CN1952765A - 解复用器的布局结构及具有该解复用器的液晶显示面板 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种解复用器的布局结构，该解复用器应用于平板显示器。该解复用器用以接收多个输入信号，并根据该多个输入信号输出多个数据信号，该解复用器的布局结构包括：多根控制线和多个薄膜晶体管。该多根控制线用以分别传送多个控制信号。该多个薄膜晶体管中至少部分的薄膜晶体管配置在对应的相邻两根控制线之间。该多个薄膜晶体管的栅极与相邻的两根控制线之一电性连接；该多个薄膜晶体管的一第一漏极和第一源极分别相互耦接，并用以接收该多个输入信号；该薄膜晶体管的一第二漏极和第二源极用以在对应的薄膜晶体管致能时，分别输出该多个数据信号。

Description

解复用器的布局结构及具有该解复用器的液晶显示面板

技术领域

本发明涉及一种解复用器的布局结构及具有该解复用器的液晶显示面板，特别是涉及一种降低穿越(Crossover)电容的一种解复用器的布局结构。

背景技术

现在已存在具有解复用器(Demultiplexer)的液晶显示面板，液晶显示面板利用解复用器接收输入信号，并根据该输入信号输出多个数据信号。参照图1，其示出了传统的具有解复用器的液晶显示面板的部分电路图。解复用器102包括多个晶体管，而在图1中以晶体管T1～T5为例进行说明。晶体管T1～T5为P型晶体管，晶体管T1～T5的漏极相互耦接，以接收输入信号S1；晶体管T1～T5的源极分别耦接数据线DL1～DL5；晶体管T1～T5的栅极用以分别耦接控制线CL1～CL5，并分别受控制信号SW1～SW5的控制。而控制信号SW1～SW5的致能期间不重叠。

传统的解复用器102的控制线CL2，需跨越控制线CL1，以将控制信号SW2输入晶体管T2的栅极。再加上控制信号SW1及SW2的致能时间不重叠，使得在控制线CL2与CL1的交叉点形成一穿越(Crossover)电容C21。依此类推，控制线CL3～CL5也分别需跨越四根控制线，并在各控制线与控制线的交叉点形成四个穿越电容。该穿越电容使得各控制线CL1～CL5上具有较高的电容负载，造成控制信号SW1～SW5的电位上升(Rising)及下降(Falling)时间延长，而使得控制信号SW1～SW5产生信号失真。该失真的控制信号SW1～SW5将导致晶体管T1～T5产生误操作，使得将分别写入各根数据线DL1～DL5的数据信号相互干扰，而降低画面的显示质量。此外，该穿越电容将增加控制线CL1～CL5的电容负载，还使得解复用器102比较耗电。而如果提高控制信号SW1～SW5的电压以缩短其上升及下降的时间，则同样地也有更加耗电的问题。

发明内容

因此，本发明的目的就在于提供一种解复用器布局结构以及具有该解复用器的液晶显示面板。本发明的解复用器可有效地解决上述控制线穿越电容的问题，并具有较佳的驱动效果，以及较为省电的优点。

根据本发明的目的，提供一种解复用器的布局结构，该解复用器应用于平板显示器。解复用器用以接收多个输入信号，并根据该多个输入信号输出多个数据信号，该解复用器的布局结构包括：多根数据线及多个薄膜晶体管(ThinFilm Transistor，TFT)。多根控制线，用以分别传送多个控制信号。该多个薄膜晶体管中至少部分的薄膜晶体管配置在对应的相邻两根控制线之间。该多个薄膜晶体管的栅极(Gate)与相邻的两根控制线之一电性连接；该多个薄膜晶体管的一第一漏极(Drain)和第一源极(Source)分别相互耦接，以接收所述输入信号；该多个薄膜晶体管的一第二漏极和第二源极用以在对应的薄膜晶体管致能时，分别输出这些数据信号。

根据本发明的另一目的，提供一种液晶显示面板。液晶显示面板包括：像素阵列、数据线及解复用器。像素阵列包括多行像素，而多根数据线分别耦接至该多行像素。解复用器的布局结构包括：多根信号线、多根控制线及多个薄膜晶体管。该多根信号线分别与该多根数据线电性连接，而该多根控制线用以分别传送多个控制信号。而至少部分的该多个薄膜晶体管配置在对应的相邻两根控制线之间，且至少部分的该多个薄膜晶体管的栅极与相邻的两根控制线之一电性连接。而该多个薄膜晶体管的第一漏极和第一源极分别相互耦接，以接收输入信号；该多个薄膜晶体管的第二漏极和第二源极分别与所述信号线电性连接，并用以在当对应的薄膜晶体管致能时，分别经由信号线输出多个数据信号。

为了使本发明的上述目的、特征和优点更明显易懂，以下将举出一较佳实施例，并结合附图进行详细说明。

附图说明

图1示出了传统的具有解复用器的液晶显示面板的部分电路图；

图2A示出了本发明的较佳实施例的具有解复用器的液晶显示面板的部分电路图；

图2B示出了图2A的解复用器202的部分电路图；

图2C示出了图2A的解复用器202的布局结构图。

其中，附图标记：

102、202：解复用器

T1～T5、T1’～Tn’：薄膜晶体管

CL1～CL5、CL1’～CL5’：控制线

SW1～SW5、SW1’～SWx’、SW1”～SWx”：控制信号

DL1～DL5、DL1’～DLn’：数据线

S1、Si1～Sik：输入信号

C21：穿越电容

200：具有解复用器的液晶显示面板

204：像素阵列

204a1～204an：像素栏

206：扫描驱动器

208：电平移位器

210：源极驱动器

SD1～SDn：数据信号

Scan 1～Scan m：扫描信号

T1G～T5G：栅极

T1D～T5D：漏极

T1S～T5S：源极

SL1～SLn：信号线

具体实施方式

本发明的解复用器将解复用器的各个薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)配置在相邻的两根控制线之间，以解决传统的解复用器中控制线间由于彼此相交，而在交叉点具有穿越电容的问题。

参照图2A，其示出了依照本发明的较佳实施例的具有解复用器的液晶显示面板的部分电路图。具有解复用器的液晶显示面板200包括：像素阵列204、数据线DL1’～DLn’(n为自然数)、扫描驱动器206、电平移位器208、源极驱动器210及解复用器202。该液晶显示面板200应用于一平板显示器。源极驱动器210用以输出输入信号Si1～Sik(k为小于n的自然数)，扫描驱动器206用以输出m个扫描信号Scan1～Scanm至像素阵列204，控制信号SW1’～SWx’(x为小于n的自然数)输入至电平移位器208，而电平移位器208改变控制信号SW1’～SWx’的电位，以输出控制信号SW1”～SWx”。例如控制信号SW1”～SWx”的信号电位高于SW1’～SWx’的信号电位。像素阵列包括多个像素栏204a1～204an。数据线DL1’～DLn’的一端分别电性连接至该多个像素栏204a1～204an，而数据线DL1’～DLn’的另一端电性连接至解复用器202。解复用器202用以接收输入信号Si1～Sik，并根据该输入信号输出数据信号SD1～SDn，而该数据信号SD1～SDn分别经由数据线DL1’～DLn’输入像素栏204a1～204an。

参照图2B和图2C，其分别示出了图2A的解复用器202的部分电路图，以及图2A的解复用器202的布局结构图。解复用器202包括信号线SL1～SLn、控制线CL1’～CLx’及薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)T1’～Tn’。在图2B及图2C中，以信号线SL1’～SL5’、控制线CL1’～CL5’及TFT T1’～T5’为例进行说明。

TFT T1’～T5’例如为N型TFT。TFT T1’～T5’的栅极(Gate)T1G～T5G分别耦接控制线CL1’～CL5’，源极(Source)T1S～T5S分别耦接信号线SL1～SL5的一端，漏极(Drain)T1D～T5D相互耦接，以接收输入信号Si1。其中，信号线SL1～SL5的另一端分别与数据线DL1’～DL5’耦接。控制线CL1’～CL5’用以传送控制信号SW1”～SW5”至栅极T1G～T5G，以控制TFT T1’～T5’。而TFT T1’～T5’分别在控制信号SW1”～SW5”致能时，将输入信号Si1作为数据信号SD1～SD5输出。

优选地，控制线CL1’～CL5’依次致能，使得TFT T1’～T5’依次导通，以使数据信号Si1依次地作为数据信号SD1～SD5传送至数据线DL1’～DL5’。

TFT T1’～T4’分别配置在相邻的两根控制线CL1’与CL2’、CL2’与CL3’、CL3’与CL4’及CL4’与CL5’之间。而TFT T5’与控制线CL5’相邻，配置在控制线CL5’的另一侧。因此，控制线CL1’～CL5’便可不与其它控制线相交而直接将控制信号SW1”～SW5”输入栅极T1G～T5G，从而可以有效地解决传统的解复用器102中各控制线CL1～CL5因为相交而产生穿越电容的问题。

传统的方法中，各控制线的交点所形成的穿越电容由于两根交错的控制线均不浮接(Floating)，从而在交错的两根控制线之间存在大的跨压，故使得对应的穿越电容很大。然而，在本实施例的解复用器202中，控制线CL2’虽也与信号线SL1形成交点，但是当控制信号SW2’致能时，控制信号SW1”未致能，使得该晶体管T1’为不导通，从而使得信号线SL1实质上为浮接。因此使得信号线SL1与控制线CL2’间的穿越电容很小，几乎可以忽略。依此类推，控制线CL3’～CL5’与各信号线SL1～SL5的穿越电容也很小从而可忽略。

本实施例虽然只以信号线SL1’～SL5’、控制线CL1’～CL’5及TFT T1’～T5’为例进行说明，但是TFT T6’～Tn’的操作可依此类推。本实施例虽然只以N型TFT为例，对解复用器202的电路结构进行说明，但是本实施例公开的解复用器202不局限于N型TFT的电路结构。在本实施例公开的具有解复用器的液晶显示面板200中，信号线SL1～SL5实质上与控制线CL1’～CL5’垂直相交。

本实施例虽然以扫描驱动器206将控制信号SW1’～SWx’输入电平移位器208，再经由电平移位器208输出控制信号SW1”～SW5”为例进行说明，但是也可省略电平移位器208，使得控制信号SW1’～SWx’直接驱动解复用器202的各个薄膜晶体管T1’～Tn’。而本实施例公开的解复用器202例如形成在该平板显示器的一基板上，该基板还用以形成像素阵列204。本实施例公开的解复用器202优选地用低温多晶硅(Low Temperature Poly Silicon，LTPS)工艺来制造。

本发明的具有解复用器的液晶显示面板将解复用器的TFT设置在相邻的两根控制线之间。因此，各控制线便可不跨越其它控制线而直接将控制信号输入TFT的栅极，从而可以有效地解决传统解复用器中各控制线由于相互跨越而在交叉点产生穿越电容的问题。因此本发明可以降低各控制线的电容负载，使本发明的具有解复用器的液晶面板具有省电的优点。此外，本发明的具有解复用器的液晶显示面板还可通过降低控制线的电容负载来改善控制信号SW2’～SW5’及SW2”～SW5”的失真情形，避免TFT发生误操作，因此本发明的具有解复用器的液晶显示面板具有较佳的画面显示质量的优点。

综上所述，虽然已用一较佳实施例描述本发明，但不能认为是对本发明的限定。本领域的普通技术人员，可以在不脱离本发明的精神和范围内，对本发明进行各种改进和变型。因此，本发明的保护范围为以下的权利要求书所限定。

Claims (12)

1.一种解复用器的布局结构，该解复用器应用于一平板显示器，该解复用器用以接收多个输入信号，并根据该多个输入信号输出多个数据信号，其特征在于，该解复用器的布局结构包括：

多根控制线，用以分别传送多个控制信号；以及

多个薄膜晶体管，至少部分该多个薄膜晶体管配置在对应的相邻两根控制线之间，至少部分该多个薄膜晶体管的栅极与相邻的两根控制线之一电性连接，该多个薄膜晶体管的一第一漏极和第一源极分别相互耦接，以接收该多个输入信号，该多个薄膜晶体管的一第二漏极和第二源极用于在对应的薄膜晶体管致能时，分别输出该多个数据信号。

2.根据权利要求1所述的解复用器的布局结构，其特征在于，该控制信号依次致能。

3.根据权利要求1所述的解复用器的布局结构，其特征在于，该薄膜晶体管的栅极与相邻该第一漏极和第一源极的该控制线电性连接。

4.根据权利要求1所述的解复用器的布局结构，其特征在于，还包括多根信号线，该多个薄膜晶体管的该第二漏极和第二源极分别通过该多根信号线从而与多根数据线电性连接，该多根信号线与该多根控制线实质上垂直相交。

5.根据权利要求1所述的解复用器的布局结构，其特征在于，该解复用器形成在该平板显示器的一基板上，该基板还用以形成一像素阵列，该解复用器用低温多晶硅工艺制造。

6.一种液晶显示面板，应用于一平板显示器，其特征在于，该液晶显示面板包括：

一像素阵列，包括多行像素；

多根数据线，分别耦接该多行像素；以及

一解复用器，该解复用器的布局结构，包括：

多根信号线，该多根信号线分别与该多根数据线电性连接；

多根控制线，用以分别传送多个控制信号；以及

多个薄膜晶体管，至少部分该多个薄膜晶体管配置在对应的相邻两根控制线之间，至少部分该多个薄膜晶体管的栅极与相邻的两根控制线之一电性连接，该多个薄膜晶体管的一第一漏极和第一源极分别相互耦接，以接收多个输入信号，该多个薄膜晶体管的一第二漏极和第二源极分别与该多根信号线电性连接，并用于在对应的薄膜晶体管致能时，分别经由该多根信号线输出多个数据信号。

7.根据权利要求6所述的液晶显示面板，其特征在于，该控制信号依次致能。

8.根据权利要求6所述的液晶显示面板，其特征在于，该薄膜晶体管的栅极与相邻该第一漏极和第一源极的该控制线电性连接。

9.根据权利要求6所述的液晶显示面板，其特征在于，该多根信号线与该多根控制线实质上垂直相交。

10.根据权利要求6所述的液晶显示面板，其特征在于，该解复用器形成在该平板显示器的一基板上，该基板还用以形成该像素阵列。

11.根据权利要求6所述的液晶显示面板，其特征在于，该平板显示器还包括一电平移位器，用以将该控制信号输出至该多根控制线。

12.根据权利要求6所述的液晶显示面板，其特征在于，该解复用器用低温多晶硅工艺制造。

Images