CN1938945A - 电子机械装置和其生产方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供电子机械装置,例如,微电子机械系统(MEMS)装置,例如低损耗的薄膜腔声谐振器(FBAR)过滤器,和生产该装置的方法。为了避免膜的腔的污染,该污染影响MEMS装置的工作,本发明涉及MEMS薄膜腔声谐振器,其包括基部结构(102),膜(112)和盖层(114),该盖层具有连接所述基部结构的第一侧和连接所述膜的第二侧,其特征在于,一个或多个密封腔(116)密封在所述基部结构和所述盖层之间。

Description

电子机械装置和其生产方法
背景技术
[001]电子机械装置,例如,微电子机械系统(MEMS)装置包括超小的机械组件。
[002]某些MEMS装置,例如,薄膜腔声谐振器(FBAR)射频(RF)过滤器,包括连接基底例如硅基底的膜。一个或多个腔形成在基底中,例如,为了允许膜的运动自由度和/或减少工作期间射频能量的损失。
[003]用于生产这种MEMS装置的传统方法包括在基底顶部沉淀膜和/或其它层,接着在基底中形成腔。因为膜和/或其它层遮掩了通向基底的入口,所以装置中可建立释放孔,以便通过干或湿蚀刻工艺允许喷射蚀刻材料,从而在基底中形成腔。
[004]因而,腔可例如通过释放孔与MEMS装置周围的环境流体连通,例如,在封装MEMS装置之前。这导致腔的污染和/或膜的粘附,也就是说,膜粘附腔的表面,例如,由于湿蚀刻工艺和/或环境湿度。
[005]腔的污染和/或膜的粘附影响MEMS装置的工作。
附图说明
[006]本发明的主题在说明书的结论部分特别地指出且清楚地声明。然而,本发明既涉及结构,也涉及工作方法,在阅读附图时参考下面详细的说明可更好地理解本发明以及其特征和优势,其中:
[007]图1是根据本发明示例性实施例的微电子机械系统(MEMS)装置的示意图;
[008]图2是描述用于生产根据本发明示例性实施例的MEMS装置的方法的示意流程图;和
[009]图3A-3I是在图2方法中不同阶段的MEMS装置的示意图。
[0010]应意识到,为了简单和清楚的阐述,图中所示的元件不必按比例绘制,例如,为了清楚,一些尺寸的元件相对于其它元件可能被放大。此外,只要认为适当,附图标记可在附图中重复,以便指示相应或类似的元件。
具体实施方式
[0011]在下面的详细说明中,阐述了许多细节,以便提供对本发明彻底的理解。然而,应理解熟悉本领域的普通技术人员可在没有这些细节的情况下实践。在其它情况下,众所周知的方法、程序、组件和电路没有详细描述,以免使本发明不清楚。
[0012]尽管本发明的一些示例性实施例涉及微电子机械系统(MEMS)装置,但熟悉本领域的人员应意识到本发明的各个方面可应用到任何其它电子机械装置,例如,纳电子机械系统(NEMS)装置。
[0013]尽管本发明在这方面不受限制,此处使用的术语″MEMS装置″理解为包括其他事物中任何适当的微电子机械系统装置,例如,薄膜腔声谐振器(FBAR)过滤器,FBAR射频(RF)过滤器,RF开关,可变电抗器,可调谐电容器,或任何其它MEMS装置,只要它与应用本发明的原理有关。尽管本发明的示例性实施例包括FBAR RF过滤器,但是此处它仅作为将本发明的原理应用到MEMS装置的示例来介绍;本发明在这方面不受限制,它的原理可应用于其它适当的MEMS装置。
[0014]应意识到此处使用的术语″顶部″和″底部″仅用于示例性目的,以便阐明某些元件的相对定位或位置,和/或指示第一和第二元件。此处使用的术语″顶部″和″底部″未必指示″顶部″组件沿着这种方向位于″底部″组件上方,和/或组件可在空间中倒转、旋转、移动,沿着对角线方向或位置放置,水平或垂直地放置,或者做类似的修改。
[0015]应意识到此处使用的术语″密封腔″涉及被隔离的腔,也就是说,与环境流体不连通,例如,环境包含腔的元件周围的空气,以致密封腔中的任何内容都不与环境直接接触。
[0016]参考图1,图1示意地阐明根据本发明示例性实施例的MEMS装置100。
[0017]根据本发明的一些示例性实施例,装置100可用作例如FBAR射频滤波器,正如本领域中已知的。装置100包括膜112,该膜连接支撑结构101,该支撑结构包括至少一个密封腔116,如下文详细所述。
[0018]根据本发明的一些示例性实施例,装置100进一步包括一个或多个底部导体106,该底部导体连接膜112和/或支撑结构101。装置100还包括一个或多个顶部导体110,该顶部导体连接膜112。可选择地,装置100包括一个或多个晶片通路108。
[0019]根据本发明的示例性实施例,支撑结构101包括盖层114,该盖层具有连接膜112的第一表面,例如,顶部表面107和连接基部结构103的第二表面,例如,底部表面109。密封腔116可密封在表面109和基部结构103之间。
[0020]根据本发明的一些示例性实施例,基部结构103包括两个或更多的突起104,该突起连接基础基底102,并分离基础基底102和盖层114。基础基底103可由任何适当的材料形成,例如半导体材料,例如,硅。突起104可由任何适当的材料形成,例如绝缘材料,例如,二氧化硅。尽管本发明在这方面不受限制,但在本发明的示例性实施例中突起104具有在0.05和10微米之间的厚度。
[0021]根据其它实施例,基础基底102和突起104例如可由硅树脂整体形成。
[0022]根据本发明的示例性实施例,膜112可由任何适当的材料形成,例如,氮化铝,其适合于FBAR装置,或者任何其它压电材料,例如,氧化锌,或者任何其它适当的材料。尽管本发明在这方面不受限制,但在本发明的示例性实施例中膜112具有在0.05和100微米之间的厚度。此外,在本发明的实施例中,膜112可构造为任何适当的形状或者形式,可包括根据特定实现和/或设计要求的任何适当的组件。
[0023]根据本发明的示例性实施例,盖层114可由选择性渗透材料形成,例如,氮化铝,其在预定情况下仅对某些材料可渗透,例如,如下所述。
[0024]根据本发明的一些示例性实施例,盖层114可由压电材料形成,例如,氮化铝或者氧化锌,类似于膜112的材料。然而,根据其它实施例,盖层114可由类似于或者不同于膜112材料的任何其它适当的材料形成。
[0025]导体106和/或110可由任何适当的传导材料形成,例如,铝。在本发明的实施例中,例如,导体106和/或110使用电接触(未显示)、通路108和/或其它传导元件(未显示)将装置100电连接到装置的其它组件和/或电路、和/或合并到装置100中的系统。通路108包括任何适当的传导通路,例如,金属通路。
[0026]熟悉本领域的技术人员应意识到,在本发明的示例性实施例中,密封腔116可被隔离,也就是说,与环境流体不连通,例如,装置101周围的环境。
[0027]相应地,熟悉本领域的技术人员应意识到,与传统的未密封腔相反,本发明可保护腔116不受环境的不希望条件的影响,例如,湿度,传统的腔例如通过一个或多个释放孔与环境流体连通。
[0028]熟悉本领域的技术人员还意识到,尽管参考图1示意图的上述说明描述了大致呈平面的MEMS装置和/或大致彼此平行放置的组件,但本发明在这方面不受限制。本发明的实施例包括不呈平面的MEMS装置,和/或彼此不平行或者大致平行的组件。
[0029]参考图2,其示意地阐明用于生产根据本发明示例性实施例的MEMS装置的方法的流程图,例如,装置100(图1),参考图3A-3I,其示意地阐明图2方法中的示例性阶段和对理解该方法有用的示例性组件。
[0030]尽管本发明在这方面不受限制,但此处使用的涉及物品的术语″生产″可理解为包括其中制造或者装配该物品,提供预加工物品,或者加工部分形成的物品。
[0031]根据本发明的示例性实施例,该方法包括生产基部结构,该基部结构包括一个或多个凹槽,如图2的方框202所示。如图3A所示,根据本发明的一些示例性实施例,基部结构242包括一个或多个凹槽245,该凹槽在例如由二氧化硅形成的两个或更多突起243之间形成,该突起连接基础基底244,该基础基底例如由半导体材料形成,例如,硅。生产该基部结构包括例如使用本领域中已知的任何适当的方法,例如,等离子增强化学气相淀积(PECVD)方法或者溅射方法,在基础基底244上淀积一层例如硅树脂氧化物。生产该基部结构还包括使用本领域中已知的任何材料移除办法,例如,任何适当的光刻和/或蚀刻工艺,例如,干蚀刻工艺,形成凹槽245。
[0032]如图2的方框204所示,该方法还包括例如使用本领域中已知的适当的旋涂工艺在基部结构上淀积一层牺牲材料。根据本发明的一些示例性实施例,该牺牲材料包括UnityTM的牺牲聚合体,该牺牲聚合体可从美国俄亥俄州的Promerus Electronic Materials公司获得,或者任何其它适当的牺牲材料,例如,聚合体。如图3B所示,上述操作所得到的部分250包括一层251的牺牲材料,该牺牲材料填满凹槽245。层251额外覆盖至少一些突起243。根据本发明的示例性实施例,该方法还包括执行溶剂闪蒸工艺,该溶剂闪蒸工艺包括,例如,将部分250放置在电炉上,加热部分250大约5秒达到大约100℃的温度。该方法还包括执行例如本领域中已知的固化工艺,以便防止层251被氧化。该固化工艺包括,例如,在N2环境中加热部份250大约两小时达到大约300℃的温度。
[0033]如图2的方框206所示,该方法进一步包括例如使用本领域中已知的任何适当的抛光办法移除突起243上方层251的超出部分。如图3C所示,上述操作所得到的部分255包括基部结构242,该基部结构具有大致被牺牲材料填满的凹槽245,以及具有部分255的顶部表面256,该顶部表面上大致没有牺牲材料。
[0034]如图2的方框208所示,该方法例如使用本领域中已知的适当淀积工艺继续在部分255上淀积盖层。根据本发明的一些示例性实施例,该盖层可由大致不渗透的材料形成,该材料在预定情况下选择性地对牺牲材料可渗透,例如,如下所述的温度和/或压力下。例如,该盖层可由氮化铝或者氧化锌形成。如图3D所示,上述操作所得到的部分260包括连接突起243的盖层261,以致该牺牲材料密封在层261和基部结构242之间。
[0035]如图2的方框210所示,该方法继续移除密闭在层261和基部结构242之间的牺牲材料。在本发明的示例性实施例中,移除牺牲材料包括使至少一部分牺牲材料渗透通过选择性可渗透的盖层261。尽管本发明在这方面不受限制,但使至少一部分牺牲材料渗透通过盖层包括例如加热部分260,例如,部分260放置在熔炉中,其温度适合于将牺牲材料转变为气态形式,例如,本领域已知的氮或者氢石英管熔炉。例如,如果使用UnityTM400牺牲聚合体,则部分260加热到大约400℃的温度。例如,如果使用不同的牺牲材料、盖层和/或基础基底,应意识到可执行任何其它适当的办法以便移除至少大部分牺牲材料。如图3E所示,上述操作所得到的支撑结构265包括密封在盖层261和基部结构242之间的一个或多个密封腔262。
[0036]如图2的方框212所示,该方法继续在支撑结构265的顶部表面272上形成至少一个底部导体271。形成该至少一个导体包括使用本领域中已知的任何淀积和/或图案形成方法,例如,溅射、蚀刻和/或光刻。如图3F所示,上述操作所得到的部分270包括连接表面272的至少一个导体271。
[0037]如图2的方框214所示,该方法继续将膜276施加到表面272。膜可使用本领域已知的任何淀积和/或图案形成方法施加。如图3G所示,上述操作所得到的部分275包括连接表面272的膜276。
[0038]如图2的方框216所示,该方法继续在膜276的表面281上形成至少一个顶部导体278。至少一个导体可使用本领域已知的任何淀积和/或图案形成方法形成,例如,溅射、蚀刻和/或光刻。如图3H所示,上述操作所得到的部分280包括连接膜276的至少一个导体278。
[0039]如图2的方框218所示,该方法例如使用本领域中已知的任何适当的方法继续在膜276中建立至少一个通路289。根据一些示例性实施例,例如,在建立通路289之后,一个或多个导体291可在导体278上和/或在表面281上形成。如图3I所示,上述操作所得到的MEMS装置290包括导体271、278和/或29,例如,该导体至少部分连接膜276。
[0040]应意识到密封腔262与装置290周围的环境隔离。
[0041]应注意到本发明的实施例包括单元和/或子单元,它们可以彼此分离或者结合在一起,可使用本领域中已知的特殊、通用或者普遍的装置实现。
[0042]虽然此处阐明和描述了本发明的某些特征,但熟悉本领域的普通技术人员能想到许多修改、替换、改变和同等物。因而,应理解后附的权利要求书用于覆盖落入本发明真正精神范围内的所有这些修改和改变。

Claims (29)

1、一种装置,包括:
基部结构;和
盖层,该盖层连接所述基部结构的顶部表面,能支撑电子机械装置的一个或多个元件,
其中,封在所述基部结构和所述盖层之间的一个或多个腔与外界环境隔离。
2、如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述基部结构包括连接基础基底的一个或多个突起,其中所述一个或多个腔密封在所述盖层、所述基础基底和所述突起之间。
3、如权利要求2所述的装置,其特征在于,所述一个或多个突起包含绝缘材料。
4、如权利要求2所述的装置,其特征在于,所述基础基底包括半导体材料。
5、如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述一个或多个元件包括膜。
6、如权利要求5所述的装置,其特征在于,所述膜包括压电材料。
7、如权利要求5所述的装置,其特征在于,所述膜包括氮化铝。
8、如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述盖层包括选择性渗透材料。
9、如权利要求8所述的装置,其特征在于,当遇到预定情况时,所述选择性渗透材料是可渗透的。
10、如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述盖层包括压电材料。
11、如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述盖层包括氮化铝。
12、如权利要求1所述的装置,包括薄膜腔声谐振器过滤器。
13、如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述电子机械装置包括微电子机械系统装置。
14、一种微电子机械系统装置,包括:
膜,该膜连接具有一个或多个密封腔的支撑结构。
15、如权利要求14所述的装置,其特征在于,所述支撑结构包括:
基部结构;和
盖层,该盖层具有连接所述基部结构的第一侧和连接所述膜的第二侧;
基部结构,该基部结构连接所述盖层的第二侧,
其中,所述一个或多个密封腔封在所述基部结构和所述盖层之间。
16、如权利要求15所述的装置,其特征在于,所述基部结构包括连接基础基底的一个或多个突起,其中所述一个或多个腔封在所述盖层、所述基础基底和所述突起之间。
17、如权利要求15所述的装置,其特征在于,所述盖层包括压电材料。
18、如权利要求15所述的装置,其特征在于,所述盖层包括选择性渗透材料。
19、如权利要求18所述的装置,其特征在于,当遇到预定情况时,所述选择性渗透材料是可渗透的。
20、如权利要求14所述的装置,其特征在于,所述膜包括压电材料。
21、如权利要求14所述的装置,其特征在于,所述膜包括氮化铝。
22、一种方法,包括:
生产具有一个或多个凹槽的基部结构;
将一层牺牲材料施加到所述基础基底上,以便填满一个或多个所述凹槽;
施加盖层,以便覆盖所述凹槽中的牺牲材料;
移除填满所述凹槽的至少一部分牺牲材料;和
在所述盖层上施加电子机械装置的一个或多个元件。
23、如权利要求22所述的方法,其特征在于,所述移除步骤包括促使至少一部分所述牺牲材料渗透通过所述盖层。
24、如权利要求23所述的方法,其特征在于,所述促使步骤包括加热所述牺牲材料。
25、如权利要求22所述的方法,其特征在于,生产所述基部结构的步骤包括在基础基底上施加一个或多个突起。
26、如权利要求22所述的方法,其特征在于,所述牺牲材料包括牺牲聚合体。
27、如权利要求22所述的方法,其特征在于,所述一个或多个元件包括膜。
28、如权利要求22所述的方法,其特征在于,所述一个或多个元件包括至少一个导体。
29、如权利要求22所述的方法,其特征在于,所述电子机械装置包括微电子机械系统装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102344111A (zh) * 2010-07-26 2012-02-08 意法半导体股份有限公司 用于制造含设置有过滤器的掩埋区域的微机械结构的方法
CN107241077A (zh) * 2017-05-12 2017-10-10 电子科技大学 一种压电薄膜体声波谐振器及其制备方法

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006060385A (ja) * 2004-08-18 2006-03-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 共振器及びそれを用いるフィルタ
US7214564B2 (en) * 2005-03-17 2007-05-08 Chung Shan Institute Of Science And Technology Method of forming film bulk acoustic wave filter assembly
KR100622393B1 (ko) * 2005-07-05 2006-09-12 삼성전자주식회사 일 표면 상에 딤플이 제작된 공진부를 포함하는 벌크 음향공진기 및 그 제조방법
US7436271B2 (en) * 2005-11-04 2008-10-14 Cornell Research Foundation, Inc. Dielectrically transduced single-ended to differential MEMS filter
US9225311B2 (en) 2012-02-21 2015-12-29 International Business Machines Corporation Method of manufacturing switchable filters
US9379686B2 (en) * 2014-03-04 2016-06-28 Qualcomm Incorporated Resonator with a staggered electrode configuration
WO2015161026A1 (en) * 2014-04-17 2015-10-22 Skyworks Solutions, Inc. Microelectromechanical systems having contaminant control features
US9862592B2 (en) * 2015-03-13 2018-01-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. MEMS transducer and method for manufacturing the same
CN112039459B (zh) * 2019-07-19 2024-03-08 中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司 体声波谐振器的封装方法及封装结构

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5373268A (en) * 1993-02-01 1994-12-13 Motorola, Inc. Thin film resonator having stacked acoustic reflecting impedance matching layers and method
US5692279A (en) * 1995-08-17 1997-12-02 Motorola Method of making a monolithic thin film resonator lattice filter
EP1376684B1 (en) * 1997-01-21 2008-11-26 Georgia Tech Research Corporation Fabrication of a semiconductor device with air gaps for ultra-low capacitance interconnections
US6141072A (en) * 1997-04-04 2000-10-31 Georgia Tech Research Corporation System and method for efficient manufacturing of liquid crystal displays
US6081171A (en) * 1998-04-08 2000-06-27 Nokia Mobile Phones Limited Monolithic filters utilizing thin film bulk acoustic wave devices and minimum passive components for controlling the shape and width of a passband response
JP4326151B2 (ja) * 1998-05-08 2009-09-02 アバゴ・テクノロジーズ・ワイヤレス・アイピー(シンガポール)プライベート・リミテッド 薄膜圧電振動子
US6509813B2 (en) * 2001-01-16 2003-01-21 Nokia Mobile Phones Ltd. Bulk acoustic wave resonator with a conductive mirror
KR100449069B1 (ko) 2001-09-12 2004-09-18 한국전자통신연구원 미소전극, 미소전극 어레이 및 미소전극 제조 방법
JP3830843B2 (ja) * 2002-03-28 2006-10-11 株式会社東芝 薄膜圧電共振子
KR100506729B1 (ko) * 2002-05-21 2005-08-08 삼성전기주식회사 박막 벌크 어코스틱 공진기(FBARs)소자 및 그제조방법
US6894360B2 (en) 2002-07-30 2005-05-17 Agilent Technologies, Inc. Electrostatic discharge protection of thin-film resonators

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102344111A (zh) * 2010-07-26 2012-02-08 意法半导体股份有限公司 用于制造含设置有过滤器的掩埋区域的微机械结构的方法
US9061248B1 (en) 2010-07-26 2015-06-23 Stmicroelectronics S.R.L. Process for manufacturing a micromechanical structure having a buried area provided with a filter
CN102344111B (zh) * 2010-07-26 2016-01-13 意法半导体股份有限公司 用于制造含设置有过滤器的掩埋区域的微机械结构的方法
CN107241077A (zh) * 2017-05-12 2017-10-10 电子科技大学 一种压电薄膜体声波谐振器及其制备方法
CN107241077B (zh) * 2017-05-12 2020-12-29 电子科技大学 一种压电薄膜体声波谐振器及其制备方法

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