CN1929870A

CN1929870A - 流体处理系统

Info

Publication number: CN1929870A
Application number: CNA2005800080221A
Authority: CN
Inventors: 韦斯·弗罗姆; 博伊科·查德罗夫; 迈克·马尔库; 理查德·格拉唐; 戴维·奥尔森; 吉姆·弗拉塞尔; 达斯科·A·凯泽莱
Original assignee: Trojan Technologies Inc Canada
Current assignee: Trojan Technologies Inc Canada
Priority date: 2004-03-12
Filing date: 2005-03-14
Publication date: 2007-03-14
Anticipated expiration: 2025-03-14
Also published as: CN100571788C

Abstract

本发明涉及一种流体处理系统，包括：入口；出口；设置在该入口和出口之间的流体处理区，该流体处理区具有设置在其中的：(i)具有第一纵向轴线的长条形的第一辐射源组件，和(ii)具有第二纵向轴线的长条形的第二辐射源组件；其中所述第一纵向轴线和第二纵向轴线彼此不平行且不与流体流穿过流体处理区的方向平行。本流体处理系统具有如下优点：能处理大体积的流体(例如污水或饮用水等)；能增大对穿过反应器的最大允许速度的限制；要求较小的“占地面积”；形成较低的阻力系数，改进在流体处理系统的长度上的液压损失/梯度；形成辐射源较低(或没有)的受迫振动，因此避免或减轻辐射源和/或保护套管(如果有)的损坏。其它优点将在说明书中讨论。

Description

流体处理系统

技术领域

一方面，本发明涉及一种流体处理系统，更具体地，涉及一种紫外线辐射水处理系统。另一方面，本发明涉及一种用于处理流体的方法，更具体地，涉及一种用于处理辐射水的方法。

背景技术

通常，流体处理系统在本领域是已知的。更具体地，紫外线(UV)辐射流体处理系统通常在本领域是已知的。早期的处理系统包括全包围室设计，该室包含有一个或多个辐射(优选为UV)灯。在这类早期的设计中存在某些问题。当应用于如典型的更大规模的市政污水或饮用水处理设备的大的开放型流体处理设备时，这些问题特别地明显。因此，这类反应器具有以下的相关问题：

●反应器的较高的资金成本；

●难以接触到浸没的反应器和/或湿的设备(灯、套管清洁器等)；

●难以将淤塞的材料从流体处理设备中移除；

●较低的流体消毒效率，和/或

●需要繁杂的设备用于对湿的组件(套管、灯等)的维护。

常规反应器中的这些缺点造成所谓的“开放通道”反应器的发展。

例如，美国专利4,482,809和5,006,244(均为Maarschalkerweerd名下并且均受让于本发明的受让人，且在这里称为Maarschalkerweerd#1专利)均描述了使用紫外线(UV)辐射的重力反馈流体处理系统。

这样的系统包括UV灯模块的排列(例如，框架)，该排列包括若干UV灯，每个均安装于在一对臂之间延伸并由该臂支撑的套管内，其中该一对臂与截面相接触。这样支撑的套管(包括UV灯)被浸入流体中，该流体被处理而后按需要被辐射。流体暴露于辐射的量由流体与灯的靠近量，灯的输出瓦数和经过灯的流体流量来决定。典型地，可使用一个或多个UV传感器来监控灯的UV输出，并且通过水位闸门等在一定程度上典型地控制处理装置下游的流体水平。

Maarschalkerweerd#1专利给出了流体处理系统，该系统的特征在于将设备从湿的或淹没状态取出而不需要全部设备重复的改进的性能。这样的设计将灯排列划分为行和/或列，且特征在于具有反应器开口的顶部来提供“顶部开口”通道中的流体的自由表面流。

Maarschalkerweerd#1专利给出的流体处理系统的特征在于具有流体的自由表面流(典型地，不有意地控制或限定顶部流体表面)。因此，该系统将典型地遵循开放通道水力的运动行为。由于该系统的设计固有地包括流体的自由表面流，对每个灯能够处理的最大流量有限制，以免在某个水力学上邻接的排列被水位变化不利地影响。在更高的流量或流量的显著改变的情况下，不受限或自由的流体的表面流将被用来改变流体流的处理容量和截面形状，因此使反应器相对地不太有效。如果排列中供给到每个灯的功率较低，则每个灯的流体流将较低。流体处理系统全开通道的概念将在这些较低功率灯和较低的水力负载处理系统中满足。这里的问题是，使用较低功率的灯，因此需要相对大量的灯来处理流体流的同一体积。因此，系统的固有成本将过于高和/或与自动灯套管清洁的附加特征及大流体体积处理系统相比没有竞争力。

这样的情况导致了所谓的“半封闭”流体处理系统。

美国专利5,418,370、5,539,210和Re36,896(均为Maarschalkerweerd名下且均受让于本发明的受让人，以下称为Maarschalkerweerd#2专利)中都描述了一种改进的辐射源模块，用于使用UV辐射的重力反馈流体处理系统。通常，该改进的辐射源模块包括从支撑部件处悬臂密封的辐射源组件(典型地包括辐射源和保护(例如石英)套管)。该支撑部件可进一步包括用来在重力反馈流体处理系统中紧固辐射源模块的适合的装置。

这样，为了解决具有大量灯以及清洁每个灯的增加的高成本，对UV流体处理应用了具有更高输出的灯。结果是灯的数量和每个灯的长度显著地减少。这样导致自动灯套管清洁设备的可支付的经济性，对于处理系统的降低的空间要求以及其它优点。为了使用更多的大功率灯(例如中压UV灯)，系统使用过程中每灯的水力负载将增加到一定程度，如果反应器表面没有在所有表面上限定则反应器内流体的处理容量/截面面积将显著改变，且因此将使得这样的系统相对不起作用。因此，Maarschalkerweerd#2专利的特征在于具有限定反应器的处理区域内被处理流体的封闭表面。该封闭处理系统具有设置在开放通道内的开口端。能使用枢转铰接、滑动装置和各种其它能使设备移动的装置来将浸没的或湿的设备(UV灯、清洁器等)从半封闭反应器中取出到自由表面。

Maarschalkerweerd#2专利中所述的流体处理系统的典型特征在于悬臂连到大致竖直的支撑臂(例如灯只在一端被支撑)的具有较短长度的灯。这样可使灯从半封闭反应器中枢转或以其它方式取出。这些显著变短且功率更大的灯的特征在于将电能转化为UV能时效率较低。与该设备相关的接近和支撑这些灯的成本很重要。

历史上，Maarschalkerweerd#1和#2专利中所述的流体处理模块和系统在市政污水处理领域具有广泛应用(例如对于排放到河流、池塘、湖或其它类似的水流中的水的处理)。

在市政饮用水领域，已知的是使用所谓的“封闭”流体处理系统或“加压”流体处理系统。

已知的封闭流体处理装置，例如见美国专利5,504,335(Maarschalkerweerd#3)。Maarschalkerweerd#3给出了包括用于接收流体流的外壳的封闭流体处理装置。该外壳包括流体入口、流体出口、设置在流体入口和流体出口之间的流体处理区、和设置在流体处理区中的至少一个辐射源模块。流体入口、流体出口和流体处理区彼此成直线关系。该至少一个辐射源模块包括密封地连接于一臂的辐射源，该臂密封地安装在外壳上。该辐射源设置为大致平行于流体流。该辐射源模块可通过设置在中间外壳中的孔移动到流体入口和流体出口，因此避免了维护辐射源时将装置进行物理移动的需要。

美国专利6,500,346[Taghipour等人(Taghipour)]中给出了封闭流体处理装置，特别是用于对诸如水的流体的紫外辐射处理。该装置包括用于接收流体流的外壳。该外壳具有流体入口、流体出口、设置在流体入口和流体出口之间的流体处理区、和至少一个辐射源，该辐射源具有设置在流体处理区中的纵向轴线，该轴线大致与穿过外壳的流体流的方向横向交叉。流体入口、流体出口和流体处理区设置为彼此大致成直线关系。流体入口具有第一开口，该开口具有：(i)小于流体处理区截面积的截面面积，和(ii)大致平行于至少一个辐射源组件的纵向轴线的最大直径。

在上述类型的已知流体处理系统的实际实施中，使辐射源的纵向轴线：(i)平行于穿过流体处理系统的流体流的方向，或(ii)正交于穿过流体处理系统的流体流的方向。而且，在布置(ii)中，通常是将灯设置在排列中，使得从流体处理系统的上游端到下游端，下游辐射源直接位于上游辐射源后边。

UV辐射水处理系统中的布置(ii)的使用基于根据被处理水的穿透度(transmittance)，辐射在距辐射源规定的距离内有效的理论。因此，在布置(ii)中留有辐射源的间隔变得很平常，从而相邻辐射源的纵向轴线上的间隔距离大约等于上句中提到的规定距离的两倍。

不利的是，对于大体积流体的处理，布置(ii)有多个不利的原因。具体地，布置(ii)的实现需要较大的“占地面积”或空间来容纳辐射源。而且，在布置(ii)中使用大量辐射源产生较大的阻力系数，导致在流体处理系统长度上的较大的液压损失/梯度。而且，在布置(ii)中使用大量辐射源会产生涡流效应(在下文中将更详细地讨论该效应)，导致辐射源的受迫振动，这样的受迫振动增加了辐射源和/或保护套管(如果有)的损坏的可能性。

因此，在本领域中仍有对于流体处理系统的需要，特别是对于具有以下特征中的一个或多个的封闭流体处理系统：

●能处理大体积的流体(例如污水或饮用水等)；

●能增大对穿过反应器的最大允许速度的限制；

●要求较小的“占地面积”；

●形成较低的阻力系数，改进在流体处理系统的长度上的液压损失/梯度；

●形成辐射源较低(或没有)的受迫振动，因此避免或减轻辐射源和/或保护套管(如果有)的损坏；

●能容易适于利用较新开发的所谓“低压高输出”(LPHO)，汞合金和/或UV发射灯，同时允许在用于维护等时容易地将灯从流体处理系统中取出；

●能使用标准长度的灯用于反应器的各种宽度；

●能容易地与清洁系统结合以将淤塞物质从辐射源的外部清除；

●能以更新升级的方式容易地安装在现有流体处理厂中；

●提供与常规流体处理系统相比的相对改进的消毒性能。

发明内容

本发明的目的是提供一种新颖的流体处理系统，该系统可避免或减少至少一个上述的现有技术的缺点。

一方面，本发明涉及一种流体处理系统，包括：

入口；

出口；

设置在该入口和出口之间的流体处理区，该流体处理区具有设置在其中的：(i)具有第一纵向轴线的长条形的第一辐射源组件，和(ii)具有第二纵向轴线的长条形的第二辐射源组件；

其中所述第一纵向轴线和第二纵向轴线彼此不平行且不与流体流穿过流体处理区的方向平行。

另一方面，本发明涉及一种流体处理系统，包括：

入口；

出口；

设置在该入口和出口之间的流体处理区，该流体处理区具有设置在其中的辐射源组件排列，该辐射源组件排列从流体处理区的上游区域到下游区域串连地设置，使得：(i)每个辐射源组件具有横向于流体流穿过流体处理区的方向的纵向轴线，(ii)上游辐射源组件的纵向轴线与下游辐射源组件在垂直于流体流穿过流体处理区的方向交错，从而在该上游辐射源组件和下游辐射源组件之间形成部分重叠，以及(iii)流体流不具有穿过流体处理区的不受阻碍的通路。

另一方面，本发明涉及一种流体处理系统，包括：

入口；

出口；

设置在该入口和出口之间的流体处理区，该流体处理区具有设置在其中的辐射源组件行的排列；

每个辐射源组件具有横向于或平行于流体流穿过流体处理区的方向的纵向轴线；

每一行包括多个辐射源组件，该多个辐射源组件在横向于流体流穿过流体处理区的方向上成间隔的关系，从而限定间隙，流体能够穿过该间隙在相邻的一对辐射源组件之间流动；

该排列中所有的行在垂直于流体流穿过流体处理区的方向上彼此交错，使得辐射源组件的上游行中的相邻的一对辐射源组件之间的间隙在流体流的方向上被辐射源组件构成的至少两个串连设置的下游行部分地或全部地阻碍。

另一方面，本发明涉及一种流体处理系统，包括：

入口；

出口；

设置在该入口和出口之间的流体处理区，该流体处理区具有设置在其中的辐射源组件排列，每个辐射源组件具有横向于或平行于流体流穿过流体处理区的方向的纵向轴线；

该辐射源组件排列包括：第一行辐射源组件，位于第一行辐射源组件下游的第二行辐射源组件，位于第二行辐射源组件下游的第三行辐射源组件，和位于第三行辐射源组件下游的第四行辐射源组件；

第一行内的相邻的一对辐射源组件限定流体可流过的第一间隙，第二行的辐射源组件部分阻碍该第一间隙，从而将该第一间隙分为第二间隙和第三间隙，第三行的辐射源组件至少部分阻碍第二间隙，以及第四行的辐射源组件至少部分阻碍第三间隙。

另一方面，本发明涉及一种流体处理系统，包括：

入口；

出口；

设置在该入口和出口之间的流体处理区，该流体处理区具有设置在其中的排列，该排列包括从流体处理区上游部分到下游部分串连设置的4行辐射源组件；

每个辐射源组件具有横向于流体流穿过流体处理区方向的纵向轴线；

其中：(i)所述排列中的第一对辐射源组件行包括在该行中相邻的辐射源组件对之间的大致均一的间隔；和(ii)所述排列中的第二对辐射源组件行包括在该行中相邻的辐射源组件对之间的大致不均一的间隔。

除了上述辐射源组件排列设置，还能使用所谓的边界辐射源组件，即辐射源组件位于平行于或靠近相对的反应器壁。所有边界辐射源组件的轴线互相邻近，各外边界辐射源组件处于相同的平面内。

因此，本发明的流体处理系统具有以下的一个或多个优点：

●能处理大体积的流体(例如污水或饮用水等)；

●能增大对穿过反应器的最大允许速度的限制；

●要求较小的“占地面积”；

●能使用标准长度的灯用于反应器的各种宽度；

●能以更新升级的方式容易地安装在现有流体处理厂中；

●提供与常规流体处理系统相比的相对改进的消毒性能(即，辐射源设置在该系统中，使其纵向轴线平行或垂直于流体流穿过包含在该系统内的流体处理区的方向)。

在总体上的一方面，本发明涉及一种流体处理系统，该系统包括以新颖的方式设置的至少两个辐射源组件。具体地，该辐射源组件设置为使得其中辐射源的各纵向轴线成彼此不平行的关系，且不与流体流穿过流体处理区的方向平行。这种设置不同于常规的流体处理系统，在常规流体处理系统中，所有的灯设置为使得辐射源组件内的各辐射源的纵向轴线成平行的关系，且这些轴线垂直或平行于流体流的方向。

在本发明一方面的特别优选的实施例中，辐射源组件在排列中一般设置为V形。在该实施例中，优选地具有排列起来形成V形设置的各辐射源组件排列组(bank)。如以下更具体说明的，以这样的方式定向辐射源组件的一个优点是显著降低了由于涡流效应引起的辐射源的受迫振动。

另一方面，本发明涉及一种流体处理系统，其中辐射源组件以一系列行的形式设置为横向于或平行于穿过流体处理区的流体流的方向，每一行包括在垂直于流体流穿过流体处理区的方向上间隔设置的多个辐射源组件。在本发明该方面的一个实施例中(也称为“交错/横向定向”)，辐射源组件设置为横向于流体流穿过流体处理区的方向，且以这样的方式定向，即从流体处理区的上游部分到下游部分，辐射源组件在垂直于流体流穿过流体处理区的方向上交错，从而限定了这些组件之间的部分重叠。优选地，组件的集合设置为使得不具有流体流穿过流体处理区内辐射源组件设置的不受阻碍的通路。实际中，可通过看流体处理区的入口来观察，且看到在穿过从入口到出口的流体处理区中的辐射源组件的设置内没有清晰、不阻碍的通路。在本发明该方面的另一实施例中(也称为“交错/平行定向”)，辐射源组件设置为平行于流体流穿过流体处理区内的辐射源组件设置的方向，且以这样的方式定向，即从流体处理区的上游部分到下游部分，辐射源组件设置为至少两个串连设置的排列组的形式，使得上游排列组中的多行辐射源组件在垂直于流体流穿过流体处理区中的辐射源组件的设置的方向上与下游排列组中的多行辐射源组件交错。

另一方面，本发明涉及一种流体处理系统，其中在流体处理区中设置有辐射源组件排列。该辐射源组件定向为横向于流体流穿过流体处理区的方向。该辐射源组件的排列包括第一行辐射源组件，其设置为在垂直于流体流穿过流体处理区的方向上的行内的辐射源组件对之间限定预定间隔。至少还有两行辐射源组件设置在第一行辐射源组件的下游。在一优选实施例中，这些下游辐射源组件行(例如两行或更多行)结合起来以填满或占用第一行的一列灯内的辐射源组件对之间的预定间隔，即，如果从流体处理系统的入口处看辐射源组件排列。在另一优选实施例中，这些下游辐射源组件行(例如两行或更多行)结合起来以仅部分填满或占用第一行的一列灯内的辐射源组件对之间的预定间隔，即，如果从流体处理系统的入口处看辐射源组件排列的情况。

在本流体处理系统中，能在流体处理区的上游和/或下游结合所谓的过渡区域。优选地，这样的过渡区用作以漏斗或其它的流体流过渡的形式，使得垂直于流体流方向的流体流的截面面积：(i)增大(如果该过渡区位于流体处理区上游)因而降低流体流的速度，或(ii)减小(如果该过渡区位于流体处理区下游)因而增大流体流的速度。

在整个说明书中，均参考使用例如“封闭区”、“封闭截面”和“受约束的”的术语。基本上，这些术语是可互换的，且均用来表示以类似于MaarshalkerWeerd#2专利(具体参考这里描述的流体处理区)中所述的方式有效地包围流体流的结构。

而且，如本说明书通篇所用的，术语“流体”具有广泛的涵义且包括液体和气体。用于本发明的处理的优选流体是液体，优选为水(例如废水、工业污水、再利用水、饮用水、地下水等)。而且，术语“行”和“列”在本说明书中的使用与辐射源的布置有关，可理解这两个术语可互换使用。

本领域技术人员可知本说明书中所述的使用密封等来提供流体处理系统内相邻元件之间的实际的流体密封。例如，本领域技术人员已知使用配合螺母、O形圈、衬套等的结合来提供辐射源组件外部(例如水)与包含辐射源(例如紫外辐射灯)的辐射源组件内部之间的大致液密的密封。

附图说明

本发明的实施例将参考附图进行说明，其中相同的数字表示相同的部件，其中：

图1为本发明流体处理系统的第一实施例的部分剖开的透视图；

图2为本发明流体处理系统的第二实施例的部分剖开的透视图；

图3为从图2所示的流体处理系统的入口看的端部视图；

图4为图2所示的流体处理系统的顶视图(部分切开)；

图5为图2所示的流体处理系统的侧视图；

图6为本发明流体处理系统的第三实施例的辐射源组件的定向的示意侧视图；

图7为本发明流体处理系统的第四实施例的辐射源组件的定向的示意侧视图；

图8a为本发明流体处理系统的第五实施例的顶视图(部分剖开)；

图8b为本发明流体处理系统的第六实施例的顶视图(部分剖开)；

图9为结合了清洁装置的辐射源组件排列的顶视图，该清洁装置用于将淤塞物质从组件外部清除；

图10示出了随着流体流经过现有技术流体处理系统的辐射源组件而产生的涡流；

图11示出了随着流体流经过根据本发明的流体处理系统的辐射源组件而产生的涡流；

图12-15参考以上的交错/平行定向的多个实施例的示意性端部视图(即穿过流体处理区看的视图)；和

图16为本发明流体处理系统的高优选实施例中的辐射源组件的定向的示意性侧视图。

具体实施方式

参考图1，其中示出了流体处理系统10。流体处理系统10包括入口12和出口24。流体处理区20设置在入口12和出口24之间。

流体处理区20通过入口过渡区14与入口12互连，该入口过渡区14包括第一过渡区16和中间过渡区18。出口24通过出口过渡区22与流体处理区20互连。

如图所示，流体按箭头A的方向经过流体处理系统10(包括流体处理区20)。

如图所示，入口12、入口过渡区14、流体处理区20、出口过渡区22和出口24均具有封闭截面。使用术语“封闭截面”是指将流体流在所有的侧面和/或表面限定的封闭体。

如图所示，入口12和出口24具有圆形截面，非常类似常规的管道设置。还如图所示，流体处理区20具有方形或矩形截面。当然也能将流体处理区20构造成具有其它的截面形状。

设置在流体处理区20中的为辐射源组件的第一排列组26和辐射源组件的第二排列组28。排列组26和28内的每个辐射源组件为长条形的且具有倾斜于经过流体处理区20的流体流方向(见箭头A或箭头A的投影线虚线30)的纵向轴线。

排列组26内的辐射源组件安装在流体处理区20的一侧上且具有由支撑元件32支撑的远端。类似地，排列组28内的每个辐射源组件具有安装在流体处理区20一侧上的一端和由支撑元件32支撑的远端。

结果，由排列组26和28形成的辐射源组件相对流体流的排列成V形构造的形式，“V”的顶点指向流体流。当然，“V”的顶点也能指向相反的方向。

而且，尽管排列组26和28内的每个辐射源组件的远端由单个的支撑元件32支撑，但其它的支撑元件对于本领域技术人员是显而易见的。

如图所示，中间过渡区18用于为灯排列的顶点提供组(nesting)区域。这样，优选地使中间过渡区18的侧面逐渐减小到较小的尺寸，同时在所示实施例中，保持顶部和底部处于一致的尺寸(将在下文中进一步说明)。

第一过渡区16与中间过渡区18和入口12互连，并用作以下目的：(i)减少封闭体的尺寸，和(ii)将截面形状从多边形过渡到圆形。类似地，出口过渡区22用于减少封闭体的尺寸并且将该封闭体的截面形状从圆形过渡到多边形。

入口过渡区14和出口过渡区22也用于避免或减缓水头损失问题，如果封闭体尺寸的显著变化出现在系统中，则该问题会出现。

现在参考附图2-5说明该流体处理系统的第二实施例。在附图2-5中，元件标号的后两位与图1中的元件标号相同的表示类似的元件。

参考图2-5，其中示出了流体处理系统100。流体处理系统100包括入口112和出口124。流体处理系统100还包括流体处理区120。

入口112通过入口过渡区114与流体处理区120互连。流体出口124通过出口过渡区122与流体处理区120互连。入口过渡区114包括第一过渡区116和中间过渡区118。

设置在流体处理区120中的为辐射源组件的第一排列组126和辐射源组件的第二排列组128。排列组126和128内的辐射源组件的方向相对于经过流体处理区120的流体流的方向类似于上述对于图1的说明。

如图所示，排列组126和128内的每个辐射源组件的远端部分由支撑柱支撑，该支撑柱与(i)经过流体处理区120的流体流的方向，和(ii)每个辐射源组件的纵向轴线成横向设置。

如图所示，特别是与图4相关，支撑柱134用于排列组126和128中的每一行辐射源组件。进一步如图4所示，辐射源排列的上游端包括从排列组126连接到支撑柱134的一行辐射源组件，即没有来自排列组128的由上游中央支撑来支撑的类似的一行辐射源组件。这样的设置在下游支撑柱134a处为反向设置。或者，每个中央支撑柱用作从每个排列组126和128的一行来支撑辐射源组件的远端部分。在一些情况下，支撑柱134也用作挡板，并近似用作防护物，在其之后布置有清洁装置(下述)。

具体参考图2和图5，可看到安装套管136铸连于或以其它方式紧固于流体处理区120的外表面。每个辐射源组件的近端区域被接纳在安装套管136中，且能以常规的方式实现流体型密封(未示出)。

进一步如图2-5所示，入口112和出口124可适于分别具有合适的标准法兰元件113和125。这样促进了流体处理系统100在常规管道中的隔离。例如，能将法兰元件113和125构造成常规尺寸，例如12英寸至72英寸。

具体参考图3，将看到排列组126和128设置为辐射源组件排列，当通过入口112来看流体处理区120时，显示为完全填满流体处理区120的阻碍物。换句话说，没有流体能穿过流体处理区120而不被强制绕着通过排列组126和/或128中的辐射源组件的明显通路。这种情况下，观察者沿着流体流穿过流体处理区120的方向能看到每个辐射源组件的轴线。

通过部分地交错排列组126和128中的辐射源组件的方向可产生这样的效果。例如，参考图5，能看到沿着流体处理区120纵向延伸，上游辐射源组件和下游辐射源组件以连续的方式部分重叠，例如见图5中的线150，该线示出了在每个排列组126和128中的辐射源组件的这样的逐渐交错。换句话说，下游辐射源组件通过相邻的上游辐射源组件部分的露出和部分的遮挡。这样，可看到上述的流体处理区120的截面区域部分(例如设置排列组126和128的部分)的完全阻碍不是通过排列组126和128中的两个连续列的辐射源组件的交错使得下游辐射源组件填在一对上游辐射源组件之间。而是，在本实施例中，三列或更多列这样的辐射源组件结合起定向以实现完全的阻碍。

优选地，每个辐射源组件优选地包括设置在保护套管(例如由石英等的透辐射材料)内的长条形的辐射源(例如低压高输出紫外辐射灯的紫外辐射灯)。在某些情况下，可以(或优选)利用辐射源而不用保护套管(例如不用保护套管的光子射灯)。

如具体参考图5可看到的，入口过渡区114的中间区域118具有与流体处理区120相同的横向。入口过渡区114的中间区域118的侧面如图4所示逐渐减小。这样的布置一方面允许逐渐减小的过渡而另一方面为辐射源排列的顶点留有足够的空间。

排列组126和128中的辐射源组件具有倾斜于经过流体处理区120的流体流(箭头A)方向的纵向轴线。结果，可在例如图4中清楚地看到排列组126和128中的辐射源组件的顶点形状的方向。排列组126和128中的辐射源组件的纵向轴线之间的夹角α优选地在从约15°至约170°的范围，更优选地在从约35°至120°的范围，更优选地在从约50°至约120°的范围，最优选地在约60°至约90°的范围。本领域技术人员可知，在具有固定长度的辐射源的情况下，该角度将决定反应器的横截面积。而且，尽管这里在图中没有具体示出，优选和期望地是在本发明的流体处理系统中结合清洁装置来从排列组126和128中的辐射源组件的外部移除污垢物质。

在本流体处理系统中结合清洁装置的例子在图9中示意性地示出。如图所示，能够结合作为套管的清洁装置，该套管在辐射源组件的外部以往复的方式形成。如图所示，清洁装置28以可移动套管的形式设置用于每个辐射源组件。在所示实施例中，“布置”清洁装置28使其位于支撑柱134的下游处。清洁装置28的特性没有特别的限制。见，例如美国专利6,342,188[Pearcey等人]和6,646,269[Traubenberg等人]，两者均受让于本发明的受让人。

参考图6，其中示意性地示出了辐射源组件布置的侧部正面图。通常，这样的布置与上述的V形构造相同。如图所示，6个辐射源组件的行B竖直地设置在流体处理区中。在行B中的每对辐射源组件之间具有预先确定的间隔C。

如图所示，行B的辐射源组件下游以这样的方式设置，使得辐射源组件的两个以上的随后的下游竖直行需要部分阻碍预先确定的间隔C。换句话说，如果沿箭头D看辐射源组件排列，则穿过预先确定的间隔C的流体流将由于行B下游的至少两行辐射源组件的布置而被阻碍。本领域技术人员可知，利用相对足够大量的行B，每行的交错的辐射源组件能完全阻碍穿过该交错排列的直线视线，而如果是较少的辐射源组件，则视线将不会被完全阻碍。

如图所示，辐射源组件排列包括在交错排列的外边缘处的同一平面内设置的四分之一的边界灯，在本实施例中，边界灯设置在流体处理区的外边缘处的同一平面内。如进一步所示的，辐射源组件排列设置为限定由包含四个辐射源组件的平行四边形组成的重复图案。

图7示出了类似于图6的示意图，除了辐射源组件的交错不同于图6中所示。具体地，可看到上述的参考图6的平行四边形重复图案没有在图7所示的布置中出现。另外，图7没有示出辐射源组件的边界灯的使用及随后行的交错，使得当从流体处理区的一端看辐射源组件排列时，第一行中的辐射源组件对之间的间隙可通过两个以上的随后的行有效地填满。

图8a为类似于图4所示的示意图，不同之处在于在流体处理区中使用了两组排列120a和120b。如图所示，排列120a和120b的每个均为类似于上述图1-4中所示的V形构造。

图8b为类似于图4所示的示意图，不同之处在于在流体处理区中使用了四组排列、120b、120c和120d。如图所示，排列120a、120b、120c和120d的每个均为类似于上述图1-4中所示的V形构造。优选地，每个120a、120b、120c和120d为参考图16如下所述进行设置。在图8b中，优选地是相邻的120a、120b、120c和120d之间的间隔与排列中的一行灯的相邻每对灯之间的间隔相等(例如图16中的尺寸X)。

参考图10，该图示意性地显示了辐射源组件E设置成使其纵向轴线正交于箭头A所示的流体流的方向，这样的定向在现有技术中已知。如本领域技术人员所知的，辐射源组件E这样的定向形成了流向由箭头A所示的流体流方向的圆形截面。因此在辐射源组件E的下游生成了随机和广角度的漩涡。结果会引起辐射源组件E和/或辐射源组件E附近的其它辐射源组件的受迫振动，能导致组件的破坏。

参考图11，该图示意性地显示了以参考图1-4的上述方式来定向的辐射源组件F。在该定向中，辐射源组件F形成了流向由箭头A表示的流体流方向的卵形或椭圆形截面。因此辐射源组件F下游的漩涡更为规则且不太会产生能导致辐射源组件破坏的受迫振动的缺陷。

参考图12-15，示出了参考上述的交错/平行定向的多个实施例的端部示意图(例如穿过流体处理区看的视图)。在图12-15中，描述辐射源组件构成的“排列组”时使用“第一”、“第二”、“第三”作为参考。这些术语为了表示从流体处理区上游部分到下游部分的方向上的一系列给定“排列组”的位置。

因此，参考图12，会看到“第一排列组”中辐射源组件行有两种交错：(i)相关辐射源组件的下游(或上游)“第二排列组”的交错，和(ii)在“第一排列组”中的辐射源的相邻行之间的交错。图12中所示的辐射源组件的布置特别适于应用于诸如Maarshalkerweerd#2专利中所述的流体处理系统。

参考图13，该图示出了根据参考上述的交错/平行定向的辐射源组件的另一示意性的布置。图13中所示的辐射源组件的布置特别适于应用于诸如Maarshalkerweerd#1专利中所述的开放通道流体处理系统。如图所示，该辐射源组件的布置包括第一排列组、第二排列组和第三排列组。从端部视图中可看到第一排列组、第二排列组和第三排列组中的辐射源组件的相邻的三行，第一排列组和第三排列组中的每个为：(i)相关第二排列组交错，和(ii)相互间不交错。辐射的最终定向特征可为：(i)穿过相同排列组的相邻行内的辐射源组件的轴线形成等边三角形，和(ii)穿过第一排列组、第二排列组和第三排列组中相邻三行内的辐射源组件的轴线形成等边三角形。

参考图14和15，其中示出了类似于上述参考图13的辐射源组件布置的示意性视图。在图13中，从左手侧的反应器壁起，行的位置为：先是第一排列组，接着是第二排列组，再接着是第三排列组。在图14中，从左手侧的反应器壁起，行的位置为：先是第二排列组，接着是第三排列组，再接着是第一排列组。在图15中，从左手侧的反应器壁起，行的位置为：先是第二排列组，接着是第一排列组，再接着是第三排列组。

参考图16，其中示出了用于本流体处理系统的辐射源组件的非常优选的布置。因此在图16中，以流体处理系统的侧面正视图显示了辐射源组件的示意性布置(即为了清楚显示，图中忽略了辐射源组件的具体细节支撑，电连接和密封)。图16中的每个椭圆表示流体处理系统的壁内的开口，辐射源组件的端部会穿过该开口放射。优选的是以诸如上述并参考图1-4，8a和8b中的任一幅的方式来布置该辐射源组件。

继续参考图16，其中示出了优选实施例中的流体处理系统200，其包括具有反应器顶板205和反应器底板240的封闭(或闭合)的流体处理区。设置在顶板205和底板240之间的为辐射源组件的四个模块A、B、C和D。模块A、B、C和D大致相同。本领域技术人员可知，尽管图16中示出了四个模块，也能够根据被处理的流体体积，被处理的流体质量以及在本领域技术人员已知范围内的其它因素，使用少于或多于四个模块。

模块A、B、C和D中的每个均包括行210、215、220和225。如图所示，行215和220均包括一系列的辐射源组件，每行中的辐射源组件的每个相邻对以大致均一的方式间隔开。具体地，行215中的辐射源组件的所有相邻对之间的距离为X，行210中的辐射源组件的所有相邻对之间的距离也为X。

参考行210和225，将看到大部分的相邻的一对辐射源组件具有相等的间隔，在一优选实施例中，如相关行215和220所示的，该间隔为X。但是，行210和225也包含一对间隔为Y的辐射源组件，该间隔Y小于在行210和225中其它地方使用的间隔X。

如参考模块A看到的，包括来自每行210、215、220、225的单个辐射源组件的四个辐射源组件设置为限定了平行四边形重复单元E。平行四边形单元E包括了模块A中除了一对边界辐射源组件230之外的所有辐射源组件。本领域技术人员可知，根据诸如被处理的流体体积等因素，能够使用平行四边形重复图案E来按比例增加或减小模块A(模块B、C和D中的一个或多个)。

模块A的另一特征是显示在平行四边形重复单元E中的辐射源组件的所谓交错顺序。如图所示，对于给定的平行四边形图案E，从反应器顶板205前进至反应器底板240，次序为先后到达辐射源组件210、220、215和225的行的顺序。换句话说，对于给定的平行四边形重复单元E，从流体处理区上游部分前进到流体处理区下游部分的行的顺序(即210、215、220、225)不同于从反应器顶板205前进至反应器底板240的顺序(即210、220、215、225)。这样就产生了平行四边形重复单元E，优点是具有高效率处理穿过流体处理系统200的流体的能力。

具体地，该所谓的交错顺序允许用来操作流体处理系统的功率(power)的可测量性和可调节性。这是指，使用诸如平行四边形重复图案E的交错顺序，在例如流体穿透度(transmittance)、类型和/或特定污染物的浓度等的因素的情况下，能够在给定模块(例如模块A、B、C和D中的一个、多个或全部)内的某些行的辐射源组件中降低功率消耗或甚至是切断功率。例如，能以完全的功率在行210和215中操作辐射源组件，而降低或关闭供给到行220和225中辐射源组件的功率。这样可有利地调节流体处理系统的整个功率消耗(功率消耗通常为与流体处理系统相关的单次最大的操作费用)。

如果从流体处理区的上游部分前进到流体处理区的下游部分的行的顺序(即210、220、215、225)与从反应器顶板205前进到反应器底板240的行的顺序(即210、215、220、225)相同，将难以实现这样的微调。在这种情况下，为了改变功率消耗，将需要关闭流体处理区内的整个模块，导致相对不均匀的流体处理。

进一步参考图16，可看到行210和215之间的间隔V与行220和225之间的间隔相同。还可看到行215和220之间的间隔Z大于间隔V。在某些情况下，会期望间隔V和间隔Z大致相同。

而且，在相邻的模块A、B、C和D之间具有间隔T。可看到间隔T大于间隔V。在某些情况下，会期望间隔V和间隔T大致相同。

而且，在某些情况下，会期望间隔V、间隔Z和间隔T大致相同。

尽管参考实施例和实例对本发明进行了说明，但该说明书并不能理解为是限定性质的。因此，所述实施例的各种改变以及本发明的其它实施例，在参考本说明书的情况下，对于本领域技术人员是显而易见的。例如，尽管参考附图的上述实施例涉及一种包括具有封闭截面的流体处理区的流体处理系统，在某些情况下，能够优选地利用具有开放或其它非封闭截面(例如上述Maarschalkerweerd#1专利中所述的开放通道系统)的流体处理区来实现本发明的流体处理系统。而且，在某些情况下，能够优选地利用具有半封闭截面(例如上述Maarschalkerweerd#2专利中所述)的流体处理区来实现本发明的流体处理系统。而且，在某些情况下，能够优选地利用使用所谓的“混合”辐射源模块的流体处理区(例如美国专利申请公开号2002/113021[Traubenberg等人]或国际公开号WO 04/000,735[Traubenberg等人]中所述)来实现本发明的流体处理系统。如上所述，能够结合机械或化学/机械清洁系统来从辐射源组件的外部移除淤塞材料，如Trojan技术公司的多个公开专利申请和受理专利中所述。而且，由各种材料制成的各种常规密封系统可用在本流体处理系统中。密封材料的选择及其获得足够密封的放置位置没有特别地限制。而且，能够修改所述实施例来使用堰、堤和门用于上游、下游或上游下游两者，从而优化本发明的流体处理系统限定的流体处理区的流体流上游和下游。而且，能修改所述实施例来包括倾斜和/或阶梯式通道表面，例如在国际公开号WO 01/66469[Brunet等人]中公开的。而且，能修改所述实施例来包括在流体处理系统和/或辐射源模块的通道壁上的混合物或混合元件，例如在美国专利5,846,437[Whitby等人]，6,015,229[Cormack等人]，6,126,841[Whitby等人]，6,224,759[Whitby等人]和6,420,716[Cormack等人]，以及国际公开号WO 01/93995[Brunet等人]中的一个或多个中所述的。这样的混合物或混合元件(有时在本领域中也称为“阻隔物(baffle)”能用于补充或代替上述所谓的边界灯或边界辐射源组件的使用。而且，能够修改所述实施例来提供水力系列(hydraulic series)中的辐射源组件的多个排列组。而且，能修改所述实施例来利用包括设置在保护套管内的多个辐射源的辐射源组件(例如有时在本领域中称为“灯束”)。而且，能修改图1和2中的所述实施例，使得排列组126和128连续设置而不是以并排的关系设置(当然流体处理系统的其它元件的尺寸将因此需要改变)。因此，期望所附权利要求将覆盖任何的这些修改或实施例。

本文中参考的所有公开出版物、专利和专利申请均以完整的范围结合在这里作为参考，该范围与每个单独的公开出版物、专利和专利申请特定和单独的结合于本文作为参考的整个范围相同。

Claims

1.一种流体处理系统，包括：

入口；

出口；

2.如权利要求1所述的流体处理系统，其中该流体处理系统包括具有封闭截面或开放截面的外壳。

3.如权利要求2所述的流体处理系统，其中所述外壳的封闭截面包括多边形。

4.如权利要求2所述的流体处理系统，其中所述外壳的封闭截面包括直线形。

5.如权利要求2所述的流体处理系统，其中所述外壳的封闭截面包括正方形。

6.如权利要求2所述的流体处理系统，其中所述外壳的封闭截面包括矩形。

7.如权利要求1-6中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件包括第一辐射源。

8.如权利要求7所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源设置在第一保护套管内。

9.如权利要求8所述的流体处理系统，其中所述第一保护套管包括封闭端和开放端。

10.如权利要求1-9中任一项所述的流体处理系统，其中所述第二辐射源组件包括第二辐射源。

11.如权利要求10所述的流体处理系统，其中所述第二辐射源设置在第二保护套管内。

12.如权利要求11所述的流体处理系统，其中所述第二保护套管包括封闭端和开放端。

13.如权利要求1-12中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件包括第一辐射源，第二辐射源组件包括第二辐射源。

14.如权利要求13所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源设置在第一保护套管内，所述第二辐射源设置在第二保护套管内。

15.如权利要求14所述的流体处理系统，其中所述第一保护套管和第二保护套管均包括封闭端和开放端。

16.如权利要求1-15中任一项所述的流体处理系统，其中所述外壳包括第一安装装置，用于所述第一辐射源组件的近端部分和所述外壳的第一壁之间的大致的液密接合。

17.如权利要求1-16中任一项所述的流体处理系统，其中所述外壳包括第二安装装置，用于所述第二辐射源组件的近端部分和所述外壳的第二壁之间的大致的液密接合。

18.如权利要求1-17中任一项所述的流体处理系统，其中所述外壳包括：(i)用于所述第一辐射源组件的近端部分和所述外壳的第一壁之间的大致的液密接合的第一安装装置，和(ii)用于所述第二辐射源组件的近端部分和所述外壳的第二壁之间的大致的液密接合的第二安装装置。

19.如权利要求16所述的流体处理系统，其中所述第一安装装置包括从所述外壳的外表面突出的套管或辐射源。

20.如权利要求17所述的流体处理系统，其中所述第二安装装置包括从所述外壳的外表面突出的套管。

21.如权利要求18所述的流体处理系统，其中所述第一安装装置和第二安装装置均包括从所述外壳的外表面突出的套管或辐射源。

22.如权利要求1-21中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件和第二辐射源组件定向为在所述第一纵向轴线和第二纵向轴线之间形成锐角。

23.如权利要求1-21中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件和第二辐射源组件定向为在所述第一纵向轴线和第二纵向轴线之间限定的角度范围是约15°至约170°。

24.如权利要求1-21中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件和第二辐射源组件定向为在所述第一纵向轴线和第二纵向轴线之间限定的角度范围是约35°至约120°。

25.如权利要求1-21中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件和第二辐射源组件定向为在所述第一纵向轴线和第二纵向轴线之间限定的角度范围是约60°至约90°。

26.如权利要求1-25中任一项所述的流体处理系统，其中还包括用于支撑所述第一辐射源组件的远端部分的支撑元件。

27.如权利要求1-25中任一项所述的流体处理系统，其中还包括用于支撑所述第二辐射源组件的远端部分的支撑元件。

28.如权利要求1-25中任一项所述的流体处理系统，其中还包括用于支撑所述第一辐射源组件的远端部分和所述第二辐射源组件的远端部分的支撑元件。

29.如权利要求26-28中任一项所述的流体处理系统，其中所述支撑元件支撑每个辐射源组件。

30.如权利要求26-28中任一项所述的流体处理系统，其中所述支撑元件包括支撑每个辐射源组件的板。

31.如权利要求26-28中任一项所述的流体处理系统，其中所述支撑元件支撑流体处理系统中所有辐射源组件的一部分。

32.如权利要求26-28中任一项所述的流体处理系统，其中所述支撑元件包括大致垂直于流体流穿过流体处理区的方向的柱。

33.如权利要求1-32中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件和第二辐射源组件是共面的。

34.如权利要求1-32中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件和第二辐射源组件是非平面的。

35.如权利要求1-34中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件和第二辐射源组件定向为使得所述第一纵向轴线和第二纵向轴线朝着入口会聚。

36.如权利要求1-34中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件和第二辐射源组件定向为使得所述第一纵向轴线和第二纵向轴线朝着入口在入口下游的一点处会聚。

37.如权利要求1-34中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件和第二辐射源组件定向为使得所述第一纵向轴线和第二纵向轴线朝着出口会聚。

38.如权利要求1-34中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件和第二辐射源组件定向为使得所述第一纵向轴线和第二纵向轴线朝着出口在出口上游的一点处会聚。

39.如权利要求1-38中任一项所述的流体处理系统，其中所述流体处理区具有设置在其中的辐射源组件排列，该辐射源组件排列设置为：(i)第一辐射源组件构成的第一排列组，和(ii)第二辐射源组件构成的第二排列组。

40.如权利要求39所述的流体处理系统，其中所述第一排列组包括沿着所述外壳的长度串连设置的多个第一辐射源组件。

41.如权利要求39所述的流体处理系统，其中所述第一排列组包括在大致垂直于流体流穿过所述流体处理区的方向上串连设置的多个第一辐射源组件。

42.如权利要求39所述的流体处理系统，其中所述第二排列组包括沿着所述外壳的长度串连设置的多个第二辐射源组件。

43.如权利要求39所述的流体处理系统，其中所述第二排列组包括在大致垂直于流体流穿过所述流体处理区的方向上串连设置的多个第二辐射源组件。

44.如权利要求39所述的流体处理系统，其中所述第一排列组包括：(i)沿所述外壳的长度串连设置的多个第一辐射源组件，和(ii)在大致垂直于流体流穿过流体处理区的方向上串连设置的多个第一辐射源组件。

45.如权利要求39所述的流体处理系统，其中所述第二排列组包括：(i)沿所述外壳的长度串连设置的多个第二辐射源组件，和(ii)在大致垂直于流体流穿过流体处理区的方向上串连设置的多个第二辐射源组件。

46.如权利要求1-45中任一项所述的流体处理系统，其中所述流体处理区中设置有辐射源组件排列，该辐射源组件排列设置为(i)第一辐射源组件构成的第一排列组，和(ii)第二辐射源组件构成的第二排列组；其中该第一排列组和第二排列组沿着平行于流体流穿过流体处理区的方向设置的第一平面彼此大致成镜像。

47.如权利要求1-45中任一项所述的流体处理系统，其中所述流体处理区中设置有辐射源组件排列，该辐射源组件排列设置为(i)第一辐射源组件构成的第一排列组，和(ii)第二辐射源组件构成的第二排列组；其中第一排列组和第二排列组中的辐射源组件的相邻对在垂直于第一平面的第二平面中成平面关系设置。

48.如权利要求1-45中任一项所述的流体处理系统，其中所述流体处理区中设置有辐射源组件排列，该辐射源组件排列设置为(i)第一辐射源组件构成的第一排列组，和(ii)第二辐射源组件构成的第二排列组；其中第一排列组和第二排列组在垂直于第一平面的第二平面中成非平面关系设置。

49.如权利要求1-48中任一项所述的流体处理系统，其中还包括设置在所述入口和所述流体处理区之间的第一过渡区，该第一过渡区在垂直于流体流穿过流体处理区的方向上具有变化的尺寸。

50.如权利要求1-48中任一项所述的流体处理系统，其中还包括设置在所述流体处理区和所述出口之间的第二过渡区，该第二过渡区在垂直于流体流穿过流体处理区的方向上具有变化的尺寸。

51.如权利要求1-48中任一项所述的流体处理系统，其中还包括：(i)设置在所述入口和所述流体处理区之间的第一过渡区，该第一过渡区在垂直于流体流穿过流体处理区的方向上具有变化的尺寸，和(ii)设置在所述流体处理区和所述出口之间的第二过渡区，该第二过渡区在垂直于流体流穿过流体处理区的方向上具有变化的尺寸。

52.如权利要求49-51中任一项所述的流体处理系统，其中所述变化的尺寸在朝着所述流体处理区的方向上增大。

53.如权利要求49中所述的流体处理系统，其中所述第一过渡区和第二过渡区中的至少一个具有封闭截面，该截面在朝着所述流体处理区的方向上具有增大的截面面积。

54.如权利要求50中所述的流体处理系统，其中所述第一过渡区和第二过渡区中的至少一个具有封闭截面，该截面在朝着所述流体处理区的方向上具有增大的截面面积。

55.如权利要求51中所述的流体处理系统，其中所述第一过渡区和第二过渡区均具有封闭截面，该截面在朝着所述流体处理区的方向上具有增大的截面面积。

56.如权利要求51或55中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一过渡区和第二过渡区中的至少一个包括与所述流体处理区并列设置的中间过渡区，该中间过渡区在垂直于流体流穿过该流体处理区的方向的第一方向上具有变化的尺寸，且在垂直于该第一方向的第二方向上具有恒定的尺寸。

57.如权利要求1-56中任一项所述的流体处理系统，其中所述长条形的第一辐射源组件和长条形的第二辐射源组件中的至少一个包括紫外线辐射源。

58.如权利要求1-56中任一项所述的流体处理系统，其中所述长条形的第一辐射源组件和长条形的第二辐射源组件均包括紫外线辐射源。

59.如权利要求1-56中任一项所述的流体处理系统，其中所述长条形的第一辐射源组件和长条形的第二辐射源组件中的至少一个包括从以下组中选出的紫外线辐射源：低压、低压/高输出、汞合金、和光子发射。

60.如权利要求1-56中任一项所述的流体处理系统，其中所述长条形的第一辐射源组件和长条形的第二辐射源组件均包括从以下组中选出的紫外线辐射源：低压、低压/高输出、汞合金和光子发射。

61.如权利要求49-51中任一项所述的流体处理系统，其中所述变化尺寸在朝着所述流体处理区的方向上减小。

62.如权利要求1-61中任一项所述的流体处理系统，其中所述流体处理区包括具有连接顶壁和底壁的一对侧壁的外壳。

63.如权利要求62所述的流体处理区，其中所述顶壁的至少一部分包括非金属材料，该非金属材料具有比金属大的辐射反射系数。

64.如权利要求62所述的流体处理区，其中所述底壁的至少一部分包括非金属材料，该非金属材料具有比金属大的辐射反射系数。

65.如权利要求62所述的流体处理区，其中所述顶壁和底壁的至少一部分均包括非金属材料，该非金属材料具有比金属大的辐射反射系数。

66.如权利要求63-65中任一项所述的流体处理区，其中所述非金属材料包括特富龙^TM。

67.一种流体处理系统，包括：

入口；

出口；

设置在该入口和出口之间的流体处理区，该流体处理区具有设置在其中的辐射源组件排列，该辐射源组件排列从流体处理区的上游区域到下游区域串连地设置，使得：(i)每个辐射源组件具有横向于或平行于流体流穿过流体处理区的方向的纵向轴线，(ii)上游辐射源组件的纵向轴线与下游辐射源组件在垂直于流体流穿过流体处理区的方向上交错，从而在该上游辐射源组件和下游辐射源组件之间形成部分重叠，以及可选地，(iii)流体流不具有穿过流体处理区的不受阻碍的通路。

68.如权利要求67所述的流体处理系统，其中所述流体处理系统包括具有封闭或开放截面的外壳。

69.如权利要求67所述的流体处理系统，其中所述外壳的封闭截面包括多边形。

70.如权利要求67所述的流体处理系统，其中所述外壳的封闭截面包括直线形。

71.如权利要求67所述的流体处理系统，其中所述外壳的封闭截面包括正方形。

72.如权利要求67所述的流体处理系统，其中所述外壳的封闭截面包括矩形。

73.如权利要求67-72中任一项所述的流体处理系统，其中所述流体处理区中设置有：(i)具有第一纵向轴线的长条形的第一辐射源组件，和(ii)具有第二纵向轴线的长条形的第二辐射源组件；其中该第一纵向轴线和第二纵向轴线彼此不平行，且不平行于流体流穿过流体处理区的方向。

74.如权利要求73所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件包括第一辐射源。

75.如权利要求74所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源设置在第一保护套管内。

76.如权利要求75所述的流体处理系统，其中所述第一保护套管包括封闭端和开放端。

77.如权利要求73-76中任一项所述的流体处理系统，其中所述第二辐射源组件包括第二辐射源。

78.如权利要求77所述的流体处理系统，其中所述第二辐射源设置在第二保护套管内。

79.如权利要求78所述的流体处理系统，其中所述第二保护套管包括封闭端和开放端。

80.如权利要求73-79中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件包括第一辐射源，第二辐射源组件包括第二辐射源。

81.如权利要求80所述的流体处理系统，其中第一辐射源设置在第一保护套管内，第二辐射源设置在第二保护套管内。

82.如权利要求81所述的流体处理系统，其中第一保护套管和第二保护套管均包括封闭端和开放端。

83.如权利要求67-82中任一项所述的流体处理系统，其中所述外壳包括第一安装装置，用于所述第一辐射源组件的近端部分和所述外壳的第一壁之间的大致的液密接合。

84.如权利要求67-82中任一项所述的流体处理系统，其中所述外壳包括第二安装装置，用于所述第二辐射源组件的近端部分和所述外壳的第二壁之间的大致的液密接合。

85.如权利要求67-82中任一项所述的流体处理系统，其中所述外壳包括：(i)用于所述第一辐射源组件的近端部分和所述外壳的第一壁之间的大致的液密接合的第一安装装置，和(ii)用于所述第二辐射源组件的近端部分和所述外壳的第二壁之间的大致的液密接合的第二安装装置。

86.如权利要求83所述的流体处理系统，其中所述第一安装装置包括从所述外壳的外表面突出的套管。

87.如权利要求84所述的流体处理系统，其中所述第二安装装置包括从所述外壳的外表面突出的套管。

88.如权利要求85所述的流体处理系统，其中所述第一安装装置和第二安装装置均包括从所述外壳的外表面突出的套管。

89.如权利要求73-88中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件和第二辐射源组件定向为在所述第一纵向轴线和第二纵向轴线之间形成锐角。

90.如权利要求73-88中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件和第二辐射源组件定向为在所述第一纵向轴线和第二纵向轴线之间限定的角度范围是约15°至约170°。

91.如权利要求73-88中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件和第二辐射源组件定向为在所述第一纵向轴线和第二纵向轴线之间限定的角度范围是约35°至约120°。

92.如权利要求73-88中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件和第二辐射源组件定向为在所述第一纵向轴线和第二纵向轴线之间限定的角度范围是约60°至约90°。

93.如权利要求73-92中任一项所述的流体处理系统，其中还包括用于支撑所述第一辐射源组件的远端部分的支撑元件。

94.如权利要求73-92中任一项所述的流体处理系统，其中还包括用于支撑所述第二辐射源组件的远端部分的支撑元件。

95.如权利要求73-92中任一项所述的流体处理系统，其中还包括用于支撑所述第一辐射源组件的远端部分和所述第二辐射源组件的远端部分的支撑元件。

96.如权利要求93-95中任一项所述的流体处理系统，其中所述支撑元件支撑每个辐射源组件。

97.如权利要求93-95中任一项所述的流体处理系统，其中所述支撑元件包括支撑每个辐射源组件的板。

98.如权利要求93-95中任一项所述的流体处理系统，其中所述支撑元件支撑流体处理系统中所有辐射源组件的一部分。

99.如权利要求93-95中任一项所述的流体处理系统，其中所述支撑元件包括大致垂直于流体流穿过流体处理区的方向的柱。

100.如权利要求73-99中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件和第二辐射源组件是共面的。

101.如权利要求73-99中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件和第二辐射源组件是非平面的。

102.如权利要求73-101中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件和第二辐射源组件定向为使得所述第一纵向轴线和第二纵向轴线朝着入口会聚。

103.如权利要求73-101中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件和第二辐射源组件定向为使得所述第一纵向轴线和第二纵向轴线朝着入口在入口下游的一点处会聚。

104.如权利要求73-101中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件和第二辐射源组件定向为使得所述第一纵向轴线和第二纵向轴线朝着出口会聚。

105.如权利要求73-101中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件和第二辐射源组件定向为使得所述第一纵向轴线和第二纵向轴线朝着出口在出口上游的一点处会聚。

106.如权利要求73-105中任一项所述的流体处理系统，其中所述流体处理区具有设置在其中的辐射源组件排列，该辐射源组件排列设置为：(i)第一辐射源组件构成的第一排列组，和(ii)第二辐射源组件构成的第二排列组。

107.如权利要求106所述的流体处理系统，其中所述第一排列组包括沿着所述外壳的长度串连设置的多个第一辐射源组件。

108.如权利要求106所述的流体处理系统，其中所述第一排列组包括在大致垂直于流体流穿过所述流体处理区的方向上串连设置的多个第一辐射源组件。

109.如权利要求106所述的流体处理系统，其中所述第二排列组包括沿着所述外壳的长度串连设置的多个第二辐射源组件。

110.如权利要求106所述的流体处理系统，其中所述第二排列组包括在大致垂直于流体流穿过所述流体处理区的方向上串连设置的多个第二辐射源组件。

111.如权利要求106所述的流体处理系统，其中所述第一排列组包括：(i)沿所述外壳的长度串连设置的多个第一辐射源组件，和(ii)在大致垂直于流体流穿过流体处理区的方向上串连设置的多个第一辐射源组件。

112.如权利要求106所述的流体处理系统，其中所述第二排列组包括：(i)沿所述外壳的长度串连设置的多个第二辐射源组件，和(ii)在大致垂直于流体流穿过流体处理区的方向上串连设置的多个第二辐射源组件。

113.如权利要求67-112中任一项所述的流体处理系统，其中所述流体处理区中设置有辐射源组件排列，该辐射源组件排列设置为(i)第一辐射源组件构成的第一排列组，和(ii)第二辐射源组件构成的第二排列组；其中该第一排列组和第二排列组以平行于流体流穿过流体处理区的方向设置的第一平面，大致成镜像设置。

114.如权利要求67-112中任一项所述的流体处理系统，其中所述流体处理区中设置有辐射源组件排列，该辐射源组件排列设置为(i)第一辐射源组件构成的第一排列组，和(ii)第二辐射源组件构成的第二排列组；其中该第一排列组和第二排列组在垂直于所述第一平面的第二平面中成平面关系设置。

115.如权利要求67-112中任一项所述的流体处理系统，其中所述流体处理区中设置有辐射源组件排列，该辐射源组件排列设置为(i)第一辐射源组件构成的第一排列组，和(ii)第二辐射源组件构成的第二排列组；其中第一排列组和第二排列组在垂直于第一平面的第二平面中成非平面关系设置。

116.如权利要求67-115中任一项所述的流体处理系统，其中还包括设置在所述入口和所述流体处理区之间的第一过渡区，该第一过渡区在垂直于流体流穿过流体处理区的方向上具有变化的尺寸。

117.如权利要求67-115中任一项所述的流体处理系统，其中还包括设置在所述流体处理区和所述出口之间的第二过渡区，该第二过渡区在垂直于流体流穿过流体处理区的方向上具有变化的尺寸。

118.如权利要求67-115中任一项所述的流体处理系统，其中还包括：(i)设置在所述入口和所述流体处理区之间的第一过渡区，该第一过渡区在垂直于流体流穿过流体处理区的方向上具有变化的尺寸，和(ii)设置在所述流体处理区和所述出口之间的第二过渡区，该第二过渡区在垂直于流体流穿过流体处理区的方向上具有变化的尺寸。

119.如权利要求116-118中任一项所述的流体处理系统，其中所述变化的尺寸在朝着所述流体处理区的方向上增大。

120.如权利要求116中所述的流体处理系统，其中所述第一过渡区具有封闭截面，该截面在朝着所述流体处理区的方向上具有增大的截面面积。

121.如权利要求117中所述的流体处理系统，其中所述第二过渡区具有封闭截面，该截面在朝着所述流体处理区的方向上具有增大的截面面积。

122.如权利要求118中所述的流体处理系统，其中所述第一过渡区和第二过渡区均具有封闭截面，该截面在朝着所述流体处理区的方向上具有增大的截面面积。

123.如权利要求118或122中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一过渡区和第二过渡区中的至少一个包括与所述流体处理区并列设置的中间过渡区，该中间过渡区在垂直于流体流穿过该流体处理区的方向的第一方向上具有变化的尺寸，且在垂直于该第一方向的第二方向上具有恒定的尺寸。

124.如权利要求67-123中任一项所述的流体处理系统，其中所述辐射源组件包括紫外线辐射源。

125.如权利要求67-123中任一项所述的流体处理系统，其中所述辐射源组件包括低压高输出紫外线辐射源。

126.如权利要求67-125中任一项所述的流体处理系统，其中所述流体处理区包括具有连接顶壁和底壁的一对侧壁的外壳。

127.如权利要求126所述的流体处理区，其中所述顶壁的至少一部分包括非金属材料，该非金属材料具有比金属大的辐射反射系数。

128.如权利要求126所述的流体处理区，其中所述底壁的至少一部分包括非金属材料，该非金属材料具有比金属大的辐射反射系数。

129.如权利要求126所述的流体处理区，其中所述顶壁和底壁的至少一部分均包括非金属材料，该非金属材料具有比金属大的辐射反射系数。

130.如权利要求127-129中任一项所述的流体处理区，其中所述非金属材料包括特富龙^TM。

131.一种流体处理系统，包括：

入口；

出口；

132.如权利要求131所述的流体处理系统，其中所述排列包括三到二十行的辐射源组件。

133.如权利要求131所述的流体处理系统，其中所述排列包括三到十五行的辐射源组件。

134.如权利要求131-133中任一项所述的流体处理系统，其中所述流体处理区包括开放截面或具有封闭截面的外壳。

135.如权利要求134所述的流体处理系统，其中所述外壳的封闭截面包括多边形。

136.如权利要求134所述的流体处理系统，其中所述外壳的封闭截面包括直线形。

137.如权利要求134所述的流体处理系统，其中所述外壳的封闭截面包括正方形。

138.如权利要求134所述的流体处理系统，其中所述外壳的封闭截面包括矩形。

139.如权利要求131-138中任一项所述的流体处理系统，其中所述流体处理区中设置有：(i)具有第一纵向轴线的长条形的第一辐射源组件，和(ii)具有第二纵向轴线的长条形的第二辐射源组件；其中该第一纵向轴线和第二纵向轴线彼此不平行，且不平行于流体流穿过流体处理区的方向。

140.如权利要求139所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件包括第一辐射源。

141.如权利要求140所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源设置在第一保护套管内。

142.如权利要求141所述的流体处理系统，其中所述第一保护套管包括封闭端和开放端。

143.如权利要求139-142中任一项所述的流体处理系统，其中所述第二辐射源组件包括第二辐射源。

144.如权利要求143所述的流体处理系统，其中所述第二辐射源设置在第二保护套管内。

145.如权利要求144所述的流体处理系统，其中所述第二保护套管包括封闭端和开放端。

146.如权利要求139-145中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件包括第一辐射源，第二辐射源组件包括第二辐射源。

147.如权利要求146所述的流体处理系统，其中第一辐射源设置在第一保护套管内，第二辐射源设置在第二保护套管内。

148.如权利要求147所述的流体处理系统，其中第一保护套管和第二保护套管均包括封闭端和开放端。

149.如权利要求131-148中任一项所述的流体处理系统，其中所述外壳包括第一安装装置，用于所述第一辐射源组件的近端部分和所述外壳的第一壁之间的大致的液密接合。

150.如权利要求131-148中任一项所述的流体处理系统，其中所述外壳包括第二安装装置，用于所述第二辐射源组件的近端部分和所述外壳的第二壁之间的大致的液密接合。

151.如权利要求131-148中任一项所述的流体处理系统，其中所述外壳包括：(i)用于所述第一辐射源组件的近端部分和所述外壳的第一壁之间的大致的液密接合的第一安装装置，和(ii)用于所述第二辐射源组件的近端部分和所述外壳的第二壁之间的大致的液密接合的第二安装装置。

152.如权利要求149所述的流体处理系统，其中所述第一安装装置包括从所述外壳的外表面突出的套管。

153.如权利要求150所述的流体处理系统，其中所述第二安装装置包括从所述外壳的外表面突出的套管。

154.如权利要求151所述的流体处理系统，其中所述第一安装装置和第二安装装置均包括从所述外壳的外表面突出的套管。

155.如权利要求139-154中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件和第二辐射源组件定向为在所述第一纵向轴线和第二纵向轴线之间形成锐角。

156.如权利要求139-154中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件和第二辐射源组件定向为在所述第一纵向轴线和第二纵向轴线之间限定的角度范围是约15°至约170°。

157.如权利要求139-154中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件和第二辐射源组件定向为在所述第一纵向轴线和第二纵向轴线之间限定的角度范围是约35°至约120°。

158.如权利要求139-154中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件和第二辐射源组件定向为在所述第一纵向轴线和第二纵向轴线之间限定的角度范围是约60°至约90°。

159.如权利要求139-158中任一项所述的流体处理系统，其中还包括用于支撑所述第一辐射源组件的远端部分的支撑元件。

160.如权利要求139-158中任一项所述的流体处理系统，其中还包括用于支撑所述第二辐射源组件的远端部分的支撑元件。

161.如权利要求139-158中任一项所述的流体处理系统，其中还包括用于支撑所述第一辐射源组件的远端部分和所述第二辐射源组件的远端部分的支撑元件。

162.如权利要求159-161中任一项所述的流体处理系统，其中所述支撑元件支撑每个辐射源组件。

163.如权利要求159-161中任一项所述的流体处理系统，其中所述支撑元件包括支撑每个辐射源组件的板。

164.如权利要求159-161中任一项所述的流体处理系统，其中所述支撑元件支撑流体处理系统中所有辐射源组件的一部分。

165.如权利要求159-161中任一项所述的流体处理系统，其中所述支撑元件包括大致垂直于流体流穿过流体处理区的方向的柱。

166.如权利要求139-165中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件和第二辐射源组件是共面的。

167.如权利要求139-165中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件和第二辐射源组件是非平面的。

168.如权利要求139-167中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件和第二辐射源组件定向为使得所述第一纵向轴线和第二纵向轴线朝着入口会聚。

169.如权利要求139-167中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件和第二辐射源组件定向为使得所述第一纵向轴线和第二纵向轴线朝着入口在入口下游的一点处会聚。

170.如权利要求139-167中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件和第二辐射源组件定向为使得所述第一纵向轴线和第二纵向轴线朝着出口会聚。

171.如权利要求139-167中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件和第二辐射源组件定向为使得所述第一纵向轴线和第二纵向轴线朝着出口在出口上游的一点处会聚。

172.如权利要求139-171中任一项所述的流体处理系统，其中所述流体处理区具有设置在其中的辐射源组件排列，该辐射源组件排列设置为：(i)第一辐射源组件构成的第一排列组，和(ii)第二辐射源组件构成的第二排列组。

173.如权利要求172所述的流体处理系统，其中所述第一排列组包括沿着所述外壳的长度串连设置的多个第一辐射源组件。

174.如权利要求172所述的流体处理系统，其中所述第一排列组包括在大致垂直于流体流穿过所述流体处理区的方向上串连设置的多个第一辐射源组件。

175.如权利要求172所述的流体处理系统，其中所述第二排列组包括沿着所述外壳的长度串连设置的多个第二辐射源组件。

176.如权利要求172所述的流体处理系统，其中所述第二排列组包括在大致垂直于流体流穿过所述流体处理区的方向上串连设置的多个第二辐射源组件。

177.如权利要求172所述的流体处理系统，其中所述第一排列组包括：(i)沿所述外壳的长度串连设置的多个第一辐射源组件，和(ii)在大致垂直于流体流穿过流体处理区的方向上串连设置的多个第一辐射源组件。

178.如权利要求172所述的流体处理系统，其中所述第二排列组包括：(i)沿所述外壳的长度串连设置的多个第二辐射源组件，和(ii)在大致垂直于流体流穿过流体处理区的方向上串连设置的多个第二辐射源组件。

179.如权利要求131-178中任一项所述的流体处理系统，其中所述流体处理区中设置有辐射源组件排列，该辐射源组件排列设置为(i)第一辐射源组件构成的第一排列组，和(ii)第二辐射源组件构成的第二排列组；其中该第一排列组和第二排列组以平行于流体流穿过流体处理区的方向设置的第一平面，大致成镜像设置。

180.如权利要求131-178中任一项所述的流体处理系统，其中所述流体处理区中设置有辐射源组件排列，该辐射源组件排列设置为(i)第一辐射源组件构成的第一排列组，和(ii)第二辐射源组件构成的第二排列组；其中该第一排列组和第二排列组在垂直于所述第一平面的第二平面中成平面关系设置。

181.如权利要求131-178中任一项所述的流体处理系统，其中所述流体处理区中设置有辐射源组件排列，该辐射源组件排列设置为(i)第一辐射源组件构成的第一排列组，和(ii)第二辐射源组件构成的第二排列组；其中第一排列组和第二排列组在垂直于第一平面的第二平面中成非平面关系设置。

182.如权利要求131-181中任一项所述的流体处理系统，其中还包括设置在所述入口和所述流体处理区之间的第一过渡区，该第一过渡区在垂直于流体流穿过流体处理区的方向上具有变化的尺寸。

183.如权利要求131-181中任一项所述的流体处理系统，其中还包括设置在所述流体处理区和所述出口之间的第二过渡区，该第二过渡区在垂直于流体流穿过流体处理区的方向上具有变化的尺寸。

184.如权利要求131-181中任一项所述的流体处理系统，其中还包括：(i)设置在所述入口和所述流体处理区之间的第一过渡区，该第一过渡区在垂直于流体流穿过流体处理区的方向上具有变化的尺寸，和(ii)设置在所述流体处理区和所述出口之间的第二过渡区，该第二过渡区在垂直于流体流穿过流体处理区的方向上具有变化的尺寸。

185.如权利要求182-184中任一项所述的流体处理系统，其中所述变化的尺寸在朝着所述流体处理区的方向上增大。

186.如权利要求182中所述的流体处理系统，其中所述第一过渡区具有封闭截面，该截面在朝着所述流体处理区的方向上具有增大的截面面积。

187.如权利要求183中所述的流体处理系统，其中所述第二过渡区具有封闭截面，该截面在朝着所述流体处理区的方向上具有增大的截面面积。

188.如权利要求184中所述的流体处理系统，其中所述第一过渡区和第二过渡区均具有封闭截面，该截面在朝着所述流体处理区的方向上具有增大的截面面积。

189.如权利要求184或188中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一过渡区和第二过渡区中的至少一个包括与所述流体处理区并列设置的中间过渡区，该中间过渡区在垂直于流体流穿过该流体处理区的方向的第一方向上具有变化的尺寸，且在垂直于该第一方向的第二方向上具有恒定的尺寸。

190.如权利要求131-189中任一项所述的流体处理系统，其中所述辐射源组件包括紫外线辐射源。

191.如权利要求131-189中任一项所述的流体处理系统，其中所述辐射源组件包括低压高输出紫外线辐射源。

192.如权利要求131-191中任一项所述的流体处理系统，其中所述流体处理区包括具有连接顶壁和底壁的一对侧壁的外壳。

193.如权利要求192所述的流体处理区，其中所述顶壁的至少一部分包括非金属材料，该非金属材料具有比金属大的辐射反射系数。

194.如权利要求192所述的流体处理区，其中所述底壁的至少一部分包括非金属材料，该非金属材料具有比金属大的辐射反射系数。

195.如权利要求192所述的流体处理区，其中所述顶壁和底壁的至少一部分均包括非金属材料，该非金属材料具有比金属大的辐射反射系数。

196.如权利要求193-195中任一项所述的流体处理区，其中所述非金属材料包括特富龙^TM。

197.一种流体处理系统，包括：

入口；

出口；

198.如权利要求197所述的流体处理系统，其中所述流体处理系统包括复数N个排列。

199.如权利要求198所述的流体处理系统，其中N的值为1至10。

200.如权利要求197-199中任一项所述的流体处理系统，其中所述流体处理区包括开放截面或具有封闭截面的外壳。

201.如权利要求200所述的流体处理系统，其中所述外壳的封闭截面包括多边形。

202.如权利要求200所述的流体处理系统，其中所述外壳的封闭截面包括直线形。

203.如权利要求200所述的流体处理系统，其中所述外壳的封闭截面包括正方形。

204.如权利要求200所述的流体处理系统，其中所述外壳的封闭截面包括矩形。

205.如权利要求197-204中任一项所述的流体处理系统，其中所述流体处理区中设置有：(i)具有第一纵向轴线的长条形的第一辐射源组件，和(ii)具有第二纵向轴线的长条形的第二辐射源组件；其中该第一纵向轴线和第二纵向轴线彼此不平行，且不平行于流体流穿过流体处理区的方向。

206.如权利要求205所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件包括第一辐射源。

207.如权利要求206所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源设置在第一保护套管内。

208.如权利要求207所述的流体处理系统，其中所述第一保护套管包括封闭端和开放端。

209.如权利要求205-208中任一项所述的流体处理系统，其中所述第二辐射源组件包括第二辐射源。

210.如权利要求209所述的流体处理系统，其中所述第二辐射源设置在第二保护套管内。

211.如权利要求210所述的流体处理系统，其中所述第二保护套管包括封闭端和开放端。

212.如权利要求205-211中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件包括第一辐射源，第二辐射源组件包括第二辐射源。

213.如权利要求212所述的流体处理系统，其中第一辐射源设置在第一保护套管内，第二辐射源设置在第二保护套管内。

214.如权利要求213所述的流体处理系统，其中第一保护套管和第二保护套管均包括封闭端和开放端。

215.如权利要求197-214中任一项所述的流体处理系统，其中所述外壳包括第一安装装置，用于所述第一辐射源组件的近端部分和所述外壳的第一壁之间的大致的液密接合。

216.如权利要求197-214中任一项所述的流体处理系统，其中所述外壳包括第二安装装置，用于所述第二辐射源组件的近端部分和所述外壳的第二壁之间的大致的液密接合。

217.如权利要求197-214中任一项所述的流体处理系统，其中所述外壳包括：(i)用于所述第一辐射源组件的近端部分和所述外壳的第一壁之间的大致的液密接合的第一安装装置，和(ii)用于所述第二辐射源组件的近端部分和所述外壳的第二壁之间的大致的液密接合的第二安装装置。

218.如权利要求215所述的流体处理系统，其中所述第一安装装置包括从所述外壳的外表面突出的套管。

219.如权利要求216所述的流体处理系统，其中所述第二安装装置包括从所述外壳的外表面突出的套管。

220.如权利要求217所述的流体处理系统，其中所述第一安装装置和第二安装装置均包括从所述外壳的外表面突出的套管。

221.如权利要求205-220中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件和第二辐射源组件定向为在所述第一纵向轴线和第二纵向轴线之间形成锐角。

222.如权利要求205-220中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件和第二辐射源组件定向为在所述第一纵向轴线和第二纵向轴线之间限定的角度范围是约15°至约170°。

223.如权利要求205-220中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件和第二辐射源组件定向为在所述第一纵向轴线和第二纵向轴线之间限定的角度范围是约35°至约120°。

224.如权利要求205-220中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件和第二辐射源组件定向为在所述第一纵向轴线和第二纵向轴线之间限定的角度范围是约60°至约90°。

225.如权利要求205-224中任一项所述的流体处理系统，其中还包括用于支撑所述第一辐射源组件的远端部分的支撑元件。

226.如权利要求205-224中任一项所述的流体处理系统，其中还包括用于支撑所述第二辐射源组件的远端部分的支撑元件。

227.如权利要求205-224中任一项所述的流体处理系统，其中还包括用于支撑所述第一辐射源组件的远端部分和所述第二辐射源组件的远端部分的支撑元件。

228.如权利要求225-227中任一项所述的流体处理系统，其中所述支撑元件支撑每个辐射源组件。

229.如权利要求225-227中任一项所述的流体处理系统，其中所述支撑元件包括支撑每个辐射源组件的板。

230.如权利要求225-227中任一项所述的流体处理系统，其中所述支撑元件支撑流体处理系统中所有辐射源组件的一部分。

231.如权利要求225-227中任一项所述的流体处理系统，其中所述支撑元件包括大致垂直于流体流穿过流体处理区的方向的柱。

232.如权利要求205-231中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件和第二辐射源组件是共面的。

233.如权利要求205-231中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件和第二辐射源组件是非平面的。

234.如权利要求205-233中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件和第二辐射源组件定向为使得所述第一纵向轴线和第二纵向轴线朝着入口会聚。

235.如权利要求205-233中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件和第二辐射源组件定向为使得所述第一纵向轴线和第二纵向轴线朝着入口在入口下游的一点处会聚。

236.如权利要求205-233中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件和第二辐射源组件定向为使得所述第一纵向轴线和第二纵向轴线朝着出口会聚。

237.如权利要求205-233中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件和第二辐射源组件定向为使得所述第一纵向轴线和第二纵向轴线朝着出口在出口上游的一点处会聚。

238.如权利要求205-237中任一项所述的流体处理系统，其中所述流体处理区具有设置在其中的辐射源组件排列，该辐射源组件排列设置为：(i)第一辐射源组件构成的第一排列组，和(ii)第二辐射源组件构成的第二排列组。

239.如权利要求238所述的流体处理系统，其中所述第一排列组包括沿着所述外壳的长度串连设置的多个第一辐射源组件。

240.如权利要求238所述的流体处理系统，其中所述第一排列组包括在大致垂直于流体流穿过所述流体处理区的方向上串连设置的多个第一辐射源组件。

241.如权利要求238所述的流体处理系统，其中所述第二排列组包括沿着所述外壳的长度串连设置的多个第二辐射源组件。

242.如权利要求238所述的流体处理系统，其中所述第二排列组包括在大致垂直于流体流穿过所述流体处理区的方向上串连设置的多个第二辐射源组件。

243.如权利要求238所述的流体处理系统，其中所述第一排列组包括：(i)沿所述外壳的长度串连设置的多个第一辐射源组件，和(ii)在大致垂直于流体流穿过流体处理区的方向上串连设置的多个第一辐射源组件。

244.如权利要求238所述的流体处理系统，其中所述第二排列组包括：(i)沿所述外壳的长度串连设置的多个第二辐射源组件，和(ii)在大致垂直于流体流穿过流体处理区的方向上串连设置的多个第二辐射源组件。

245.如权利要求197-244中任一项所述的流体处理系统，其中所述流体处理区中设置有辐射源组件排列，该辐射源组件排列设置为(i)第一辐射源组件构成的第一排列组，和(ii)第二辐射源组件构成的第二排列组；其中该第一排列组和第二排列组以平行于流体流穿过流体处理区的方向设置的第一平面，大致成镜像设置。

246.如权利要求197-244中任一项所述的流体处理系统，其中所述流体处理区中设置有辐射源组件排列，该辐射源组件排列设置为(i)第一辐射源组件构成的第一排列组，和(ii)第二辐射源组件构成的第二排列组；其中该第一排列组和第二排列组在垂直于所述第一平面的第二平面中成平面关系设置。

247.如权利要求197-244中任一项所述的流体处理系统，其中所述流体处理区中设置有辐射源组件排列，该辐射源组件排列设置为(i)第一辐射源组件构成的第一排列组，和(ii)第二辐射源组件构成的第二排列组；其中第一排列组和第二排列组在垂直于第一平面的第二平面中成非平面关系设置。

248.如权利要求197-247中任一项所述的流体处理系统，其中还包括设置在所述入口和所述流体处理区之间的第一过渡区，该第一过渡区在垂直于流体流穿过流体处理区的方向上具有变化的尺寸。

249.如权利要求197-247中任一项所述的流体处理系统，其中还包括设置在所述流体处理区和所述出口之间的第二过渡区，该第二过渡区在垂直于流体流穿过流体处理区的方向上具有变化的尺寸。

250.如权利要求197-247中任一项所述的流体处理系统，其中还包括：(i)设置在所述入口和所述流体处理区之间的第一过渡区，该第一过渡区在垂直于流体流穿过流体处理区的方向上具有变化的尺寸，和(ii)设置在所述流体处理区和所述出口之间的第二过渡区，该第二过渡区在垂直于流体流穿过流体处理区的方向上具有变化的尺寸。

251.如权利要求248-250中任一项所述的流体处理系统，其中所述变化的尺寸在朝着所述流体处理区的方向上增大。

252.如权利要求248中所述的流体处理系统，其中所述第一过渡区具有封闭截面，该截面在朝着所述流体处理区的方向上具有增大的截面面积。

253.如权利要求249中所述的流体处理系统，其中所述第二过渡区具有封闭截面，该截面在朝着所述流体处理区的方向上具有增大的截面面积。

254.如权利要求250中所述的流体处理系统，其中所述第一过渡区和第二过渡区均具有封闭截面，该截面在朝着所述流体处理区的方向上具有增大的截面面积。

255.如权利要求250或254中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一过渡区和第二过渡区中的至少一个包括与所述流体处理区并列设置的中间过渡区，该中间过渡区在垂直于流体流穿过该流体处理区的方向的第一方向上具有变化的尺寸，且在垂直于该第一方向的第二方向上具有恒定的尺寸。

256.如权利要求197-255中任一项所述的流体处理系统，其中所述辐射源组件包括紫外线辐射源。

257.如权利要求197-255中任一项所述的流体处理系统，其中所述辐射源组件包括低压高输出紫外线辐射源。

258.如权利要求197-257中任一项所述的流体处理系统，其中所述流体处理区包括具有连接顶壁和底壁的一对侧壁的外壳。

259.如权利要求258所述的流体处理区，其中所述顶壁的至少一部分包括非金属材料，该非金属材料具有比金属大的辐射反射系数。

260.如权利要求258所述的流体处理区，其中所述底壁的至少一部分包括非金属材料，该非金属材料具有比金属大的辐射反射系数。

261.如权利要求258所述的流体处理区，其中所述顶壁和底壁的至少一部分均包括非金属材料，该非金属材料具有比金属大的辐射反射系数。

262.如权利要求259-261中任一项所述的流体处理区，其中所述非金属材料包括特富龙^TM。

263.一种流体处理系统，包括：

入口；

出口；

264.如权利要求263所述的流体处理系统，其中所述第一对辐射源组件行设置在所述第二对辐射源组件行之间。

265.如权利要求263-264中任一项所述的流体处理系统，其中所述流体处理系统包括复数N个排列。

266.如权利要求265所述的流体处理系统，其中N的值为1至10。

267.如权利要求263-265中任一项所述的流体处理系统，其中所述流体处理区包括开放截面或具有封闭截面的外壳。

268.如权利要求267所述的流体处理系统，其中所述外壳的封闭截面包括多边形。

269.如权利要求267所述的流体处理系统，其中所述外壳的封闭截面包括直线形。

270.如权利要求267所述的流体处理系统，其中所述外壳的封闭截面包括正方形。

271.如权利要求267所述的流体处理系统，其中所述外壳的封闭截面包括矩形。

272.如权利要求263-271中任一项所述的流体处理系统，其中所述流体处理区中设置有：(i)具有第一纵向轴线的长条形的第一辐射源组件，和(ii)具有第二纵向轴线的长条形的第二辐射源组件；其中该第一纵向轴线和第二纵向轴线彼此不平行，且不平行于流体流穿过流体处理区的方向。

273.如权利要求272所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件包括第一辐射源。

274.如权利要求273所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源设置在第一保护套管内。

275.如权利要求274所述的流体处理系统，其中所述第一保护套管包括封闭端和开放端。

276.如权利要求272-275中任一项所述的流体处理系统，其中所述第二辐射源组件包括第二辐射源。

277.如权利要求276所述的流体处理系统，其中所述第二辐射源设置在第二保护套管内。

278.如权利要求277所述的流体处理系统，其中所述第二保护套管包括封闭端和开放端。

279.如权利要求272-278中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件包括第一辐射源，第二辐射源组件包括第二辐射源。

280.如权利要求279所述的流体处理系统，其中第一辐射源设置在第一保护套管内，第二辐射源设置在第二保护套管内。

281.如权利要求280所述的流体处理系统，其中第一保护套管和第二保护套管均包括封闭端和开放端。

282.如权利要求263-281中任一项所述的流体处理系统，其中所述外壳包括第一安装装置，用于所述第一辐射源组件的近端部分和所述外壳的第一壁之间的大致的液密接合。

283.如权利要求263-281中任一项所述的流体处理系统，其中所述外壳包括第二安装装置，用于所述第二辐射源组件的近端部分和所述外壳的第二壁之间的大致的液密接合。

284.如权利要求263-281中任一项所述的流体处理系统，其中所述外壳包括：(i)用于所述第一辐射源组件的近端部分和所述外壳的第一壁之间的大致的液密接合的第一安装装置，和(ii)用于所述第二辐射源组件的近端部分和所述外壳的第二壁之间的大致的液密接合的第二安装装置。

285.如权利要求282所述的流体处理系统，其中所述第一安装装置包括从所述外壳的外表面突出的套管。

286.如权利要求283所述的流体处理系统，其中所述第二安装装置包括从所述外壳的外表面突出的套管。

287.如权利要求284所述的流体处理系统，其中所述第一安装装置和第二安装装置均包括从所述外壳的外表面突出的套管。

288.如权利要求272-287中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件和第二辐射源组件定向为在所述第一纵向轴线和第二纵向轴线之间形成锐角。

289.如权利要求272-287中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件和第二辐射源组件定向为在所述第一纵向轴线和第二纵向轴线之间限定的角度范围是约15°至约170°。

290.如权利要求272-287中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件和第二辐射源组件定向为在所述第一纵向轴线和第二纵向轴线之间限定的角度范围是约35°至约120°。

291.如权利要求272-287中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件和第二辐射源组件定向为在所述第一纵向轴线和第二纵向轴线之间限定的角度范围是约60°至约90°。

292.如权利要求272-291中任一项所述的流体处理系统，其中还包括用于支撑所述第一辐射源组件的远端部分的支撑元件。

293.如权利要求272-292中任一项所述的流体处理系统，其中还包括用于支撑所述第二辐射源组件的远端部分的支撑元件。

294.如权利要求272-292中任一项所述的流体处理系统，其中还包括用于支撑所述第一辐射源组件的远端部分和所述第二辐射源组件的远端部分的支撑元件。

295.如权利要求292-294中任一项所述的流体处理系统，其中所述支撑元件支撑每个辐射源组件。

296.如权利要求292-294中任一项所述的流体处理系统，其中所述支撑元件包括支撑每个辐射源组件的板。

297.如权利要求292-294中任一项所述的流体处理系统，其中所述支撑元件支撑流体处理系统中所有辐射源组件的一部分。

298.如权利要求292-294中任一项所述的流体处理系统，其中所述支撑元件包括大致垂直于流体流穿过流体处理区的方向的柱。

299.如权利要求272-298中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件和第二辐射源组件是共面的。

300.如权利要求272-298中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件和第二辐射源组件是非平面的。

301.如权利要求272-300中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件和第二辐射源组件定向为使得所述第一纵向轴线和第二纵向轴线朝着入口会聚。

302.如权利要求272-300中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件和第二辐射源组件定向为使得所述第一纵向轴线和第二纵向轴线朝着入口在入口下游的一点处会聚。

303.如权利要求272-300中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件和第二辐射源组件定向为使得所述第一纵向轴线和第二纵向轴线朝着出口会聚。

304.如权利要求272-300中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一辐射源组件和第二辐射源组件定向为使得所述第一纵向轴线和第二纵向轴线朝着出口在出口上游的一点处会聚。

305.如权利要求272-304中任一项所述的流体处理系统，其中所述流体处理区具有设置在其中的辐射源组件排列，该辐射源组件排列设置为：(i)第一辐射源组件构成的第一排列组，和(ii)第二辐射源组件构成的第二排列组。

306.如权利要求305所述的流体处理系统，其中所述第一排列组包括沿着所述外壳的长度串连设置的多个第一辐射源组件。

307.如权利要求305所述的流体处理系统，其中所述第一排列组包括在大致垂直于流体流穿过所述流体处理区的方向上串连设置的多个第一辐射源组件。

308.如权利要求305所述的流体处理系统，其中所述第二排列组包括沿着所述外壳的长度串连设置的多个第二辐射源组件。

309.如权利要求305所述的流体处理系统，其中所述第二排列组包括在大致垂直于流体流穿过所述流体处理区的方向上串连设置的多个第二辐射源组件。

310.如权利要求305所述的流体处理系统，其中所述第一排列组包括：(i)沿所述外壳的长度串连设置的多个第一辐射源组件，和(ii)在大致垂直于流体流穿过流体处理区的方向上串连设置的多个第一辐射源组件。

311.如权利要求305所述的流体处理系统，其中所述第二排列组包括：(i)沿所述外壳的长度串连设置的多个第二辐射源组件，和(ii)在大致垂直于流体流穿过流体处理区的方向上串连设置的多个第二辐射源组件。

312.如权利要求263-311中任一项所述的流体处理系统，其中所述流体处理区中设置有辐射源组件排列，该辐射源组件排列设置为(i)第一辐射源组件构成的第一排列组，和(ii)第二辐射源组件构成的第二排列组；其中该第一排列组和第二排列组以平行于流体流穿过流体处理区的方向设置的第一平面，大致成镜像设置。

313.如权利要求263-311中任一项所述的流体处理系统，其中所述流体处理区中设置有辐射源组件排列，该辐射源组件排列设置为(i)第一辐射源组件构成的第一排列组，和(ii)第二辐射源组件构成的第二排列组；其中该第一排列组和第二排列组在垂直于所述第一平面的第二平面中成平面关系设置。

314.如权利要求263-311中任一项所述的流体处理系统，其中所述流体处理区中设置有辐射源组件排列，该辐射源组件排列设置为(i)第一辐射源组件构成的第一排列组，和(ii)第二辐射源组件构成的第二排列组；其中第一排列组和第二排列组在垂直于第一平面的第二平面中成非平面关系设置。

315.如权利要求263-314中任一项所述的流体处理系统，其中还包括设置在所述入口和所述流体处理区之间的第一过渡区，该第一过渡区在垂直于流体流穿过流体处理区的方向上具有变化的尺寸。

316.如权利要求263-314中任一项所述的流体处理系统，其中还包括设置在所述流体处理区和所述出口之间的第二过渡区，该第二过渡区在垂直于流体流穿过流体处理区的方向上具有变化的尺寸。

317.如权利要求263-314中任一项所述的流体处理系统，其中还包括：(i)设置在所述入口和所述流体处理区之间的第一过渡区，该第一过渡区在垂直于流体流穿过流体处理区的方向上具有变化的尺寸，和(ii)设置在所述流体处理区和所述出口之间的第二过渡区，该第二过渡区在垂直于流体流穿过流体处理区的方向上具有变化的尺寸。

318.如权利要求315-317中任一项所述的流体处理系统，其中所述变化的尺寸在朝着所述流体处理区的方向上增大。

319.如权利要求315中所述的流体处理系统，其中所述第一过渡区具有封闭截面，该截面在朝着所述流体处理区的方向上具有增大的截面面积。

320.如权利要求316中所述的流体处理系统，其中所述第二过渡区具有封闭截面，该截面在朝着所述流体处理区的方向上具有增大的截面面积。

321.如权利要求317中所述的流体处理系统，其中所述第一过渡区和第二过渡区均具有封闭截面，该截面在朝着所述流体处理区的方向上具有增大的截面面积。

322.如权利要求317或321中任一项所述的流体处理系统，其中所述第一过渡区和第二过渡区中的至少一个包括与所述流体处理区并列设置的中间过渡区，该中间过渡区在垂直于流体流穿过该流体处理区的方向的第一方向上具有变化的尺寸，且在垂直于该第一方向的第二方向上具有恒定的尺寸。

323.如权利要求263-322中任一项所述的流体处理系统，其中所述辐射源组件包括紫外线辐射源。

324.如权利要求263-322中任一项所述的流体处理系统，其中所述辐射源组件包括低压高输出紫外线辐射源。

325.如权利要求263-324中任一项所述的流体处理系统，其中所述流体处理区包括具有连接顶壁和底壁的一对侧壁的外壳。

326.如权利要求325所述的流体处理区，其中所述顶壁的至少一部分包括非金属材料，该非金属材料具有比金属大的辐射反射系数。

327.如权利要求325所述的流体处理区，其中所述底壁的至少一部分包括非金属材料，该非金属材料具有比金属大的辐射反射系数。

328.如权利要求325所述的流体处理区，其中所述顶壁和底壁的至少一部分均包括非金属材料，该非金属材料具有比金属大的辐射反射系数。

329.如权利要求326-328中任一项所述的流体处理区，其中所述非金属材料包括特富龙^TM。