,其特征在于,该连接器还包括至少一个嵌入式集成电路,该集成电路连接到耦合器,对该耦合器进行配置和布置以在没有物理连接到任何一个导体的情况下与导体的至少一个电磁耦合。
根据本发明的第二方面,至少集成电路或耦合器可包括纳米尺度元件或超导元件。
根据本发明的第二方面,可将两个导体终结于绝缘体而不是将其机械连接,并且嵌入式集成电路可包括第二耦合器,对该第二耦合器进行配置和布置以与两个导体中的另外一个电磁耦合。
根据本发明的第二方面,可将两个导体机械连接以使它们彼此接触。
根据本发明的第二方面,耦合器可提供比如电容耦合或电感耦合,或者它可包括用于提供电磁耦合的天线,或者它可包括定向光耦合器。
根据本发明的第二方面,耦合器可依赖电子或自旋电子现象作为与导体耦合的基础。
根据本发明的第二方面,集成电路可依赖电子或自旋电子现象作为响应由导体传送的信号的基础。
附图说明
考虑后面所提供的详细说明并结合附图,本发明上述的以及其他的目的、特征和优点将变得显而易见,在这些图中:
图1是体现本发明的连接器的透视图,该连接器包括嵌入式集成电路并包括插塞部分和插孔部分,所示出的括插塞部分和插孔部分处于未耦合状态。
图2是插塞部分的中间纵向截面图。
图3是插孔部分的局部中间纵向截面图。
图4是沿着图3中的线4-4截取的截面图。
图5是根据本发明的插塞的修正形式的分解透视图,插塞的修正形式作为在任何连接器中使用本发明的示例。
图6是沿着图5中的线6-6截取的局部截面图。
图7A是互连插塞和插孔的截面图,图中示出了插塞中光纤止动器内的光纤,并且示出了支持和定位止动器轨道和前向齿。
图7B是沿着图7A中的线7B-7B截取的截面图。
图8是示于图1中的连接器的框图,图中示出了物理连接到电连接器并且与电连接器串联的集成电路,该电连接器具有通过连接器连接的末端。
图9A至9C是示出根据本发明的连接器的不同示例的框图。
图10是具有集成电路的连接器的框图,集成电路物理连接到光导体并且与光导体串联,且通过分接另一个光导体向集成电路供电。
图11是如示于图10的具有集成电路的连接器的框图,集成电路物理连接到光导体并且与光导体串联,但通过分接两个光导体向集成电路供电。
图12A至12B是示出根据本发明的连接器的实施例的框图,在该连接器中,嵌入式集成电路与一对导体中的一个或多个导体电磁耦合(包括光耦合),但并不是机械耦合,这一对导体由该连接器连接。
图13A至13B是示出根据本发明的装置的实施例的框图,在该装置中,集成电路与一个或多个导体电磁耦合(包括光耦合),但并不是机械耦合。
具体实施方式
现在对本发明作为连接器进行描述,该连接器用于同时连接几个低频载流(电的)导体(包括DC)以及光纤的两个或多个末端(即光导体),并包括嵌入式运算放大器类型的集成电路(IC),这种集成电路用于放大由这些导体中的一个所传送的电压信号。。不过,应理解本发明包括任何类型的连接器,包括任何类型的拼接,并且具有嵌入其中的任何类型的一个或多个IC,而不仅仅是运算放大器。而且,应理解本说明书中所使用的术语“嵌入式集成电路”包括电气并且物理附在连接器或嵌入连接器中的集成电路,以成为连接器的一部分或者与连接器成为一体,并且包括实际上埋入连接器的外壳或外罩材料中的集成电路。根据本发明有利地嵌入连接器内的IC包括用于执行任务的IC,这些任务与光学或电气电路或者光电芯片的功能有关,特别是那些正在开发以利用称为表面细胞质基因组电磁声子(SPP)的光电芯片,这些表面细胞质基因组电磁声子(SPP)既不是光子也不是电子,而是依赖于光子和电子而存在并且在光子和电子的间隙之间搭桥,即可使电子和光子在芯片中有目的地相互作用。根据本发明有利地嵌入导体内的IC的示例有:电压或电流或信号放大器IC、用于电路的测试和评估的IC、用作计算机元件的IC、用于控制的IC、用作波分复用信号中的增加/减少复用器的或者与波分复用信号中的增加/减少复用器有关的IC、用作光学逻辑门的IC、用于阻抗匹配和简单通量信号放大的IC、用作光学包交换的IC、用作LED交换的IC、用作波分复用器的IC、用作存储缓冲器的IC、用作模数转换器的IC、用作电压调节器的IC、用作LED交换的IC、用作数据流量路由器的IC、用作进行串扰抑制的多路分解器的IC、用作光参数放大器的IC、用作进行信号处理的光学时钟的IC、用作进行读取和重建数字信号的重发器的IC以及用于SPP交换的IC。
参看附图,并且具体参见图1至图4、图7A和7B以及图8,这些图中示出了展示本发明特别有利的实施例的连接器,该连接器包括插塞10和插孔11,插孔11包括位于插孔11的外罩的开口201中的运算放大器类型的集成电路(IC)200,如图6所示,IC通过这个开口201与至少一些导体23进行电接触,这些导体23具有由该连接器连接的末端。应理解本发明还包括将IC嵌入具有插塞构件和插孔构件的连接器的插塞构件中,并且也在拼接连接器(即永久类型的连接)的情形下,具有与拼接连接器成为整体的IC。因此,正如所提及的那样,图1所示的连接器仅仅是对本发明的说明,尽管它是优选实施例。本发明为嵌入任何设计或配置的任何连接器主体中的任何IC或固态电路的使用做好了准备。
将IC200嵌入连接器100,以使其物理以及电气附到连接器。优选在实际上将IC200埋入插孔11的材料中,优选这种材料是合成材料(绝缘体)以使其同使用连接器的环境隔离。或者,将嵌入式IC200布置在插孔11的外罩或外壳中足够远的位置,以使盖子能够将其盖住并将开口201盖住且能够使IC在发生故障时易于更换。
插塞10用绝缘材料制成,如热塑性或热固性树脂,并包括纵向伸展的管状杆13,管状杆13具有锥形的截头圆锥体前端14并在其尾端设置有放大头16,该放大头16限定了指算片。杆13具有基本上是圆形的横截面并设有完全相反的纵向伸展的平面17,这些平面17从杆13的顶端14伸展到离头16不远的点,这些平面17比杆13其余弓形(如在弯曲的弓形中)外围表面更接近管13的轴。
位于邻近顶端14的杆13的其中一个弓形表面上的是具有基本平行侧壁的一对纵向间隔的垂直突出18,前面的突出物紧接在杆13的前端14之后并且后面的突出物刚好在插塞头16的前面。与相应的突出18完全相反的纵向间隔的棱柱形突出19可位于杆13的相对弓形表面上。
一组纵向间隔和纵向对准的弓形金属接触元件20沿着其中一个弓形外围表面嵌入杆13。接触元件20环向伸展不足180°并且它们的外表面与杆13的弓形外围表面共面,而且它们的边缘与平面17共面。设有另一组纵向间隔、纵向对准的弓形接触元件21并与第一组横向对齐,元件21的外部表面与杆13的弓形表面共面,接触元件20和21的相应对的末端边缘彼此横向间隔。弓形凹口22在每个接触元件20和21的末端之间的外表面上形成。
连接到每个接触元件20和21的是绝缘体覆盖的导体23,导体23的末端焊接到相应的接触元件,导体23沿着杆13的内部的外围底部布置并穿过杆13的尾端纵向伸展。
管状强力构件50容纳在杆13中并与杆13同轴,优选管状强力构件50用金属制成而且可有利地用硬塑料制成,管状强力构件50伸过杆13的前端,绝缘导体23夹在杆13的正面和管状强力构件50之间。正如下所描述的那样,管状强力构件50的前端或前部51起到插塞光学耦合构件套环的作用并且分别通过向内和向外指向的外围法兰将其从管状强力构件51的剩余部分划定,法兰53与在杆13的内表面形成的匹配的外围凹槽配准以此锁定强力构件50以防纵向移动。
正如下在下面所描述的那样,插塞10的前部51(图2)限定了光学连接器的插塞光学耦合构件55的套环或套管,这种光学连接器也包括匹配插孔光学耦合根据65,插塞光学耦合构件55包括具有前端56a的光纤止动器56。止动器轨道l04(见图7A和7B)从光纤止动器56向内伸展并且还沿着止动器56的长度纵向伸展。光纤101位于光纤止动器56内、与光纤止动器56同轴并终结于光纤止动器56的前端56a。光纤101在管子50中由光纤止动器56和止动器轨道104所支撑并且还由向内及向前突出(以前端56a的方向)的齿105所支撑(见图7A和7B)。齿105防止光纤倒回插塞10,远离前端56a。
如图7B所示,将止动器轨道104制得足够薄而会在压力下弯曲。优选这些轨道用软金属如铍铜制成(比光纤表面更柔软)以在压力下弹性变形。止动器轨道104在四个不同但对称位置提供径向中心力。中心力往往将光纤101保持在集中于光纤止动器56中。将光纤101插入插塞10以使其沿着止动器轨道104滑动直至其从插塞10的终点稍微突出,即越过光纤止动器56的前端56a。然后将突出的光纤端面磨平并且与光纤止动器前端56a的端面以及管状强力构件的前端共面。止动器轨道104还有利地用塑料制成。优选这种塑料是具有低动力学摩擦系数的塑料,并允许将光纤插入插塞10并沿着已变形的轨道推动直至其到达并经过光纤止动器56的前端56a。或者,塑料还可与润滑剂一起使用以允许光纤插入插塞10。
插孔11(见图3和图4)包括纵向伸展的内壳层32,内壳层32具有限定纵向伸展空腔的内部表面,该壳层32优选地以任何公知的方式用绝缘塑料制成并在其尾端具有六边形截面的放大头33。一对相对布置的纵向伸展凹槽34和36分别在壳层32的内表面中形成并且从壳层32的敞开尾端伸展至离前端不远的点。凹槽34为通道形状的横截面,其在形状上与插塞突出18相对应,并且凹槽36为三角形横截面,其在形状上与插塞突出19相对应,以在突出18和19与凹槽34和36配准时仅允许以预定取向或偏置的相应凹槽和插塞突出之间的滑动啮合并且允许插塞和插孔之间的滑动啮合。插塞10和插孔11的相对滑动是非短接滑动,因为在滑动期间插塞的接触元件不接触插孔的接触元件。(当然,不是具有突出的插塞构件和相应凹槽的插孔构件,而是突出和凹槽可位于连接器的其他构件上,插塞上的凹槽布置在接触元件20和21组之间)。
凹槽34和36(在它们的前端)终结于环向伸展的通道形状凹槽37(图1)并与之连通,从末端33看,环向伸展的通道形状凹槽37顺时针伸展约90°。同样在头部33(图4)附近的壳层32的内表面形成的是一对相对布置的通道形状的环向凹槽38,通道形状的环向凹槽38从每个纵向凹槽34和36顺时针伸展约90°。凹槽37和38之间的纵向间隔等于插塞突出18和19之间的纵向间隔。因此,在正确偏置时,可以将插塞10插入插孔11,并且在插塞完全插入插孔内之后,可将插塞顺时针旋转90°,正如从插孔的敞开端看到的那样,突出18和19在凹槽37和38内啮合和锁定。
在内壳层32的内表面中形成的是布置于凹槽34和36之间的两组完全不同的纵向的环向伸展通道形状的凹坑40。连续凹口40之间的中央间隔基本上与连续插塞接触元件20或21之间的间隔相同,并且相反组的凹口40组横向对准。布置在每个凹口40内的是用弹性金属条制成的接触元件41。每个接触元件41包括弯曲部分42,弯曲部分42的凸面向内指向壳层32的轴并设有朝向中央的突出43,突出43适于啮合凹口22,凹口22在对应的插塞接触元件20或21中形成。径向突出臂44从接触元件弯曲部分42的一端伸展、穿过过内壳层32的壁并且终结于环向伸展触点(突出部)46,环向伸展触点(突出部)46基本上叠加于内壳层32的外壁上。。接触元件弯曲部分42的自由端在比如47处向相反方向弯曲并且靠在相应的凹口40的底部。在正常的无应力状态时,接触元件凸面部分42的顶部以及突出43朝着壳层32的内圆柱壁向内延伸。接触元件20、21和41可用任何适当的导电材料制成,如黄铜或类似的材料,并优选按照常规的实践用钯或其它适当的金属进行电镀,以提供更高的抗腐蚀和抗磨损性能以及更好的电接触表面。
在插塞滑进插孔期间插塞的接触元件20和21不接触插孔的接触元件41。因此,正如所提到的那样,插塞10和插孔11的相对滑动是非短接滑动。
中间圆柱壳层49(图3)用绝缘材料制成,如塑料,并可与内壳层32整体形成或者可牢固地附在内壳层32。接触元件41的触点46嵌入中间壳层49并且连接到绝缘体覆盖的导体75,这些绝缘体覆盖的导体75也嵌入中间壳层49并且在壳层的壁中纵向伸展并穿过壳层的前端。应注意到绝缘覆盖物75以及与连接器插塞相关联的覆盖导体23可以用公知的方式标上色标。管状金属壳层51a(图4)紧紧啮合中间壳层49,中间壳层49的前缘向内倾斜以啮合对应的该中间壳层带斜边的表面,如图3所示。
嵌入壳层32的底部或前端的是插塞承载的光学耦合构件55的配对物并且包括优选地用金属制成用于强度和弹性的套环构件66。位于套环66底端后面并且与套环66整体形成的分别是向内和向外指向的外围法兰67和68;法兰68与在壳层32内形成的相应凹槽配准。另外,向内指向的法兰67具有更远、更薄的向内指向的法兰310。更远的向内的法兰310防止以插孔头33(图1)的方向将光纤101插入插孔11太多。
与插塞光学耦合构件55相类似,插孔光学耦合构件65也包括轨道104和齿105(参见图7A和7B),齿105从光纤止动器56向内突出。在插孔11的情形中,齿105指向法兰67和310并因此而在将光纤101插入插孔直到最里面的法兰310时阻止光纤101脱离插孔。
在耦合插塞和插孔时,插塞10与插孔11对准并相对于插孔11定向,以使突出18和19分别与纵向凹槽34和36啮合。当插塞10滑进插孔11时,插塞10的平面17面对插孔接触元件41,而插塞接触元件20和21并不与接触元件41啮合而是仅仅沿着绝缘壳层32的内表面滑动。在插塞10完全插入插孔11时,光学耦合构件55与光学耦合构件65啮合并且可相对于光学耦合构件65旋转。光纤插塞终点101a(见图2)与光纤插孔终点101b近距离接触配准,且套环51与套环66嵌套接触。
正如在图7A看到的,为了实现接触插塞元件20和21与插孔接触元件41之间的啮合,使插塞顺时针旋转。在这个后来的位置上,插塞和插孔处于紧密耦合接触的位置。当插塞10相对于插孔11旋转时,插塞接触元件沿着插孔接触元件41传送,并弹性向前推动后者直至接触凹口22与接触突出43配准,在该位置上,插塞和插孔处于紧密接触的位置。
在实现接触敞开位置和其后的将插塞与插孔断开时,接着进行相反的步骤。
在连接器100内不包括用于耦合光纤的光学耦合构件55和65,而是包括用于耦合负载射频(RF)信号的同轴电缆的同轴连接器,如在1964年10月27日公告的、发明名称为“多导体电连接器(MULTI-CONDUCTOR COAXIAL ELECTRICAL CONNECTOR)”的美国专利No.3,154,360所述,该专利通过参考整体结合在本发明之中。在该实施例中,连接器100包括可分离的啮合导体套环构件和安装在插塞10的前端以及空腔底部并与前端以及空腔底部同轴并且限定同轴连接器的导体引脚元件,然后,当插塞10位于插孔11内它的空腔前置位置中时,连接器100处于耦合状态。当然,还可能在连接器100内包括用于连接多个成对RF和光导体的相应末端的多个RF或光学耦合器以及阻抗匹配IC。
在图5和6中,说明了不同于上述实施例的本发明的另一个实施例,本实施例与上述实施例的主要不同之处在于在插塞80上设有便于与插塞80连接的接触柱86,可以理解,这种方法可以和图1所示的插孔11一起使用。在图5和6所示的实施例中,插塞80包括用于接触柱86的外壳89的开口201中的IC200(可以是代替嵌入配对插孔中IC的IC或者可以是嵌入配对插孔中IC以外的IC),并且包括在结构上与如上所述的插塞10类似的引导耦合部分81,引导耦合部分81包括以前面所述的方式承载接触元件83和光学耦合元件84的杆82。管状接触柱86与杆82的尾部头端同轴并从该尾部头端向后伸出,沿着管状接触柱86的长度安装了多个纵向以及环向间隔的金属连接器凸耳或触点87,凸耳或触点87设有伸过接触柱86的壁进入接触柱86的内部的臂。通过沿着接触柱86和杆82的内部伸展的对应导体将接触元件83的每一个电气连接到各自的触点87。光纤88伸过接触柱86并且伸出其尾端,并且以前面所述的方式连接到光学耦合构件84。
如图5所示并如上所述,再次强调在图5和6所示的插塞构件的实施例中,在插塞构件中提供一个或多个IC,而不是在插孔构件中提供IC或者在插孔构件中再增加IC,这一点尤其引人注目;如图5所示,优选将IC200嵌入插塞构件80中并位于管状外壳89中的接触柱86的上方。
用于接触柱86的外壳89的末端敞开且呈管状,并且至少其内表面用绝缘材料制成;外壳89可在接触柱86的上方滑动,且其外围壁从外壳89的引导内边界径向隔开,外壳89可分离地与环形轴肩90啮合,环形轴肩90在插塞91的尾端面上形成。绝缘覆盖的导体92具有焊接到或以其他的方式连接到对应的触点87的末端,这些末端与同轴电缆88一起延伸穿过外壳89的尾端开口并且如所期望的那样连接。插塞80可以像前面所描述的那样与插孔11一起使用或者与以插塞80的方式修改的插孔一起使用。
有时用较薄的铬层优选0.00025英寸电镀插塞光纤表面101a和插孔光纤表面101b是有利的。在此实施例中,光纤的两个表面101a和101b最接近0.0005英寸。然而,在优选实施例中,光纤表面101a和101b未电镀,因为它们被插塞11中较薄的内部法兰310保持略微地隔离,因此它们实际上并不毗邻。在光纤表面101a和101b以其他方式毗邻的其它实施例中,利用较薄的铬镀层(在每个表面上约为0.00025英寸)会防止所结合的光纤分破裂和剥落。
根据附图和相应的描述,本发明显然还包括用于同时连接多芯并且不仅仅是单光纤而且是几个光纤的连接器。在此实施例中,一个光纤连接(即用于连接两个光纤长度的插塞和插孔部件)将作为用于对准其他光纤连接的关键。在一些应用中,这样的关键光纤连接可能与整个插塞和插孔同轴。在其他多芯和多光学连接器实施例的应用中,关键光纤连接将偏离插塞中心。例如,在用于连接两对光纤长度(以形成两条光纤)的连接器的情形中,光纤连接有利地偏离连接器中心,且其中一条光纤连接起关键作用。如在优选实施例中(图2、3、4、7A和7B)那样,每个光纤连接将包括(在插塞和插孔中)光纤止动器56、轨道104和齿105。
参看图9A至9C,在这些图中将本发明示为用于连接至少一个适合传送电和光信号的导体23a的末端的连接器100a,该连接器100a具有插塞末端10a和插孔末端11a,并且包括被布置的一种或另一种类型的IC200a至200c以与插孔末端11a成为整体(尽管也可将IC作为替代嵌入插塞末端10a或者同时嵌入插塞末端10a,如图5所示)。
现在具体参见图9A所示的实施例,阻抗匹配IC200a嵌入插孔11a并且从电池210获得电源电压。阻抗匹配IC200a(利用本领域已知的技术)感测插塞末端10a的输入阻抗和插孔末端11a的(输入)阻抗并且调节自身的阻抗以使插塞末端和阻抗匹配IC200a的组合阻抗基本上等于插孔末端11a(不包括阻抗匹配IC200a)的(输入)阻抗。在一些实施例中,独立的电阻、电容和电感元件可以包括在插孔末端11a中,(与阻抗匹配IC200a分离)阻抗匹配IC200a连接进传输路径以此使插塞末端10a的阻抗与插孔末端11a的阻抗相匹配。
现在具体参见图9B所示的实施例,控制器IC200b,即在一个或多个应用中执行控制器功能的IC,嵌入插孔11a中并且同样从电池210获得电源电压。控制器IC200a在导体23a上分选信号以获得输入信号,在此基础上,控制器IC200a提供示出为施加于指示器220的输出信号以传送关于导体23a上的信号的信息。指示器可以是,比如LED。或者,还可将输出信号提供给在接收到预定信号时执行功能的器件。例如,可将输出信号提供给基于输出信号的电压变化调节恒温的恒温控制器件。
现在具体参见图9C所示的实施例,通用微处理器IC200c嵌入插孔11a,通用微处理器IC200c并不是从电池210获得电源电压,而是通过特殊电源电压线来获得电源电压。类似于控制器IC200b,微处理器IC200c在导体23a上分选信号以获得输入信号,在此基础上,微处理器IC200c提供示出为施加于指示器220的输出信号以传送关于导体23a上的信号的信息。典型的微处理器一般会具有几个输入端,一个输入端来自由连接器所连接的几个不同导体的每一个如导体23a,而不仅仅是图9C所示的一个输入;在图中仅示出单个输入端仅仅是为了图示的方便。微处理器IC200c在输入端的数量上和所执行的处理的复杂度方面均不同于控制器IC200b。正如图9B所示的实施例所述,将再次示出的微处理器IC200c的输出端提供给指示器220,但由微处理器IC200c提供输入端的指示器通常能够基本上比由控制器IC200b提供输入端的指示器提供更多的信息。
如上所述,本发明还理解为具有嵌入拼接中的IC,即不具有插塞和插孔的连接器,但是连接器通过自身提供传导介质并通过进行电学和光学接触的方式保持导体的两端来连接导体的两端。在这样的实施例中,将IC嵌入拼接以在将所连接的导体的一端或另一端插入拼接中时,IC和导体之间需要哪一种接触都是不可避免的结果。例如,如果IC是串联的,则通过插入拼接,将导体的两端连接,该两端与IC的输入端和输出端进行(电学和光学)接触。(当然串联IC必须嵌入拼接,包括以物理和电学方式连接到拼接,以使所拼接的导体包括串联IC,因为信号传过的唯一路径可以从拼接的导体一端到另一端)。在拼接实施例中,IC的供电优选地(以及更简单地)由同样嵌入拼接的电池提供,尽管供电还可由外部电源提供,比如未嵌入拼接的电池或者通过外部电源、乃至通过来自同样插入拼接的其他导体的分接。
同样如上所述,嵌入式IC可以作为光学电路的部分来使用。例如,它可以是转发器/放大器。这样的IC可以如图10所示使用通过光导体传送的功率来提供动力或者如图11所示使用通过电导体传送的功率来提供动力。(在图10中,所示出的IC200通过分接单个导体来提供动力,该布置对于比如包括光伏管(图中未示)的IC来说是可能的并且因此提供了通常IC所需要的惯常V+和V-输入)。在多于一个装入连接器构件(插塞或插孔)的光导体的情形中,图1所示的连接器可修改以连接多个光导体,或者以通过终结于连接器的一个或另一个构件的光导体以光的形式提供功率,类似于图9C的电连接器以电流的形式提供功率。另外,未示出但是构思出的是具有与由光导体传送的功率提供动力的电路一起使用的嵌入式IC。
根据本发明的连接器在上面已经描述为包括嵌入连接器的IC,即埋入连接器的外壳或外罩材料内的IC,以成为连接器的一部分或与连接器成整体。同样在目前为止所描述的实施例中,与根据本发明的连接器连接的一对导体相关联的嵌入式IC已经示出为与连接时自身也是物理连接的至少一个导体物理连接成直线,以使在插塞和套筒被匹配时IC竖着与两个导体物理连接成直线。然而,除了上述的内容,如上所述,本发明还包括连接器,所述的连接器包括嵌入连接器的IC,并且所述IC与通过连接器连接到上述另一个导体的导体电磁(包括光)耦合而不是物理连接到该导体或另外的导体。在本发明这样的其他实施例中,根据本发明的IC通过电磁场与位于连接器两个外壳的一个或另一个外壳内的连接器间接耦合。而且,本发明在嵌入连接器时不仅限于这种间接耦合的IC,而是通常包含这种间接耦合的IC。
例如,关于间接耦合,根据本发明的连接器内的IC在为电信号(包括RF)提供路径的导体的情形下可与连接器的导体电容或电感耦合,或者在为光信号提供路径的导体的情形下可与连接器的导体光耦合。这种间接耦合因为不同的原因在不同的应用中是有利的:在某些应用中的优点是具有与IC的这种耦合的连接器在间接耦合到IC的导体受损的情况下更易于进行现场修理(因为可对导体进行替换或修理而不必将其重新物理连接到IC)。
嵌入式间接耦合的IC可用于许多不同的应用并且特别是作为测试电路使用。例如,间接耦合的IC可感测连接器第一外壳内并被连接至第二外壳内另一个导体的导体中的信号,并且可通过产生提供诊断信息的信号来响应。负载诊断信息的信号可以耦合回到第一外壳中的导体,或者可以完全在另一线路上提供。而且,因为间接耦合的IC实际上与导体(电磁即使不是机械)耦合,它影响了导体的输入阻抗,并且因此可用于阻抗匹配。其他的应用(如上述的)也是可能的。
应当理解,本发明还包括在连接两个导体时一个导体终结于根据本发明的一个外壳中且另一个导体终结于另一个外壳中的实施例,在该实施例中,导体不必与导体的两个末端物理匹配,而是导体的末端终结于绝缘体介质(包括如空气)中。这种终结于绝缘体的导体(与插塞和插孔连接时物理连接的导体相反)仍然能够负载信号;例如,简单天线可以说是这种终结于绝缘体的导体。在“连接的”导体终结于绝缘体的实施例中,两个导体上的信号可能是不同的,因此在一段时间内在信号上执行操作并且接着产生新的处理过的信号的IC也是可能的。
在根据导体终结于绝缘体的实施例制造连接器时,IC通常与两个连接器耦合,即连接至一个用于输入端的连接器以及连接至另一个用于输出端的连接器。当然,应当尽可能有效地进行这两种耦合,但是更重要的当然是优化与传送输出的导体的耦合。因此,IC有利地位于传送输出的导体所终结的外壳内。另外,根据所传送的信号的种类,即信号的频率,因此无论是光学、微波、RF或更低频率的电磁信号,耦合的种类是不同的。例如,对于与光学信号相比具有相对较低频率的信号来说,即包括RF而且包括更低频率的电磁信号,通常简单地称为AC信号,耦合可能是电容耦合或电感耦合。对于RF和微波信号来说,耦合可替换为利用天线并且优选地为高度定向天线来实现。对于光学信号来说,耦合可能是类似于物理连接导体末端情形中所使用的那样,但是因为终结于绝缘体的导体中的耦合是间接的,耦合不可避免地效率较低,但是出于和非光学信号情形相同的原因具有终结于绝缘体的光导体仍然是有用的,所述的相同原因是:易于进行现场修理。
现在参见图12A至12B,本发明示出为作为连接器300的间接耦合的IC,连接器300用于连接在连接时适合于传送电或光信号的两个导体323a和323b的末端301a和301b,该连接器300具有插塞末端10a和插孔末端11a,导体23a的末端如前面所述的那样附到插孔末端11a,连接器300包括一种或另一种类型的IC200,对IC200进行布置以嵌入插孔末端11a并因此而与插孔末端11a成为整体,但是在这里不是机械附到导体301a和301b中的任何一个,而是至少包括本地耦合器302a,本地耦合器302a用于耦合到外壳11a(在此情形中是插孔外壳)中的导体301a,IC200嵌入该外壳11a中。如上所述,在图12A中,两个导体323a和323b各自的末端301a和301b由由连接320显示为由连接器300置于机械接触。另一方面,在图12B中,即使在图12B所示的“连接”状态中,两个导体323a和323b并不接触并且通过IC200和两个耦合器302a和302b提供连接,本地耦合器302a用于与IC200相同的外壳(即插孔)内的导体323a耦合,并且远端耦合器302b用于与另外的外壳10a(即插塞)内的导体323b耦合。
因此,用上面所介绍的术语来讲,图12B中的导体终结于绝缘体,并且远端耦合器感测插塞10a内导体323a中的信号,将该信号作为输入提供给IC200,IC200向具有IC200的插塞11a内的本地耦合器302a提供相应的输出,而后本地耦合器302a将该信号馈送至插塞11a内的导体323b。利用图12B的布置,两个导体323a和323b可携带不同的信号,而在图12A中,因为两个导体323a和323b机械接触,它们并未隔离并且都携带相同的信号。
如上所述,耦合器302a和302b可以是各种类型,但是所有都依赖于一种或另一种类型的场/与导体323a和323b的间接耦合,并且两者均未与导体323a和323b的任何一个机械接触。
正如在上述的IC机械连接到连接器100a的相应外壳内的成对导体23a中的两个导体的一个或多个的实施例中(如图8、图9A至9C和图10至11),根据通常示于图12A和12B中的实施例的连接器还可连接多个导体,并且IC200可分接用于供电的一个或多个导体,而不是如图12A和12B所示的那样依赖于电池。
应当理解,本发明不仅包含普通尺度的连接器,而且包含纳米技术尺度的连接器,即用单分子或少量分子制造的显微连接器(并且还包括混合连接器,即部分普通尺度和部分纳米尺度,这种混合连接器具有外壳并且或许具有一些普通尺度的导体,但是至少包括一些纳米技术尺度的部件)。在这样的实施例中,IC200以及(近端和远端)耦合器302a和302b可以是纳米技术器件。因此,在这样的实施例中,在实现有效近端和远端耦合中出现的困难大大少于按照普通尺度连接器的连接器。而且,在这样的实施例中,由耦合器进行的功率转移可以相当小,但是却非常有用。
更具体地来讲,在根据本发明的纳米连接器中,(近端和远端耦合器)302a和302b可以以比如称为纳米碳管为基础,这种纳米碳管可作为调节至特定频率的天线。纳米碳管是碳的细长圆柱体,实际上是大的高分子。可以认为它们是卷成圆柱体的石墨片,即实际上是碳的六方晶格。除了具有单个圆柱形壁之外,纳米管还可具有多个壁--其他圆柱体内的圆柱体。
更普遍地来讲,根据本发明的(以及因此与导体间接耦合的)IC200包括用有时称为电磁材料(有利地与磁场相互作用的材料)的材料制造的晶体管,这些材料包括称为纳米纤维(其中的某些有时还被称为“滤线器纤维”,指的是源自60-碳富勒烯分子的纳米纤维)并且还包括磁结合的材料。
自1959年Richard P.Feynman引入纳米技术概念以来的这些年中,纳米技术领域的状况已经有了显著的发展。例如,马萨诸塞州Ashland的AMBIT公司现在已经开发出了纳米管技术,该技术用于直接在结和其他衬底中精确放置、生长和调节专用纳米线,这样就使设计者能够便捷地利用在很大程度上与标准半导体加工技术兼容的技术来制造光波尺度的能带隙和天线结构、电路以及光电器件。通过当前的纳米碳管技术能够实现的器件包括:检测器,在这种检测器中,纳米线直接在半导体表面和结上生长且对纳米结构的取向和位置进行选择以提供应用中所需的灵敏度和选择性(并且在这种检测器中可调节每条纳米线或者纳米线组以针对每种应用制定频率选择性);用于在多谐波收集和发射电磁能量包括光波能量的光学谐波发射器(具有包括有效固态宽带照明、UV(紫外线)生成、RFID(射频识别)以及光学识别和跟踪系统的应用);频率转换器件,即混合器(光学和电子);转换和射束操纵器件,在这种转换和射束操纵器件中,在将纳米尺度元件正确定位时,纳米尺度元件的类似天线的操作以及转换和/或偏置它们的能力允许信号和多重光波波前的快速重新定向和加强(比如在没有反射镜或其他电磁器件的情况下光信号的高速路由选择中是有用的)。
除了在图12A和12B的连接器中使用纳米尺度部件之外,本发明还包括纳米尺度部件,在这些纳米尺度部件中将嵌入式IC物理连接到两部分由连接器连接的连接器,如图8、9A至9C、10和11非常清楚地所示。无论何时试图提供用于低(或非常低)的电流电平的连接,纳米尺度连接器(或连接器部件)通常都是有利的。
与其中只有耦合器是纳米尺度的实施例相反,在纳米尺度的实施例中,嵌入式IC本身可以是纳米尺度。在此实施例中,IC可以是比如利用DNA(脱氧核糖核酸)以自组装为基础的二极管、晶体管和简单逻辑门的集成。目前已经DNA证实具有建立电子器件所需的所有部件以及形成复杂的电子电路(并且然后甚至实施自我复制)所需的自组装特征。
图8、9A至9C、10和11的连接器实施例的嵌入式IC以及在图12A和12B中所示出的实施例中的本发明所基于的嵌入式IC和电磁耦合全都有利地使用超导部件,甚至在纳米尺度实施例的情形中也是如此。例如,香港的研究人员目前已经创造出具有某些超导特性的一维、单壁纳米碳管(在隔离或高度对准时,在大约相对较高的15度绝对温度下过渡至超导特性,这比在纳米管束中观测到的用于超导电性的温度要高的多)。一般来讲,超导部件对通过导体的更高的电流电平更有利,但是即使在纳米尺度实施例的情形中也是有用的,这不是因为节省了任何大量的能量—因为确实它不在这样的实施例中—而是因为通常所导致的性能的改善。
现在没有任何证据显示将本发明限制在IC的使用,这些IC具有仅将导体间接耦合到连接器的耦合器,并且正如所提到的,本发明包括在任何电路或光电路中具有用于间接耦合的耦合器的这种IC的通常用法。本发明甚至包括具有用于人类或人类以外的的动物内的应用中间接耦合的耦合器的IC的使用。例如,当通常通过其中一个终结于突触的神经元而释放进突触并且通常提供连接性的神经传递介质未被释放时,具有纳米尺度的耦合器和IC的本发明在提供终结于突触的神经元之间的连接性的突触中是有用的。在这样的应用中,神经元是耦合器(本地和远端)电磁耦合的导体。
在另一种应用中,IC和耦合器在提供心脏纤维性颤动控制的电路中是有用的,也就是比如通常称为AICD的可自动植入的去纤颤器/心律转变器的部件,它是连续监控心律的器件。如果AICD检测到异常快的心律,它将通过电学方式很快调整心脏的速率或者给予心脏较小的电击以此使心律转回到正常。在这样的应用中,在一些实施例中,本发明提供了IC和传感耦合器,并且IC和传感耦合器可以是纳米尺度的,传感耦合器起到天线的作用并且通过感测在窦房结内由心脏本身生成的电信号来感测心脏的活动,这些电信号然后传过心房,最后通过所称的AV盘至少部分地传过心室。在这样的应用中,心房、心室或AV盘的任何部分可作为导体,根据本发明的IC通过耦合器间接耦合到这些导体导体。在IC和传感耦合器都是纳米尺度的实施例中,可将IC的输出提供给常规的设备以在实际上调整心脏速率或者通过第二速率调节耦合器,IC本身可提供速率调节。但是,对心脏的较小电击将由从IC到更标称尺度的仪器的信号来提供是可能的。尽管如此,与IC和耦合器是纳米尺度相反,在一些应用中,对于仅为纳米尺度的传感耦合器来说,它可能是有利的,在这种情形中,速率调节和电击可以由IC来提供,而不是具有用于提供电击刺激的IC信号另外的仪器。
因此,参看图13A至13B,本发明还包括装置130、本地耦合器302A以及还可能包括远端耦合器302B,装置130包括IC200,耦合器构造成可与一个或多个导体323a和323b电磁耦合,但并不一定包括外壳或几个外壳10a和11a(在图12A和12B中示为插塞和插孔的外壳)。而且,导体323a和323b可以是人造的或在人类或人类以外的动物中自然发生的。
在上面的描述中,术语“间接耦合”或“电磁耦合”用于表示按照本发明的IC是如何与导体耦合的或者更精确地说是如何与由导体传送的信号耦合的。在此,术语“间接耦合”或“电磁耦合”的意思应理解为IC通过由空气或其他绝缘体填充的间隙与导体分离,以及在正常操作条件下没有载荷子(包括半导体中的空穴)从导体通过间隙到达IC,反之亦然。在电容耦合的情形中,有证明从电容器的一个导体流过绝缘体间隙到另一个导体的所称的位移电流,但是位移电流不是普通意义上的电流(载荷子事实上不会穿过绝缘体间隙),并且通过位移电流的耦合包括在本发明中。
另外,尽管术语“电磁耦合”常常用于上面的描述中,但应理解,耦合不必依赖于感测或连通电磁场的电或磁分量;耦合可依赖于只感测一个或另外一个(就像某些天线只感测电分量,而其他的只感测电磁场的磁分量)。
此外,本发明在上面已经就IC直接与由导体传送的信号耦合的方面进行了描述,并且应理解,耦合可以到提供电或磁场的任何种类的信号。因此,信号不必是基于电荷流动的信号,即电子信号,但是它还可以是现称为自旋电子(自旋-电子)的信号,有时也称为磁电子信号。自旋电子指的是涉及电子自旋现象的利用,并且更通常涉及核子自旋以及至少在粒子带电的情形中还可能涉及粒子电荷。(中性粒子可具有能被感测的自旋(作为相应的磁场/磁矩)。例如,电中性的中子具有与测得的磁矩相关联的自旋;磁矩被认为导致了中子内的电流分布)。因此,可通过自旋电子电流传送信号。例如,导体可提供电子流动的路径,在这种路径中,信号传输不仅由每单位时间通过导体上一点的(净)电荷来提供而且是基于通过导体上该点的(净)自旋。信号的纯粹自旋分量(即自旋电流)可作为与普通的电流(即电荷电流)相关联的磁场中的变化来进行检测。原则上来讲,两种不同电流可由相同的导体来传送,一种向上自旋且一种向下自旋,从而使导体的带宽加倍。
本发明还包含在IC内依赖于自旋电子现象的部件的使用,即特别利用不是或除电荷之外的自旋特性的部件。(普通尺度技术和纳米技术利用自旋电子现象)。例如,对于IC与导体的耦合来说,IC可依赖于自旋松弛和自旋传送。一种特定的自旋电子应用是在读磁头和存储单元内:使用具有交替的铁磁和非磁性金属层的大磁阻(GMR)夹层结构。根据磁层中磁化的相对取向,器件电阻从小(在将磁化对准时,即平行时)到大(反平行磁化)变化。因此,电阻中的这种变化可作为感测磁场中变化的基础,并因此而感测导体中(普通或自旋电子的)电流。(通过改变至少一个磁性层的磁化的取向,GMR还可用作提供自旋电流阀的基础,GMR然后将对自旋载流子起作用,如果该自旋与磁性层的自旋对准的话,允许自旋载流子通过,否则不能通过)。
可以理解,上述布置仅仅是对本发明原理的应用的说明。大量其他种类的IC包含在内,并且在没有偏离本发明范围的情况下,本领域的技术人员可以做出对上述内容的大量修改和置换布置,所附权利要求意在包含这些其它种类的IC、修改和布置以及尤其是在各种不同的和所有的方面纳米技术的使用。
Claims (33)
1.一种装置,包括集成电路(200)和用于将所述集成电路(200)耦合到至少一个导体(323a 323b)的耦合器(302a),其特征在于:对所述耦合器(302a)进行配置和布置以电磁耦合到至少一个导体(323b),而并不物理连接到至少一个导体(323a 323b)。
2.如权利要求1所述的装置,其中所述耦合器(302a)提供电容耦合。
3.如权利要求1所述的装置,其中所述耦合器(302a)提供电感耦合。
4.如权利要求1所述的装置,其中所述耦合器(302a)包括用于提供所述电磁耦合的天线。
5.如权利要求1所述的装置,其中所述耦合器(302a)包括定向光耦合器。
6.如权利要求1所述的装置,其中至少所述集成电路(200)或所述耦合器(302a)包括纳米尺度元件。
7.如权利要求1所述的装置,其中所述耦合器(302a)包括纳米尺度天线。
8.如权利要求7所述的装置,其中所述纳米尺度天线包括纳米碳管。
9.如权利要求1所述的装置,其中至少所述集成电路(200)或所述耦合器(302a)包括超导元件。
10.如权利要求1所述的装置,其中所述耦合器(302a)提供与电子电流的耦合。
11.如权利要求1所述的装置,其中所述耦合器(302a)提供与自旋电子电流的耦合。
12.如权利要求1所述的装置,其中所述耦合器(302a)提供与光信号的耦合。
13.如权利要求1所述的装置,其中所述耦合器(302a)依赖于电子的或自旋电子的现象作为用于与所述导体耦合的基础。
14.如权利要求1所述的装置,其中所述集成电路(200)依赖于电子的或自旋电子的现象作为用于响应由所述导体传送的信号的基础。
15.如权利要求1所述的装置,其中所述集成电路(200)包括由包括纳米纤维的电磁材料制成的晶体管。
16.如权利要求15所述的装置,其中所述集成电路(200)包括磁结合材料。
17.如权利要求1所述的装置,其中对所述装置进行配置以与人类或人类以外的动物的心脏组织电磁耦合。
18.如权利要求17所述的装置,其中所述耦合器感测电信号,并且所述装置还包括第二耦合器,对所述第二耦合器进行配置以同样与心脏组织耦合并提供用于调整心脏速率的电信号。
19.如权利要求1所述的装置,还包括第二耦合器,对所述第二耦合器进行配置以在没有物理附到第二导体的情况下与所述第二导体电磁耦合,因此所述装置在没有物理附到所述两个导体的任何一个的情况下提供所述两个导体之间的连接。
20.如权利要求1所述的装置,其中所述导体是人类或人类以外的动物的突触中的神经元,并且因此对所述耦合器进行配置以与人类或人类以外的动物的突触中的所述神经元电磁耦合。
21.如权利要求20所述的装置,还包括第二耦合器,对所述第二耦合器进行配置以在没有物理附到第二神经元的情况下与所述突触中的第二神经元电磁耦合,所述装置因此提供所述两个神经元之间的连接。
22.一种连接器(300),所述连接器(300)用于调解两个导体(323a 323b)之间的连接,所述连接器包括容纳其中一个所述导体(323a)的第一外壳(10a)和容纳另外一个所述导体(323b)的第二外壳(11a),其特征在于,所述连接器(300)还包括至少一个嵌入式集成电路(200),所述的集成电路(200)连接到耦合器(302a),对所述耦合器(302a)进行配置以在没有物理连接到任何一个所述导体(323a 323b)的情况下与所述导体的至少其中一个(323b)电磁耦合。
23.如权利要求22所述的连接器(300),其中至少所述集成电路(200)或所述耦合器(302a)包括纳米尺度元件。
24.如权利要求22所述的连接器(300),其中所述耦合器(302a)包括纳米尺度天线。
25.如权利要求24所述的连接器(300),其中所述纳米尺度天线包括纳米碳管。
26.如权利要求22所述的连接器(300),其中至少所述集成电路(200)或所述耦合器(302a)包括超导元件。
27.如权利要求22所述的连接器(300),其中所述两个导体(323a323b)终结于绝缘体,而不是机械连接,其中所述嵌入式集成电路(200)包括第二耦合器(302b),对所述第二耦合器(302b)进行配置以与所述两个导体中的另外一个(323a)电磁耦合。
28.如权利要求22所述的连接器(300),其中所述两个导体(323a和323b)可以机械连接以彼此接触。
29.如权利要求22所述的连接器(300),其中所述耦合器(302a)提供与电子电流的耦合。
30.如权利要求22所述的连接器(300),其中所述耦合器(302a)提供与自旋电子电流的耦合。
31.如权利要求22所述的连接器(300),其中所述耦合器(302a)提供与光信号的耦合。
32.如权利要求22所述的连接器(300),其中所述耦合器(302a)依赖电子或自旋电子现象作为用于与所述导体中的至少一个耦合的基础。
33.如权利要求22所述的连接器(300),其中所述集成电路(200)依赖电子或自旋电子现象作为响应由所述导体中的所述至少一个传送的信号的基础。
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