CN1945442A - 校正多透镜阵列的像场弯曲的系统和方法 - Google Patents

Abstract

通过使用非平面的校正表面减小聚焦元件阵列的像场上的焦平面误差，所述校正表面成形为使得聚焦元件的焦点比当校正表面为平面时更接近单平面。例如，当在光刻系统的投影系统中使用聚焦元件阵列时可以使用这种布置。

Description

校正多透镜阵列的像场弯曲的系统和方法

技术领域

本发明涉及一种光刻装置、一种聚焦元件阵列、一种器件制造方法、一种改进聚焦元件阵列的方法和设置光刻装置的方法。

背景技术

光刻装置是将期望的图案施加到基底或基底的一部分上的一种装置。光刻装置例如可以用于制造平板显示器、集成电路(IC)和包括微细结构的其他器件。在常规的光刻装置中，构图部件或者可以称为掩模或中间掩模版，它可以用于产生相应于平板显示器(或其他器件)的一个单独层上的电路图案，该图案例如可以通过成像在涂敷于基底上的辐射敏感材料层(抗蚀剂)而转印到所有或一部分基底(例如玻璃板)上。

代替电路图案，构图部件可以用于产生其他图案，例如滤色镜图案或光点矩阵。代替掩模，构图部件包括具有单独可控元件阵列的构图阵列。与基于掩模的系统相比，在这种系统中可以更加快速和低成本地改变图案。

平板显示器通常是矩形形状。设计成曝光这种类型的基底的光刻装置可以提供曝光区，该曝光区覆盖了矩形基底的全宽度，或者覆盖了部分宽度(例如一半宽度)。可以在曝光区下方扫描基底，同时通过投影光束同步扫描掩模或中间掩模版。通过这种方式，将图案转印到基底上。如果曝光区覆盖了基底的全宽度，就可以使用单次扫描完成曝光。如果曝光区覆盖了例如基底的一半宽度，就可以在第一次扫描之后横向移动基底，然后通常是执行另一扫描来曝光基底的其他部分。

由于总是需要在器件中形成更小的特征，因此有必要使用光刻技术和以更高的精度形成更小的图案特征。相应地，有必要以更高的精度控制将辐射投影到基底上的位置。

因此，需要的是一种系统和方法，其可以提供在光刻装置中使用的改进的光学元件。

发明内容

在一个实施例中，提供一种包括构图部件和投影系统的光刻装置。所述构图部件可调制辐射光束。所述投影系统将调制的辐射光束投影到基底的靶部上。所述投影系统包括聚焦元件阵列和非平面校正表面。所述聚焦元件阵列配置成使得每个聚焦元件将部分调制的辐射光束聚焦到基底上。所述非平面校正表面成形为使得当投影系统将调制的辐射光束投影到基底上时，聚焦元件的焦点比当校正表面为平面时更接近单平面。

在另一个实施例中，提供一种聚焦元件阵列，其配置成使得当辐射光束入射到阵列上时，对于给定的辐射波长每个聚焦元件将部分辐射光束聚焦到各个焦点。所述聚焦元件阵列包括非平面校正表面，其成形为使得当辐射光束入射到阵列上时，聚焦元件的焦点比当校正表面为平面时更接近单平面。

在另一个实施例中，提供一种包括下列步骤的器件制造方法，使用包括聚焦元件阵列的投影系统将调制的辐射光束投影到基底上，所述聚焦元件阵列配置成使得每个聚焦元件将部分调制的辐射光束聚焦到基底上。使用非平面的校正表面，所述校正表面成形为使得当投影系统将调制的辐射光束投影到基底上时，聚焦元件的焦点比当校正表面为平面时更接近单平面。

在又一个实施例中，提供一种改进聚焦元件阵列的方法，其包括以下步骤。当辐射光束入射到聚焦元件阵列上时测量多个聚焦元件的焦点位置。确定所需的非平面校正表面的形状，使得当校正表面应用于聚焦元件阵列时，焦点比它们在测量步骤中更接近单平面。提供具有根据确定步骤成形的校正表面的聚焦元件阵列。

在又一个实施例中，提供一种设置具有投影系统的光刻装置的方法，所述投影系统包括聚焦元件阵列，该聚焦元件阵列配置成使得每个聚焦元件将部分调制的辐射光束聚焦到基底上，所述方法包括以下步骤。测量多个聚焦元件将调制的辐射光束的相应部分聚焦的焦点位置。确定所需的非平面校正表面的形状，使得当校正表面包括在投影系统中时，聚焦元件将调制的辐射光束的相应部分聚焦的焦点比它们在测量步骤中更接近单平面。提供具有根据确定步骤成形的校正表面的投影系统。

下面参考附图详细描述本发明进一步的实施例、特征和优点以及本发明的各个实施例的结构和操作。

附图说明

这些附图在此被并入并构成说明书的一部分，它们示出了本发明的一个或多个实施例，并与说明书一起用于说明本发明的原理和使本领域技术人员制造和利用本发明。

图1和2示出了根据本发明的各个实施例的光刻装置。

图3示出了使用如图2所示的本发明的一个实施例将图案转印到基底的方式。

图4示出了根据本发明的一个实施例的光引擎的布置。

图5a和5b示出了根据本发明的一个实施例在光刻装置中使用的光学元件和改进的光学元件。

图6a、6b和6c示出了用于实施在图5a和5b中所示改进的示例性实施例。

图7示出了用于实施本发明的另一个实施例。

现在参考附图描述本发明。图中，相似的参考数字表示相同或功能类似的元件。附加地，参考数字中最左边的数位可以确定参考数字首次出现的附图。

具体实施方式

尽管论述了具体结构和布置，但是应该理解其目的仅仅是说明性的。本领域技术人员应该认识到，在不脱离本发明的精神和范围的条件下，可以使用其它结构和布置。对本领域技术人员来说显而易见的是，本发明还可以在各种其它应用中使用。

图1示意性地表示了本发明的一个实施例的光刻装置。该装置包括照射系统IL、构图部件PD、基底台WT和投影系统PS。所述照射系统(照射器)IL配置成调制辐射光束B(例如UV辐射)。

构图部件PD(例如中间掩模版或掩模或单独可控元件阵列)可调制光束。一般地，单独可控元件阵列的位置相对投影系统PS固定。但是，它可以代替地与定位装置连接，所述定位装置配置成根据某些参数精确定位单独可控元件阵列。

基底台WT构造成支撑基底(例如涂敷抗蚀剂的基底)W，并与配置成根据某些参数精确定位基底的定位装置PW连接。

投影系统(例如折射投影透镜系统)PS配置成将由单独可控元件阵列调制的辐射光束投影到基底W的靶部C(例如包括一个或多个管芯)上。

照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如包括用于引导、整形或者控制辐射的折射光学部件、反射光学部件、磁性光学部件、电磁光学部件、静电光学部件或其它类型的光学部件，或者其任意组合。

这里使用的术语“构图部件”或“对比部件”应广义地解释为可以用于调制辐射光束的截面从而在基底靶部中形成图案的任何装置。所述部件可以是静态构图部件(例如掩模或中间掩模版)或动态构图部件(例如可编程元件阵列)。为了简便，大部分描述是关于动态构图部件的，但是应该理解在不脱离本发明的范围的条件下也可以使用静态构图部件。

应该注意，赋予给辐射光束的图案可以不与基底靶部中的期望图案精确一致，例如如果该图案包括相移特征或所谓的辅助特征。类似地，最终在基底上形成的图案可以和在任何情况下在单独可控元件阵列上形成的图案不一致。这可以是在一种布置中的情况，其中在给定的时间间隔或给定的曝光次数中逐步形成在基底的每部分上形成的最终图案，在所述时间间隔中单独可控元件阵列和/或基底的相关位置会改变。

一般地，在基底靶部上形成的图案与在靶部中形成的器件如集成电路或平板显示器的特殊功能层(例如平板显示器中的滤色镜层或平板显示器中的薄膜晶体管层)相对应。这种构图部件的实例包括例如中间掩模版、可编程反射镜阵列、激光二极管阵列、发光二极管阵列、光栅光阀和LCD阵列。

构图部件的图案在电子装置(例如计算机)的辅助下可进行编程，构图部件例如包括多个可编程元件(例如在上文中提到的除中间掩模版之外的所有器件)，在此构图部件可以共同地称为“对比器件”)。在一个实例中，构图部件包括至少10个可编程元件，例如至少100个、至少1000个、至少10000个、至少100000个、至少1000000个或至少10000000个可编程元件。

可编程反射镜阵列包括具有粘弹性控制层和反射表面的矩阵可寻址表面。这种装置的基本原理例如是反射表面的寻址区域将入射光反射为衍射光，而非寻址区域将入射光反射为非衍射光。使用一个适当的空间滤光器，从反射的光束中滤除所述非衍射光，只保留衍射光到达基底。通过这种方式，光束根据可寻址表面的定址图案而进行构图。

应该理解，作为一种替换方案，滤光器可以滤除衍射光，而保留非衍射光到达基底。

也可以以相应的方式使用衍射光学MEMS器件(微电子机械系统器件)阵列。在一个实例中，衍射光学MEMS器件包括多个反射条带，该反射条带相对彼此变形而形成光栅，所述光栅将入射光反射为衍射光。

可编程反射镜阵列的另一个可替换实施例是利用微小反射镜的矩阵排列，通过施加适当的局部电场，或者通过使用压电致动装置，使得每个反射镜能够独立地关于一轴倾斜。再者，反射镜是矩阵可寻址的，使得已寻址反射镜以与未寻址的反射镜不同的方向将入射的辐射光束反射；通过这种方式，根据矩阵可寻址反射镜的定址图案对反射光束进行构图。可以用适当的电子装置执行所需的矩阵寻址。

另一个实例PD是可编程LCD阵列。

光刻装置包括一个或多个对比器件。例如，它具有多个单独可控元件阵列，每个可控元件可以彼此独立地进行控制。在这种布置中，一些或者所有单独可控元件阵列具有共同的照射系统(或部分照射系统)、用于单独可控元件阵列的共同的支撑结构和/或共同的投影系统(或部分投影系统)中的至少一个。

在一个实例中，例如图1中示出的实施例，基底W大体上为圆形，视需要地具有凹槽和/或沿其部分周边具有整平的边缘。在一个实例中，基底为多边形形状，例如矩形。

在其中基底大体上为圆形的实例中，包括多个实施例，其中基底直径为至少25mm，例如至少50mm、至少75mm、至少100mm、至少125mm、至少150mm、至少175mm、至少200mm、至少250mm、或至少300mm。在一个实施例中，基底直径为至多500mm、至多400mm、至多350mm、至多300mm、至多250mm、至多200mm、至多150mm、至多100mm或至多75mm。

在其中基底大体上为多边形例如矩形的实例中，包括多个实施例，其中基底的至少一边，例如至少2边或至少3边，的长度为至少5cm，例如至少25cm、至少50cm、至少100cm、至少150cm、至少200cm或至少250cm。

在一个实例中，基底的至少一边的长度为至多1000cm，例如至多750cm、至多500cm、至多350cm、至多250cm、至多150cm或至多75cm。

在一个实例中，基底W是晶片，例如半导体晶片。在一个实例中，晶片材料选自由Si、SiGe、SiGeC、SiC、Ge、GaAs、InP和InAs构成的组。在一个实例中，晶片是III/V族复合半导体晶片。在一个实例中，晶片是硅晶片。在一个实施例中，基底是陶瓷基底。在一个实例中，基底是玻璃基底。在一个实例中，基底是塑料基底。在一个实例中，基底是透明的(对于裸露的人眼来说)。在一个实例中，基底是有色的。在一个实例中，基底无色的。

基底的厚度可以变化，在某种程度上，其例如取决于基底材料和/或基底尺寸。在一个实例中，厚度是至少50μm，例如至少100μm、至少200μm、至少300μm、至少400μm、至少500μm或至少600μm。在一个实例中，基底的厚度是至多5000μm，例如至多3500μm、至多2500μm、至多1750μm、至多1250μm、至多1000μm、至多800μm、至多600μm、至多500μm、至多400μm或至多300μm。

在曝光之前或之后，可以在例如涂布显影装置(通常将抗蚀剂层施加于基底上并将已曝光的抗蚀剂显影的一种工具)、计量工具和/或检验工具中对这里提到的基底进行处理。在一个实例中，抗蚀剂层涂覆在基底上。

这里使用的术语“投影系统”应广义地解释为包含各种类型的投影系统，包括折射光学系统，反射光学系统、反折射光学系统、磁性光学系统、电磁光学系统和静电光学系统，或其任何组合，如适合于所用的曝光辐射，或者适合于其他方面，如浸液的使用或真空的使用。这里任何术语“投影透镜”的使用可以认为与更普通的术语“投影系统”同义。

投影系统将图案成像在单独可控元件阵列上，使得图案密合地形成在基底上。可替换地，投影系统可以成像辅助源，对于该辅助源单独可控元件阵列中的元件可用作光闸。在这方面，投影系统包括聚焦元件阵列，如微透镜阵列(即MLA)或菲涅耳透镜阵列，例如用于形成辅助源和将光点成像到基底上。在一个实例中，聚焦元件阵列(例如MLA)包括至少10个聚焦元件，例如至少100个聚焦元件、至少1000个聚焦元件、至少10000个聚焦元件、至少100000个聚焦元件或至少1000000个聚焦元件。在一个实例中，构图部件中单独可控元件的数量等于或大于聚焦元件阵列中聚焦元件的数量。在一个实例中，聚焦元件阵列中的一个或多个(例如1000个或更多，大多数，或大致每个)聚焦元件与单独可控元件阵列中的一个或多个单独可控元件光学相关联，例如与单独可控元件阵列中的2个或多个单独可控元件相关联，例如3个或多个、5个或多个、10个或多个、20个或多个、25个或多个、35个或多个，或者50个或多个。在一个实例中，例如通过使用一个或多个致动装置，MLA至少在朝向基底和背离基底的方向是可动的(例如使用致动装置)。能够使MLA朝向和背离基底移动例如可以允许在不移动基底的情况下调焦。

如这里在图1和2中所示出的，该装置是反射型(例如采用反射性单独可控元件阵列)。可替换地，该装置可以是透射型(例如采用透射性单独可控元件阵列)。

光刻装置可以是具有两个(双工作台)或者多个基底台的类型。在这种“多工作台式”装置中，可以并行使用这些附加台，或者可以在一个或者多个台上进行准备步骤，而一个或者多个其它台用于曝光。

光刻装置还可以是这样一种类型，其中至少部分基底由具有相对高的折射率的“浸液”如水覆盖，从而填充投影系统和基底之间的空间。浸液也可以应用于光刻装置中的其他空间，例如应用于构图部件和投影系统之间。浸液技术在本领域中是公知的，其用于增加投影系统的数值孔径。这里使用的术语“浸没”不表示结构如基底必须浸没在液体中，而是表示液体在曝光期间位于投影系统和基底之间。

再次参考图1，照射器IL接收来自辐射源SO的辐射光束。在一个实例中，辐射源提供的辐射具有至少5nm的波长，例如至少10nm、至少50nm、至少100nm、至少150nm、至少175nm、至少200nm、至少250nm、至少275nm、至少300nm、至少325nm、至少350nm或至少360nm。在一个实施例中，由辐射源SO提供的辐射具有至多450nm的波长，例如至多425nm、至多375nm、至多360nm、至多325nm、至多275nm、至多250nm、至多225nm、至多200nm或至多175nm。在一个实施例中，辐射具有的波长包括436nm、405nm、365nm、355nm、248nm、193nm、157nm和/或126nm。在一个实施例中，辐射包括大约为365nm或大约355nm的波长。在一个实施例中，辐射包括宽频带的波长，例如包括365、405和436nm。可以使用355nm的激光源。辐射源和光刻装置可以是独立的机构，例如当辐射源是准分子激光器时。在这种情况下，不认为辐射源构成了光刻装置的一部分，辐射光束借助于光束输送系统BD从源SO传输到照射器IL，所述光束输送系统例如包括合适的定向反射镜和/或扩束器。在其它情况下，辐射源可以是光刻装置的组成部分，例如当源是汞灯时。源SO和照射器IL，如果需要连同光束输送系统BD一起可以称作辐射系统。

照射器IL包括调节装置AD，用于调节辐射光束的角强度分布。一般地，至少可以调节在照射器光瞳平面上强度分布的外和/或内径向量(通常分别称为σ-外和σ-内)。此外，照射器IL可以包括各种其它部件，如积分器IN和聚光器CO。照射器可以用于调节辐射光束，以使辐射光束在其横截面上具有期望的均匀度和强度分布。照射器IL或与其相关联的附加部件也可以布置成将辐射光束分成多个子光束，该子光束例如每个都能够与单独可控元件阵列中的一个或多个单独可控元件相关联。例如可以使用二维衍射光栅将辐射光束分成多个子光束。在该描述中，术语“辐射的光束”和“辐射光束”包括但不限于其中光束包括多个这种辐射子光束的情况。

辐射光束B入射到构图部件PD(如单独可控元件阵列)上，并由构图部件进行调制。由构图部件PD反射之后，辐射光束B通过投影系统PS，该投影系统将光束聚焦在基底W的靶部C上。在定位装置PW和位置传感器IF2(例如干涉测量器件、线性编码器或电容传感器等等)的辅助下，可以精确地移动基底台WT，从而例如在辐射光束B的光路中定位不同的靶部C。在使用定位装置的地方，可以使用单独可控元件阵列的定位装置，从而例如在扫描期间精确校正构图部件PD相对光束B的光路的位置。

在一个实施例中，利用长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)可以实现基底台WT的移动，其中图1中未明确示出长行程模块和短行程模块。在一个实施例中，该装置中仅有至少一个短行程模块用于移动基底台WT。也可以使用类似的系统定位单独可控元件阵列。应该理解，光束B可替换地/附加地是可移动的，同时目标台和/或单独可控元件阵列具有固定的位置，从而提供所要求的相关运动。这种布置有助于限制装置的尺寸。作为另一种替换方案，该布置例如能够应用于平板显示器的制造，基底台WT和投影系统PS的位置可以固定，基底W可以布置成相对基底台WT移动。例如，基底台WT具有一个系统，该系统用于以大体上不变的速度在基底上方扫描基底W。

如图1所示，辐射光束B可以通过分束器BS指向构图部件PD，该分束器配置成使得辐射最初由分束器反射，然后指向构图部件PD。应该认识到辐射光束B也可以不使用分束器而指向构图部件。在一个实施例中，辐射光束以0至90°之间的角度θ指向构图部件，所述角度例如在5至85°之间、在15至75°之间、在25至65°之间或者在35至55°之间(图1中示出的实施例为90°)。构图部件PD可调制辐射光束B，并将其反射回分束器BS，该分束器将调制过的光束传输到投影系统PS。但是应该理解，可以使用可替换的布置使辐射光束B指向构图部件PD，然后指向投影系统PS。特别地，如果使用透射性构图部件时，可以不需要例如如图1所示的布置。

所示的装置可以按照几种模式使用：

1.在步进模式中，单独可控元件阵列和基底基本保持不动，而赋予辐射光束的整个图案被一次投影到靶部C上(即单次静态曝光)。然后沿X和/或Y方向移动基底台WT，使得可以曝光不同的靶部C。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单次静态曝光中成像的靶部C的尺寸。

2.在扫描模式中，当赋予辐射光束的图案被投影到靶部C时，同步扫描单独可控元件阵列和基底(即单次动态曝光)。基底相对于单独可控元件阵列的速度和方向通过投影系统PS的放大(缩小)和图像反转特性来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单次动态曝光中靶部的宽度(沿非扫描方向)，而扫描动作的长度确定了靶部的高度(沿扫描方向)。

3.在脉冲模式中，单独可控元件阵列基本保持不动，使用脉冲辐射源将整个图案投影到基底W的靶部C上。基底台WT以基本不变的速度移动，使得光束B扫描横过基底W的线。在辐射系统的脉冲之间根据需要更新单独可控元件阵列上的图案，所述脉冲可以定时成在基底W上所要求的位置处曝光连续的靶部C。因此，光束B可以在基底W上方扫描以曝光基底条带的整个图案。重复该处理，直到整个基底W被逐行(line by line)曝光。

4.在连续扫描模式，其基本上与脉冲模式相同，除了相对调制过的辐射光束B以大体上不变的速度扫描基底，然后当光束B扫描过基底W并使其曝光时更新单独可控元件阵列上的图案。可以使用大体上不变的辐射源或脉冲辐射源，并使其与单独可控元件阵列上的图案的更新同步。

5.在象素网格成像模式，其可以使用图2的光刻装置来执行，通过随曝光后由光点发生器形成的光点来实现在基底W上形成图案，所述光点发生器被指向构图部件PD。曝光的光点具有大体上相同的形状。基底W上的光点大体上印刷成网格。在一个实例中，光点尺寸大于印刷的象素网格的节距，但是远小于曝光光点网格。通过改变所印刷光点的强度可以形成图案。在曝光闪光之间改变光点上的强度分布。

还可以采用上述使用模式的组合和/或变化，或者采用完全不同的使用模式。

在光刻法中，在基底的抗蚀剂层上曝光图案。然后使抗蚀剂显影。随后，在基底上执行附加的处理步骤。这些随后的处理步骤对基底每部分的作用取决于抗蚀剂的曝光。特别地，可以调整这些处理，使得接收超过给定剂量阀值的辐射剂量的基底的各个部分不同地相应于接收低于给定剂量阀值的辐射剂量的基底的各个部分。例如，在蚀刻处理中，接收超过阀值的辐射剂量的基底区域由显影的抗蚀剂层保护而不被蚀刻。但是，在曝光后显影中，由于去除了接收低于阀值的辐射剂量的抗蚀剂部分，因此这些区域不受保护而被蚀刻。从而，能够蚀刻期望的图案。特别地，构图部件中单独可控元件设置成使得透射到图案特征中基底区域上的辐射具有足够高的强度，即在曝光期间该区域可接收超过剂量阀值的辐射剂量。通过设置相应的单独可控元件以提供零或非常低的辐射强度，基底上的其他区域可接收低于剂量阀值的辐射剂量。

实际上，处于图案特征边缘的辐射剂量不会突然从给定的最大剂量改变到零剂量，即使单独可控元件设定成在特征边界的一侧提供最大辐射强度，而在另一侧提供最小辐射强度。相反，由于衍射效应，辐射剂量的水平在过渡区逐渐减小。最终由显影的抗蚀剂形成的图案特征的边界位置由接收低于辐射剂量阀值的剂量减小(drops)的位置确定。通过设置单独可控元件，可以更加精确地控制在过渡区上辐射剂量逐渐减小的曲线以及图案特征边界的精确位置，所述单独可控元件可向基底上的多个点提供辐射，这些点在图案特征边界上或附近。这些辐射剂量不仅可以在最大或最小强度水平而且可以设置在最大和最小强度水平之间，通常将其称为“灰度级调节”(grayscaling)。

灰度级调节可以更好地控制图案特征边界的位置，这在光刻系统中是可能的，其中由给定单独可控元件提供给基底的辐射强度可以仅设定为两个值(也就是最大值和最小值)。在一个实施例中，将至少三个不同的辐射强度值投影到基底上，所述至少三个不同的辐射强度值例如是至少4个辐射强度值、至少8个辐射强度值、至少16个辐射强度值、至少32个辐射强度值、至少64个辐射强度值、至少128个辐射强度值或至少256个辐射强度值。

应该理解，可以为了附加的或可替换的目的将灰度级调节用于上述情况。例如，可以调节在曝光之后对基底的处理，从而根据所接收的辐射剂量水平，提供超过两种基底区域的电位响应。例如，接收低于第一阀值的辐射剂量的基底部分以第一方式响应；接收高于第一阀值但低于第二阀值的辐射剂量的基底部分以第二方式响应；以及接收高于第二阀值的辐射剂量的基底部分以第三方式响应。因此，灰度级调节可以用于提供基底上具有超过两个期望剂量水平的辐射剂量曲线。在一个实施例中，辐射剂量曲线具有至少2个期望剂量水平，例如至少3个期望剂量水平、至少4个期望剂量水平、至少6个期望剂量水平或至少8个期望剂量水平。

还应该理解可以利用多种方法控制辐射剂量曲线，所述方法不同于如上所述的通过仅仅控制在基底的每一点上接收的辐射强度的方法。例如，在基底的每一点上接收的辐射剂量可替换地或附加地可以通过控制所述点的曝光持续时间进行控制。作为另一个实例，基底上的每个点可以在多个连续的曝光中潜在地接收辐射。因此可替换地或附加地，通过使用选定子组的所述多个连续曝光曝光所述点，可以控制每个点接收的辐射剂量。

为了在基底上形成所要求的图案，有必要将构图部件中的每个单独可控元件在曝光处理过程中设定在每个工作台上所需的状态。因此必须将表示所需状态的控制信号传输给每个单独可控元件。在一个实施例中，光刻装置包括产生控制信号的控制器。以限定矢量的形式例如GDSII把要在基底上形成的图案提供给光刻装置。为了将设计信息转换成每个单独可控元件的控制信号，控制器包括一个或多个数据操作设备，每个数据操作设备配置成对表示图案的数据流执行处理步骤。这些数据操作设备可以共同地称为“数据通路”。

数据通路的数据操作设备可以配置成执行一个或多个下列功能：将基于矢量的设计信息转换成位图图案数据；将位图图案数据转换成所需的辐射剂量图(也就是基底上所需的辐射剂量曲线)；将所需的辐射剂量图转换成每个单独可控元件的所需辐射强度值，以及将每个单独可控元件的所需辐射强度值转换成相应的控制信号。

图2示出了根据本发明的装置的布置，其可以用于例如平板显示器的制造。相应于如图1所示元件的那些元件可以用相同的参考数字表示。此外，对各个实施例的以上描述，例如基底的各种结构、对比器件、MLA、辐射光束等等仍然可以适用。

图2示出了根据本发明的一个实施例的光刻装置的布置。该实施例可以用于例如平板显示器的制造。相应于如图1所示元件的那些元件可以用相同的参考数字表示。此外，对各个实施例的以上描述，例如基底的各种结构、对比器件、MLA、辐射光束等等仍然可以适用。

如图2所示，投影系统PS包括扩束器，该扩束器包括两个透镜L1、L2。第一透镜L1布置成接收调制的辐射光束B，并将其透过孔径光阑AS中的小孔聚焦。另一个透镜AL可以设置在小孔中。然后使辐射光束B发散并利用第二透镜L2(例如物镜)将其聚焦。

投影系统PS还包括透镜阵列MLA，其布置成接收扩展调制的辐射B。不同部分的调制辐射光束B相应于构图部件PD中的一个或多个单独可控元件，它们可通过透镜阵列MLA中相应的不同透镜。每个透镜ML将调制的辐射光束B的相应部分聚焦到位于基底W上的点。通过这种方式将辐射光点S的阵列曝光到基底W上。应该理解，尽管仅仅示出了所示透镜阵列14中的八个透镜，但是透镜阵列可以包括数以千计的透镜(同样可以使用单独可控元件阵列作为构图部件PD)。

图3示意性地示出了根据本发明的一个实施例如何使用图2的系统在基底W上产生图案。实心圆表示由投影系统PS中的透镜阵列MLA投影到基底上的光点S的阵列。使基底W相对投影系统PS在Y方向移动，同时在基底上进行一系列曝光。空心圆表示之前已经在基底上暴露过的光点曝光SE。如所示出的，由投影系统PS中的透镜阵列投影到基底上的每个光点可以曝光基底W上的一行R光点曝光。通过总计由每个光点S暴露的所有行R的光点曝光SE，可以产生基底的全部图案。如上所述地，这种布置可以共同地称为“像素网格成像”。

可以看出，辐射光点S的阵列以角度θ相对基底W布置(基底边缘平行于X和Y方向布置)。这样做可以使得当沿扫描方向(Y方向)移动基底时，每个辐射光点将在基底的不同区域上通过，由此允许整个基底被辐射光点15的阵列覆盖。在一个实施例中，角度θ是至多20°、10°，例如至多5°、至多3°、至多1°、至多0.5°、至多0.25°、至多0.10°、至多0.05°或至多0.01°。在一个实施例中，角度θ是至少0.001°。

图4示意性地示出了根据本发明的一个实施例如何使用多个光引擎在单次扫描中曝光整个平板显示器的基底W。在示出的实例中，利用八个光引擎(未示出)产生八个辐射光点S的阵列SA，该阵列以两行R1、R2的方式布置成‘棋盘’结构，使得辐射光点S的一个阵列边缘与辐射光点的相邻阵列的边缘略微重叠(沿扫描方向Y)。在一个实施例中，光引擎布置在至少3行中，例如4行或5行。通过这种方式，一个辐射带扫过基底W的宽度，从而在单次扫描中执行对整个基底的曝光。应该理解，可以使用任何合适数量的光引擎。在一个实施例中，光引擎的数量是至少1个，例如至少2个、至少4个、至少8个、至少10个、至少12个、至少14个或至少17个。在一个实施例中，光引擎的数量小于40个，例如小于30个或小于20个。

每个光引擎包括如上所述的独立照射系统IL、构图部件PD和投影系统PS。但是应该理解，两个或多个光引擎可以共用一个或多个照射系统、构图部件和投影系统中的的至少一部分。

本发明人已经确定在包括了投影系统的聚焦元件阵列的光刻装置中，例如投影系统引入的相当部分的误差是由聚焦元件阵列中的缺陷引起的。例如，聚焦元件阵列的曲率可导致投影到基底上的辐射光束的最佳焦平面变形。这些所谓的焦平面误差使得难以使基底相对投影系统定位，从而辐射光束的所有部分难以最好地聚焦在基底上。例如如果辐射光束被投影到基底上作为光点阵列，如上所述地，焦平面误差的结果是不能同时将所有光点最佳地聚焦到基底上。因此，不能够确保所有光点尽可能地小，此外，光点尺寸在光点阵列上会变化。光点尺寸的变化可导致基底上接收的辐射强度的相应变化。基底上的辐射光点越大，基底上光点的辐射强度越小。

如上所述，聚焦元件阵列中的聚焦元件可以是透镜。它们还可以是能够聚焦部分辐射光束的任何其它光学元件，例如抛物面镜。聚焦元件阵列例如可以由基板构成，该基板具有形成于基板上、安装在基板上或者由基板支撑和/或与基板一体的聚焦元件。通过使多个聚焦元件彼此连接而使其彼此支撑，可以形成聚焦元件阵列。根据所用聚焦元件的类型，基板对辐射是透明的。

图5a示出了根据本发明的一个实施例的聚焦元件阵列10的实例。如所示出的，聚焦元件阵列包括基板11和在基板11的第一侧11a上形成的多个透镜12。基板11大体上对所用的辐射光束是透明的。因此，当辐射入射到基板11的第二表面11b上时，该第二表面11b在基板11上与第一侧11a相对的侧面上，辐射可透射过基板11并由每个透镜12聚焦到相应的焦点13。如所示出的在如图5a所示的实例中，与每个透镜12相关联的焦点13没有位于一个单平面中。相反地，如所示出的，焦点13位于非平面表面14上。应该理解，在图5a所示的图示中，这种变化被放大了，实际上，该变化相对聚焦元件阵列的尺寸并不足够大。

由聚焦元件阵列(在图5a所示的实例中是透镜阵列)产生的焦平面误差由形成聚焦元件阵列的处理形成。有多种方法用于形成这种聚焦元件阵列。例如，通过选择性地蚀刻透明基板的表面从而在基板表面上形成多个圆柱形突出，可以形成透镜阵列。随后至少加热基板上的突出使得突出在重力的作用下部分下陷。通过足够小心地控制加热，该下陷可以控制成使得圆柱形突出下陷成期望形状，每个突出用作一个透镜。

在制造透镜阵列的另一个实例中，光敏材料层形成在基板上并暴露在辐射图案下，以及如所需地进行曝光后处理，从而在基板上形成多个圆柱形的抗蚀剂材料突出。随后，将这些突出加热以执行对圆柱体的受控下陷，从而以类似于前面描述的方式由突出形成透镜。

基于这种受控下陷(slumping)的处理通常称为回流方法。形成透镜阵列的其它方法包括在模具中形成透镜阵列，模压基板而形成透镜，蚀刻和/或铣削成所需的形状。应该理解，本发明不限于和用一种或多种特殊制造方法形成的聚焦元件阵列一起使用。不管是哪种制造聚焦元件阵列的方法，都可以预期一些缺陷。

图5b示出了根据本发明的一个实施例的聚焦元件阵列，其调节成使得可以减小焦平面误差。如所示出的，聚焦元件阵列具有校正表面15。该校正表面15成形为使得与每个聚焦元件(其在图5a和5b的实例中是透镜)相关联的新焦点13′位于接近一平面的表面14′内。换句话说，表面14′近似平面。应该理解，理想的是校正表面15成形为使得调节的焦点13′精确地位于单平面中。但是，由于准确确定校正表面15的所需形状并实际形成该校正表面的能力受到限制，因此这也许是不可能的。因此，校正表面15成形为使得与每个聚焦元件相关联的调节的焦点13′比当校正表面为平面时更接近单平面。应该理解，存在多个标准，所述标准用于判断校正表面15改进了焦点相对给定平面的接近度。例如，校正表面可以成形为使焦点和给定平面之间的平均间隔最小。附加地或可替换地，校正表面15成形为使任一焦点和给定平面之间的最大间隔最小。附加地或可替换地，校正表面15选择成使焦点和给定平面之间的间隔的标准偏差最小。

附加地或可替换地，校正表面15选择成使聚焦元件阵列的两个相对边缘之间的差距最小。根据光刻装置的结构，通过聚焦元件阵列一侧上的聚焦元件聚焦到基底上的辐射曝光的部分基底可以与通过聚焦元件阵列的相对侧上的聚焦元件聚焦到基底上的辐射曝光的部分基底相邻，例如在较晚的曝光或连续曝光的较后工作台中。如果在相应于聚焦元件阵列的第一侧上的聚焦元件的焦点分布和相应于聚焦元件阵列的相对侧上的聚焦元件的焦点分布之间存在较大的差距，那么就会在由聚焦元件阵列的不同侧曝光的基底上的相邻区域之间的边界上产生所形成图案的不连续。由于曝光系统的重复性质，这种不连续会在基底上重复，从而导致图案伪像，该图案伪像会严重地损害所形成器件的功能。因此，期望的是形成校正表面15，特别地是为了使聚焦元件阵列的任一侧上的聚焦元件的焦点分布之间的差距最小。

校正表面可以特别地制造成校正由聚焦元件阵列引入的误差。在这种情况下，例如聚焦元件阵列可以单独地进行检查，以测量聚焦元件的焦点位置。由此，能够确定校正表面所需的形状，从而焦点比如果校正表面为平面时更接近单平面。随后，提供校正表面给聚焦元件以形成改进的聚焦元件阵列。

应该理解该处理是重复的，使得具有校正表面的聚焦元件阵列被检查，从而确定校正表面的改进形状。然后将该改进的校正表面应用于聚焦元件阵列以及如果需要，重复所述处理，直到聚焦元件阵列已经改进到所需的程度。还应该理解当测量聚焦元件的焦点位置时，可以测量所有焦点或测量焦点取样。例如如果以一致的方式在阵列上改变的变化是已知的或预期的，可以使用一个取样。在这种情况下，仅测量取样可以增大处理的速度而不显著地减小其效果。

应该理解，校正表面可以附加地用于校正装置如光刻装置中其它元件引入的缺陷，其中聚焦元件阵列将被使用和/或聚焦元件阵列和该装置中的其它元件之间的相互作用会引起缺陷。因此，当在装置中安装了聚焦元件阵列时，可以测量焦点(所有焦点或取样)位置。应该理解，例如如果聚焦元件阵列不直接将辐射投影到基底上，可以在基底水平上进行焦点位置对最佳平面的变化的测量。

为了仅仅改进聚焦元件阵列中内在的缺陷或改进所安装的聚焦元件阵列中的缺陷，可以确定校正表面的形状。在任何一种情况下，当聚焦元件阵列或其所被安装到的装置形成时或者在聚焦元件阵列或其所被安装到的装置的使用期限中可执行该处理。例如，在光刻装置中使用聚焦元件阵列的情况下，可以周期地检查焦点相对最佳平面的偏差，如果偏差发生变化和/或变得比可接收的水平更大，那么校正表面将被新的校正表面替代和/或进行修改。同样，应该理解可以将根据本发明的校正表面提供给聚焦元件阵列或采用了聚焦元件的光刻装置，最初形成的所述光刻装置没有这种校正表面。

还应该理解，每个聚焦元件的焦点对于不同的辐射波长是不同的。因此，对于一个或多个特殊的波长和/或对于特定范围的辐射波长，可以确定校正表面的所需形状。例如，在光刻装置中使用聚焦元件阵列的情况下，对于光刻装置投影到基底上的辐射波长来说，可以确定校正表面的所需形状。

还应该理解，对于多个不同波长的辐射来说，能够确定校正表面的形状，即使对于每个波长的最佳焦平面是不同的，所述校正表面可以改进焦点相对最佳焦平面的接近度。例如，单一形状的校正表面可以得到聚焦到足够接近第一平面的多个焦点的第一波长辐射和聚焦到足够接近第二平面的多个焦点的第二波长辐射，所述第二平面不同于所述第一平面。

实施例1

图6a示出了根据本发明的一个实施例用于提供校正表面的第一布置。如所示出的，聚焦元件阵列20包括基板21。多个透镜22安装、形成或者布置在基板21的第一侧21a上。基板21由一种材料构成，所述材料对结合聚焦元件阵列使用的辐射大体上是透明的。校正表面可应用于基板21的第二侧21b。该第二侧21b位于基板21上与第一侧21a相对的侧面上。例如通过抛光、蚀刻或铣削基板21的第二侧21b上的初始表面21c，可以形成校正表面。

实施例2

图6b示出了根据本发明的另一个实施例的第二布置，通过第二布置校正表面可应用于聚焦元件阵列。如所示出的，聚焦元件阵列30包括基板31。多个透镜32形成、安装或布置在基板的第一侧31a上。基板31对所用的辐射大体上是透明的。校正表面33a形成在校正板33的第一侧上。校正板33还可以由一种材料构成，所述材料对所用的辐射大体上是透明的。校正板由一种具有与基板31相同的热膨胀系数的材料构成。因此，例如在使用中产生的聚焦元件阵列的任何发热都不会导致基板31和校正板33的膨胀量不同，从而不会导致至少部分校正表面相对聚焦元件阵列的相对移动和/或在元件中产生应力。用于校正板33的材料可以选择成使得它大体上具有与基板31的材料相同的折射率。因此，可以使在基板31和校正板33之间的边界处的辐射反射最小化。校正板33可以由与基板31相同的材料构成。

校正表面33a形成在校正板33的第一侧上。在校正板33中与校正表面33a相对的表面上，校正板33的第二侧33b与基板31的第二侧31b(基板的第二侧31b布置在基板31中与基板的第一侧31a相对的侧面上)连接。基板的第二侧31b的形状和校正板的第二侧33b可以一致，使得基板31和校正板33之间的间隔在板上最小化。特别地，基板的第二侧31b和校正板的第二侧33b可以是平面的。

用于将校正板33固定在基板31上的粘合剂可以是任何适合于该用途的粘合剂。该粘合剂例如是粘合层34。可替换地或附加地，基板31和校正板33例如可以被加热并挤压在一起而形成焊缝。可替换地或附加地，校正板33可以通过所谓“附着(ansprengen)”的连接技术与基板31连接。在该技术中，抛光两个表面直到它们完全没有变形和/或污染，当将它们布置在一起时，所述表面通过直接晶体键合连接在一起。

在基板31和校正板33之间需要材料例如粘合剂34以形成连接的地方，根据所用材料的厚度，这种材料选择成对所用辐射是大体上透明的。该材料可替换地或附加地选择成使得材料的折射率与基板31和校正板33中的至少一个相似，从而使材料和基板以及校正板之间的边界上的辐射反射最小化。可替换地或附加地，该材料选择成使得如果需要，可以在稍晚的时候去除连接。随后去除校正板，并在与基板31重新连接时进行更换或调节。

实施例3

图6c示出了根据本发明的又一个实施例的另一种布置，通过这种布置校正表面可以应用于聚焦元件阵列。该布置与上面对图6b示出的实施例描述的布置相似，因此相应的描述将不再重复。在这种布置中，基板31和校正板33之间的连接可以用紧固件代替。在示出的实例中，紧固件是一个或多个夹具35，其将校正板33保持在基板31上。应该理解可替换地或附加地，可以使用其它紧固件例如螺栓和/或磁性夹和/或真空夹。这种布置有利于去除校正板，例如为了更换或调节。这种布置例如允许去除校正板33，同时聚焦元件阵列安装在将要在其中使用的装置的其余部分上。紧固件布置成使得可以改变校正板33相对基板31的位置。这样当将聚焦元件阵列安装在将要在其中使用的装置上时，可以改进校正板33相对基板31的对准精度和/或改变校正板33相对基板31的对准。

如上所述和如图6c所示，尽管校正板33可以固定在聚焦元件阵列的基板31上，但是校正板33可以安装在远离基板的位置上。对于调节或更换来说，这有利于去除校正板，而不会干涉单独可控元件阵列。应该理解，在这种情况下，将适当地选择校正表面。

实施例4

图7示出了根据本发明的又一个实施例的另一种布置，通过这种布置校正表面可以应用于聚焦元件阵列。如所示出的，和校正板43的厚度相比，支撑聚焦元件42以形成聚焦元件阵列的基板41相对较薄。校正板43具有校正表面43a，基板41与校正表面43a连接。特别地，基板41的侧面41a与其上连接、安装或者支撑了聚焦元件42的侧面相对，并与校正表面43a连接，使得聚焦元件阵列的基板41变形成与校正表面43a的形状一致。得到的聚焦元件阵列的变形可调节相应于聚焦元件的焦点的相对位置，使得它们更接近给定平面44。

基板41通过如上所述的任何方法与校正板43连接，包括使用粘合剂连接、焊接、直接晶体键合(“附着”)，和/或取决于校正表面的形状、通过一种或多种夹具的固定，所述夹具例如是螺栓、磁性夹和真空夹。

实施例5

根据本发明的另一个实施例，可替换地或附加地校正表面可应用于使用了聚焦元件阵列的装置中的另一个元件，而不是应用于聚焦元件阵列本身。例如，在光刻装置的投影系统中使用单独可控元件阵列的地方(例如图2所示的)，校正表面可以应用于投影系统中的其它元件。例如，投影系统中的一个或多个光学元件L1、AL、L2的表面可以调节成结合到校正表面上。可替换地或附加地，可以将附加的光学元件引入到投影系统中，从而结合到校正表面上。这种布置在结合反射的聚焦元件阵列一起使用时是特别有益的。这对于用辐射如EUV辐射操作的装置来说是所需的，所述EUV辐射很容易被大多数材料吸收，因此，它通常结合反射的光学元件一起使用。在这种布置中，校正表面可以容易地应用于现有的投影系统中的反射器，也就是可以改变现有反射器的形状。可替换地或附加地，一个或多个附加的反射元件包括在投影系统中，包括校正表面。

尽管可以在本申请中具体参考使用该光刻装置制造特定器件(例如集成电路或平板显示器)，但是应该理解这里描述的光刻装置可能具有其它应用。这些应用包括但不限于制造集成电路、集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头、微电子机械器件(MEMS)等等。此外，例如在平板显示器中，本装置可以用于辅助形成各个层，所述层例如是薄膜晶体管层和/或滤色镜层。

尽管上面已经描述了本发明的具体实施例，但是应该理解可以不同于所描述的实施本发明。例如，本发明可以采取计算机程序的形式，该计算机程序包含一个或多个序列的描述了上面所公开的方法的机器可读指令，或者包含其中存储有这种计算机程序的数据存储介质(例如半导体存储器、磁盘或光盘)。

结论

尽管上面已经描述了本发明的各个实施例，但是应该理解这些实施例仅仅是作为实例，而不是限制。对本领域技术人员来说显而易见的是，在不脱离本发明的精神和范围的条件下可以在形式和细节上作各种变化。因此，本发明的宽度和范围不应由上述示例性实施例中的任何一个限制，而是仅仅根据下面的权利要求和其等同物进行限定。

应该理解，不包括发明内容和摘要部分的详述的说明书部分可以用于解释权利要求。发明内容和摘要部分可以列出一个或多个，但是并非由本发明人设想的所有本发明的示例性实施例不是为了以任何方式限制本发明和随附的权利要求。

Claims (21)

1.一种光刻装置，包括：

调制辐射光束的构图部件；

将调制的辐射光束投影到基底的靶部上的投影系统，所述投影系统包括

聚焦元件阵列，其配置成使得聚焦元件阵列中的每个聚焦元件将部分调制的辐射光束聚焦到基底上，和

非平面校正表面，其成形为使得当投影系统将调制的辐射光束投影到基底上时，聚焦元件的焦点比当校正表面为平面时更接近单平面。

2.根据权利要求1所述的光刻装置，其中所述聚焦元件阵列包括：

对辐射光束大体上透明的基板；和

位于基板的第一侧上的透镜阵列，

其中与第一侧相对的基板的第二侧成形为形成非平面校正表面。

3.根据权利要求1所述的光刻装置，其中所述聚焦元件阵列包括：

由基板支撑的多个聚焦元件；和

校正板，其上形成有非平面校正表面。

4.根据权利要求3所述的光刻装置，其中所述校正板结合到所述基板上。

5.根据权利要求4所述的光刻装置，其中：

所述基板和所述校正板对辐射光束是大体上透明的；

所述聚焦元件是位于所述基板的第一侧上的透镜；以及

所述校正板结合到与基板的第一侧相对的第二侧。

6.根据权利要求3所述的光刻装置，其中所述校正板通过紧固件与所述基板连接。

7.根据权利要求6所述的光刻装置，其中：

所述基板和所述校正板对辐射光束是大体上透明的；

所述聚焦元件是位于所述基板的第一侧上的透镜；

所述非平面校正表面形成在所述校正板的第一侧上；以及

所述校正板固定在所述基板上，使得与相应的第一侧相对的基板第二侧和与相应的第一侧相对的校正板第二侧保持彼此相靠。

8.根据权利要求3所述的光刻装置，其中所述基板与所述校正表面连接，使得所述基板变形成与所述校正表面的形状一致。

9.根据权利要求3所述的光刻装置，其中所述基板和所述校正板具有大体上相同的热膨胀系数。

10.根据权利要求3所述的光刻装置，其中所述基板和所述校正板具有大体上相同的折射率。

11.一种聚焦元件阵列，包括：

非平面校正表面，其成形为使得当辐射光束入射到所述聚焦元件阵列上时，所述聚焦元件阵列中的每个聚焦元件的相应焦点比当校正表面为平面时更接近单平面，

其中当辐射光束入射到所述聚焦元件阵列上时，对于给定波长的辐射来说每个聚焦元件将部分辐射光束聚焦到相应的焦点。

12.一种器件制造方法，包括：

使用包括聚焦元件阵列的投影系统将调制的辐射光束投影到基底上；

使用所述聚焦元件阵列中的每个聚焦元件将部分调制的辐射光束聚焦到基底上；和

使用非平面的校正表面，其成形为使得当投影系统将调制的辐射光束投影到基底上时，所述聚焦元件的焦点比当校正表面为平面时更接近单平面。

13.根据权利要求12所述的方法制造的平板显示器。

14.根据权利要求12所述的方法制造的集成电路器件。

15.一种方法，包括：

当辐射光束入射到聚焦元件阵列上时测量聚焦元件阵列的焦点位置；

根据测量步骤确定非平面校正表面的形状，使得当所述校正表面应用于所述聚焦元件阵列时，所述焦点比它们在测量步骤中更接近单平面；和

提供具有根据确定步骤成形的校正表面的聚焦元件阵列。

16.根据权利要求15所述的方法，还包括：

形成聚焦元件阵列，其包括

提供对辐射光束大体上透明的基板；和

连接位于所述基板的第一侧上的透镜阵列；其中提供具有所述校正表面的聚焦元件阵列的步骤包括在所述基板的第二侧上形成形状，所述第二侧与所述第一侧相对。

17.根据权利要求15所述的方法，其中提供具有所述校正表面的聚焦元件阵列包括：

在校正板上形成形状；和

使所述校正板与所述聚焦元件阵列连接。

18.一种配置具有投影系统的光刻装置的方法，所述投影系统包括聚焦元件阵列，使得每个聚焦元件将相应部分的调制的辐射光束聚焦到基底上，所述方法包括下列步骤：

测量聚焦元件阵列将调制的辐射光束的相应部分聚焦的焦点位置；

确定非平面校正表面的形状，使得当校正表面包括在投影系统中时，聚焦元件将调制的辐射光束的相应部分聚焦的焦点比它们在测量步骤中更接近单平面；以及

提供具有根据确定步骤成形的校正表面的投影系统。

19.根据权利要求18所述的方法，其中所述聚焦元件阵列包括：

对调制的辐射光束大体上透明的基板；和

位于基板的第一侧上的透镜阵列，

其中提供具有所述校正表面的投影系统的步骤包括在所述基板的第二侧上形成形状，所述第二侧与所述第一侧相对。

20.根据权利要求18所述的方法，其中提供具有校正表面的投影系统的步骤包括：

在校正板上形成形状；和

在投影系统中安装所述校正板。

21.根据权利要求20所述的方法，其中在投影系统中安装所述校正板包括使所述校正板与所述聚焦元件阵列连接。

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