CN1944069A - 激光诱导热成像设备和制造有机发光二极管的方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种激光诱导热成像设备以及使用该设备制造有机发光二极管的方法，其在真空中利用磁力层叠受主衬底和施主膜，且用于在该受主衬底上形成像素阵列。衬底台包括磁体或磁物质。该受主衬底具有用于形成第一、第二和第三子像素的像素区，该施主膜具有将被转移到该像素区的有机发光层。激光振荡器照射激光到该施主膜。接触框架适于设置在该衬底台与该激光振荡器之间，且用于与该衬底台形成磁力。该接触框架包括激光穿过的开口。接触框架供给机构在该衬底台的方向上移动该接触框架。

Description

激光诱导热成像设备和制造有机发光二极管的方法

技术领域

本发明涉及激光诱导热成像设备以及使用该设备的有机发光二极管的制造方法，尤其涉及激光诱导热成像设备以及使用该设备的有机发光二极管的制造方法，其使用磁力层叠施主膜和受主衬底。

背景技术

有机发光器件包括形成在第一和第二电极之间的发光层，并且当在电极之间施加电压时发光。激光诱导热成像(LITI)工艺可用来制造有机发光器件。

通常，对于激光诱导热成像而言至少需要激光器，受主衬底和施主衬底(或施主膜)。在激光诱导热成像方法中，将激光照射到包括基础衬底的施主衬底、光热转化层(LTHC)和转移层(transfer layer)(或成像层)上，从而在光热转化层将通过基础衬底的激光转化成热，使得光热转化层变形和扩展。这样，邻近光热转化层的转移层也变形和扩展，且转移到(或成像到)受主衬底上。

当执行激光诱导热成像法时，其中执行转移的室通常变为真空状态。然而，现有技术中，问题在于，当在真空状态下执行激光到热的转化时，因为在施主衬底和受主衬底之间形成了间隔(或间隙)或杂质而转移层不很好地转移。因此，在激光诱导热成像方法中，层叠施主和受主衬底是重要的，为了解决间隔或杂质的问题，已经研究出了各种方法。

图1是剖视图，示出了用于解决上述问题的现有技术激光诱导热成像设备10。根据图1，激光诱导热成像设备10包括位于室11内的衬底台12和位于室11上部的激光辐射设备13。衬底台12是用于放置依次引入室11中的受主衬底14和施主膜15的台。

在转移施主膜15的转移层到受主衬底14之前将受主衬底14和施主膜15彼此层叠。在层叠期间，室11通常没有保持在真空状态，而使用真空泵P来吸收杂质。由于在层叠期间室不处于真空状态，所以所得有机发光器件的可靠性或寿命由于室11中的氧气，湿气等而减小。

另一方面，当室11在层叠期间保持在真空状态时，难以绝对防止在受主衬底14和施主膜15之间产生杂质1和间隔。

发明内容

因此，本发明的一个方面是提供一种激光诱导热成像设备和使用该设备制造有机发光二极管的方法，其在真空状态中利用磁力层叠受主衬底和施主膜，且用于在受主衬底上形成像素阵列。

本发明的前述和/或其他方面通过提供一种激光诱导热成像设备实现，该设备包括：包括磁体或磁物质的衬底台，所述受主衬底和施主膜顺序供给和层叠在该衬底台上，该受主衬底具有像素定义区，其中以条图案形成第一、第二和第三子像素，该施主膜具有将要在该像素定义区转移的有机发光层；用于将激光照射到该施主膜的激光振荡器；接触框架，适于设置在该衬底台和该激光振荡器之间，用于与该衬底台形成磁力，且包括激光穿过的开口；以及用于沿衬底台方向移动该接触框架的接触框架供给机构。

根据本发明第一实施例的另一方面，提供一种通过该激光诱导热成像设备制造具有形成在电极之间的发光层的有机发光二极管的方法，该方法包括：放置具有像素定义区的受主衬底在具有磁体的衬底台上，在该像素定义区中以条图案形成第一、第二和第三子像素；放置施主膜在该受主衬底上，该施主膜具有将在该像素定义区上被转移的有机发光层；利用磁吸引力将第一接触框架附着到第一施主膜，该第一接触框架具有磁体，第一开口形成在该第一接触框架上，用于转移第一颜色有机发光层的激光穿过该开口；穿过该第一接触框架的第一开口照射激光到该第一施主膜上，从而将该第一颜色有机发光层转移到第一子像素区；从该第一施主膜分离该第一接触框架；放置具有第二颜色有机发光层的第二施主膜在该受主衬底上代替该第一施主膜；利用磁吸引力将第二接触框架附着到第二施主膜，该第二接触框架具有磁体，第二开口形成在该第二接触框架上，用于转移第二颜色有机发光层的激光穿过该第二开口；穿过该第二接触框架的第二开口照射激光到该第二施主膜从而将该第二颜色有机发光层转移到第二子像素区；从该第二施主膜分离该第二接触框架；放置具有第三颜色有机发光层的第三施主膜在该受主衬底上代替该第二施主膜；利用磁吸引力将第三接触框架附着到第三施主膜，该第三接触框架具有磁体，第三开口形成在该第三接触框架，用于转移第三颜色有机发光层的激光穿过该第三开口；以及穿过该第三接触框架的第三开口照射激光到该第三施主膜从而将第三颜色有机发光层转移到第三子像素区。

根据本发明第二实施例的另一方面，激光诱导热成像设备包括：包括磁体或磁物质的衬底台，所述受主衬底和施主膜顺序供给和层叠在该衬底台上，该受主衬底具有像素定义区，在该像素定义区内以镶嵌图案(mosaicpattern)形成第一、第二和第三子像素，该施主膜具有将要在该像素定义区上转移的有机发光层；用于将激光照射到该施主膜的激光振荡器；接触框架，适于设置在该衬底台与该激光振荡器之间，用于与该衬底台形成磁力，且包括该激光穿过的开口；以及用于在该衬底台的方向上移动该接触框架的接触框架供给机构。

根据本发明第二实施例的另一方面，提供一种通过该激光诱导热成像设备制造具有形成在电极之间的发光层的有机发光二极管的方法，该方法包括：放置具有像素定义区的受主衬底在具有磁体的衬底台上，在该像素定义区中以镶嵌图案形成第一、第二和第三子像素；放置施主膜在该受主衬底上，该施主膜具有将在该像素定义区上被转移的有机发光层；利用磁吸引力将第一接触框架附着到第一施主膜，该第一接触框架具有磁体，第一开口形成在该第一接触框架上，用于转移第一颜色有机发光层的激光穿过该开口；穿过该第一接触框架的第一开口照射激光到该第一施主膜上，从而将该第一颜色有机发光层转移到第一子像素区；从该第一施主膜分离该第一接触框架；放置具有第二颜色有机发光层的第二施主膜在该受主衬底上代替该第一施主膜；利用磁吸引力将第二接触框架附着到第二施主膜，该第二接触框架具有磁体，第二开口形成在该第二接触框架上，用于转移第二颜色有机发光层的激光穿过该第二开口；穿过该第二接触框架的第二开口照射激光到该第二施主膜从而将该第二颜色有机发光层转移到第二子像素区；从该第二施主膜分离该第二接触框架；放置具有第三颜色有机发光层的第三施主膜在该受主衬底上代替该第二施主膜；利用磁吸引力将第三接触框架附着到第三施主膜，该第三接触框架具有磁体，第三开口形成在该第三接触框架，用于转移第三颜色有机发光层的激光穿过该第三开口；以及穿过该第三接触框架的第三开口照射激光到该第三施主膜从而将该第三颜色有机发光层转移到第三子像素区。

根据本发明第三实施例的一方面，提供一种激光诱导热成像设备，包括：包括磁体或磁物质的衬底台，所述受主衬底和施主膜顺序供给且层叠在该衬底台上，该受主衬底具有像素定义区，在该像素定义区内以三角图案形成第一、第二和第三子像素，该施主膜具有将要在该像素定义区转移的有机发光层；用于照射激光到该施主膜的激光振荡器；接触框架，适于设置在该衬底台和该激光振荡器之间，用于与该衬底台形成磁力，且包括激光可穿过的开口；以及用于在该衬底台方向移动该接触框架的接触框架供给机构。

根据本发明第三实施例的另一方面，提供一种通过该激光诱导热成像设备制造具有形成在电极之间的发光层的有机发光二极管的方法，该方法包括：放置具有像素定义区的受主衬底在具有磁体的衬底台上，在该像素定义区中以三角图案形成第一、第二和第三子像素；放置施主膜在该受主衬底上，该施主膜具有将在该像素定义区上被转移的有机发光层；利用磁吸引力将第一接触框架附着到第一施主膜，该第一接触框架具有磁体，第一开口形成在该第一接触框架上，用于转移第一颜色有机发光层的激光穿过该开口；穿过该第一接触框架的第一开口照射激光到该第一施主膜上，从而将该第一颜色有机发光层转移到第一子像素区；从该第一施主膜分离该第一接触框架；放置具有第二颜色有机发光层的第二施主膜在该受主衬底上代替该第一施主膜；利用磁吸引力将第二接触框架附着到第二施主膜，该第二接触框架具有磁体，第二开口形成在该第二接触框架上，用于转移第二颜色有机发光层的激光穿过该第二开口；穿过该第二接触框架的第二开口照射激光到该第二施主膜从而将该第二颜色有机发光层转移到第二子像素区；从该第二施主膜分离该第二接触框架；放置具有第三颜色有机发光层的第三施主膜在该受主衬底上代替该第二施主膜；利用磁吸引力将第三接触框架附着到第三施主膜，该第三接触框架具有磁体，第三开口形成在该第三接触框架，用于转移第三颜色有机发光层的激光穿过该第三开口；以及穿过该第三接触框架的第三开口照射激光到该第三施主膜从而将该第三颜色有机发光层转移到第三子像素区。

根据本发明第四实施例的一方面，提供一种用于形成有机发光二极管的发光层的激光诱导热成像设备，该有机发光二极管中一个像素包括具有第一到第三发光层的至少三个子像素，该第一到第三发光层的至少一个共同地形成在像素部分的整个表面，该设备包括：包括衬底台和接触框架的室，该衬底台具有磁体或磁材料，该接触框架适于设置在该衬底台和激光振荡器之间，在该室中执行激光诱导热成像；该激光振荡器，用于照射激光到该接触框架和施主膜；以及接触框架供给机构，用于在该衬底台方向移动该接触框架，其中该接触框架包括开口，所述第一和第二子像素与该开口对应地形成，且该衬底台与该接触框架形成磁力。

根据本发明第四实施例的另一方面，提供一种通过该激光诱导热成像设备制造具有形成在第一和第二电极之间的发光层的有机发光二极管的方法，该方法包括：放置具有构成一个像素的第一、第二和第三子像素区的受主衬底在具有磁体或磁物质的衬底台上；放置施主膜在该受主衬底上，该施主膜具有将在该像素定义区上被转移的有机发光层；利用磁吸引力将具有磁体或磁物质的接触框架附着到第一施主膜，开口形成在该接触框架上，用于转移第一和第二颜色有机发光层的激光穿过该开口；穿过该接触框架的开口从激光振荡器照射激光到该第一施主膜，从而将该第一颜色有机发光层转移到该第一子像素区；从该第一施主膜分离该接触框架；放置具有第二颜色有机发光层的第二施主膜在该受主衬底上代替该第一施主膜；利用磁吸引力再次将该接触框架附着到第二施主膜；以及穿过该接触框架的开口从激光振荡器照射激光到该第二施主膜从而将该第二颜色有机发光层转移到该第二子像素区，其中第三子像素的发光层沉积且形成在一像素部分区域，该像素部分区域中形成所述像素。

根据本发明第五实施例的一方面，提供一种激光诱导热成像设备，包括：包括磁体的衬底台，受主衬底和施主膜顺序供给且层叠在该衬底台上，该受主衬底具有像素定义区，该像素定义区中第一和第二子像素以及两个第三子像素构成一个像素，该施主膜具有将要在该像素定义区上转移的有机发光层；用于照射激光到该施主膜的激光振荡器；接触框架，适于设置在该衬底台和该激光振荡器之间，包括用于与该衬底台形成磁力的磁物质，且包括激光穿过的开口；以及接触框架供给机构，用于在该衬底台的方向上移动该接触框架，其中该接触框架包括第一和第二框架；第一和第二开口形成在该第一和第二框架；该第一和第二子像素形成在该第一开口，两个第三子像素形成在该第二开口，该第一和第二框架交替地安装从而形成有机发光二极管的发光层。

根据本发明第五实施例的另一方面，提供一种通过该激光诱导热成像设备制造具有形成在第一和第二电极之间的发光层的有机发光二极管的方法，该方法包括：放置具有构成一个像素的第一和第二像素区以及两个第三子像素区的受主衬底在具有磁体的衬底台上；放置施主膜在该受主衬底上，该施主膜具有将在该像素定义区上被转移的有机发光层；利用磁吸引力将具有磁体的第一接触框架附着到第一施主膜，开口形成在该接触框架上，用于转移第一和第二颜色有机发光层的激光穿过该开口；穿过该第一接触框架的开口照射激光到该第一施主膜，从而将该第一颜色有机发光层转移到该第一子像素区；从该第一施主膜分离该第一接触框架；放置具有第二颜色有机发光层的第二施主膜在该受主衬底上代替该第一施主膜；利用磁吸引力再次将第一接触框架附着到第二施主膜；穿过该第一接触框架的开口照射激光到该第二施主膜从而将该第二颜色有机发光层转移到该第二子像素区；从该第二施主膜分离该第一接触框架，且用第二接触框架替代该第一接触框架，该第二接触框架包括磁体，开口形成在该第二接触框架，用于转移该第三施主膜的第三颜色有机发光层的激光穿过该开口；放置具有第三颜色有机发光层的第三施主膜在该受主衬底上代替该第二施主膜；利用磁吸引力将该第二接触框架附着到该第三施主膜；以及穿过该第二接触框架的开口照射激光到该第三施主膜从而将该第三颜色有机发光层转移到两个第三像素区。

根据本发明第六实施例的一方面，提供一种用于形成有机发光二极管的发光层的激光诱导热成像设备，包括：包括衬底台且适于接收接触框架的室，该衬底台具有磁体或磁材料，该接触框架适于设置在该衬底台和激光振荡器之间，在该室中执行激光诱导热成像；该激光振荡器，用于照射激光到该接触框架和施主膜；以及接触框架供给机构，用于在该衬底台方向移动该接触框架，该接触框架包括磁体或磁物质、第一、第二和第三接触框架；第一子像素、第二子像素和两个第三子像素构成一个像素，与第一子像素区对应的该第一开口形成在该第一接触框架，与第二子像素区对应的该第二开口形成在该第二接触框架，与两个第三子像素区对应的该第三开口形成在该第三框架；且该第一、第二和第三接触框架交替地安装从而形成有机发光二极管的发光层。

根据本发明第六实施例的另一方面，提供一种通过该激光诱导热成像设备制造具有形成在第一和第二电极之间的发光层的有机发光二极管的方法，该方法包括：放置具有构成一个像素的第一和第二像素区、以及两个第三子像素区的受主衬底在具有磁体或磁物质的衬底台上；放置具有将要在该像素定义区上被转移的有机发光层的施主膜在该受主衬底上；利用磁吸引力将具有磁体或磁物质的第一接触框架附着到第一施主膜，开口形成在该接触框架上，用于转移第一颜色有机发光层的激光穿过该开口；通过该第一接触框架的开口从激光振荡器照射激光到该第一施主膜，从而转移该第一颜色有机发光层到该第一子像素区；从该第一施主膜分离该第一接触框架，且用第二接触框架替代该第一接触框架，该第二接触框架包括磁体或磁物质，开口形成在该第二接触框架上，用于转移该第二施主膜的第二颜色有机发光层的激光穿过该开口；放置具有第二颜色有机发光层的第二施主膜在该受主衬底上代替该第一施主膜；利用磁吸引力将该第二接触框架附着到第二施主膜；穿过该第二接触框架的开口从激光振荡器照射激光到该第二施主膜，从而转移该第二颜色有机发光层到该第二子像素区；从该第二施主膜分离该第二接触框架，且用第二接触框架替换该第一接触框架，该第二接触框架包括磁体或磁物质，开口形成在该第三接触框架，用于转移该第三施主膜的第三颜色有机发光层的激光穿过该开口；放置具有该第三颜色有机发光层的第三施主膜在该受主衬底上代替该第二施主膜；利用磁吸引力将该第三接触框架附着到第三施主膜；以及穿过该第三接触框架的开口从激光振荡器照射激光到该第三施主膜，从而转移该第三颜色有机发光层到该第三子像素区。

附图说明

结合附图，本发明的这些和其他方面和特征将从下面对示例性实施例的描述变得明显且易于理解，附图中：

图1是剖视图，示出传统激光诱导热成像设备；

图2是分解透视图，示出根据本发明的激光诱导热成像设备的一个实施例；

图3A和图3B是平面图，示出根据本发明的激光诱导热成像设备的衬底台的一个示例；

图4是示出根据本发明的激光诱导热成像设备的激光振荡器的一个示例的视图；

图5A、图5B和图5C是平面图，分别示出根据本发明第一实施例的第一接触框架、第二接触框架和第三接触框架；

图5D是平面图，示出由图5A、5B和5C所示的第一、第二和第三接触框架形成的有机发光二极管的像素阵列；

图6是透视图，示出根据本发明一实施例的激光诱导热成像设备的接触框架供给机构；

图7是流程图，示出根据本发明第一实施例的有机发光二极管的制造方法；

图8A、图8B和图8C是平面图，分别示出根据本发明第二实施例的第一接触框架、第二接触框架和第三接触框架；

图8D是平面图，示出由图8A、8B和8C所示的第一、第二和第三接触框架形成的有机发光二极管的像素阵列；

图9A和图9B是平面图，分别示出根据本发明第三实施例的第一接触框架和第二接触框架；

图9C是平面图，示出由图9A和9B所示的第一和第二接触框架形成的有机发光二极管的像素阵列；

图10是流程图，示出根据本发明第三实施例的有机发光二极管的制造方法；

图11A是平面图，示出根据本发明第四实施例的接触框架；

图11B是平面图，示出由图11A所示的接触框架形成的有机发光二极管的像素阵列；

图12是流程图，示出根据本发明第四实施例的有机发光二极管的制造方法；

图13A和图13B是平面图，分别示出根据本发明第五实施例的第一接触框架的一个示例和第二接触框架的一个示例；

图13C是平面图，示出由图13A和13B所示的第一和第二接触框架形成的有机发光二极管的像素阵列；

图13D和13E是平面图，分别示出根据本发明第五实施例的第一接触框架的另一示例和第二接触框架的另一示例；

图13F是平面图，示出由图13D和13E所示的第一和第二接触框架形成的有机发光二极管的像素阵列；

图14是流程图，示出根据本发明第五实施例的有机发光二极管的制造方法；

图15A、图15B和图15C是平面图，分别示出根据本发明第六实施例的第一接触框架的一个示例、第二接触框架的一个示例和第三接触框架的一个示例；

图15D是平面图，示出由图15A、15B和15C所示的第一、第二和第三接触框架形成的有机发光二极管的像素阵列；

图15E、图15F和图15G是平面图，分别示出根据本发明第六实施例的第一接触框架的另一示例、第二接触框架的另一示例和第三接触框架的另一示例；

图15H是平面图，示出由图15E、15F和15G所示的第一、第二和第三接触框架形成的有机发光二极管的像素阵列；

图16是流程图，示出根据本发明第六实施例的有机发光二极管的制造方法。

具体实施方式

<实施例1>

下文中，将参考附图描述本发明的示例性实施例。这里，当一元件描述为连接到另一元件时，该元件可直接连接到另一元件或者通过第三元件间接连接到另一元件。此外，为清楚起见而省略了对完整理解本发明不是必需的一些部分。此外，全文中相似的附图标记表示相似的元件。图2是透视图，示出根据本发明的激光诱导热成像设备的一实施例。参考图2，激光诱导热成像设备100包括衬底台(stage)110、激光振荡器120、接触框架130、接触框架供给机构140和室150。

首先，用于激光诱导热成像设备100的室可以作为室150使用。衬底台110和接触框架130安装在室150内。施主膜200和受主衬底300被装进室150中。为此，用于将施主膜200和受主衬底300装进室150中的供给机构(未示出)设置于室150外。

根据本发明一实施例的受主衬底300具有像素定义区(或像素区)，其中第一、第二和第三子像素以条图案形成，施主膜200包括用于转移有机发光层到受主衬底300的像素定义区的转移层(或成像层)。

衬底台110设置在室150的下表面或其附近。在所描述的本发明的实施例中，衬底台110设置有至少一个电磁体(未在图2中示出)。然而，本领域技术人员应当理解，在不偏离本发明的原则和精神下，代替该电磁体或除了该电磁体之外，可使用永磁体或磁物质。

将参考图3A和3B描述包括在衬底台110中的电磁体。图3A和3B是平面图，分别示出在衬底台110中电磁体113共中心地形成或者以多条线形成。如图3A所示，当衬底台110的电磁体113共中心地设置时，功率首先施加到定义最里面的同心圆115的第一电磁体113。在此情况下，功率施加到定义围绕该最里面的同心圆115的第二内部同心圆117的第二电磁体113。接着，功率施加到定义第二内部同心圆外的同心圆119的第三电磁体113，结果产生与稍后描述的接触框架的磁体的磁吸引力从而实现层叠，同时最小化或减小施主膜200a与受主衬底300之间杂质或间隔的产生。

此外，在所述实施例中，如图3B所示，当衬底台110的电磁体113以多个横向和纵向线形成时，功率仅施加到激光照射到其上的电磁体113或者仅施加到对应线的电磁体113，从而产生与稍后描述的接触框架的磁体的磁吸引力。因此，仅在激光照射的部分处施主膜200b和受主衬底300之间连续实现局部层叠，结果完成了层叠，同时最小化或减少间隔或杂质的产生。用于施加功率的电布线可安装在每个电磁体上。

衬底台110还包括用于供给衬底台110的驱动机构(未示出)。当供给衬底台110时，激光振荡器120可配置为沿一方向照射激光。例如，当激光沿纵向照射且衬底台110还包括用于供给衬底台110的驱动机构时，激光可照射到施主膜200的整个表面。

另外，衬底台110还可包括用于接收和安装受主衬底300和施主膜200的安装机构。安装机构用于安装受主衬底300，施主膜200通过在衬底台110的预定位置处的供给机构被供给在室150中。

在该实施例中，安装机构可包括通孔410和510、导向杆420和520、移动板430和530、支撑构件440和540、以及安装槽450和550。导向杆420随着移动板430和支撑构件440上升或下降。导向杆420通过通孔410上升从而接收受主衬底300。导向杆420下降从而将受主衬底300安装在形成于衬底台110上的第一安装槽450中。本领域技术人员知晓如何基于这里的公开实现安装机构。此外，本领域技术人员可改变安装机构，其不限于此。

激光振荡器120可安装在室150的外部或内部。可以安装激光振荡器120使得激光器设置在上部。参考示出激光振荡器120的示意图的图4，CWDN:YAG激光器(1604纳米)可以用作本实施例的激光振荡器。激光振荡器包括两个检流计扫描器(galvano meter scanner)121和123、扫描透镜125、以及圆柱体透镜127。然而，本发明不限于此。

接触框架130包括一个或更多电磁体、一个或更多永磁体、或者磁物质。接触框架130与衬底台110的磁体形成磁力，使得设置在衬底台110和接触框架130之间的施主膜200和受主衬底300能被牢固地层叠。接触框架130包括激光可穿过的开口槽(或开口)133。因此，接触框架130也用作掩模，从而仅在预定位置照射激光。在所述实施例中，磁物质包括铁磁物质和/或弱磁物质。在所述实施例中，磁层(或磁物质)由选自包括Fe、Ni、Cr、Fe₂O₃、Fe₃O₄、CoFe₂O₄、磁纳米颗粒、及其混合物的组的一种形成。

接触框架包括第一框架130a_1、第二框架130b_1和第三框架130c_1。第一开口槽133a_1形成在第一框架130a_1。根据将要转移的有机发光层，与第一开口槽133a_1对应地形成第一子像素。磁体或磁物质137a_1位于第一框架130a_1。第二开口槽133b_1形成在第二框架130b_1。根据将要转移的有机发光层，与第二开口槽133b_1对应地形成第二子像素。磁体或磁物质137b_1位于第二框架130b_1。第三开口槽133c_1形成在第三框架130c_1。根据将要转移的有机发光层，与第三开口槽133c_1对应地形成第三子像素。磁体或磁物质137c_1位于第三框架130c_1。第一、第二和第三框架130a_1、130b_1和130c_1交替地安装从而形成有机发光二极管的发光层。

此外，开口槽可基本形成在接触框架的整个表面。因此，它可制造为使用一个接触框架。然而，在此情况下，磁体仅可安装在接触框架的边缘，使得施主膜和受主衬底之间的磁力导致的层叠实际上并不像这里描述的那样发生。因此，在一个实施例中，磁体的面积等于或大于或者至少等于接触框架面积的50％。

图5A、5B和5C示出交替安装的第一、第二和第三接触框架的实施例。图5D是平面图，示出图5A、5B和5C所示的第一、第二和第三接触框架形成的有机发光二极管的条像素阵列。

对应其形成第一子像素的多个第一开口槽133a_1形成在图5A的第一接触框架130a_1。对应其形成第二子像素的多个第二开口槽133b_1形成在图5B的第二接触框架130b_1。对应其形成第三子像素的多个第三开口槽133c_1形成在图5C的第三接触框架130c_1。

接触框架供给机构140沿衬底台的方向移动或互换接触框架130，且可利用各种不同方法制造。如图6所示，接触框架供给机构140包括支架141、连接杆143和驱动机构145(作为方块图示出)。支架141包括固定槽142。连接杆143在室150的上表面连接到支架141。驱动机构上下驱动连接杆143和支架141。在此，如所示，当供给机构供给接触框架130时，接触框架130以安装在具有固定突出物134的托架135上的状态被供给。

第一接触框架130a_1和第二接触框架130b_1通过例如机械手的交换机构147(以方块图示出)进行交换。利用设置在支架上的第一接触框架130a_1形成第一子像素之后，机械手将第一接触框架130a_1从支架移到外部，且将第二接触框架130b_1定位到支架，从而实现交换以形成第二子像素。

接下来，将参考图2、5A-5C和7说明利用上述激光诱导热成像设备形成有机发光二极管的方法。通过激光诱导热成像设备制造具有形成在电极之间的发光层的有机发光二极管的方法包括受主衬底供给步骤ST100、第一施主膜供给步骤ST200、第一接触框架附着步骤ST300、第一子像素转移步骤ST400、第一接触框架分离步骤ST500、第二施主膜供给步骤ST600、第二接触框架附着步骤ST700、第二子像素转移步骤ST800、第二接触框架分离步骤ST900、第三施主膜供给步骤ST1000、第三接触框架附着步骤ST1100、以及第三子像素转移步骤ST1200。

受主衬底供给步骤ST100供给受主衬底300在具有磁体或磁物质的衬底台110上，在受主衬底300上形成有机发光层。在受主衬底300定义像素区。将要转移的发光层与像素区对应地形成。条型像素形成且布置在受主衬底300的像素区。

第一施主膜供给步骤ST200供给具有将要转移的发光层的第一施主膜在受主衬底300上。这里，发光层可以配置为一种颜色，例如红色。

第一接触框架附着步骤ST300利用磁吸引力将第一接触框架130a_1附着到第一施主膜。第一接触框架130a_1包括磁体或磁物质。第一开口槽133a_1形成在第一接触框架130a_1上，用于转移第一颜色有机发光层的激光穿过第一开口槽133a_1。在此，接触框架供给机构首先供给和附着第一接触框架130a_1在衬底台110上，且利用磁吸引力进一步将其牢固地附着。

通过穿过第一接触框架130a_1的第一开口槽133a_1在第一施主膜上照射激光，第一子像素转移步骤ST400扩展且转移第一施主膜中包括的第一颜色有机发光层在受主衬底300的第一子像素区上。此时，可以调整激光的照射范围使得激光仅照射到与开口槽对应的区域中的第一子像素区。

第一接触框架分离步骤ST500通过用磁排斥力首先分离第一接触框架130a_1，且然后通过升起接触框架到室150的上部，将第一接触框架130a_1从第一施主膜分离。

第二施主膜供给步骤ST600将第一施主膜从受主衬底的上部移到室外，且供给具有第二颜色有机发光层的第二施主膜在受主衬底300上。也就是，施主膜供给机构用第二施主膜代替第一施主膜。

第二接触框架附着步骤ST700利用磁吸引力将第二接触框架130b_1附着到第二施主膜。第二接触框架130b_1包括磁体或磁物质。第二开口槽133b_1形成在第二接触框架130b_1上，用于转移第二颜色有机发光层的激光穿过第二开口槽133b_1。在此，接触框架供给机构首先供给和附着第二接触框架130b_1在衬底台110上，然后通过磁吸引力将其牢固地附着。

通过穿过第二接触框架130b_1的第二开口槽133b_1照射激光在第二施主膜上，第二子像素转移步骤ST800扩展且转移第二施主膜中包括的第二颜色有机发光层在受主衬底300的第二子像素区上。此时，可以调整激光的照射范围使得激光仅照射到与开口槽对应的区域中的第二子像素区。

第三施主膜供给步骤ST1000将第二施主膜从受主衬底的上部移到室外，且供给具有第三颜色有机发光层的第三施主膜在受主衬底300上。也就是，施主膜供给机构用第三施主膜替代第二施主膜。

第三接触框架附着步骤ST1100利用磁吸引力将第三接触框架130c_1附着到第三施主膜。第三接触框架130c_1包括磁体或磁物质。第三开口槽133c_1形成在第三接触框架130c_1上，用于转移第三颜色有机发光层的激光穿过第三开口槽133c_1。在此，接触框架供给机构首先供给和附着第三接触框架130c_1在衬底台110上，然后通过磁吸引力将其牢固地附着。

通过穿过第三接触框架130c_1的第三开口槽133c_1照射激光在第三施主膜上，第三子像素转移步骤ST1200扩展且转移第三施主膜中包括的第三颜色有机发光层在受主衬底300的第三子像素区上。此时，可以调整激光的照射范围使得激光仅照射到与开口槽对应的区域中的第三子像素区。

在所述实施例中，在第一子像素转移步骤ST400中转移的第一颜色有机发光层的颜色可以是红色，在第二子像素转移步骤ST800中转移的第二颜色有机发光层的颜色可以是绿色，在第三子像素转移步骤ST1200中转移的第三颜色有机发光层的颜色可以是蓝色。

可替代地，在第一子像素转移步骤ST400中转移的第一颜色有机发光层的颜色可以是绿色，在第二子像素转移步骤ST800中转移的第二颜色有机发光层的颜色可以是红色，在第三子像素转移步骤ST1200中转移的第三颜色有机发光层的颜色可以是蓝色。

在描述制造工艺时，没有描述各接触框架交换步骤。本领域技术人员应理解，应执行接触框架交换步骤。

<实施例2>

下文中，类似或相同的元件由第一实施例中使用的类似或相同的附图标记表示。由于受主衬底和接触框架不同于第一实施例中的那些，因此仅详细描述受主衬底和接触框架。

如图8D中可见，第二实施例的受主衬底301包括像素定义区。第一子像素、第二子像素、以及第三子像素以镶嵌图案形成在像素定义区。根据镶嵌图案，不同颜色的子像素顺序且连续地形成。

图8A、8B和8C示出交替安装的第一、第二和第三接触框架的一实施例。图8D是平面图，示出图8A、8B和8C所示的第一、第二和第三接触框架形成的有机发光二极管的镶嵌像素阵列。

对应其形成第一子像素的多个第一开口槽133a_2形成在图8A的第一接触框架130a_2上。磁体或磁物质137a_2位于第一接触框架130a_2上。对应其形成第二子像素的多个第二开口槽133b_2形成在图8B的第二接触框架130b_2上。磁体或磁物质137b_2位于第二接触框架130b_2上。对应其形成第三子像素的多个第三开口槽133c_2形成在图8C的第三接触框架130c_2上。磁体或磁物质137c_2位于第三接触框架130c_2上。由于第二实施例的制造方法基本上与第一实施例相同，因此省略其详细描述。

<实施例3>

下文中，类似或相同的元件由与第一实施例中类似或相同的附图标记表示。由于受主衬底和接触框架不同于第一实施例，因此仅详细描述受主衬底和接触框架。

图9A和9B示出交替安装的第一和第二接触框架的实施例。图9C是平面图，示出由图9A和9B所示的第一和第二接触框架在受主衬底302上形成的有机发光二极管的三角形(delta)像素阵列。第三实施例使用受主衬底302来形成三角形像素阵列。在三角形像素阵列中，各子像素以三角图案布置。

对应其形成第一和第二子像素的多个第一开口槽133a_3形成在第一接触框架130a_3上。对应其形成第三子像素的多个第二开口槽133b_3形成在第二接触框架130b_3上。在此，两个接触框架130a_3和130b_3交替使用。

将参照图2、图9A-9C和图10描述由上述激光诱导热成像设备形成根据本发明第三实施例的有机发光二极管的方法。由激光诱导热成像设备制造具有形成在电极之间的发光层的有机发光二极管的方法包括受主衬底供给步骤ST2100、第一施主膜供给步骤ST2200、第一接触框架附着步骤ST2300、第一子像素转移步骤ST2400、第一接触框架分离步骤ST2500、第二施主膜供给步骤ST2600、第一接触框架再附着步骤ST2700、第二子像素转移步骤ST2800、第二接触框架交换步骤ST2900、第三施主膜供给步骤ST3000、第二接触框架附着步骤ST3100、以及第三子像素转移步骤ST3200。

受主衬底供给步骤ST2100供给其上形成有机发光层的受主衬底302在具有磁体或磁物质的衬底台110上。像素区定义在受主衬底302上。将要转移的发光层与像素区对应地形成。条型像素形成且布置在受主衬底302的像素区。

第一施主膜供给步骤ST2200供给具有将要转移的发光层的第一施主膜在受主衬底302上。在此，发光层可以配置为一种颜色，例如红色。

第一接触框架附着步骤ST2300利用磁吸引力将第一接触框架130a_3附着到第一施主膜。第一接触框架130a_3包括磁体或磁物质137a_3。第一开口槽133a_3形成在第一接触框架130a_3上，用于转移第一颜色有机发光层的激光穿过第一开口槽133a_3。在此，接触框架供给机构首先供给和附着第一接触框架130a_3在衬底台110上，然后利用磁吸引力将其牢固附着。

通过穿过第一接触框架130a_3的第一开口槽133a_3照射激光在第一施主膜上，第一子像素转移步骤ST2400扩展且转移第一施主膜中包括的第一颜色有机发光层在受主衬底302的第一子像素区上。此时，可以调整激光的照射范围使得激光照射到与开口槽对应的区域中的仅第一子像素区。

通过首先利用磁排斥力分离第一接触框架130a_3，且然后通过接触框架供给机构升高接触框架到室150的上部，第一接触框架分离步骤ST2500从第一施主膜分离第一接触框架130a_3。

第二施主膜供给步骤ST2600将第一施主膜从受主衬底上部移到室外，且供给具有第二颜色有机发光层的第二施主膜在受主衬底302上。也就是，施主膜供给机构用第二施主膜替换第一施主膜。

第一接触框架再附着步骤ST2700利用磁吸引力再次将第一接触框架130a_3从步骤ST2500中的施主膜附着到第二施主膜。在此，接触框架供给机构首先供给和附着第一接触框架130a_3在衬底台110上，然后利用磁吸引力将其牢固附着。

通过穿过第一接触框架的开口槽照射激光在第二施主膜上，第二子像素转移步骤ST2800扩展且转移第二施主膜中包括的第二颜色有机发光层在受主衬底302的第二子像素区上。此时，可以调整激光的照射范围使得激光照射到与开口槽对应的区域中的仅第二子像素区。

第二接触框架交换步骤ST2900消除磁力或在第一接触框架130a_3和衬底台110之间产生磁排斥力，从而从第二施主膜分离第一接触框架130a_3，然后用第二接触框架130b_3代替第一接触框架130a_3。第二接触框架130b_3具有磁体或磁物质137b_3。开口槽133b_3形成在第二接触框架130b_3上，用于转移第三施主膜的第三颜色有机发光层的激光穿过开口槽133b_3。

第三施主膜供给步骤ST3000将第二施主膜从受主衬底上部移到室外，且供给具有第三颜色有机发光层的第三施主膜在受主衬底302上。也就是，施主膜供给机构用第三施主膜代替第二施主膜。

第二接触框架附着步骤ST3100利用磁吸引力将第二接触框架130b_3附着到第三施主膜。第二接触框架130b_3包括磁体或磁物质137b_3。第二开口槽133b_3形成在第二接触框架130b_3上，用于转移第三颜色有机发光层的激光穿过第二开口槽133b_3。在此，接触框架供给机构首先供给和附着第二接触框架130b_3在衬底台110上，然后利用磁吸引力将其牢固附着。

通过穿过第二接触框架130b_3的开口槽133b_3照射激光在第三施主膜上，第三子像素转移步骤ST3200扩展且转移第三施主膜中包括的第三颜色有机发光层在受主衬底302的第三子像素区上。此处，可以调整激光的照射范围使得激光辐照到第二接触框架130b_3的整个区域。

在上述的实施例中，在第一子像素转移步骤ST2400中转移的第一颜色有机发光层的颜色可以是红色，在第二子像素转移步骤ST2800中转移的第二颜色有机发光层的颜色可以是绿色，在第三子像素转移步骤ST3200中转移的第三颜色有机发光层的颜色可以是蓝色。

可替换的，在第一子像素转移步骤ST2400中转移的第一颜色有机发光层的颜色可以是绿色，在第二子像素转移步骤ST2800中转移的第二颜色有机发光层的颜色可以是红色，在第三子像素转移步骤ST3200中转移的第三颜色有机发光层的颜色可以是蓝色。

<实施例4>

下文中，在第四实施例中类似或相同的元件由第一实施例中使用的类似或相同的附图标记表示。由于受主衬底和接触框架不同于第一实施例，因此仅对受主衬底和接触框架进行详细描述。

图11A示出接触框架130_4的一实施例。图11B是平面图，示出由图11A所示的接触框架130_4形成的有机发光二极管的像素阵列。为了与衬底台的磁体或磁物质形成磁力以牢固地层叠位于衬底台110与接触框架130_4之间的受主衬底304和施主膜，接触框架130_4包括磁体，其可以是电磁体或永磁体，或者在所述实施例中接触框架本身可利用磁物质形成。衬底台110或接触框架130_4的至少一个应包括磁体。

另外，接触框架130_4包括激光可穿过的开口槽133_4。接触框架130_4用于层叠，且可以同时作为掩模以使激光照射到预定位置。开口槽133_4可根据具有将要被转移的有机发光层的像素阵列而不同地设置。例如，当通过激光诱导热成像方法形成一个像素中的第一至第三子像素的仅第一和第二子像素，且公共层沉积在像素部分全部之上以形成第三子像素时，开口槽133_4可形成在第一和第二子像素的形成位置处，其在相同行中彼此相邻地布置。在所述实施例中，第一、第二和第三子像素分别是红色，绿色和蓝色。然而，本发明不限于此。

在此，用于形成第一和第二子像素的开口槽133_4共同形成。因此，使用相同接触框架130_4形成第一和第二子像素从而通过控制激光束在确切位置转移第一和第二子像素的发光层。这导致接触框架的数量减少且工艺简化。第一和第二子像素的发光层形成以后，受主衬底304被装进沉积室(未在图11A中示出)，第三子像素通过热沉积形成。此时，由于特定的掩模工艺不是必需的，因此工艺进一步简化。

参考示出其中使用上述接触框架130_4形成像素的像素部分的图11B，一个像素包括第一到第三子像素。除了第一和第二子像素的形成区以外的区域成为第三子像素区。

将参照图2和图12描述根据本发明第四实施例的形成有机发光二极管的方法。制造有机发光二极管的方法包括受主衬底供给步骤ST4000、第一施主膜供给步骤ST4100、接触框架附着步骤ST4200、第一子像素转移步骤ST4300、接触框架分离步骤ST4400、第二施主膜供给步骤ST4500、接触框架再附着步骤ST4600、以及第二子像素转移步骤ST4700。

受主衬底供给步骤ST4000供给其中形成有机发光层的受主衬底304在具有磁体或磁物质的衬底台110的安装槽450上。像素区定义在受主衬底304上。将要从施主膜200被转移的发光层与像素区对应地形成。在受主衬底304的像素区，三个子像素构成一个像素。根据所述实施例，在子像素中，除了第一和第二子像素区以外的部分是第三子像素区。

第一施主膜供给步骤ST4100供给第一施主膜在受主衬底304上。在受主衬底304的第一子像素区将要被转移的发光层形成在第一施主膜。在此，发光层可以配置成一种颜色，例如红色。

接触框架附着步骤ST4200利用磁吸引力将接触框架130_4附着到第一施主膜。接触框架130_4包括磁体或磁物质137_4。开口槽133_4形成在接触框架130_4上，用于转移第一颜色有机发光层的激光穿过第一开口槽133_4。在所述实施例中，接触框架供给机构首先供给和附着接触框架130_4在衬底台110上，然后利用衬底台110与接触框架130_4之间的磁吸引力将其牢固附着。

通过穿过接触框架130_4的开口槽133_4照射激光在第一施主膜上，第一子像素转移步骤ST4300扩展且转移第一施主膜中包括的第一颜色有机发光层在受主衬底304的第一子像素区上。此时，可以调整激光的照射范围使得激光照射到与开口槽对应的区域中的仅第一子像素区。

通过用磁排斥力首先分离第一接触框架130_4，且然后通过接触框架供给机构140升高接触框架到室150的上部，接触框架分离步骤ST4400从第一施主膜分离接触框架130a_4。

第二施主膜供给步骤ST4500将第一施主膜从受主衬底110的上部移到室150外，且供给第二施主膜在受主衬底304上。在此，第二施主膜包括将要在受主衬底130_4的第二子像素区被转移的发光层。发光层形成为具有第二颜色，例如绿色。

接触框架再附着步骤ST4600使用磁吸引力将接触框架130_4附着到第二施主膜。在此，接触框架130_4包括用于转移第二施主膜的第二颜色有机发光层的激光穿过的开口槽133_4。

通过穿过接触框架130_4的开口槽133_4照射激光在第二施主膜上，第二子像素转移步骤ST4700扩展且转移第二施主膜中包括的第二颜色有机发光层在受主衬底304的第二子像素区上。此时，可以调整激光的照射范围使得激光照射到与开口槽133_4对应的区域中的仅第二子像素区。

如前所述，形成第一和第二子像素的有机发光层之后，受主衬底304被装入沉积室，使得能够形成第三子像素的有机发光层。在此，可以通过热沉积在像素区共同地形成第三子像素的有机发光层。在所述实施例中，第三子像素是蓝色的。

在所述实施例中，上述步骤在真空室150中执行，在各转移步骤中激光照射法可根据将要转移的有机发光层的布置而变化。例如，第一到第三子像素形成1×3矩阵，构成一个像素，第一颜色有机发光层转移为形成在第一行和第一列，第二颜色有机发光层转移为形成在第一行和第二列。

<实施例5>

下文中，在第四实施例中类似或相同的元件由第一实施例中使用的类似或相同的附图标记表示。由于受主衬底和接触框架不同于第一实施例，因此仅对受主衬底和接触框架进行详细描述。图13A和13B是平面图，分别示出根据本发明第五实施例的第一接触框架130a_5的一个示例和第二接触框架130b_5的一个示例。图13C示出利用第一和第二接触框架130a_5和130b_5在受主衬底305上形成的像素阵列。

多个开口槽133a_5形成在图13A的第一接触框架130a_5上，第一子像素和第二子像素与开口槽133a_5对应地形成。多个开口槽133b_5形成在图13B的第二接触框架130b_5上。当第二接触框架130b_5与第一接触框架130a_5交迭时，位于第一接触框架130a_5的开口槽133a_5下部的两个第三子像素与开口槽133b_5对应地形成。每个接触框架包括磁体或磁物质137a_5和137b_5。图13C示出与第一和第二接触框架130a_5和130b_5对应的受主衬底的像素阵列。

图13D和13E示出第一和第二接触框架的另一实施例，其被交替安装。图13F示出由第一接触框架130d_5和第二接触框架130e_5形成的像素阵列。多个开口槽133d_5形成在图13D的第一接触框架130d_5上，第一子像素和第二子像素与开口槽133d_5对应地形成。多个开口槽133e_5形成在图13E的第二接触框架130e_5上。使用第二接触框架130e_5和第一接触框架130d_5，位于第一接触框架130d_5左侧的两个第三子像素与开口槽133d_5对应地形成。每个接触框架包括磁体或磁物质137d_5或137e_5。图13F示出使用第一和第二接触框架130d_5和130e_5制造的受主衬底的像素阵列。

将参照图2和图14描述根据本发明第五实施例的形成有机发光二极管的方法。通过激光诱导热成像设备制造具有形成在电极之间的发光层的有机发光二极管的方法包括受主衬底供给步骤ST5100、第一施主膜供给步骤ST5200、第一接触框架附着步骤ST5300、第一子像素转移步骤ST5400、第一接触框架分离步骤ST5500、第二施主膜供给步骤ST5600、第一接触框架再附着步骤ST5700、第二子像素转移步骤ST5800、第二接触框架交换步骤ST5900、第三施主膜供给步骤ST6000、第二接触框架附着步骤ST6100、以及第三子像素转移步骤ST6200。

受主衬底供给步骤ST5100供给其中形成有机发光层的受主衬底305或306在具有磁体或磁物质的衬底台110上。像素区定义在受主衬底305或306上。将要转移的发光层与像素区对应地形成。形成受主衬底305或306的像素区使得四个子像素构成一个像素。

第一施主膜供给步骤ST5200供给具有将要被转移的发光层的第一施主膜在受主衬底305或306上。在此，发光层可以配置为一种颜色，例如红色。

第一接触框架附着步骤ST5300利用磁吸引力将第一接触框架附着到第一施主膜。第一接触框架包括磁体或磁物质。第一开口槽形成在第一接触框架，用于转移第一颜色有机发光层的激光穿过第一开口槽。在此，接触框架供给机构首先供给和附着第一接触框架在衬底台，然后利用磁吸引力将其牢固附着。

通过穿过第一接触框架的第一开口槽照射激光在第一施主膜上，第一子像素转移步骤ST5400扩展且转移第一施主膜中包括的第一颜色有机发光层在受主衬底的第一子像素区上。此时，可以调整激光的照射范围使得激光照射到与开口槽对应的区域中的仅第一子像素区。

通过用磁排斥力首先分离第一接触框架，且然后通过用接触框架供给机构升高接触框架到室上部，第一接触框架分离步骤ST5500从第一施主膜分离第一接触框架。

第二施主膜供给步骤ST5600将第一施主膜从受主衬底上部移到室外，且供给具有第二颜色有机发光层的第二施主膜在受主衬底上。也就是，施主膜供给机构用第二施主膜替代第一施主膜。

第一接触框架再附着步骤ST5700利用磁吸引力将步骤ST5500中从施主膜分离的第一接触框架再次附着到第二施主膜。在此，接触框架供给机构首先供给和附着第一接触框架在衬底台上，然后利用磁吸引力将其牢固附着。

通过穿过第一接触框架的第一开口槽照射激光在第二施主膜上，第二子像素转移步骤ST5800扩展且转移第二施主膜中包括的第二颜色有机发光层在受主衬底的第二子像素区上。此时，可以调整激光的照射范围使得激光照射到与开口槽对应的区域中的仅第二子像素区。

第二接触框架交换步骤ST5900消除磁力或产生第一接触框架与衬底台之间的磁排斥力从而将第一接触框架从第二施主膜分离，且然后用第二接触框架替代第一接触框架。第二接触框架具有磁体或磁物质。开口槽形成在第二接触框架，用于转移第三施主膜的第三颜色有机发光层的激光穿过该开口槽。

第三施主膜供给步骤ST6000将第二施主膜从受主衬底上部移到室外，且供给具有第三颜色有机发光层的第三施主膜在受主衬底上。也就是，施主膜供给机构用第三施主膜代替第二施主膜。

第三接触框架附着步骤ST6100使用磁吸引力将第二接触框架附着到第三施主膜。第二接触框架包括磁体或磁物质。第二开口槽形成在第二接触框架，用于转移第三颜色有机发光层的激光穿过第三开口槽。在此，接触框架供给机构首先供给和附着第二接触框架在衬底台上，然后利用磁吸引力将其牢固附着。

通过穿过第二接触框架的开口槽照射激光在第三施主膜上，第三子像素转移步骤ST6200扩展且转移第三施主膜中包括的第三颜色有机发光层在受主衬底的第三子像素区上。此时，可以调整激光的照射范围使得激光照射到第二接触框架的整个区域。

在各转移步骤中，有机发光层可以在像素定义区不同地转移。激光照射方法可根据转移的布置而变化。例如，四个子像素形成2×2矩阵，构成一个像素，在第一子像素转移步骤ST5400中，第一颜色有机发光层转移为形成在像素的左上端，在第二子像素转移步骤ST5800中，第二颜色有机发光层转移为形成在第一子像素的左侧，在第三子像素转移步骤ST6200中，第三颜色有机发光层转移为形成在第一和第二子像素下面。此外，在第一子像素转移步骤ST5400中，第一颜色有机发光层转移为形成在像素的左上端，在第二子像素转移步骤ST5800中，第二颜色有机发光层转移为形成在第一子像素下面，在第三子像素转移步骤ST6200中，第三颜色有机发光层转移为形成在第一和第二子像素每个右侧。

在所述实施例中，定义两个子像素的颜色是蓝色。例如，在第一子像素转移步骤ST5400中转移的第一颜色有机发光层的颜色是红色，在第二子像素转移步骤ST5800中转移的第二颜色有机发光层的颜色是绿色，在第三子像素转移步骤ST6200中转移的第三颜色有机发光层的颜色是蓝色。可替代地，在第一子像素转移步骤ST5400中转移的第一颜色有机发光层的颜色可以是绿色，在第二子像素转移步骤ST5800中转移的第二颜色有机发光层的颜色可以是红色，在第三子像素转移步骤ST6200中转移的第三颜色有机发光层的颜色是蓝色。

<实施例6>

下文中，由于受主衬底和接触框架不同于第一实施例，因此仅对受主衬底和接触框架进行详细描述。

图15A、图15B和图15C是平面图，分别示出根据本发明的第六实施例的第一接触框架的一个示例、第二接触框架的一个示例和第三接触框架的一个示例。

参考图15A-15C，第一到第三接触框架130a_6、130b_6和130c_6的每个包括至少一个永磁体、磁物质或电磁体137a_6、137b_6或137c_6，以及至少一个开口槽133a_6、133b_6或133c_6。永磁体、磁物质或电磁体设置在第一到第三接触框架130a_6、130b_6和130c_6上，且与图3A和3B所示的衬底台110的磁体113形成磁力。永磁体、磁物质或电磁体位于开口槽133a_6、133b_6或133c_6之间。在此，磁物质包括铁磁物质和/或弱磁物质。在所述实施例中，磁物质由选自包括Fe、Ni、Cr、Fe₂O₃、Fe₃O₄、CoFe₂O₄、磁纳米颗粒、以及其混合物的组的一种形成。当磁体是电磁体时，在每个电磁体还应形成电布线。

开口槽133a_6、133b_6或133c_6可根据具有将要转移的有机发光层的像素阵列而不同地设置。当以2×2矩阵布置的第一子像素、第二子像素和两个第三子像素构成一个像素，且多个像素构成像素部分时，如图15A所示，第一接触框架130a_6包括在第一子像素的形成位置处的开口槽133a_6。如图15B所示，第二接触框架130b_6包括在第二子像素的形成位置处的开口槽133b_6。如图15C所示，第三接触框架130c_6包括在两个第三子像素的形成位置处的公用开口槽133c_6。形成第三接触框架130c_6的开口槽133c_6使得第三子像素位于相同线上。形成第一到第三接触框架130a_6、130b_6和130c_6的开口槽133a_6、133b_6和133c_6使得当第一到第三接触框架130a_6、130b_6和130c_6彼此交迭时它们不相互交迭。在所述实施例中，第一、第二和第三子像素分别是红色、绿色和蓝色。然而，本发明不限于此。在此情况下，第一到第三接触框架130a_6、130b_6和130c_6的每个还用作掩模从而形成第一到第三子像素。

参考示出具有通过第一到第三接触框架130a_6、130b_6和130c_6形成在受主衬底307上的发光层的有机发光显示器件的像素阵列的图15D，像素部分包括多个像素，其每个由一个第一子像素、一个第二子像素和两个第三子像素配置。在该像素中，第一到第三子像素以2×2矩阵布置。第一子像素位于第一行第一列，第二子像素位于第二行第一列，两个第三子像素位于第二列。在所述实施例中，第一到第三子像素分别是红色、绿色和蓝色。在另一实施例中，当一个第一子像素、一个第二子像素以及两个第三子像素以2×2矩阵布置时，两个第三子像素可以在第二行。这种情况下，如图15E、15F和15G所示，激光诱导热成像设备包括第一到第三接触框架130e_6、130f_6和130g_6。

如图15E所示，开口槽133e_6形成在第一接触框架130e_6中第一子像素的形成位置。如图15F中所示，开口槽133f_6形成在第二接触框架130f_6中第二子像素的形成位置。如图15G中所示，开口槽133g_6形成在第三接触框架130g_6中两个第三子像素的形成位置。形成第三接触框架130g_6的开口槽133g_6使得第三子像素位于相同行。换句话说，如图15H所示，第一子像素位于第一行第一列，第二子像素位于第一行第二列，第三子像素位于第二行。在所述实施例中，第一到第三子像素分别是红色、绿色和蓝色。

当一个红色子像素、一个绿色子像素和两个蓝色子像素构成一个像素时，通过补偿具有最低发光效率的蓝色子像素的发光效率，可以调节各子像素的平衡，还可以增大色泽复现性。

此外，当利用不同接触框架形成各子像素时，在相同接触框架中开口槽仅形成在相同颜色子像素的形成位置处。与在一个接触框架形成与两个或更多颜色的子像素对应的开口槽的情况相比，该情况具有更多的包括磁体或磁物质的部分，且层叠效果由于磁力而增大。

图16是流程图，示出根据本发明第六实施例的有机发光二极管的制造方法。图16的有机发光二极管的制造方法将参考制造有机发光显示器件的一个像素进行描述。有机发光显示器件的每个像素包括第一到第三子像素，包括在各子像素中的发光层通过激光诱导热成像工艺形成。

参考图16，根据本发明一实施例通过激光诱导热成像设备形成有机发光二极管的像素的激光诱导热成像方法包括受主衬底供给步骤ST7100、第一施主膜供给步骤ST7200、第一接触框架附着步骤ST7300、第一子像素转移步骤ST7400、第二接触框架交换步骤ST7500、第二施主膜供给步骤ST7600、第二接触框架附着步骤ST7700、第二子像素转移步骤ST7800、第二接触框架分离步骤ST7900、第三施主膜供给步骤ST8000、第三接触框架附着步骤ST8100、以及第三子像素转移步骤ST8200。

下文中，将参考示出激光诱导热成像设备的透视图的图16和图2阐述激光诱导热成像方法。

受主衬底供给步骤ST7100供给受主衬底307或308在具有磁体或磁物质的衬底台110的第一安装槽450中。有机发光层形成在受主衬底307或308。像素区定义在受主衬底307或308。将要从施主膜200转移的发光层与像素区对应地形成。一个第一子像素、一个第二子像素和两个第三子像素以2×2矩阵布置在受主衬底307或308的像素区，且构成一个像素。

第一施主膜供给步骤ST7200供给第一施主膜在受主衬底307或308上。在此，第一施主膜包括将要在受主衬底307或308的第一子像素区转移的发光层。此时，发光层可以配置成第一颜色，例如红色。

第一接触框架附着步骤ST7300利用磁吸引力将第一接触框架130a_6附着到第一施主膜。第一接触框架130a_6包括磁体或磁物质137a_6。开口槽133a_6形成在第一接触框架130a_6，用于转移第一颜色有机发光层的激光穿过开口槽。在所述实施例中，接触框架供给机构首先供给和附着第一接触框架130a_6在衬底台110上，然后利用衬底台110与第一接触框架130a_6之间的磁吸引力将其牢固附着。

通过穿过第一接触框架130a_6的第一开口槽从激光振荡器120照射激光在第一施主膜上，第一子像素转移步骤ST7400扩展且转移第一施主膜中包括的第一颜色有机发光层在受主衬底307或308的第一子像素区上。此时，可以调整激光的照射范围使得激光辐射到与开口槽对应的区域中的仅第一子像素区。

第二接触框架交换步骤ST7500消除磁力或产生第一接触框架130a_6与衬底台220之间的磁排斥力从而从第一施主膜分离第一接触框架130a_6，然后用第二接触框架130b_6代替第一接触框架130a_6。第二接触框架130b_6具有磁体或磁物质。开口槽133b_6形成在第二接触框架130b_6上，用于转移第二施主膜的第二颜色发光层的激光穿过开口槽。

第二施主膜供给步骤ST7600从受主衬底307或308的上部移动第一施主膜到室150外，且供给第二施主膜在受主衬底307或308上。第二施主膜包括将要在受主衬底307或308的第二子像素区转移的发光层。此时，发光层可以配置为第二颜色，例如绿色。

第二接触框架附着步骤ST7700使用磁吸引力将第二接触框架130b_6附着到第二施主膜。

通过穿过第二接触框架130b_6的开口槽133b_6从激光振荡器120照射激光在第二施主膜上，第二子像素转移步骤ST7800扩展且转移第二施主膜中包括的第二颜色有机发光层在受主衬底307或308的第二子像素区上。

第二接触框架分离步骤ST7900消除了磁力或产生第二接触框架130b_6和衬底台110之间的磁排斥力从而从第二施主膜分离第二接触框架130b_6，然后用第三接触框架130c_6代替第二接触框架130b_6。第三接触框架130c_6具有磁体或磁物质。开口槽形成在第三接触框架130c_6上，用于转移第三施主膜的第三颜色有机发光层的激光穿过开口槽。

第三施主膜供给步骤ST8000从受主衬底307或308上部移动第二施主膜到室150外，且供给第三施主膜在受主衬底307或308上。第三施主膜包括将要在受主衬底307或308的第三子像素区转移的发光层。在所述实施例中，发光层可以配置为第三颜色，例如蓝色。

第三接触框架附着步骤ST8100使用磁吸引力将第三接触框架130c_6附着到第三施主膜。

通过穿过第三接触框架130c_6的开口槽从激光振荡器120照射激光在第三施主膜上，第三子像素转移步骤ST8200扩展且转移第三施主膜中包括的第三颜色有机发光层在受主衬底307或308的第三子像素区上。

所述步骤可以在工艺室150中进行，激光照射方法可以根据在各转移步骤中被转移的有机发光层的布置而变化。例如，当以2×2矩阵布置的一个第一子像素、一个第二子像素和两个第三子像素构成一个像素时，在第一子像素转移步骤ST7400中照射激光从而在第一行第一列形成第一子像素。此外，在第二子像素转移步骤ST7800中照射激光从而在第一行第二列形成第二子像素，在第三子像素转移步骤ST8200中照射激光从而在第二行第一列形成两个第三子像素。可替换地，在第一子像素转移步骤ST7400中照射激光从而在第一行第一列形成第一子像素，在第二子像素转移步骤ST7800中照射激光从而在第二行第一列形成第二子像素，在第三子像素转移步骤ST8200中照射激光从而在第一行第二列和第二行第二列形成两个第三子像素。在所述实施例中，第一和第二子像素分别是红色和绿色，两个第三子像素是蓝色。

虽然已经示出和描述了本发明的某些示例性实施例，但是本领域技术人员应理解，在不偏离本发明的原理或精神的情况下，可以对这些实施例进行改变，其中本发明的原理或精神的范围由所附权利要求及其等价物定义。例如，即使当像素阵列是镶嵌型或条型时，如在第三实施例中，有机发光层可以通过两个接触框架形成。另外，本领域技术人员应理解，当至少三个子像素形成一个像素时，可以进行改变。

本申请要求2005年8月30日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请Nos.10-2005-0080341，10-2005-0080342，10-2005-0080343，10-2005-0080344，10-2005-0080345和10-2005-0080346的优先权和相关利益，在此引入全部内容作为参考。

Claims (38)

1.一种激光诱导热成像设备，包括：

包括磁体或磁物质的衬底台，该衬底台适于接收将要在该衬底台上彼此层叠的受主衬底和施主膜，该受主衬底具有用于形成第一子像素、第二子像素和第三子像素的像素区，该施主膜具有将要转移到该像素区的有机发光层；

用于照射激光到该施主膜的激光振荡器；

适于设置在该衬底台与该激光振荡器之间的接触框架，该接触框架用于与该衬底台形成磁力，且包括激光穿过的开口；以及

用于在该衬底台的方向上移动该接触框架的接触框架供给机构。

2.根据权利要求1的激光诱导热成像设备，还包括室，该室适于在该受主衬底和该施主膜的层叠期间处于真空状态。

3.根据权利要求1的激光诱导热成像设备，其中该接触框架包括具有用于形成该第一子像素的第一开口的第一框架、具有用于形成该第二子像素的第二开口的第二框架、以及具有用于形成该第三子像素的第三开口的第三框架，该第一、第二和第三框架适于交替地安装从而与该第一、第二和第三子像素对应地形成有机发光二极管的发光层。

4.根据权利要求3的激光诱导热成像设备，其中所述第一开口的面积在该第一框架的面积的1％到50％的范围，所述第二开口的面积在该第二框架的面积的1％到50％的范围，且所述第三开口的面积在该第三框架的面积的1％到50％的范围。

5.根据权利要求1的激光诱导热成像设备，其中该衬底台包括磁体、磁物质或电磁体，且该接触框架包括选自含有永磁体、电磁体和磁物质的组的一种。

6.根据权利要求1的激光诱导热成像设备，其中该第一、第二和第三子像素以条图案、镶嵌图案或三角图案形成。

7.一种制造具有形成在电极之间的发光层的有机发光二极管的方法，该方法包括：

使用根据权利要求1的激光诱导热成像设备，其中该接触框架包括第一接触框架、第二接触框架和第三接触框架，该施主膜包括具有第一颜色有机发光层的第一施主膜、具有第二颜色有机发光层的第二施主膜、以及具有第三颜色有机发光层的第三施主膜，

放置具有该像素区的该受主衬底在该衬底台上，该像素区包括用于形成该第一子像素的第一子像素区、用于形成该第二子像素的第二子像素区、以及用于形成该第三子像素的第三子像素区；

放置该第一施主膜在该受主衬底上；

利用磁吸引力将该第一接触框架附着到该第一施主膜，该第一接触框架包括磁体且具有第一开口；

穿过该第一接触框架的第一开口照射激光到该第一施主膜从而将该第一颜色有机发光层转移到该第一子像素区；

从该第一施主膜分离该第一接触框架；

放置该第二施主膜在该受主衬底上；

利用磁吸引力将该第二接触框架附着到该第二施主膜，该第二接触框架包括磁体且具有第二开口；

穿过该第二接触框架的第二开口照射激光到该第二施主膜从而将该第二颜色有机发光层转移到该第二子像素区；

从该第二施主膜分离该第二接触框架；

放置该第三施主膜在该受主衬底上；

利用磁吸引力将该第三接触框架附着到该第三施主膜，该第三接触框架包括磁体且具有第三开口；以及

穿过该第三接触框架的第三开口照射激光到该第三施主膜从而将该第三颜色有机发光层转移到该第三子像素区。

8.根据权利要求7的方法，其中该激光诱导热成像设备在真空状态。

9.根据权利要求8的方法，其中该第一、第二和第三子像素以条图案、镶嵌图案或三角图案形成。

10.一种用于形成有机发光二极管的与像素对应的第一、第二和第三有机发光层的激光诱导热成像设备，每个像素分别包括至少三个子像素，分别具有该第一、第二和第三有机发光层，该设备包括：

适于执行激光诱导热成像的室，该室包括衬底台且适于接收接触框架，该衬底台具有磁体或磁物质，该接触框架适于设置在该衬底台与激光振荡器之间；

用于照射激光到该接触框架和施主膜的激光振荡器；以及

用于在该衬底台的方向上移动该接触框架的接触框架供给机构，

其中该接触框架包括开口，该第一和第二子像素与该开口对应地形成，且该衬底台与该接触框架形成磁力。

11.根据权利要求10的激光诱导热成像设备，其中该室适于将受主衬底和该施主膜的层叠空间保持在真空状态。

12.根据权利要求10的激光诱导热成像设备，其中该开口包括多个开口，该开口的面积在该接触框架的面积的1％到50％的范围。

13.根据权利要求10的激光诱导热成像设备，其中该衬底台包括磁体、磁物质或电磁体，该接触框架包括选自含有永磁体、电磁体和磁物质的组的一种。

14.一种制造有机发光二极管的方法，每个有机发光二极管具有形成在第一和第二电极之间的有机发光层之一，该方法包括：

使用权利要求10的激光诱导热成像设备，其中该施主膜包括具有第一颜色有机发光层的第一施主膜和具有第二颜色有机发光层的第二施主膜，

放置受主衬底在该衬底台上，该受主衬底具有像素区，包括用于形成第一子像素的第一子像素区、用于形成第二子像素的第二子像素区、以及用于形成第三子像素的第三子像素区，该第一、第二和第三子像素构成一个像素；

放置该第一施主膜在该受主衬底上；

利用磁吸引力将具有磁体或磁物质的该接触框架附着到该第一施主膜；

穿过该接触框架的开口从该激光振荡器照射激光到该第一施主膜从而转移该第一颜色有机发光层到该第一子像素区；

从该第一施主膜分离该接触框架；

放置该第二施主膜在该受主衬底上；

利用磁吸引力将该接触框架附着到该第二施主膜；

穿过该接触框架的开口从该激光振荡器照射激光到该第二施主膜从而转移该第二颜色有机发光层到该第二子像素区；

其中该第三子像素的第三颜色有机发光层沉积且形成在其中形成该子像素的该像素区。

15.根据权利要求14的方法，其中该第一、第二和第三子像素形成1×3矩阵，且构成一个像素，

其中该第一颜色有机发光层被转移为形成在第一行第一列，且该第二颜色有机发光层被转移为形成在第一行第二列。

16.根据权利要求14的方法，其中该第一、第二和第三颜色有机发光层分别适于发出红色、绿色和蓝色光。

17.根据权利要求14的方法，其中该第一、第二和第三颜色有机发光层分别适于发出绿色、红色和蓝色光。

18.一种激光诱导热成像设备，包括：

包括磁体或磁物质的衬底台，该衬底台适于接收将在该衬底台上彼此层叠的受主衬底和施主膜，该受主衬底具有用于形成像素的像素区，每个像素包括第一子像素、第二子像素和两个第三子像素，该施主膜具有将要转移到该像素区的有机发光层；

用于照射激光到该施主膜的激光振荡器；

接触框架，适于设置在该衬底台与该激光振荡器之间，且适于与该衬底台形成磁力，并且包括激光穿过的开口；以及

用于在该衬底台的方向上移动该接触框架的接触框架供给机构，

其中该接触框架包括第一和第二框架，第一和第二开口分别形成在该第一和第二框架上，该第一和第二子像素与该第一开口对应地形成，两个第三子像素与该第二开口对应地形成，其中该第一和第二框架交替安装从而形成该有机发光二极管的与该第一、第二和第三子像素对应的发光层。

19.根据权利要求18的激光诱导热成像设备，还包括适于至少接收该衬底台和该接触框架的室。

20.根据权利要求18的激光诱导热成像设备，其中该第一开口的面积在该第一框架的1％到50％的范围，且该第二开口的面积在该第二框架的面积的1％到50％的范围。

21.根据权利要求18的激光诱导热成像设备，其中该接触框架包括磁体，且该接触框架的该磁体或该衬底台的所述磁体中的至少一个是电磁体或永磁体。

22.根据权利要求18的激光诱导热成像设备，其中该接触框架包括磁物质，其包括选自含有Fe、Ni、Cr、Fe₂O₃、Fe₃O₄、CoFe₂O₄、磁纳米颗粒、以及其混合物的组的一种。

23.一种制造有机发光二极管的方法，每个有机发光二极管具有形成在第一和第二电极之间的发光层之一，该方法包括：

使用根据权利要求18的激光诱导热成像设备，其中该接触框架包括第一接触框架和第二接触框架，该施主膜包括具有第一颜色有机发光层的第一施主膜、具有第二颜色有机发光层的第二施主膜、以及具有第三颜色有机发光层的第三施主膜，

放置该受主衬底在具有磁体的该衬底台上，该受主衬底具有像素区，其包括用于形成该第一子像素的第一子像素区、用于形成该第二子像素的第二子像素区、以及用于形成所述两个第三子像素的两个第三子像素区，其中一个像素包括一个第一子像素、一个第二子像素和两个第三子像素；

放置具有该第一有机发光层的该第一施主膜在该受主衬底上；

利用磁吸引力将具有磁体的该第一接触框架附着到该第一施主膜，该第一接触框架具有开口；

穿过该第一接触框架的开口照射激光到该第一施主膜从而将该第一颜色有机发光层转移到该第一子像素区；

从该第一施主膜分离该第一接触框架；

放置具有该第二颜色有机发光层的该第二施主膜在该受主衬底上；

利用磁吸引力将该第一接触框架附着到该第二施主膜；

穿过该第一接触框架的开口照射激光到该第二施主膜从而将该第二颜色有机发光层转移到该第二子像素区；

从该第二施主膜分离该第一接触框架，且用第二接触框架替换该第一接触框架，该第二接触框架包括磁体，且具有开口；

放置具有该第三颜色有机发光层的该第三施主膜在该受主衬底上；

利用磁吸引力将该第二接触框架附着到该第三施主膜；以及

穿过该第二接触框架的开口照射激光在该第三施主膜上从而转移该第三颜色有机发光层到所述两个第三子像素区。

24.根据权利要求23的方法，其中一个像素的该四个子像素形成2×2矩阵，

其中该第一颜色有机发光层被转移从而在该像素的左上角形成该第一子像素，该第二颜色有机发光层被转移从而在该第一子像素右侧形成该第二子像素，该第三颜色有机发光层被转移从而在该第一和第二子像素之下形成所述两个第三子像素。

25.根据权利要求23的方法，其中一个像素的该四个子像素形成2×2矩阵，

其中该第一颜色有机发光层被转移从而在该像素的左上角形成该第一子像素，该第二颜色有机发光层被转移从而在该第一子像素之下形成该第二子像素，该第三颜色有机发光层被转移从而在该第一和第二子像素的右侧形成所述两个第三子像素。

26.根据权利要求24的方法，其中该第一颜色有机发光层适于发红光，该第二颜色有机发光层适于发绿光，该第三彩色有机发光层适于发蓝光。

27.根据权利要求24的方法，其中该第一颜色有机发光层适于发绿光，该第二颜色有机发光层适于发红光，该第三颜色有机发光层适于发蓝光。

28.一种用于形成有机发光二极管的与像素对应的第一、第二和第三发光层的激光诱导热成像设备，每个像素包括一第一子像素、一第二子像素以及两个第三子像素，该设备包括：

包括衬底台且适于接收接触框架的室，该衬底台具有磁体或磁物质，该接触框架适于设置在该衬底台与激光振荡器之间，该室适于执行激光诱导热成像；

该激光振荡器，用于照射激光到该接触框架和施主膜；以及

接触框架供给机构，用于在该衬底台的方向上移动该接触框架，

其中该接触框架包括：第一框架，包括磁体或磁物质且具有与第一子像素区对应的第一开口；第二框架，包括磁体或磁物质且具有与第二子像素区对应的第二开口；以及第三框架，包括磁体或磁物质且具有与第三子像素区对应的第三开口，其中该第一、第二和第三框架交替地安装从而形成该有机发光二极管的所述发光层。

29.根据权利要求28的激光诱导热成像设备，其中该接触框架供给机构包括：

用于垂直地移动该接触框架的垂直驱动器；以及

连接杆，连接到该垂直驱动器和托架，该托架上安装有接触框架。

30.根据权利要求28的激光诱导热成像设备，其中该衬底台或该接触框架的至少一个包括电磁体或永磁体。

31.根据权利要求28的激光诱导热成像设备，其中该磁物质包括选自含有Fe、Ni、Cr、Fe₂O₃、Fe₃O₄、CoFe₂O₄、磁纳米颗粒、以及其混合物的组的一种。

32.根据权利要求28的激光诱导热成像设备，其中该衬底台适于接收彼此层叠的该受主衬底和该施主膜，该受主衬底具有像素区，其中形成第一和第二子像素以及两个第三子像素，该施主膜具有将被转移到该受主衬底上的该像素区的有机发光层。

33.根据权利要求28的激光诱导热成像设备，其中该接触框架供给机构还包括用于顺序交换该第一、第二和第三接触框架的交换机构。

34.一种制造有机发光二极管的方法，每个有机发光二极管具有形成在第一和第二电极之间的发光层之一，该方法包括：

使用权利要求28的激光诱导热成像设备，其中该施主膜包括具有第一颜色有机发光层的第一施主膜、具有第二颜色有机发光层的第二施主膜、以及具有第三颜色有机发光层的第三施主膜，

放置该受主衬底在具有磁体或磁物质的该衬底台上，该受主衬底具有该第一子像素区、该第二子像素区和所述两个第三子像素区；

放置该第一施主膜在该受主衬底上；

使用磁吸引力将该第一框架附着到该第一施主膜；

穿过该第一框架的该第一开口从该激光振荡器照射激光到该第一施主膜从而将该第一颜色有机发光层转移到该第一子像素区；

从该第一施主膜分离该第一框架，且用该第二框架替代该第一框架；

放置该第二施主膜在该受主衬底上；

使用磁吸引力将该第二框架附着到该第二施主膜；

穿过该第二框架的该第二开口从该激光振荡器照射激光到该第二施主膜从而将该第二颜色有机发光层转移到该第二子像素区；

从该第二施主膜分离该第二框架，且用第三框架替代该第二框架；

放置该第三施主膜在该受主衬底上；

使用磁吸引力将该第三框架附着到该第三施主膜；

穿过该第三框架的该第三开口从该激光振荡器照射激光到该第三施主膜从而将该第三颜色有机发光层转移到所述两个第三子像素区。

35.根据权利要求34的方法，其中该第一和第二子像素以及该两个第三子像素形成2×2矩阵，且构成一个像素，

其中该第一颜色有机发光层被转移从而在该像素的第一行第一列形成该第一子像素，该第二颜色有机发光层被转移从而在该像素的第一行第二列形成该第二子像素，该第三颜色有机发光层被转移从而在该像素的第二行第一列以及第二行第二列形成该第三子像素。

36.根据权利要求34的方法，其中该第一和第二子像素以及该两个第三子像素形成2×2矩阵，且构成一个像素，

其中该第一颜色有机发光层被转移从而在该像素的第一行第一列形成该第一子像素，该第二颜色有机发光层被转移从而在该像素的第二行第一列形成该第二子像素，该第三颜色有机发光层被转移从而在该像素的第一行第二列以及第二行第二列形成该第三子像素。

37.根据权利要求35的方法，其中该第一、第二和第三子像素分别适于发出红色，绿色和蓝色光。

38.根据权利要求35的方法，其中该第一、第二和第三子像素分别适于发出绿色，红色和蓝色光。

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