CN1912984B - 图像显示设备 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种安装部件少、价格低、且能够高精度地显示的图像显示设备。该图像显示设备，根据显示信号值，分别使用精度高、耐压低的DA转换IC和由耐压高的绝缘基板上的TFT构成的DA转换电路。
Description
技术领域
本发明涉及安装部件少、价格低、且能够高精度显示的图像显示设备。
背景技术
以下使用图12、图13说明现有的技术。
首先，使用图12说明第1现有例子的结构。图12是使用了现有技术的液晶显示器的电路结构图。构成显示部203的各像素由像素开关202和液晶电容201构成，液晶电容201的对置电极被公共连接。另外，像素开关202的栅极经由栅极线204连接在栅极线驱动IC(Integrated Circuit)207上，像素开关202的一端经由信号线205连接在具有DA转换电路的液晶驱动IC208上。
这里，显示部203、栅极线204、以及信号线205构成在玻璃基板206上。作为有源元件的像素开关202使用非晶形Si-TFT(ThinFilm Transistor)。
下面，说明该现有例子的动作。
基于所输入的数字图像数据，液晶驱动IC208对信号线205施加模拟信号电压，与此同步，栅极线驱动IC207选择预定的栅极线204，关闭对应的行的像素开关202。由此，液晶驱动IC208所输出的模拟信号电压写入到选择出的像素的液晶电容201，进行光学图像显示。
根据这样的现有技术，能够基于所输入的数字图像数据进行图像显示，作为使用了非晶形Si-TFT的液晶显示器，现在一般被广泛应用。
另外，在另一方面与上述不同。关于使用了多晶Si-TFT液晶显示器的技术是众所周知的，使用图13说明以下的第2现有例子。
图13是表示第2现有例子的液晶显示器的电路结构图。构成显示部203的各像素由像素开关202和液晶电容201构成，液晶电容201的对置电极被公共连接。另外，像素开关202的栅极经由栅极线204连接在垂直扫描电路210上，像素开关202的一端经由信号线205连接在DA转换电路211上。
这里，显示部203和栅极线204、信号线205、垂直扫描电路210、以及DA转换电路211构成在玻璃基板206上，作为有源元件的像素开关202、垂直扫描电路210、以及DA转换电路211的构成元素使用多晶Si-TFT。
下面，说明第2现有例子的动作。
基于所输入的数字图像数据，DA转换电路211对信号线205施加模拟信号电压，与此同步，垂直扫描电路210选择预定的栅极线204，关闭对应的行的像素开关202。由此，DA转换电路211所输出的模拟信号电压写入到选择出的像素的液晶电容201，进行光学图像显示。
根据这样的第2现有技术，能够基于所输入的数字图像数据进行图像显示，这样的现有技术被详细记载在例如日本特开2003-005716号公报等中。
[专利文献1]日本特开2003-005716号公报。
发明内容
在基于上述第1现有例子的液晶显示器上需要安装栅极线驱动IC和液晶驱动IC，因此，出现了安装部件数量增加这样的课题。另外，由于栅极线驱动IC、液晶驱动IC的输出需要对液晶电容写入足够的电压，因此就难以低电压化，需要应用更高价格的高耐压LSI工艺。
基于上述第2现有例子的液晶显示器是为解决上述问题而考虑的，具有安装部件少、价格低这样的优点。但是，构成生成模拟信号电压的DA转换器的多晶Si-TFT，其特性的离差要大于用于一般IC的设置在Si衬底上的晶体管元件，因此，具有难以构成高精度DA转换电路这样的新问题。
因此，本发明的目的在于提供一种安装部件少、价格低、且能够高精度显示的图像显示设备。
表示实现上述本发明的目的的代表性的装置的一例如下。即，本发明的图像显示设备，包括数字图像信号发生装置；DA转换装置，将上述数字图像信号发生装置所生成的数字图像信号转换为模拟信号；多个像素，设置在绝缘基板上，用于根据上述DA转换装置所生成的模拟信号显示图像；以及模拟信号写入装置，用于将上述模拟信号写入到预定的像素中，所述图像显示设备的特征在于：上述DA转换装置，包括具有不同结构的第一DA转换装置和第二DA转换装置，上述第二DA转换装置输出的模拟信号振幅范围，与上述第一DA转换装置输出的模拟信号振幅范围不同，上述模拟信号写入装置具有模拟信号选择装置，其根据上述数字图像信号的值，选择上述第二DA转换装置输出的模拟信号和上述第一DA转换装置输出的模拟信号的任一者，上述第一DA转换装置和上述第二DA转换装置设置在不同的基板上。
根据本发明，能够提供一种安装部件少、价格低、且能够高精度显示的图像显示设备。
附图说明
图1是表示本发明的图像显示设备的第1实施例的液晶显示器的电路结构图。
图2是第1实施例中液晶电容的模拟信号电压-显示亮度的特性图。
图3是第1实施例中第二DA转换电路和模拟选择开关的结构图。
图4是第1实施例的动作时序图。
图5是第1实施例中晶体管的剖视结构图，图5(a)是设置在控制IC上的MOS晶体管，图5(b)是设置在玻璃基板上的多晶Si-TFT。
图6是表示本发明的图像显示设备的第2实施例的液晶显示器的电路结构图。
图7是第2实施例的第二DA转换电路和模拟选择开关的结构图。
图8是第2实施例的动作时序图。
图9是表示本发明的图像显示设备的第3实施例的液晶显示器的电路结构图。
图10是第3实施例的动作时序图。
图11是表示本发明的图像显示设备的第4实施例的TV图像显示器的结构图。
图12是表示第1现有例子的液晶显示器的电路结构图。
图13是表示第2现有例子的液晶显示器的电路结构图。
具体实施方式
以下，参照附图详细说明本发明的图像显示设备的优选实施例。
<实施例1>
使用图1～图5，以下依次说明本发明的图像显示设备的第1实施例的结构和动作。
图1是作为第1实施例的液晶显示器的电路结构图。构成显示部3的各像素由像素开关2和液晶电容1构成，液晶电容1的对置电极被公共连接。另外，像素开关2的栅极经由栅极线4连接在垂直扫描电路10上，像素开关2的一端经由信号线5连接在模拟选择开关13上。来自第二DA转换电路(DAC2)、第一DA转换电路(DAC1)及选择开关控制电路(CTRL)16的输出23、22、21被输入到模拟选择开关13。另外，来自垂直扫描电路用控制电路17、DAC2用数据输入电路15的输入25、24分别连接在垂直扫描电路10、DAC2上。
这里，显示部3、栅极线4、信号线5、模拟选择开关13、DAC2、以及垂直扫描电路10使用多晶Si-TFT构成在玻璃基板6上。另外，包括DAC1、选择开关控制电路16、垂直扫描电路用控制电路17、DAC2用数据输入电路15、帧存储器(FM)18、数字输入端子26的接口电路(I/F)19被设置在控制IC20上。
下面，简单说明本实施例的动作。
基于输入到数字输入端子26、存储在帧存储器18中的数字图像数据，控制IC20驱动DAC1、选择开关控制电路16、DAC2、垂直扫描电路10。其详细内容以后说明，DAC1或DAC2经由模拟选择开关13在信号线5施加模拟信号电压，垂直扫描电路10与此同步，选择预定的栅极线4，关闭对应的行的像素开关2。由此，DAC1或DAC2所输出的模拟信号电压写入到选择出的像素液晶电容1，进行光学图像显示。此时，模拟选择开关13的作用在于，使DAC1或DAC2以二选一的方式与信号线5连接，选择开关控制电路16的作用在于，按每列分别控制模拟选择开关13。
这里，说明DAC1和DAC2的选择动作。图2是表示了各像素中液晶电容1具有的模拟信号电压-显示亮度特性的图。横轴为模拟信号电压Vsig(V)，纵轴为亮度BRT(％)。众所周知，液晶电容的光透射特性被描绘为图2所示的S形曲线，并且该曲线在中间电压附近是最陡峭的。
在图2所示的本实施例中，模拟信号电压用0～8V动作，但在图2中用“A”所表示的3～5V范围内特性的斜率变得非常大。即，模拟信号电压在图中“A”表示了的3～5V范围内需要精度非常高的模拟信号电压控制。另一方面，模拟信号电压在图2中用“B”所表示的0～3V及5～8V范围内，模拟信号电压的控制范围变大，但判断为不需要那样高精度的模拟信号电压控制。
因此，在本实施例中，在图2中用“A”所表示的模拟信号电压范围，使用DAC1进行离差电压在±5mV或其以下的高精度写入。在图2中用“B”所表示的模拟信号电压范围，使用DAC2以±50mV的电压精度进行写入。此时，DAC1的输出信号电压振幅为2Vpp即可，能够用最大耐压为3.3V的低成本的低耐压IC实现。另外，这里省略用于说明通用技术的详细记述，将液晶的公共对置电极取为0V/8V的交流驱动。
下面，使用图3更详细地说明DAC2和模拟选择开关13的结构。
图3是DAC2和模拟选择开关13的结构图。DAC2用数据输入电路15的输出24被输入到译码电路32，由译码电路32所译码的数字信号数据，被输出到所选择的译码信号线33。由TFT开关35、37及存储电容36构成的选择器电路以矩阵状连接在译码信号线33上。由移位寄存器电路(S/R)31所控制的TFT开关35的输入，被输入到存储电容36和TFT开关37的栅极。存储电容36的其他端和TFT开关37的一端连接在从模拟电压生成用梯形电阻30延伸的灰阶电压线34上，TFT开关37的其他端连接第2模拟输出线23，输入模拟选择开关13。
在模拟选择开关13上，除了被输入上述第2模拟输出线23之外，还被输入作为来自DAC1的输出的第1模拟输出线22和作为来自选择开关控制电路16的输出的控制线21。
在模拟选择开关13中，第1模拟输出线22和第2模拟输出线23经由以二选一的方式导通的CMOS(Complementary Metal OxideSemiconductor：互补金属氧化物半导体)模拟开关41、42、43、44与信号线5连接。该CMOS模拟开关41～44由控制线21和控制线21所输入的整流电路38进行控制。
下面，使用图4更详细地说明DAC2和模拟选择开关13的动作。
图4是作为移位寄存器电路(S/R)31的时钟的水平点时钟CLK和第1列、第n列、第k列(图4中分别用(1)、(n)、(k)表示)的第1模拟输出线22、第2模拟输出线23、控制线21的动作时序图。这里，示出相当于1水平扫描期间(1H)的期间。在1水平扫描期间(1H)的开始，当水平消隐期间BLK结束时，按每列导通或断开控制线21，指示使第1模拟输出线22和第2模拟输出线23中的哪一者与信号线5连接。
这里，断开是指使第1模拟输出线与信号线5连接，导通是指使第2模拟输出线23与信号线5连接。此时，通过模拟选择开关13的动作，在控制线21已经断开的列中，已输出到第1模拟输出线22的模拟信号电压被输入到信号线5，在控制线21已经接通的列中，已输出到第2模拟输出线23的模拟信号电压被输入到信号线5。
另外，此时，与水平点时钟CLK一致，使数字信号电压依次写入到DAC2的译码器32。此时，译码器32，依然与水平点时钟CLK一致地按照被译码了的信号导通某一译码信号线33。通过与由水平点时钟CLK所控制的移位寄存器31相连接的TFT开关35，在预定的存储电容36采样该译码数据，该采样信号，使从模拟电压生成用梯形电阻30所延伸的对应的灰阶电压线34经由TFT开关37连接在第2模拟输出线23上。通过以上动作，DAC2根据第n时钟，将模拟信号电压输出到第n列的第2模拟输出线23上。
关于这样的DAC2的整体结构电路，被详细记载在之前叙述过的作为现有例子的日本特开2003-005716号公报上。
在现有技术中，显示部3、栅极线4、信号线5、模拟选择开关13、以及DAC2垂直扫描电路10使用多晶Si-TFT构成在玻璃基板6上。另一方面，记载了包括DAC1、选择开关控制电路16、垂直扫描电路用控制电路17、DAC2用数据输入电路15、帧存储器18、以及数字输入端子26的接口电路19被设置在控制IC20上，关于设置在玻璃基板6上的多晶Si-TFT和设置在控制IC20上的MOS晶体管，使用图5进一步地进行说明。
图5(a)为设置在前者的控制IC20上的MOS晶体管的剖视结构图，图5(b)为设置在后者的玻璃基板6上的多晶Si-TFT的剖视构造图。MOS晶体管由杂质扩散层51、栅极电极52、绝缘膜53构成在Si衬底上，进而形成电极54、保护膜55。
而多晶Si-TFT由高浓度杂质扩散区61、沟道区66、栅极电极62、以及绝缘膜63构成在设置于玻璃基板60上的多晶Si薄膜上，进而形成电极64、保护膜65。如上所述，MOS晶体管，在缩小栅极电极52的同时，使栅极电极下的绝缘膜变薄，这能够带来基于面积节省的低价格和晶体管的高性能，与此相对应，将造成对大电压的耐压变小。在本实施例中，为了使价格变低而使用3.3V耐压工艺。
另一方面，因为多晶Si-TFT为大型玻璃基板工艺，所以，难以缩小栅极电极62，并且特性的离差也比较大，因此，难以做成高精度的DA转换器，与此相对应，通过使栅极电极下的绝缘膜变厚，能够增大对大电压的耐压。在本实施例中，多晶Si-TFT实现了10V或其以上的高耐压。
在上述第1实施例中，使用了玻璃基板上的多晶Si-TFT作为高耐压晶体管，但不限于多晶Si，也可以将绝缘基板上的其他有机/无机半导体薄膜用于晶体管。
另外，本实施例中，第二DAC转换电路(DAC2)由多晶Si-TFT构成，但是，也可以将在控制IC20上设置例如译码电路32的一部分作为最佳设计的一部分。
<实施例2>
使用图6～图8说明本发明的图像显示设备的第2实施例。
图6是作为第2实施例的液晶显示器的电路结构图。构成显示部3的各像素由像素开关2和液晶电容1构成，液晶电容1的对置电极被公共连接。另外，像素开关2的栅极经由栅极线4连接在垂直扫描电路10上，像素开关2的一端经由信号线5连接在模拟选择开关13上。来自DAC2、DAC1、以及选择开关控制电路(CTRL)16的输出23、22、21被输入到模拟选择开关13。另外，来自垂直扫描电路用控制电路17、DAC2用数据输入电路(DATA)71的输入25、24分别连接在垂直扫描电路10、DAC2上。
这里，显示部3、栅极线4、信号线5、模拟选择开关13、DAC2及垂直扫描电路10使用多晶Si-TFT构成在玻璃基板上。另外，包括DAC1、选择开关控制电路16、垂直扫描用控制电路17、DAC2用数据输入电路(DATA)71、帧存储器(FM)18、数字输入端子26的接口电路(I/F)19设置在控制IC70上。
下面，简单说明本实施例的动作。
基于输入到数据输入端子26、存储在帧存储器18的数字图像数据，控制IC70驱动DAC1、选择开关控制电路16、DAC2、以及垂直扫描电路10。详细内容以后描述，DAC1或DAC2经由模拟选择开关13，将模拟信号电压施加在信号线5上，垂直扫描电路10与此同步，选择预定的栅极线4，关闭对应的行的像素开关2。由此，DAC1或DAC2所输出的模拟信号电压写入到选择出的像素的液晶电容1，进行光学图像显示。
此时，模拟选择开关13的作用在于，将DAC1或DAC2以二选一的方式连接在信号线5上，选择开关控制电路16的作用在于，按每列分别控制模拟选择开关13。
这里，关于DAC1和DAC2的模拟信号电压的分配，与已经在第1实施例中用图2所说明的内容相同，在此省略说明。
下面，使用图7更详细地说明DAC2和模拟选择开关13的结构。
图7为本实施例的DAC2和模拟选择开关13的结构图。DAC2用数据输入电路71的输出24被输入到并列锁存电路78。由并列锁存电路78进行了锁存的数字图像数据被输出到锁存信号线75。锁存信号线75所输入的TFT开关组76构成译码电路。此译码电路选择从模拟电压生成用梯形电阻30延伸的灰阶电压线34，将选择出的灰阶电压作为模拟信号输出，输入到与第2模拟输出线23相连接的模拟选择开关13。
在模拟选择开关13上，除了被输入上述第2模拟输出线23之外，还被输入作为来自DAC1的输出的第1模拟输出线22和来自选择开关控制电路16的输出的控制线21，模拟选择开关13的结构和动作与之前所说明的第1实施例相同，这里省略其说明。
下面，使用图8更详细地说明DAC2和模拟选择开关13的动作。
图8是水平点时钟CLK和第1列(1)、第n列(n)、第k列(k)的第1模拟输出线22、第2模拟输出线23、控制线21的动作时序图，这里，示出相当于1水平扫描期间(1H)的期间。在1水平扫描期间(1H)的开始，当水平消隐期间BLK结束时，按每列导通或断开控制线21，指示使第1模拟输出线22和第2模拟输出线23的哪一条与信号线5连接。这里，断开是指使第1模拟输出线22与信号线5连接，导通是指使第2模拟信号输出线23与信号线5连接。此时，通过模拟选择开关13的动作，在控制线21已经断开的列中，已输出到第1模拟输出线22的模拟信号电压被输入到信号线5，在控制线21已经导通的列中，已经输出到第2模拟输出线23的模拟信号电压被输入到信号线5。
此时，在控制线21已经接通的列中，DAC2用数据输入电路(DATA)71的输出24被输入到并列锁存电路78，DAC2通过TFT开关组76，将已被解码的模拟信号电压输出到模拟输出线23。
在本实施例中，显示部3、栅极线4、信号线5、模拟选择开关13、DAC2、以及垂直扫描电路10使用多晶Si-TFT构成在玻璃基板6上。另外包括DAC1、选择开关控制电路16、垂直扫描电路用控制电路17、DAC2用数据输入电路71、帧存储器18、以及数字输入端子26的接口电路19被设置在控制IC70上，关于设置在玻璃基板6上的多晶Si-TFT和设置在控制IC70上的MOS晶体管，由于与使用图5所说明的第1实施例相同，所以省略说明。
在第2实施例中，通过以上动作，能够实现预定的显示功能，尤其是与第1实施例不同，DAC2的动作期间和1水平扫描期间(1H)长，因此能够实现信号线电容大的大型显示器。另外，尤其是在实现更大型显示器的情况下，在第2模拟输出线23插入缓存放大器电路变换阻抗即可。
<实施例3>
使用图9、图10说明本发明的图像显示设备的第3实施例。
本实施例的液晶显示装置的结构和动作基本与第1实施例相同。与第1实施例进行比较，不同点在于：在控制IC85设有预充电电源线80和预充电开关81，因此，以下对此进行说明。
图9为本实施例的液晶显示装置的电路结构图。在本实施例中，对于控制IC85内的各第1模拟输出线22，设置预充电电源线80和预充电开关81。由此，能够在1水平扫描期间(1H)的初期，经由模拟选择开关13和第1模拟输出线22，对残留在信号线5上的、在上一个水平扫描期间所写入的模拟信号电压进行复位或预充电。
下面，使用图10，更详细地说明使用了DAC1的预充电动作。
图10为水平点时钟CLK和第1列(1)、第n列(n)、第k列(k)的第1模拟输出线22、第2模拟输出线23、控制线21的动作时序图。这里，示出相当于1水平扫描期间(1H)的期间。在1水平扫描期间(1H)的初期，在水平消隐期间BLK内，控制线21将一起断开，与此同时，预充电开关81将一起关闭，经由模拟选择开关13和第1模拟输出线22，将残留在信号线5上的、在上一个水平扫描期间所写入的模拟信号电压复位或预充电为预充电电源线80的电压。
这里，如果使进行复位或预充电的电压为DAC1的输出动态范围的中间值，由此，在本实施例中，能够避免因上一行的残留信号引起的串扰，并能够使对信号线5进行写入的速度高速化。
关于上述预充以外的动作，与第1实施例已经叙述的动作相同，因此这里省略其说明。
另外，在本实施例中，在控制IC85内设有预充电路，但同样可以在玻璃基板上使用多晶Si-TFT电路来实现。
<实施例4>
使用图11说明本发明的图像显示设备的第4实施例。
图11为本实施例的TV图像显示设备100的结构图。接收地面波数字信号等的无线接口(I/F)电路102由外部输入被压缩了的图像数据等作为无线数据，无线I/F电路的输出经由输出电路(I/O)103与数据总线108连接。在数据总线108上连接有除此之外的微处理器(MPU)104、显示板控制器106、帧存储器107等。并且，显示板控制器106的输出被输入到液晶显示器101。在TV图像显示设备100内，还设有板外10V生成电路(PWR_10V)和板外3V生成电路(PWR_3V)。这里，液晶显示器101具有与之前说明过的第1实施例基本相同的结构和动作，这里省略其内部详细结构和详细动作的说明。另外，虽未图示，但与第1实施例相同的结构部分使用相同的参照符号以进行说明。
以下，说明本实施例的动作。首先无线I/F电路102响应命令，从外部取入被压缩了的图像数据，经由I/O电路将该图像数据传送至微处理器104和帧存储器107。微处理器104接受来自用户的操作命令，依照需要，驱动图像显示终端100整体，进行被压缩了的图像数据的解码、信号处理、信息显示。进行了信号处理的图像数据可以暂时存储在帧存储器107中。
这里，在微处理器发出了显示命令的情况下，按照其指示，从帧存储器107经由显示控制面板106将图像数据输入至液晶显示器101，液晶显示器101实时地显示所输入的图像数据。此时，输出为了显示控制面板106同时显示图像所需要的预定的时序脉冲，并且，板外10V生成电路PWR_10V和板外3V生成电路PWR_3V将预定的电源电压供给到液晶显示器101。这里，板外10V生成电路PWR_10V的输出被输入到玻璃基板上的多晶Si-TFT电路，板外3V生成电路PWR_3V的输出被输入到未图示的控制IC20。在液晶显示器101没有图像数据的输入的情况下，也通过设置在内部的未图示的帧存储器18显示预先写入的图像。预先在该TV图像显示设备100上配置有备用蓄电池，提供驱动上述TV图像显示设备100整体的电力，但此项内容不是本发明的实质，因此省略说明。
根据本实施例，由于液晶显示器101周边的安装部件少，所以能够提供紧凑性和设计性优异、价格低、可高精度显示的TV图像显示设备100。
另外，在本实施例中，作为图像显示器，使用了在第1实施例中说明过的液晶显示器，但除此以外，显然也可以使用具有满足本发明的主旨的其他结构的显示板。
Claims (16)
1.一种图像显示设备，包括数字图像信号发生装置；DA转换装置，将上述数字图像信号发生装置所生成的数字图像信号转换为模拟信号；多个像素，设置在绝缘基板上，用于根据上述DA转换装置所生成的模拟信号显示图像；以及模拟信号写入装置，用于将上述模拟信号写入到预定的像素中，
所述图像显示设备的特征在于：
上述DA转换装置，包括具有不同结构的第一DA转换装置和第二DA转换装置，
上述第二DA转换装置输出的模拟信号振幅范围，与上述第一DA转换装置输出的模拟信号振幅范围不同，
上述模拟信号写入装置具有模拟信号选择装置，其根据上述数字图像信号的值，选择上述第二DA转换装置输出的模拟信号和上述第一DA转换装置输出的模拟信号的任一者，
上述第一DA转换装置和上述第二DA转换装置设置在不同的基板上。
2.根据权利要求1所述的图像显示设备，其特征在于：
上述第一DA转换装置设置在半导体衬底上；上述第二DA转换装置设置在上述绝缘基板上。
3.根据权利要求1所述的图像显示设备，其特征在于：
上述第一DA转换装置，使用MOS晶体管元件作为其构成元件；
上述第二DA转换装置，使用TFT晶体管元件作为其构成元件。
4.根据权利要求1所述的图像显示设备，其特征在于：
上述像素具有液晶单元和电场施加用的电极。
5.根据权利要求1所述的图像显示设备，其特征在于：
上述第一DA转换装置包括并列地排列的DA转换电路。
6.根据权利要求1所述的图像显示设备，其特征在于：
在上述第一DA转换装置上，设置有上述模拟信号选择装置的控制电路。
7.根据权利要求1所述的图像显示设备，其特征在于：
在上述第一DA转换装置上，设置有用于存储上述数字图像信号的帧存储器。
8.根据权利要求1所述的图像显示设备，其特征在于：
上述模拟信号写入装置具有用于对各像素传送模拟信号的信号线；
上述第一DA转换装置具有对上述信号线的预充电功能。
9.根据权利要求1所述的图像显示设备，其特征在于：
上述第二DA转换装置包括译码电路、选择开关矩阵、以及基准电压生成电路。
10.根据权利要求9所述的图像显示设备，其特征在于：
上述译码电路设置在与上述第一DA转换装置相同的衬底上。
11.根据权利要求1所述的图像显示设备，其特征在于：
上述第二DA转换装置，包括并列地构成的译码电路、选择开关矩阵、以及基准电压生成电路。
12.根据权利要求1所述的图像显示设备，其特征在于：
上述第二DA转换装置输出的模拟信号的动态范围，比上述第一DA转换装置输出的模拟信号的动态范围广。
13.根据权利要求1所述的图像显示设备，其特征在于：
上述第一DA转换装置输出的模拟信号的离散误差，比上述第二DA转换装置输出的模拟信号的离散误差小。
14.根据权利要求1所述的图像显示设备，其特征在于：
构成上述第一DA转换装置的晶体管元件的加工尺寸，比构成上述第二DA转换装置的晶体管元件的加工尺寸小。
15.根据权利要求1所述的图像显示设备，其特征在于：
构成上述第一DA转换装置的晶体管元件的耐压，比构成上述第二DA转换装置的晶体管元件的耐压小。
16.根据权利要求1所述的图像显示设备，其特征在于：
上述数字图像信号发生装置具有无线接口。
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