CN1963983A - 彩色阴极射线管装置 - Google Patents

Abstract

在偏转装置的大径侧端部附近设置使三个电子束在X轴方向会聚的一对第一永久磁铁和在X轴方向发散的一对第二永久磁铁。第一和第二永久磁铁形成的各磁场的Y轴方向磁通密度的X轴上分布曲线在Z轴附近的斜率系数K_TBH、K_EWH在相对参考线荧光屏侧3～13mm范围内至少一个位置上满足K_TBH/K_EWH＜10。第一和第二永久磁铁形成的合成磁场的Y轴方向磁通密度的X轴上分布曲线在Z轴附近的斜率系数K_H和合成磁场的X轴方向磁通密度的Y轴上分布曲线在Z轴附近的斜率系数K_v在上述范围的至少一个位置比1.5(Gauss/cm)大。由此，点形状良好，可以降低会聚特性相对于温度变化的变化和左右光栅的枕形失真。

Description

彩色阴极射线管装置

技术领域

本发明涉及TV用、监视器用等的彩色阴极射线管装置。

背景技术

现在，广泛使用了所谓的自会聚·一字型(self-convergencein-line)彩色阴极射线管装置。该彩色阴极射线管装置具有发射出由通过同一水平面上的中央束和其两侧的一对边束构成的一排排列的三个电子束的一字型电子枪、产生枕型水平偏转磁场和桶形垂直偏转磁场的偏转装置、为辅助该水平和垂直偏转磁场而设置在偏转装置的屏幕侧开口端边缘的上下一对或上下一对且左右一对的永久磁铁。该彩色阴极射线管装置中，组合这些电子枪和偏转装置，使得三个电子束跨越屏幕整体而会聚，且屏幕的上下或上下左右中的偏转失真(光栅失真)大致为直线状。

这种自会聚·一字型彩色阴极射线管装置中，一般电子枪以预定的角度来发射边束，使三个电子束会聚在屏幕中央。屏幕中央的三个电子束的会聚状态由在彩色阴极射线管装置的管颈部设置的环状磁铁构成的CPU(Convergence and Purity Unit：会聚和纯化单元)来进行调整。

现有技术中，提出了在偏转装置上设置各种辅助装置，目的为维持三个电子束的会聚特性，且提高屏幕中的电子束的点(下面仅称作“点”)形状的提案、或目的为降低由温度变化造成的会聚特性的变化的提案。例如，在专利文献1中，公开了在上述的永久磁铁之外，在管轴方向中与水平偏转线圈重复的位置上设置产生图12所示的四极磁场92的辅助磁场发生装置。图12中，91是构成偏转装置的磁芯，18B、18G、18R是三个电子束。另外，专利文献2、专利文献3和专利文献4中公开了为了降低由温度变化引起的会聚特性的变化，在偏转装置上设置了温度补偿装置。

近年来，对于使用了彩色阴极射线管装置的电视装置，日益要求高图像质量且低成本。因此，若追加装载辅助磁场发生装置来实现高图像质量，从成本方面来说很困难。

根据上述专利文献1所公开的结构，改善了会聚特性和点形状。但是由于因温度变化，辅助磁场发生装置的磁力变化，所以会聚特性变化，有图像质量劣化的问题。由于图12所示的辅助磁场发生装置产生的枕型四极磁场和垂直偏转线圈产生的桶形磁场彼此抵消，所以兼顾会聚特性和光栅失真校正很困难。因此，为了校正光栅失真，需要在电视上追加例如校正电路，有装置复杂且价格昂贵的问题。

另外，根据专利文献2和专利文献3所公开的结构，可以降低由温度变化引起的会聚特性的变化，但是不能改善点形状。另外，有结构变复杂价格昂贵的问题。

专利文献4所公开的结构中，点形状的改善和左右光栅的枕形失真的校正很困难。另外，有结构变复杂的问题。

【专利文献1】日本特开2002-260558号公报

【专利文献2】日本特开2001-52631号公报

【专利文献3】日本特开平7-15736号公报

【专利文献4】日本特开2001-126642号公报

发明内容

本发明为解决现有的彩色阴极射线管装置具有的上述问题而做出，其目的是通过简单的结构来得到良好的点形状，而不用添加辅助校正装置，且降低了会聚特性相对于温度变化的变化，进一步降低了左右光栅的枕形失真，可以高分辨率地提供低价的彩色阴极射线管。

本发明的彩色阴极射线管装置包括彩色阴极射线管和偏转装置，该彩色阴极射线管具有：发射沿水平方向配置为一列的三个电子束的电子枪；和通过从所述电子枪发射的所述三个电子束的碰撞来发光的荧光屏，该偏转装置具有：产生在水平方向偏转所述三个电子束的水平偏转磁场的水平偏转线圈；和产生在垂直方向偏转所述三个电子束的垂直偏转磁场的垂直偏转线圈。

所述偏转装置还具有：一对第一永久磁铁，在垂直轴上相对管轴对称配置，使得在管轴附近所述三个电子束在水平方向会聚；和一对第二永久磁铁，在水平轴上相对管轴对称配置，使得在管轴附近所述三个电子束在水平方向发散。

在通过所述一对第一永久磁铁形成的磁场的垂直方向磁通密度的水平轴上分布曲线在管轴附近的斜率系数为K_TBH(Gauss/cm)，通过所述一对第二永久磁铁形成的磁场的垂直方向磁通密度的水平轴上分布曲线在管轴附近的斜率系数为K_EWH(Gauss/cm)时，在管轴方向中相对参考线在所述荧光屏侧的3～13mm的范围内的至少一个位置上满足K_TBH/K_EWH＜10。

在所述一对第一永久磁铁和所述一对第二永久磁铁形成的合成磁场的垂直方向磁通密度的水平轴上分布曲线在管轴附近的斜率系数为K_H(Gauss/cm)，所述合成磁场的水平方向磁通密度的垂直轴上分布曲线在管轴附近的斜率系数为K_V(Gauss/cm)时，管轴方向中相对参考线在所述荧光屏侧的3～13mm的范围内的至少一个位置上满足K_H＞1.5且K_V＞1.5。

发明的效果

根据本发明，可以提供这样一种彩色阴极射线管装置，通过简单的结构来得到良好的点形状，而不用添加辅助校正装置，且降低了会聚特性相对于温度变化的变化，进一步，降低了左右光栅的枕形失真，且高分辨率、低价。

附图说明

图1是表示本发明的一实施方式的彩色阴极射线管装置的示意结构的半截面图；

图2是表示本发明的一实施方式的彩色阴极射线管装置中，在某一瞬间水平偏转线圈产生的水平偏转磁场的图；

图3是表示本发明的一实施方式的彩色阴极射线管装置中，在某一瞬间垂直偏转线圈产生的垂直偏转磁场的图；

图4是表示本发明的一实施方式的彩色阴极射线管装置中，一对第一永久磁铁和一对第二永久磁铁的配置的斜视图；

图5是表示本发明的一实施方式的彩色阴极射线管装置中，一对第一永久磁铁和由此形成的磁场的图；

图6是表示仅通过图5所示的一对第一永久磁铁来形成的磁场的垂直方向磁通密度的水平轴上分布曲线的图；

图7是表示在本发明的一实施方式的彩色阴极射线管装置中，一对第二永久磁铁和由此形成的磁场的图；

图8是表示仅通过图7所示的一对第二永久磁铁形成的磁场的垂直方向磁通密度的水平轴上分布曲线的图；

图9是表示本发明的一实施方式的彩色阴极射线管装置中，通过一对第一永久磁铁和一对第二永久磁铁形成的合成磁场的垂直方向磁通密度的水平轴上分布曲线的图；

图10是表示在本发明的一实施方式的彩色阴极射线管装置中，通过一对第一永久磁铁和一对第二永久磁铁形成的合成磁场的水平方向磁通密度的垂直轴上分布曲线的图；

图11是表示永久磁铁的磁力的测量方法的图；

图12是从屏幕侧看时，现有的彩色阴极射线管装置上设置的辅助磁场发生装置产生的四极磁场的截面图。

具体实施方式

下面，参考附图来说明本发明的一实施方式的彩色阴极射线管装置。

图1是表示本发明的一实施方式的彩色阴极射线管装置的示意结构的半截面图。为了下面的说明方便，将管轴作为Z轴，将水平方向(屏幕的长边方向)轴作为X轴、将垂直方向(屏幕的短边方向)轴作为Y轴。X轴和Y轴在Z轴上正交。图1中，Z轴上侧表示为截面图，下侧表示为外观图。

如图1所示，该彩色阴极射线管装置1由彩色阴极射线管10、偏转装置30、CPU40和速度调制线圈50等构成。

彩色阴极射线管10具有接合面板11和漏斗(funnel)12后形成的玻璃真空管、在其内部容纳的荫罩15和一字型电子枪(下面仅称作“电子枪”)16。

在面板11的内面形成按规则正确排列了红、绿、蓝各荧光点(或荧光条)而成的荧光屏14。荫罩15相对荧光屏14大致隔开固定间隔来进行设置。在荫罩15中设置了多个点形状或槽形状的电子束通过孔。从电子枪16射出的三条电子束18R、18G、18B(由于三条电子束在与X轴平行的一直线上配置，所以图中仅表示了近处的一条电子束)通过在荫罩15上设置的电子束通过孔来照射希望的荧光体。

电子枪16配置在漏斗12的颈部13的内部。该电子枪16向荧光屏14放射在水平轴(X轴)上一字型排列的三条电子束，即中央的中心束18G、相对该中心束18G在水平轴方向上配置的一对边束18R、18G。

电子枪16放射三个电子束18R、18G、18B，使得各自的截面形状呈现横长形状(即，水平方向直径比垂直方向直径大的大致椭圆形状)。具有这种横长截面形状的电子束可以通过适当设置在构成电子枪16的各格栅上形成的电子束通过孔的形状、向各格栅施加的电压和在电子枪16内形成的各种电子透镜的透镜作用等来形成。

偏转装置30设置在从漏斗12的大径部分向颈部13的部分的外周面上。偏转装置30是具有马鞍型的水平偏转线圈32和环形(toroidal)的垂直偏转线圈34作为主偏转线圈的马鞍-环形偏转装置。垂直偏转线圈34卷绕在铁氧体磁芯36上。铁氧体磁芯36具有在荧光屏14侧具有大径部分，在电子枪16侧具有小径部分的大致漏斗形状。在水平偏转线圈32和垂直偏转线圈34之间设置树脂框38。树脂框38维持水平偏转线圈32和垂直偏转线圈34之间的电绝缘状态，并且，实现支承两个偏转线圈32、34的作用。

水平偏转线圈32产生如图2虚线所示的枕形的水平偏转磁场32a，垂直偏转线圈34产生如图3虚线所示的桶形的垂直偏转磁场34a。从电子枪16射出的三条电子束18R、18G、18B通过该水平偏转磁场32a和垂直偏转磁场34a在水平方向和垂直方向偏转，并以光栅扫描方式在荧光屏14上扫描。另外，通过由水平偏转磁场32a和垂直偏转磁场34a形成的非均匀磁场，三个电子束18R、18G、18B在荧光屏14的整个面上进行会聚。

CPU40设置在颈部13的外周面上，与电子枪16在Z轴方向上重合的位置上，进行屏幕中央部的三个电子束18R、18G、18B的静会聚调整和色纯度调整。CPU40具有在成为圆筒形的树脂框42上安装的色纯度(色纯化)磁铁44、四极磁铁46和6极磁铁48。色纯磁铁44、四极磁铁46和6极磁铁48都由圆环状的两枚磁铁一组来构成。

速度调制线圈50由夹着包含Z轴的水平方向面(XZ面)配置的一对环状线圈构成。一对环状线圈相对Z轴大致对称，安装在CPU40的树脂框42上。向一对环状线圈通电与微分视频信号得到的速度调制信号对应的电流。速度调制线圈50通过产生垂直方向的磁场来调制电子束的水平扫描速度，来进行图像的边缘增强。

偏转装置30在其大径部分侧端部附近，具有一对第一永久磁铁TG、BG和一对第二永久磁铁EG、WG。图4表示从偏转装置30的大径部侧看的一对第一永久磁铁TG、BG和一对第二永久磁铁EG、WG的配置。图4中，用双点划线来简化表示偏转装置30。一对第一永久磁铁TG、BG在Y轴上相对Z轴对称地配置。另外，一对第二永久磁铁EG、WG在X轴上相对Z轴对称地配置。

图5是从荧光屏14侧看一对第一永久磁铁TG、BG和由此形成的磁场的图。一对第一永久磁铁TG、BG在Z轴附近产生4极磁场，使得三个电子束18R、18G、18B在X轴方向会聚。该4极磁场在Z轴附近使两侧的电子束18R、18B在X轴方向接近中央的电子束18G，且在Z轴附近，使中央的电子束18G的截面形状在X轴方向缩小。箭头F₁₁、F₁₂、F₁₃、F₁₄表示通过各个位置的电子束通过基于一对第一永久磁铁TG、BG形成的磁场所受到的洛仑兹力的方向。

图6是表示仅通过图5所示的一对第一永久磁铁TG、BG形成的磁场的Y轴方向磁通密度在X轴上分布曲线C_TBH的图。图6中，虚线L_TBH是曲线C_TBH在Z轴附近的切线。本发明中，将曲线C_TBH在Z轴附近的切线L_TBH的斜率，称作通过一对第一永久磁铁TG、BG形成的磁场的Y轴方向磁通密度的X轴上分布曲线C_TBH在Z轴附近的斜率系数K_TBH(Gauss/cm)。这里，切线L_TBH的斜率系数K_TBH根据切线L_TBH相对X轴的角度、更详细地、如图6箭头所示，根据将X轴沿逆时钟方向旋转到与切线L_TBH一致时的转角来定义。

图7是从荧光屏14侧看一对第二永久磁铁EG、WG和由此形成的磁场的图。一对第二永久磁铁EG、WG在Z轴附近产生使三个电子束18R、18G、18B在X轴方向发散的4极磁场。该4极磁场在Z轴附近两侧的电子束18R、18B在X轴方向中远离中央的电子束18G，且在Z轴附近，使中央的电子束18G的截面形状在X轴方向扩大。箭头F₂₁、F₂₂、F₂₃、F₂₄表示通过各个位置的电子束通过一对第二永久磁铁EG、WG形成的磁场所受到的洛仑兹力的方向。从图7可以看出，在三个电子束18R、18G、18B偏转到屏幕的X轴方向端部附近时，对三个电子束18R、18G、18B作用进一步向X轴方向外侧偏转的洛仑兹力F₂₃、F₂₄。因此，一对第二永久磁铁EG、WG可以降低左右光栅的枕形失真。

图8是表示仅通过图7所示的一对第二永久磁铁EG、WG形成的磁场的Y轴方向磁通密度在X轴上分布曲线C_EWH的图。图8中，虚线L_EWH是曲线C_EWH在Z轴附近的切线。本发明中，将曲线C_EWH在Z轴附近的切线L_EWH的斜率称作由一对第二永久磁铁EG、WG形成的磁场的Y轴方向磁通密度的X轴上分布曲线C_EWH在Z轴附近的斜率系数K_EWH(Gauss/cm)。这里，切线L_EBH的斜率系数K_EBH根据切线L_EBH相对X轴的角度、更详细地、如图8箭头所示，根据将X轴沿顺时钟方向旋转到与切线L_EBH一致时的转角来定义。

本实施方式中，一对第一永久磁铁TG、BG和一对第二永久磁铁EG、WG形成的上述磁场，辅助偏转装置30的主偏转线圈产生的磁场对三个电子束18R、18G、18B引起的偏转。在偏转装置30的主偏转线圈产生的磁场是如图2和图3所示的非一致的会聚磁场的情况下，一般在屏幕的水平方向端部，点形状是横长形状。这主要由水平偏转磁场是如图2中虚线32a所示的枕形而引起。本发明中，如后所述，通过在Z轴方向中将一对第一永久磁铁TG、BG和一对第二永久磁铁EG、WG配置在与在水平偏转线圈32的大径侧区域上形成的磁场重合的位置上，水平偏转线圈32形成的图2所示的枕形的水平偏转磁场32a，通过一对第一永久磁铁TG、BG形成的图5所示的四极磁场和一对第二永久磁铁EG、WG形成的图7所示的四极磁场来进行校正，所以可以改善屏幕的水平方向端部的点形状。

如图1所示，Z轴方向中，一对第一永久磁铁TG、BG和一对第二永久磁铁EG、WG相对参考线RL配置在荧光屏14侧。这里，所谓“参考线RL”是与Z轴垂直的虚拟的基准线，该Z轴上的位置与阴极射线管的几何偏转中心位置一致。若将一对第一永久磁铁TG、BG距参考线RL在Z轴方向上的距离设作D1，将一对第二永久磁铁EG、WG距参考线RL在Z轴方向上的距离设作D2，则最好满足3mm≤D1≤13mm，且3mm≤D2≤13mm。这里，距离D1、D2由一对第一永久磁铁TG、BG和一对第二永久磁铁EG、WG在Z轴方向上的中心位置来进行定义。

若距离D1、D2比上述范围小(即，一对第一永久磁铁TG、BG和一对第二永久磁铁EG、WG配置在参考线RL的附近)，则由于一对第一永久磁铁TG、BG和一对第二永久磁铁EG、WG形成的各四极磁场和垂直偏转线圈34形成的图3所示的桶形的垂直偏转磁场34a彼此抵消，所以兼顾会聚特性和光栅失真校正很困难。

若距离D1、D2比上述范围大(即，若一对第一永久磁铁TG、BG和一对第二永久磁铁EG、WG配置在偏转装置30的大径侧开口附近)，则对于朝向屏幕中央部的三个电子束和朝向水平方向端部的三个电子束来说，一对第一永久磁铁TG、BG和一对第二永久磁铁EG、WG到三个电子束的距离的差变大。因此，对朝向屏幕中央部的三个电子束在X轴方向会聚的作用更弱，对朝向水平方向端部的三个电子束在X轴方向发散的作用更强。结果，在屏幕的中央部和水平方向端部点形状的差显著，很难在屏幕整体中得到良好且均匀的点形状。

本发明中，对于仅由一对第一永久磁铁TG、BG形成的磁场的图6所示的斜率系数K_TBH(Gauss/cm)和仅由一对第二永久磁铁EG、WG形成的磁场的图8所示的斜率系数K_EWH(Gauss/cm)，在25℃的环境下，在Z轴方向中相对参考线RL在荧光屏侧3～13mm的范围内的至少一个位置上满足K_TBH/K_EWH＜10。由此，可以降低由温度变化造成的会聚特性的变化。下面说明其理由。

一般，永久磁铁的磁力具有温度依赖性。因此，若温度变化，则图6所示的一对第一永久磁铁TG、BG形成的磁场的Y轴方向磁通密度的X轴上分布曲线C_TBH在Z轴附近的切线L_TBH的斜率，和图8所示的一对第二永久磁铁EG、WG形成的磁场的Y轴方向磁通密度的X轴上分布曲线C_EWH在Z轴方向附近的切线L_EWH的斜率变化。但是，切线L_TBH和切线L_EWH倾斜方向相反，另外，若因温度变化一个倾斜增加，则另一个的倾斜也增加。这里，切线L_TBH和切线L_EWH中倾斜的方向相反，是因为对三个电子束，水平方向上一对第一永久磁铁TG、BG具有会聚作用，而一对第二永久磁铁EG、WG具有发散作用。因此，例如若因温度变化，一对第一永久磁铁TG、BG引起的水平方向的会聚作用增大，则一对第二永久磁铁EG、WG形成的水平方向中的发散作用也增大。这样，在温度已变化时，由一对第一永久磁铁TG、BG产生的磁场的Y轴方向磁通密度的变化和一对第二永久磁铁EG、WG形成的Y轴方向磁通密度的变化彼此抵消。在满足K_TBH/K_EWH＜10的情况下，由于适当平衡温度变化时的两个磁场的Y轴方向磁通密度的变化量，所以可以减小后述的图9所示的合成磁场的曲线C_H在Z轴附近的切线L_H的倾斜由温度变化引起的变化。由此，可以减少由温度变化引起的会聚的变化。

在25℃的环境下，Z轴方向中相对参考线RL在荧光屏侧3～13mm的所有范围内最好满足K_TBH/K_EWH＜10。由此，可以进一步降低由温度变化造成的会聚的变化。在25℃的环境下，Z轴方向中相对参考线RL在荧光屏侧3～13mm的范围内的至少一个位置上最好满足1＜K_TBH/K_EWH。K_TBH/K_EWH没有满足该条件的情况下，对于对朝向屏幕的中央部的三条电子束的水平方向的作用，与由一对第一永久磁铁TG、BG形成的会聚作用相比，一对第二永久磁铁EG、WG形成的发散作用占优势。因此，对于朝向水平方向端部的三个电子束，更强地施加水平方向的发散作用。因此，尤其在屏幕的水平方向端部，点形状的横长失真变显著。即，通过满足1＜K_TBH/K_EWH，可以在屏幕整体中得到良好的点形状。

在25℃的环境下，Z轴方向上对参考线RL在荧光屏侧3～13mm的所有范围内最好满足1＜K_TBH/K_EWH。由此，在屏幕整体中可以得到更良好的点形状。

图9是表示了由一对第一永久磁铁TG、BG形成的磁场和由一对第二永久磁铁EG、WG形成的磁场的合成磁场的Y轴方向磁通密度的X轴上分布曲线C_H的图。图9中，虚线L_H是曲线C_H在Z轴附近的切线。本发明中，将曲线C_H的Z轴附近的切线L_H的斜率，称作上述合成磁场的Y轴方向磁通密度的X轴上分布曲线C_H在Z轴附近的斜率系数K_H(Gauss/cm)。这里，切线L_H的斜率系数K_H根据切线L_H相对X轴的角度、更详细的、如图9中箭头所示，根据将X轴沿逆时钟方向旋转到与切线L_H一致时的转角来定义。

图10是表示了通过一对第一永久磁铁TG、BG和一对第二永久磁铁EG、WG形成的合成磁场的X轴方向磁通密度的Y轴上分布曲线C_v的图。图10中，虚线L_v是曲线C_v在Z轴附近的切线。本发明中，曲线C_v在Z轴附近的切线L_v的斜率称作上述合成磁场的X轴方向磁通密度的Y轴上分布曲线C_v在Z轴附近的斜率系数K_v(Gauss/cm)。这里，切线L_v的斜率系数K_v根据切线L_v相对Y轴的角度、更详细的、如图10中箭头所示，根据将Y轴沿顺时钟方向旋转到与切线L_v一致时的旋转角度来定义。

本发明中，上述的斜率系数K_H(Gauss/cm)和斜率系数K_v(Gauss/cm)在25℃的环境下，在Z轴方向相对参考线RL在荧光屏侧3～13mm的范围内的至少一个位置上满足K_H＞1.5且K_v＞1.5。由此，可以在屏幕的所有区域中得到失真少、X轴方向和Y轴方向的直径都小的点。

在25℃的环境下，在Z轴方向相对参考线RL在荧光屏侧3～13mm的所有范围内最好满足K_H＞1.5且K_v＞1.5。由此，可以在屏幕的所有区域中得到失真更少、X轴方向和Y轴方向的直径都小的点。

一对第一永久磁铁TG、BG和一对第二永久磁铁EG、WG的每一个，最好具有温度升高时磁力降低的特性，即相对磁力具有正的温度系数。由此，由于可使用由例如铁氧体等通用的材料构成的永久磁铁，所以可以低成本化。

图11表示永久磁铁的磁力的测量方法。相对于作为测量对象物的永久磁铁60的端面61来设置磁场测量探针65。这时，探针65的测量点65a位于在端面61的中央点竖立的法线62上，距端面61的距离为11.5mm。这里，在将永久磁铁60装载在偏转装置30上时，端面61是与Z轴相对置的面。这样，通过运算装置66求出测量点65a处的磁通密度，将其作为永久磁铁60的磁力。测量在25℃的环境下进行。优选地，这样测量的磁力(磁通密度)对于一对第一永久磁铁TG、BG每一个，为2.7～3.7mT，对于一对第二永久磁铁EG、WG为0.6～1.1mT。一对第一永久磁铁TG、BG的磁力在比上述范围小时，点失真增加，若比上述的范围大，则对于温度变化的会聚变化增加。一对第二永久磁铁EG、WG的磁力在比上述范围小时，对于温度变化的会聚变化和左右光栅的枕形失真同时增加，若比上述范围大，则点失真增大。

永久磁铁TG、BG、EG、WG中至少一个是组合了多个永久磁铁的复合磁铁。并不特别限定多个永久磁铁的组合方法，例如可以示例将多个磁铁沿与Z轴正交的方向重叠的方法、将多个磁铁沿与Z轴平行的方向重叠的方法、和将多个磁铁沿其长度方向连接的方法等。通过根据阴极射线管装置的屏幕大小等来改变永久磁铁的组合，不需要对每个阴极射线管装置的规格准备专用的永久磁铁，所以作为整体可以削减永久磁铁的种类数。

【实施例】

下面表示使用了21英寸型、偏转角90度的彩色阴极射线管装置的实验结果。

如图4所示，在偏转装置30的大径部侧端部附近(相对参考线RL荧光屏侧)安装一对第一永久磁铁TG、BG和一对第二永久磁铁EG、WG。将各永久磁铁的磁极的方向设作如图4所示。作为各永久磁铁，使用将铁氧体成形为四棱柱状的磁铁。第一永久磁铁TG、BG的X轴方向尺寸M_1X、Y轴方向尺寸M_1Y、Z轴方向尺寸M_1Z依次为M_1X＝52.0mm，M_1Y＝10.6mm，M_1Z＝8.5mm。第二永久磁铁EG、WG的X轴方向尺寸M_2X、Y轴方向尺寸M_2Y、Z轴方向尺寸M_2Z依次为M_2X＝5.0mm，M_2Y＝30.0mm，M_2Z＝3.0mm。一对第一永久磁铁TG、BG的与Z轴相对置的各面的Y轴方向间隔MY、一对第二永久磁铁EG、WG的与Z轴相对置的各面的X轴方向间隔MX为：MY＝97mm，MX＝97mm。一对第一永久磁铁TG、BG和一对第二永久磁铁EG、WG的距参考线RL的Z轴方向上的距离D1、D2为D1＝D2＝9mm。

用图11所示的方法测量的永久磁铁的磁力(距端面11.5mm的地点的磁通密度)对于第一永久磁铁TG、BG来说都是3.2mT，对于第二永久磁铁EG、WG来说都是0.88mT。

对于一对第一永久磁铁TG、BG和一对第二永久磁铁EG、WG形成的合成磁场的图9中已说明的斜率系数K_H(Gauss/cm)和图10中已说明的斜率系数K_V(Gauss/cm)在相对参考线RL荧光屏侧，沿Z轴在11mm的地点上为K_H＝1.91、K_V＝2.25。

对于仅由一对第一永久磁铁TG、BG形成的磁场的图6中已说明的斜率系数K_TBH(Gauss/cm)和仅由一对第二永久磁铁EG、WG形成的磁场的图8中已说明的斜率系数K_EWH(Gauss/cm)，在相对参考线RL荧光屏侧沿Z轴在11mm的地点上为K_TBH＝2.44、K_EWH＝0.49，它们的比为K_TBH/K_EWH＝5。

以上的彩色阴极射线管装置为实施例1。

除通过改变一对第一永久磁铁TG、BG和一对第二永久磁铁EG、WG的尺寸来改变其磁力之外，与上述相同，生成实施例2和比较例1～3的彩色阴极射线管装置。表1、表2表示对于实施例1、2和比较例1～3的永久磁铁的磁力和相对参考线RL在荧光屏侧沿Z轴在11mm的地点上的斜率系数K_H、K_V、K_TBH、K_EWH。在相对参考线RL荧光屏侧3～13mm的整体范围内，比较例1～3中任意一个都不满足K_H＞1.5和K_V＞1.5，比较例1不满足K_TBH/T_EWH＜10。

【评价】

从下面的观点来评价实施例1、2和比较例1～3的彩色阴极射线管装置。

(1)点形状

测量彩色阴极射线管装置在屏幕上的点形状。如下这样来进行测量。将束电流设作固定为2.5A，调整向聚焦电极施加的电压(聚焦电压)而最佳地调整屏幕上的聚焦状态。在该状态下，测量点的X轴方向直径D_H和Y轴方向直径D_V。测量位置为屏幕中央附近(“中央”)、屏幕的X轴方向端部附近(“X端”)、屏幕的Y轴方向端部附近(“Y端”)和屏幕的对角轴方向端部附近(“D端”)4个位置。将屏幕用X轴和Y轴分割为4个象限，在各象限内在上述4个位置进行测量，求出4个象限的测量值的平均值(D_HAV、D_VAV)。根据所得到的X轴方向平均直径D_HAV和Y轴方向平均直径D_VAV来计算两者的比R(＝D_HAV/D_VAV)与和S(＝D_HAV+D_VAV)。

表1表示结果

【表1】

	永久磁铁的磁力(mT)		斜率系数(Gauss/cm)		点形状
													比R				和S(mm)
					TG，BG	EG，WG	KH	KV	中央	X端	Y端	D端									中央	X端	Y端	D端
	实施例1	3.2	0.88	1.91									2.25	0.9	2.3	1.2	1.4	2.7	3.2	3.0					4.0
实施例2					2.78	0.64	1.57	1.84	0.9	2.3	1.2	1.5									2.8	3.2	3.0	4.0
	比较例1	3.48	0.33	1.04									1.23	1.2	2.4	1.2	1.6	3.1	3.2	3.0					4.0
比较例2					2.6	1.69	0.93	1.16	1.2	2.4	1.2	1.6									3.1	3.2	3.0	4.0
	比较例3	3.3	1.2	0.74									0.94	1.2	2.4	1.2	1.8	3.1	3.3	3.1					4.6

根据表1，在相对参考线RL在荧光屏侧3～13mm的范围内的至少一个位置上斜率系数K_H、K_V满足K_H＞1.5且K_V＞1.5的实施例1、2中，在屏幕的任一位置点形状的X轴方向平均直径D_HAV和Y轴方向平均直径D_VAV的比R接近于1，得到了纵横方向的失真少的良好的点形状。另外，对于纵横方向的点直径的和S，实施例1、2与比较例1～3相比，尤其有在屏幕周边部中不能发现显著误差的情况，但是若点的大小为实施例1、2中得到的程度，则在实用上没有问题。

(2)会聚变化

测量基于彩色阴极射线管装置的环境温度的变化引起的会聚特性的变化。测量如下这样来进行。在周围温度为0℃的环境下，使彩色阴极射线管装置动作3小时以上，在阴极射线管10和偏转装置30的温度变化稳定的状态下来测量会聚。接着，在将周围温度改变到40℃来将彩色阴极射线管装置动作3小时以上后，同样来测量会聚。关注分别对应于红和蓝的两侧的电子束18R、18B形成的两条纵线，求出因环境温度从0℃变化为40℃，红色的纵线相对于蓝色的纵线移动的方向及其移动量。测量位置为屏幕中央附近(“中央”)和屏幕的X轴方向端部附近(“X端”)的两个位置。屏幕通过X轴和Y轴来分割为4个象限，并在各象限内在上述两个位置来进行测量，来求出4个象限的测量值的平均值。

表2表示结果。

【表2】

	斜率系数(Gauss/cm)		比KTBH/KEWH	会聚变化移动方向/移动量(mm)
						KTBH	KEWH	中央	X端
	实施例1	2.44		0.49	5					右/0.17mm	右/0.28mm
实施例2			1.78			0.21	8.48	右/0.19mm	右/0.31mm
	比较例1	1.06		0.02	50.00					右/0.42mm	右/0.81mm
比较例2			1.71			0.79	2.17	右/0.15mm	右/0.29mm
	比较例3	0.99		0.25	3.95					右/0.17mm	右/0.30mm

在相对参考线RL在荧光屏侧3～13mm的所有范围内比K_TBH/K_EWH超过本发明的范围的比较例1中，相对于温度变化的会聚特性的变化大。在相对参考线RL荧光屏侧3～13mm的范围内至少一个位置上满足K_TBH/K_EWH＜10的情况下，降低了相对于温度变化的会聚特性的变化。

产业上的可用性

并不限于本发明的使用领域，例如可以在面向要求高分辨率和低成本化的电视或计算机显示器等的彩色阴极射线管装置中广泛使用。

Claims (8)

1、一种彩色阴极射线管装置，包括彩色阴极射线管和偏转装置，该彩色阴极射线管具有：发射沿水平方向配置为一列的三个电子束的电子枪；和通过从所述电子枪发射的所述三个电子束的碰撞来发光的荧光屏，该偏转装置具有：产生在水平方向偏转所述三个电子束的水平偏转磁场的水平偏转线圈；和产生在垂直方向偏转所述三个电子束的垂直偏转磁场的垂直偏转线圈，其特征在于：

所述偏转装置还具有：

一对第一永久磁铁，在垂直轴上相对管轴对称配置，使得在管轴附近所述三个电子束在水平方向会聚；和

一对第二永久磁铁，在水平轴上相对管轴对称配置，使得在管轴附近所述三个电子束在水平方向发散；

在通过所述一对第一永久磁铁形成的磁场的垂直方向磁通密度的水平轴上分布曲线在管轴附近的斜率系数为K_TBH(Gauss/cm)，通过所述一对第二永久磁铁形成的磁场的垂直方向磁通密度的水平轴上分布曲线在管轴附近的斜率系数为K_EWH(Gauss/cm)时，在管轴方向中相对参考线在所述荧光屏侧的3～13mm的范围内的至少一个位置上满足K_TBH/K_EWH＜10；

在所述一对第一永久磁铁和所述一对第二永久磁铁形成的合成磁场的垂直方向磁通密度的水平轴上分布曲线在管轴附近的斜率系数为K_H(Gauss/cm)，所述合成磁场的水平方向磁通密度的垂直轴上分布曲线在管轴附近的斜率系数为K_V(Gauss/cm)时，管轴方向中相对参考线在所述荧光屏侧的3～13mm的范围内的至少一个位置上满足K_H＞1.5且K_V＞1.5。

2、根据权利要求1所述的彩色阴极射线管装置，其特征在于：

所述一对第一永久磁铁和所述一对第二永久磁铁被配置在管轴方向中相对参考线在所述荧光体屏幕侧的3～13mm的范围内。

3、根据权利要求1所述的彩色阴极射线管装置，其特征在于：

在管轴方向上相对参考线在所述荧光屏侧3～13mm的整个范围内满足K_TBH/K_EWH＜10的关系。

4、根据权利要求1所述的彩色阴极射线管装置，其特征在于：

在管轴方向上相对参考线在所述荧光屏侧3～13mm的范围内的至少一个位置上满足1＜K_TBH/K_EWH。

5、根据权利要求1所述的彩色阴极射线管装置，其特征在于：

在管轴方向上相对参考线在所述荧光屏侧3～13mm的整个范围内满足1＜K_TBH/K_EWH。

6、根据权利要求1所述的彩色阴极射线管装置，其特征在于：

在管轴方向上相对参考线在所述荧光屏侧3～13mm的整个范围内满足K_H＞1.5且K_V＞1.5。

7、根据权利要求1所述的彩色阴极射线管装置，其特征在于：

所述一对第一永久磁铁的各个的磁力在距其端面中央点距离为11.5mm的点处是2.7～3.7mT，所述一对第二永久磁铁的各个的磁力在距其端面中央点距离为11.5mm的点处是0.6～1.1mT。

8、根据权利要求1所述的彩色阴极射线管装置，其特征在于：

所述一对第一永久磁铁和所述一对第二永久磁铁中的至少一个为组合多个永久磁铁而成。

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