CN1879005A - 图形的不匀缺陷检查方法和装置 - Google Patents

图形的不匀缺陷检查方法和装置 Download PDF

Info

Publication number
CN1879005A
CN1879005A CNA2004800330487A CN200480033048A CN1879005A CN 1879005 A CN1879005 A CN 1879005A CN A2004800330487 A CNA2004800330487 A CN A2004800330487A CN 200480033048 A CN200480033048 A CN 200480033048A CN 1879005 A CN1879005 A CN 1879005A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
irregular
defective
wave band
check
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2004800330487A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100573042C (zh
Inventor
田中淳一
山口升
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hoya Corp
Original Assignee
Hoya Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hoya Corp filed Critical Hoya Corp
Publication of CN1879005A publication Critical patent/CN1879005A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100573042C publication Critical patent/CN100573042C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/30Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84Inspecting
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01MTESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01M5/00Investigating the elasticity of structures, e.g. deflection of bridges or air-craft wings
    • G01M5/0033Investigating the elasticity of structures, e.g. deflection of bridges or air-craft wings by determining damage, crack or wear
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8806Specially adapted optical and illumination features
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956Inspecting patterns on the surface of objects
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8806Specially adapted optical and illumination features
    • G01N2021/8845Multiple wavelengths of illumination or detection
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956Inspecting patterns on the surface of objects
    • G01N2021/95676Masks, reticles, shadow masks

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Aviation & Aerospace Engineering (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

一种图形的不匀缺陷检查方法和装置,其能高精度检查在被检查体表面所形成图形上产生的多种不匀缺陷。不匀缺陷检查装置(10)具有:光源(12),其对表面具备有单位图形(53)有规律排列的重复图形(51)的光掩膜(50)进行光照射;感光部(13),其接受来自所述光掩膜的散射光并把它转换成感光数据,本方法和装置观察该感光数据并检查所述重复图形上产生的不匀缺陷,其特征在于:具有从多个波段的光中选择抽取一个或多个希望波段光的波长滤波器(14),并使用该选择抽取的波段的光来检查所述重复图形的不匀缺陷。

Description

图形的不匀缺陷检查方法和装置
技术领域
本发明涉及检查影像装置中图形的不匀缺陷,或检查用于制造影像装置图形的光掩膜中图形不匀缺陷的图形的不匀缺陷检查方法和图形的不匀缺陷检查装置。
背景技术
现有的摄像装置和显示装置等影像装置或是用于制造它们的光掩膜,作为在表面上形成的图形的检查项目有不匀缺陷检查。不匀缺陷是在有规律排列的图形上不经意产生的具有不同规律性的错误,是在制造工序中由某些原因而产生的。
若在摄像装置或显示装置中存在有不匀缺陷,则有可能产生灵敏度不匀和显示不匀而使装置性能降低。即使是在制造摄像装置或显示装置时使用的光掩膜,若在光掩膜图形上产生不匀缺陷,由于该不匀缺陷被复制在影像装置的图形上,所以也有可能使影像装置的性能降低。
现有上述这种影像装置图形或光掩膜图形的不匀缺陷,由于通常是微小缺陷有规律地排列,在对各个图形形状的检查中不能检查出来的情况很多,但作为区域整体来看时其呈现与其他部分不同的状态。因此,不匀缺陷检查主要是实施目视的斜光检查等的外观检查。
但该目视检查有随作业者不同而检查结果产生偏差的问题,因此有例如专利文献1那样的不匀缺陷检查装置的提案。该专利文献1的不匀缺陷检查装置是对在表面上形成有图形的基板进行光照射,通过CCD线传感器检测来自图形边缘部的散射光来检查不匀。
专利文献1:特开平10-300447号公报
可是在不匀缺陷中例如由于其产生原因等而存在有形状或规律性等不同的各种不匀缺陷。但在包含专利文献1不匀缺陷检查装置的现有不匀缺陷检查装置中,有可能不能高灵敏度地分别检查出这些需要检查的多种不匀缺陷。
发明内容
本发明是考虑了上述情况而开发的,目的在于提供一种图形的不匀缺陷检查方法和图形的不匀缺陷检查装置,其能高精度检查在被检查体表面所形成图形上产生的多种不匀缺陷。
技术方案1所述发明的图形的不匀缺陷检查方法:对表面具备有单位图形有规律排列的重复图形的被检查体进行光照射,接受来自该被检查体的反射光或透射光并观察该接受感光的感光数据来检查所述重复图形上产生的不匀缺陷,该图形的不匀缺陷检查方法的特征在于:从多个波段的光中选择抽取一个或多个希望波段的光,并使用该选择抽取的波段的光来检查所述重复图形的不匀缺陷。
技术方案2所述发明的图形的不匀缺陷检查方法如技术方案1所述的发明,其特征在于:选择抽取的希望波段的光是能对需要检查种类的不匀缺陷高精度地进行检查的波段的光。
技术方案3所述发明的图形的不匀缺陷检查方法如技术方案1或2所述的发明,其特征在于:所述被检查体是影像装置或是用于制造该影像装置的光掩膜。
技术方案4所述发明的图形的不匀缺陷检查装置具有:光源,其对表面具备有单位图形有规律排列的重复图形的被检查体进行光照射;感光器,其接受来自所述被检查体的反射光或透射光并把它变为感光数据,观察该接受感光的感光数据来检查所述重复图形上产生的不匀缺陷,该图形不匀缺陷检查装置的特征在于:具有选择抽取装置,其从多个波段的光中选择抽取一个或多个希望波段的光,并使用该选择抽取的波段的光来检查所述重复图形的不匀缺陷。
技术方案5所述发明的图形的不匀缺陷检查装置如技术方案4所述的发明,其特征在于:被所述选择抽取装置选择抽取的希望波段的光是能对需要检查种类的不匀缺陷高精度地进行检查的波段的光。
技术方案6所述发明的图形的不匀缺陷检查装置如技术方案4或5所述的发明,其特征在于:所述选择抽取装置是从光源照射的光中选择抽取希望波段的光并把它向被检查体引导的波长滤波器。
技术方案7所述发明的图形的不匀缺陷检查装置如技术方案4或5所述的发明,其特征在于:所述选择抽取装置是从被检查体引导来的光中选择抽取希望波段的光并把它向感光器引导的波长滤波器。
技术方案8所述发明的图形的不匀缺陷检查装置如技术方案4或5所述的发明,其特征在于:所述选择抽取装置是解析被感光器转换的感光数据,并从该感光数据中选择抽取有关希望波段光的感光数据的解析装置。
技术方案9所述发明的图形的不匀缺陷检查装置如技术方案4或5所述的发明,其特征在于:所述选择抽取装置具备个别照射多个波段的光中的希望波段的光的多个单色光源,并能对这些单色光源的照射动作进行切换。
技术方案10所述发明的图形的不匀缺陷检查装置如技术方案4到9任一项所述的发明,其特征在于:所述被检查体是影像装置或是用于制造该影像装置的光掩膜。
通过本发明图形的不匀缺陷检查方法和装置,由于其从多个波段的光中选择抽取一个或多个希望波段的光,并观察该选择抽取的波段的光来检查所述重复图形的不匀缺陷,所以通过对多种各个不匀缺陷使用不同波段的光,就能在把各个种类的不匀缺陷明显化时进行观察,所以能高精度检查在重复图形上产生的多种不匀缺陷。
通过本发明图形的不匀缺陷检查方法和装置,由于被选择抽取的希望波段的光是能对需要检查种类的不匀缺陷高灵敏度地进行检查的波段的光,所以能以适合检查该不匀缺陷的波段的光对不均匀缺陷进行观察检测,所以能对不匀缺陷进行更高精度的检查。
附图说明
图1是表示本发明图形的不匀缺陷检查装置中的第1实施方式概略结构的立体图;
图2表示的是图1光掩膜的重复图形上产生的不匀缺陷,(A)和(B)是表示坐标位置变动系的不匀缺陷的图,(C)和(D)是表示尺寸变动系的不匀缺陷的图;
图3是表示本发明图形的不匀缺陷检查装置中的第2实施方式概略结构的立体图;
图4是表示本发明图形的不匀缺陷检查装置中的第3实施方式概略结构的立体图;
图5是表示本发明图形的不匀缺陷检查装置中的第4实施方式概略结构的立体图;
图6是表示实施例中使用红光检测的不匀缺陷检测结果的曲线;
图7是表示实施例中使用绿光检测的不匀缺陷检测结果的曲线;
图8是表示实施例中使用蓝光检测的不匀缺陷检测结果的曲线。
附图标记说明
10.不匀缺陷检查装置(图形的不匀缺陷检查装置)
12.光源
13.感光部
14.波长滤波器(选择抽取装置)
20.不匀缺陷检查装置(图形的不匀缺陷检查装置)
21.波长滤波器(选择抽取装置)
30.不匀缺陷检查装置(图形的不匀缺陷检查装置)
31.解析装置(选择抽取装置)
40.不匀缺陷检查装置(图形的不匀缺陷检查装置)
41、42.单色光源
43.选择抽取机构(选择抽取装置)
50.光掩膜(被检查体)
51.重复图形
53.单位图形
54.不匀缺陷区域
具体实施方式
下面根据附图说明实施本发明的优选实施方式。
[A]第1实施方式(图1、图2)
图1是表示本发明图形的不匀缺陷检查装置中第1实施方式概略结构的立体图。图2表示的是图1光掩膜的重复图形上产生的不匀缺陷,(A)和(B)是表示坐标位置变动系的不匀缺陷的图,(C)和(D)是表示尺寸变动系的不匀缺陷的图。
该图1所示的不匀缺陷检查装置10,其是对在作为被检查体的光掩膜50表面上形成的重复图形51上产生的不匀缺陷进行检查的装置,其具有载物台11、光源12、感光部13和作为选择抽取装置的波长滤波器14。所述光掩膜50在本实施方式中是影像装置之一,例如是用于制造CCD感光部的曝光掩膜。
在此,作为所述影像装置能举出摄像装置和显示装置。摄像装置是以CCD、CMOS、VMIS等固体摄像装置为代表的,显示装置是以液晶显示装置、等离子显示装置、EL显示装置、LED显示装置和DMD显示装置等为代表的。光掩膜50用于制造这些影像装置的任一个。
所述光掩膜50是在玻璃基板等透明基板52上设置铬膜等的遮光膜,并把该遮光膜以希望的重复图形51部分地除去,所述重复图形51是单位图形53有规律地排列的结构。
作为该光掩膜50的制造方法,首先是在透明基板52上形成遮光膜,并在该遮光膜上形成保护膜。然后向该保护膜照射绘图机中的电子束或激光光束来实施绘图,并把预定的图形曝光。然后有选择地除去绘图部和非绘图部而形成保护层图形。然后把保护层图形作为掩膜来对遮光膜进行腐刻而在该遮光膜上形成重复图形51,最后把残存的保护层除去而制造光掩膜50。
在上述的制造工序中,利用电子束或激光光束的扫描而在保护层膜上直接实施绘图时,依赖于光束的扫描宽度或光束径而在绘图上产生连接点,该连接点上有时按每个绘图单位周期地产生绘图不良的错误,这就成为所述不匀缺陷产生的原因。
把该不匀缺陷的一例表示在图2中。该图2中以标号54表示不匀缺陷区域。图2(A)表示的是由于在光束绘图的连接点处产生位置偏移而使重复图形51中单位图形53的间隔有一部分不同的不匀缺陷。图2(B)同样地,表示的是由于在光束绘图的连接点处产生位置偏移而使重复图形51中单位图形53的位置相对于其他的单位图形产生了偏移的不匀缺陷。把这些图2(A)和图2(B)所示的不匀缺陷叫做坐标位置变动系的不匀缺陷。图2(C)和图2(D)是由于绘图机的光束强度有偏差等而使重复图形51的单位图形53一部分变细或变粗的不匀缺陷,把这些不匀缺陷叫做尺寸变动系的不匀缺陷。
图1所示不匀缺陷检查装置10中的所述载物台11是放置光掩膜50的台。所述光源12设置在载物台11一侧的上方,从斜上方把光向光掩膜50表面的重复图形51进行照射。本实施例中光源12照射如白色光等的在宽的范围内包含多个波长的光,例如能使用碘钨灯。
所述感光部13设置在载物台11的另一侧上方,接受从光掩膜50的重复图形51反射的反射光,特别是接受被重复图形51的边缘部散射的散射光,并把它转换成感光数据,例如该感光部13能使用CCD线传感器或CCD面传感器等摄像传感器。在通过感光部13转换的感光数据中,若光掩膜50的重复图形51产生不匀缺陷,则产生感光数据的规律性紊乱。因此,通过观察该感光数据就能检查出不匀缺陷。
所述波长滤波器14从多个波段的光中选择抽取一个或多个希望波段的光。即该波长滤波器14准备有多个能对多个波段的光进行个别抽取的一个波长滤波器,或能仅抽取特定波段的光的一个波长滤波器。通过该波长滤波器14,从光源12照射的光中选择抽取一个或多个希望波段的光,并把各波段的光个别地向光掩膜50的重复图形51照射。
各个被该波长滤波器14选择抽取的多个波段的光,被光掩膜50的重复图形51反射(散射)并经过感光部13而转换成感光数据。通过观察这些感光数据就能观察到在不同波段的光下所述重复图形51的不匀缺陷。
但如前所述,光掩膜50的重复图形51上产生的不匀缺陷是由重复图形51的制造工序等引起的且存在有多种。这些各种的不匀缺陷在不匀缺陷检查装置10中,随观察光的波段不同而能见度不同,每个不匀缺陷种类存在有能高灵敏度观察或检测的波段的光。因此,由波长滤波器14选择抽取的希望波段的光是能对需要检查种类的不匀缺陷高灵敏度地进行检查的波段的光,例如是蓝光(440~500nm附近的光)、绿光(500~570nm附近的光)和红光(620~700nm附近的光),或也可以是激光那样的单色光。即蓝光能高灵敏度检测图2(A)和图2(B)所示的坐标位置变动系的不匀缺陷,绿光能高灵敏度检测图2(C)和图2(D)所示的尺寸变动系的不匀缺陷。这样就能使用适合不匀缺陷种类的波段的光来高灵敏度地检测该不匀缺陷。
下面说明使用不匀缺陷检查装置10来检测光掩膜50中重复图形51的不匀缺陷的检查方法。
波长滤波器14从光源12照射的多个波段的光中选择抽取一个或多个希望波段的光。例如,波长滤波器14从光源12照射的光中个别选择抽取了蓝光和绿光。
被该波长滤波器14选择抽取的多个希望波段的光,分别被光掩膜50中的重复图形51反射,特别是被重复图形51的边缘部散射的散射光被感光部13接受而转换成感光数据。观察这些感光数据来检查在重复图形51上存在的不匀缺陷。
在重复图形51上存在有图2(A)和图2(B)所示的坐标位置变动系的不匀缺陷时,使用由波长滤波器14选择抽取的蓝光进行观察时比使用由该波长滤波器14选择抽取的绿光进行观察时能显著地高灵敏度观察到该不匀缺陷。因此使用该蓝光能高精度检测坐标位置变动系的不匀缺陷。
在重复图形51上存在有图2(C)和图2(D)所示的尺寸变动系的不匀缺陷时,使用由波长滤波器14选择抽取的绿光进行观察时比使用由该波长滤波器14选择抽取的蓝光进行观察时能显著地高灵敏度观察到该不匀缺陷。因此使用该绿光能高精度检测尺寸变动系的不匀缺陷。
从以上结构通过所述实施方式有以下的效果(1)和(2)。
(1)波长滤波器14从光源12照射的多个波段的光中选择抽取一个或多个希望波段的光,感光部13把该选择抽取的波段的光转换成感光数据,通过个别观察该感光数据来检测光掩膜50中重复图形51上的不匀缺陷,因此通过对多种的各个不匀缺陷使用不同波段的光,就能在把各个种类的不匀缺陷明显化时进行观察,所以能高精度检测在光掩膜50的重复图形51上产生的多种不匀缺陷。
例如如上所述,通过使用由波长滤波器14选择抽取的蓝光和绿光这两种不同波段的光来检测光掩膜50中重复图形51上的不匀缺陷,就能分别高精度地检测出坐标位置变动系和尺寸变动系这样不同种类的不匀缺陷。
(2)由于被波长滤波器14选择抽取的希望波段的光是能对需要检查种类的不匀缺陷高灵敏度地进行检查的波段的光(例如对于坐标位置变动系的不匀缺陷是蓝光、对于尺寸变动系统的不匀缺陷是绿光),所以能对不匀缺陷以适合检查该不匀缺陷的波段的光进行观察检测,所以能更高精度地检查不匀缺陷。
[B]第2实施方式(图3)
图3是表示本发明图形的不匀缺陷检查装置中第2实施方式的概略结构的立体图。在该第2实施方式中,与所述第1实施方式同样的部分上付有同样的标号从而省略了说明。
该第2实施方式的不匀缺陷检查装置20中,具有代替第1实施方式中的从光源12照射的光中选择抽取希望波段光的波长滤波器14而作为选择抽取装置的与波长滤波器14结构相同的波长滤波器21,该波长滤波器21从被光掩膜50的重复图形51散射的散射光中选择抽取一个或多个希望波段的光,并向感光部13引导。
在该不匀缺陷检查装置20中,由波长滤波器21也从多个波段的光中选择抽取一个或多个希望波段的光,这样能使用不同波段的光来检查重复图形51的不匀缺陷,所以与所述第1实施方式的效果(1)同样地能高精度检测在光掩膜50的重复图形51上产生的多种不匀缺陷。
例如,通过使用由波长滤波器21选择抽取的蓝光和绿光这两种不同波段的光来检测光掩膜50中重复图形51上的不匀缺陷,就能分别高精度地检测出坐标位置变动系和尺寸变动系这样不同种类的不匀缺陷。
且在该不匀缺陷检查装置20中由被波长滤波器21选择抽取的希望波段的光也是能对需要检查种类的不匀缺陷高灵敏度地进行检查的波段的光(例如对于坐标位置变动系的不匀缺陷是蓝光、对于尺寸变动系的不匀缺陷是绿光),所以与所述第1实施方式的效果(2)同样地能对不匀缺陷以适合检查该不匀缺陷的波段的光进行观察检测,所以能更高精度地检查不匀缺陷。
[C]第3实施方式(图4)
图4是表示本发明图形的不匀缺陷检查装置第3实施方式概略结构的立体图。该第3实施例中与所述第1实施方式同样的部分上付有同样的标号从而省略了说明。
该第3实施方式的不匀缺陷检查装置30没使用第1和第2实施方式那样的波长滤波器14和波长滤波器21,而是将解析装置作为选择抽取装置,该解析装置对由感光部13感光并转换的感光数据进行解析,并从该解析了的感光数据中选择抽取一个或多个有关希望波段光的感光数据。该解析装置例如对由感光部13感光并转换了的光源12的白色光的感光数据进行解析,并个别地选择抽取一个或多个有关蓝光的感光数据、有关绿光的感光数据和有关红光的感光数据。
在该不匀缺陷检查装置30中,由解析装置31也从有关多个波段光的感光数据中选择抽取一个或多个有关希望波段光的感光数据,这样能使用有关不同波段光的感光数据(例如有关蓝光的感光数据、有关绿光的感光数据)来检查重复图形51的不匀缺陷,所以与所述第1实施方式的效果(1)同样地能高精度检测在光掩膜50的重复图形51上产生的多种不匀缺陷。
例如,通过使用由解析装置31选择抽取的有关蓝光和绿光这两种不同波段光的感光数据来检测光掩膜50中重复图形51上的不匀缺陷,就能分别高精度地检测出坐标位置变动系和尺寸变动系这样不同种类的不匀缺陷。
且在该不匀缺陷检查装置30中由解析装置31选择抽取的有关希望波段光的感光数据也是能对需要检查种类的不匀缺陷高灵敏度地进行检查的波段光的感光数据(例如对于坐标位置变动系的不匀缺陷是有关蓝光的感光数据、对于尺寸变动系的不匀缺陷是有关绿光的感光数据),所以与所述第1实施方式的效果(2)同样地能对不匀缺陷以适合检查该不匀缺陷的波段的光进行观察检测,所以能更高精度地检查不匀缺陷进行。
[D]第4实施方式(图5)
图5是表示本发明图形的不匀缺陷检查装置第4实施方式概略结构的立体图。该第4实施方式中与所述第1实施方式同样的部分上付有同样的标号从而省略了说明。
该第4实施方式的不匀缺陷检查装置40替代第1和第2实施方式那样的波长滤波器14和波长滤波器21的是作为选择抽取装置的选择抽取机构43,该选择抽取机构43具备分别个别照射多个波段的光的中的希望波段的光的多个单色光源41、42、...,并能把这些单色光源41、42、...的照射动作进行切换。例如分别是单色光源41照射蓝光、单色光源42照射绿光。这些单色光源41、42、...也可是照射激光那样的单色光的光源。
该不匀缺陷检查装置40中,由选择抽取机构43的单色光源41、42、...也个别照射多个波段的光中的希望波段的光,并能切换这些照射动作,这样能使用单色光源41、42、...照射的不同波段的光来检测重复图形51的不匀缺陷,所以与所述第1实施方式的效果(1)同样地能高精度检测在光掩膜50的重复图形51上产生的多种不匀缺陷。
例如,通过使用由选择抽取机构43选择抽取的蓝光和绿光这两种不同波段的光来检测光掩膜50中重复图形51上的不匀缺陷,就能分别高精度地检测出坐标位置变动系和尺寸变动系这样不同种类的不匀缺陷。
且该不匀缺陷检查装置40中由选择抽取机构43中的单色光源41、42、...个别进行照射的希望波段的光,也是能对需要检查种类的不匀缺陷高灵敏度地进行检查的波段的光(例如对于坐标位置变动系的不匀缺陷是蓝光、对于尺寸变动系的不匀缺陷是绿光),所以与所述第1实施方式的效果(2)同样地能对不匀缺陷以适合检查该不匀缺陷的波段的光进行观察检测,所以能更高精度地检查不匀缺陷。
实施例
下面通过实施例具体说明本发明。本实施例中被检查体是形成CCD感光部时作为曝光掩膜使用的光掩膜,在该光掩膜上形成有与所述感光部对应的由铬系遮光膜图形构成的重复图形。对该光掩膜上形成的重复图形,使用第3实施方式的不匀缺陷检查装置30(图4)来检查不匀缺陷。
图6~图8是表示光掩膜的一部分区域的使用由不匀缺陷检查装置30的解析装置31解析的各个有关红光的感光数据、有关绿光的感光数据和有关蓝光的感光数据检查的不匀缺陷的检查结果的曲线。在此,横轴表示光掩膜上预定方向的距离,纵轴表示不匀缺陷的浓度。该纵轴的-5~5的数值表示对于不匀缺陷的浓度任意分配的预定的水平。
本实施例对于光掩膜的重复图形的不匀缺陷检查中,如图6所示在使用有关红光的感光数据时不能检查出不匀缺陷。但如图7、图8所示在使用有关绿光的感光数据或有关蓝光的感光数据时能检查出不匀缺陷。特别是在使用有关绿光的感光数据的情况下(图7)能高灵敏度地检查出不匀缺陷。因此,该光掩膜的重复图形上产生的不匀缺陷被认为是尺寸变动系统的不匀缺陷。
上述实施例中使用了第3实施方式的不匀缺陷检查装置30,但不局限于此。即使用由第1实施方式中的不匀缺陷检查装置10的波长滤波器14、第2实施方式中不匀缺陷检查装置20的波长滤波器21或第4实施方式中的不匀缺陷检查装置40的选择抽取机构43分别选择抽取的红光、绿光或蓝光,利用各自的不匀缺陷检查装置检测所述光掩膜上重复图形中的不匀缺陷的情况下,也能得到与所述实施例同样的结果。
以上根据所述实施方式和所述实施例说明了本发明,但本发明并不局限于此。
例如讲述了所述感光部13接受光掩膜50中重复图形51的边缘部散射的光,但其也可以接受在该光掩膜50的重复图形51之间透射的透射光,特别是接受该透射光中被光掩膜50的边缘部衍射的衍射光。
上述实施例方式中叙述了被检查体是光掩膜50,不匀缺陷检查装置10、20、30、40检查用于制造影像装置的所述光掩膜50的重复图形51上产生的不匀缺陷,但该被检查体也可以是摄像装置或显示装置等的影像装置。在这种情况下,不匀缺陷检查装置10、20、30、40则也可以分别检查形成摄像装置中的摄像面的像素图形(具体说就是形成CCD或CMOS等感光部的重复图形)上产生的不匀缺陷、形成显示装置显示面的像素图形(具体说就是液晶显示屏的薄膜晶体管或相对基板、滤色片等等的重复图形)上产生的不匀缺陷。

Claims (10)

1、一种图形的不匀缺陷检查方法,其对表面具备单位图形有规律排列的重复图形的被检查体进行光照射,接受来自该被检查体的反射光或透射光并观察该感光的感光数据来检查所述重复图形上产生的不匀缺陷,其特征在于:
从多个波段的光中选择抽取一个或多个希望波段的光,并使用该选择抽取的波段的光来检查所述重复图形的不匀缺陷。
2、如权利要求1所述的图形的不匀缺陷检查方法,其特征在于,选择抽取的希望波段的光是能对需要检查种类的不匀缺陷高精度地进行检查的波段的光。
3、如权利要求1或2所述的图形的不匀缺陷检查方法,其特征在于,所述被检查体是影像装置或是用于制造该影像装置的光掩膜。
4、一种图形的不匀缺陷检查装置,其具有:光源,其对表面具备有单位图形有规律排列的重复图形的被检查体进行光照射;感光器,其接受来自所述被检查体的反射光或透射光并把它作为感光数据,观察该感光的感光数据来检查所述重复图形上产生的不匀缺陷,其特征在于:
具有从多个波段的光中选择抽取一个或多个希望波段光的选择抽取装置,并使用该选择抽取的波段的光来检查所述重复图形的不匀缺陷。
5、如权利要求4所述的图形的不匀缺陷检查装置,其特征在于,被所述选择抽取装置选择抽取的希望波段的光是能对需要检查种类的不匀缺陷高精度地进行检查的波段的光。
6、如权利要求4或5所述的图形的不匀缺陷检查装置,其特征在于,所述选择抽取装置是从光源照射的光中选择抽取希望波段的光并把它向被检查体引导的波长滤波器。
7、如权利要求4或5所述的图形的不匀缺陷检查装置,其特征在于,所述选择抽取装置是从被检查体引导来的光中选择抽取希望波段的光并把它向感光器引导的波长滤波器。
8、如权利要求4或5所述的图形的不匀缺陷检查装置,其特征在于,所述选择抽取装置是解析被感光器转换的感光数据,并从该感光数据中选择抽取有关希望波段光的感光数据的解析装置。
9、如权利要求4或5所述的图形的不匀缺陷检查装置,其特征在于,所述选择抽取装置具备个别照射多个波段的光中的希望波段的光的多个单色光源,并能把这些单色光源的照射动作进行切换。
10、如权利要求4到9任一项所述的图形的不匀缺陷检查装置,其特征在于,所述被检查体是影像装置或是用于制造该影像装置的光掩膜。
CNB2004800330487A 2003-11-20 2004-11-17 图形的不匀缺陷检查方法和装置 Expired - Fee Related CN100573042C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP390821/2003 2003-11-20
JP2003390821 2003-11-20

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1879005A true CN1879005A (zh) 2006-12-13
CN100573042C CN100573042C (zh) 2009-12-23

Family

ID=34616355

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2004800330487A Expired - Fee Related CN100573042C (zh) 2003-11-20 2004-11-17 图形的不匀缺陷检查方法和装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7583376B2 (zh)
JP (1) JPWO2005050132A1 (zh)
KR (1) KR100863320B1 (zh)
CN (1) CN100573042C (zh)
TW (1) TWI276794B (zh)
WO (1) WO2005050132A1 (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102411260A (zh) * 2011-11-28 2012-04-11 上海华力微电子有限公司 掩膜板缺陷检测方法
CN102486604A (zh) * 2010-12-03 2012-06-06 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 相位移掩模版及其制造方法、雾状缺陷检测方法
CN104103545A (zh) * 2014-08-01 2014-10-15 上海华力微电子有限公司 晶圆缺陷检测方法
CN105081560A (zh) * 2014-05-16 2015-11-25 灿美工程股份有限公司 缺陷观察装置及包含所述缺陷观察装置的激光加工设备
CN109313302A (zh) * 2016-06-08 2019-02-05 三星Sdi株式会社 用来处理薄膜的装置以及方法

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4778755B2 (ja) * 2005-09-09 2011-09-21 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査方法及びこれを用いた装置
US20070253449A1 (en) 2005-12-22 2007-11-01 Arnab Das Methods and apparatus related to determining, communicating, and/or using delay information
JP4993934B2 (ja) * 2006-03-31 2012-08-08 Hoya株式会社 パターン欠陥検査方法、フォトマスクの製造方法、及び表示デバイス用基板の製造方法
US7433033B2 (en) 2006-05-05 2008-10-07 Asml Netherlands B.V. Inspection method and apparatus using same
US8228497B2 (en) * 2007-07-12 2012-07-24 Applied Materials Israel, Ltd. Method and system for evaluating an object that has a repetitive pattern
US7815824B2 (en) * 2008-02-26 2010-10-19 Molecular Imprints, Inc. Real time imprint process diagnostics for defects
TWI770906B (zh) * 2021-03-26 2022-07-11 環球晶圓股份有限公司 晶圓表面缺陷檢測方法及其裝置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5629768A (en) * 1993-01-28 1997-05-13 Nikon Corporation Defect inspecting apparatus
JPH10300447A (ja) 1997-04-23 1998-11-13 K L Ee Akurotetsuku:Kk 表面パターンむら検出方法及び装置
JP4591802B2 (ja) * 2000-09-13 2010-12-01 株式会社ニコン 表面検査装置および方法
US6727512B2 (en) * 2002-03-07 2004-04-27 Kla-Tencor Technologies Corporation Method and system for detecting phase defects in lithographic masks and semiconductor wafers
JP3971943B2 (ja) * 2002-03-26 2007-09-05 アイエスオーエー、 インク 光学的検査方法及び光学的検査システム

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102486604A (zh) * 2010-12-03 2012-06-06 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 相位移掩模版及其制造方法、雾状缺陷检测方法
CN102486604B (zh) * 2010-12-03 2014-06-04 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 相位移掩模版及其制造方法、雾状缺陷检测方法
CN102411260A (zh) * 2011-11-28 2012-04-11 上海华力微电子有限公司 掩膜板缺陷检测方法
CN102411260B (zh) * 2011-11-28 2014-07-16 上海华力微电子有限公司 掩膜板缺陷检测方法
CN105081560A (zh) * 2014-05-16 2015-11-25 灿美工程股份有限公司 缺陷观察装置及包含所述缺陷观察装置的激光加工设备
CN104103545A (zh) * 2014-08-01 2014-10-15 上海华力微电子有限公司 晶圆缺陷检测方法
CN109313302A (zh) * 2016-06-08 2019-02-05 三星Sdi株式会社 用来处理薄膜的装置以及方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI276794B (en) 2007-03-21
CN100573042C (zh) 2009-12-23
WO2005050132A1 (ja) 2005-06-02
TW200526946A (en) 2005-08-16
US7583376B2 (en) 2009-09-01
JPWO2005050132A1 (ja) 2007-06-07
KR20060086424A (ko) 2006-07-31
US20070070338A1 (en) 2007-03-29
KR100863320B1 (ko) 2008-10-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR200473035Y1 (ko) 렌즈 검사 시스템
CN101055256A (zh) 缺陷检查装置
CN100454511C (zh) 不均缺陷检查装置和方法及光掩模的制造方法
CN1940540A (zh) 缺陷检查装置和缺陷检查方法
KR100677692B1 (ko) 얼룩결함 검사 마스크, 그리고 얼룩결함 검사장치 및 방법
CN1677097A (zh) 图形不匀缺陷检查方法和装置
CN101046625A (zh) 图案缺陷检查方法、光掩模制造方法和显示装置基板制造方法
CN1721987A (zh) 波纹缺陷检查方法及装置、以及光掩模的制造方法
KR101721965B1 (ko) 투명 기판의 외관 검사 장치 및 외관 검사 방법
CN101046624A (zh) 图案缺陷检查装置、图案缺陷检查方法及光掩模的制造方法
CN1879005A (zh) 图形的不匀缺陷检查方法和装置
JP2008513742A (ja) 直接像の技術を使用した平面の媒質の光学検査
CN1983023A (zh) 波纹缺陷检查方法和系统及光掩模的制造方法
CN1873370A (zh) 具有轴上和离轴传感器的x光检查系统
JP2012242268A (ja) 検査装置及び検査方法
EP3187861B1 (en) Substrate inspection device and substrate inspection method
KR101320183B1 (ko) 패턴 결함 검사 방법, 패턴 결함 검사 장치, 포토마스크의 제조 방법, 및 표시 디바이스용 기판의 제조 방법
CN1216285C (zh) 灰调掩模缺陷检查方法及装置和光掩模缺陷检查方法及装置
JP2008046109A (ja) 基板の欠陥検査装置及び基板の製造方法
JP2013164371A (ja) 蛍光体含有ガラス部材の検査装置及び検査方法
JP5839167B2 (ja) 観察装置
JP2008268055A (ja) 異物検査装置及び異物検査方法
JP2010151478A (ja) 周期性パターンのムラ検査方法及び検査装置
JP2005308517A (ja) 外側面検査方法及び外側面検査装置
JP6414842B2 (ja) 検査方法及び検査装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20091223

Termination date: 20141117

EXPY Termination of patent right or utility model