CN1867980A - 光记录介质以及用于该光记录介质的化合物 - Google Patents

Abstract

本发明提供能利用波长为300nm～900nm的激光进行良好的记录和再现的光记录介质以及新型化合物。所述光记录介质的特征在于，该记录层(A)上利用激光记录的记录部位的记录层膜厚(a²)相对该记录层(A)的未记录部分的记录层膜厚(a¹)的变化率(|[a²－a¹]/a¹|×100)小于25％，并且，该记录层(A)中利用激光记录的记录部位的记录层膜厚(a²)相对该记录层(A)的未记录部位的记录层膜厚(a¹)的变化量(|a²－a¹|)被控制为小于15nm。所述化合物具有由4个碳原子和2个氮原子构成的六元环结构，并且，键合有取代或无取代的氨基。

Description

光记录介质以及用于该光记录介质的化合物

技术领域

本发明涉及使用有机化合物作为记录层用材料的光记录介质，特别涉及能利用作为可见激光之一的蓝紫色激光等蓝色系列激光进行记录再现的可高密度记录的追记型光记录介质，以及新型化合物。另外，还涉及能利用工业上有利的旋涂法等涂布法制作记录层的记录层用材料。

背景技术

作为与压缩盘(以下简称为CD)规格对应的光记录介质的CD-R(CD-Recordable)正广泛普及。CD-R的存储容量为680MB左右，但随着信息量的迅速增加，迫切需要信息记录介质的高密度化和大容量化。

作为记录介质的高密度化方法，可以举出通过减小记录再现中使用的激光波长、以及提高对物透镜的开口数(N.A.：NumeriacalAperture)来缩小光斑。而且，光盘系统中使用的短波长激光，可以使用500nm～700nm、进一步优选630nm～690nm左右的激光，具体而言，680nm、670nm、660nm、650nm、635nm等红色激光已经实用化。因此，通过减小半导体激光的波长、增加对物透镜的开口数、数据压缩技术等，能制作可以进行动画记录以及大容量信息记录的光记录介质。作为迄今为止提出的光记录介质，包括光磁记录介质、相变记录介质、硫属元素氧化物类光记录介质、有机色素类光记录介质等，其中，考虑到廉价并且易操作，优选使用有机色素类光记录介质。根据上述状况，开发了追记型数字多功能光盘(以下简称为DVD-R)，作为比CD密度高且能进行与TV质量相当的动画记录再现的光记录介质，以及能利用正在普及的市售DVD视频播放器或DVD-ROM播放器再现、并能利用激发波长630nm～690nm的红色半导体激光进行记录的追记型光记录介质。DVD-R是具有3.9GB或4.7GB记录容量的可一次写入的光记录介质，特别是在最近，单面4.7GB容量的DVD-R介质已经开始投放市场。该DVD-R介质的特征也在于下述盘片结构，即，在记录层中使用花青类色素、偶氮类色素等，采用设置反射层的叠层结构，并贴合了2张0.6mm厚的基板。关于适合该容量的记录特性良好的光盘，目前正在积极地开发适应高速记录的介质。

另外，推测将来需要更高密度的记录，每张光盘的信息记录量要达到15～30GB。作为实现上述记录密度的方法，不可避免要使用更短波长的激光。因此，作为在将来的有机色素类光记录介质中使用的记录用色素，在300nm～500nm的波长范围内具有良好的记录特性的色素较为理想。

因此，关于能进行高于以有机色素作为记录层的DVD-R的高密度记录的介质，在专利文献1中，利用激发波长小于或等于680nm的激光实现记录容量大于或等于8GB的密度。在该文献提出的方案中，通过利用具有大于或等于0.7的高开口数的对物透镜聚焦波长小于或等于680nm的激光，通过10～177μm厚度的透光层实现大于或等于8GB的大容量记录。

另外，近年来，作为激发波长为390～430nm的蓝色激光，已经开发了使用GaN类材料的410nm的激光，或通过组合半导体激光和光导波路元件得到的波长为425nm的SHG激光，目前正在开发适应上述激光的蓝色半导体激光对应色素。

而且，1999年初开始试用激发波长为400～410nm、发出蓝紫色光的GaN类半导体激光(日亚化学工业)时，开始研究以与具有单面大于或等于15GB的更高密度容量的HDTV(hign definition television)放映相当的画质能进行2小时左右的动画记录的介质(以下称为HD-DVD-R介质)。利用上述具有高密度容量的HD-DVD-R介质，如果以与现有播放相当的画质录制，则能录制6小时左右，因此，作为取代家庭用VTR的新型记录介质备受关注。

其中，下一代高密度光盘的统一规格“Blu-ray Disc”已由日欧韩9家公司确定，并已经公布(2002年2月19日)。根据该规格，组合蓝紫色激光和N.A.＝0.85的高开口透镜，在12cm圆板的单面上能反复记录·再现最大27GB的影像数据，如果使用同规格的记录装置，1张盘上能录制2小时或2小时以上HDTV影像。如果是现有播放NTSC方式的影像数据，则相当于13个小时或13个小时以上。

另外，还提出了膜厚为1.2mm的同规格盘片，使激光经100μm左右的透光层聚焦在形成的记录膜上，记录容量为23.3、25、27GB 3种。在上述规格之前，还提到了有机色素对利用蓝紫色激光、以及N.A.＝0.85的高开口透镜的记录介质的可适用性。作为最近的具体事例，例如，可以举出，通过记录标记(mark)部分伴随热分解的色素自身的折射率变化及形成空隙(凹槽pit)能进行记录的光记录介质(“Oplus E”vol.25，No.6，p.652-657，2003年6月发行)。

目前，作为能利用400～500nm的蓝色激光记录的有机色素化合物，除了专利文献2中记载的花青类色素化合物以外，还提出了卟啉类色素化合物、多烯类色素化合物、偶氮类色素化合物、二氰基乙烯基苯基化合物、香豆素化合物、嘧啶化合物、萘酞菁化合物、5元杂环化合物、二唑化合物、氨基吡啶化合物、双吡啶鎓化合物、氧杂菁(oxonol)化合物、苯乙烯基化合物、氨基丁二烯化合物、金属螯合化合物、醌化合物或醌二甲烷(quinodimethane)化合物、腙化合物、三嗪化合物、喹诺酮化合物或1，5-二氮杂萘化合物、缩合杂环化合物、以及芪化合物等。

另外，还提出了以下光记录介质：构成记录层及金属反射层2层的专利文献3中记载的光记录介质，上述记录层中，作为记录层形成用有机色素，以卟啉类色素或花青类色素等为主，上述金属反射层以银为主体；或作为着重于介质构成的光记录介质，有通过具有含有感应蓝色激光的花青类色素的蓝色激光感应色素层和红色激光感应色素层而能在双波长区域记录的专利文献4中记载的光记录介质；或通过混合蓝色激光用色素以及红色激光用色素2种色素而能在双波长区域记录的使用靛青类色素化合物的专利文献5中记载的光记录介质、或使用氰基乙烯类色素的专利文献6中记载的光记录介质、使用角鲨鎓类色素化合物的专利文献7中记载的光记录介质等。

另一方面，作为于400～500nm的蓝色区域、在有机色素膜上进行记录的例子，提出以下方案：通过混合与卟啉类化合物的中心金属配位的分子化合物以及高分子、或侧链上具有与中心金属配位的分子结构的高分子，能使该卟啉类化合物的索雷(Soret)谱带向长波长一侧迁移，使其与488nm的Ar激光对应，同时可通过旋涂成膜，降低制造成本(专利文献8、9)。根据本发明人等的研究，发现多烯类色素化合物(专利文献10、11)的光稳定性差，实用时需要混入淬灭剂。

专利文献1：特开平10-302310号公报

专利文献2：国际专利公开WO 01/44374号公报

专利文献3：特开平11-53758号公报

专利文献4：特开平11-203729号公报

专利文献5：特开平11-78239号公报

专利文献6：特开平11-105423号公报

专利文献7：特开平11-110815号公报

专利文献8：特开平7-304256号公报

专利文献9：特开平7-304257号公报

专利文献10：特开平4-78576号公报

专利文献11：特开平4-89279号公报

发明内容

最近，为了波长为400nm～410nm的蓝紫色半导体激光的实用化，开始积极开发使用该波长的大容量追记型光记录介质，特别期待开发出具有高耐光性或良好的高速记录特性的色素。

但是，实际情况是上述光记录介质没有充分适应波长为400nm～410nm的激光。即，在使用上述有机色素的介质中，针对记录信号的再现，输送波和杂音之比(C/N)不一定是良好的值，因此，会出现未充分进行信号读取等问题。为了克服该问题，当务之急是开发可利用波长为400nm～410nm的激光进行高密度记录再现的光记录介质。

如上所述，正积极开发使用该激光的大容量光记录介质，特别期待开发出具有高耐光性或良好的高速记录特性的色素，尽管如此，作为可利用该波长区域的激光进行记录再现的记录材料，上述色素化合物至今还未得到充分的特性，还有改善的余地。另外，利用容易形成记录膜的旋涂法等涂布法制备介质时，作为有利特性之一，可以举出对涂布溶剂的高溶解性，需要对此加以考虑。通常，为了增大记录容量，需要以更高密度进行记录，因此，有必要提高用于会聚记录中使用的光束的对物透镜的开口数，并进一步减小光学系统的激光波长。但是，在衍射临界处决定了会聚光束的最小束径。为了具有高速记录特性，尽可能降低记录时的激光能量是重要的。即，开发出以较低记录激光能量即可形成良好的记录标记的高灵敏色素是重要的。

所以，如图1(a)所示，由于记录是在光束强度大于某一阈值的部位完成的，因此得到小于会聚射束点的记录部位。该记录部位的周围虽然相当于光束强度峰的下降区域，但随着更短波长化的发展趋势，即使在记录部位的周围，也能够促进记录层的光化学反应，特别是在上述蓝紫色激光的波长区域内，形成有机化合物的光化学反应容易发生的波长区域，因此，记录时出现记录部位和未记录部位的边缘(edge)劣化，信号特性恶化的问题。即，如图1(b)所示，原来必须对应于矩形波形成的记录信息[图1(b)的实线]由于边缘的劣化而变成宽波形[图1(b)的点线部]。如果利用与记录时相同的蓝紫色激光波长进行再现，则即使再现光那样微弱的光照射也会促进光化反应，出现每次再现时发生劣化的问题，在上述特开平7-304256号公报、特开平7-304257号公报中，提出利用不同波长的记录光和再现光，实质上再现光波长长于记录光波长的对策，但结果仍然不能满足充分高密度化的要求。另外，为了使记录波长与再现波长不同，需要分别准备记录装置和再现装置，或者在一个装置中必须设置2个光学系统及其控制系统，作为光记录介质的用途受到限制，或者导致装置的大型化、成本的升高、缺少通用性。另外，以往，在CD-R等光记录介质中，以有机色素膜的熔点、升华点、相转移点或热分解点等物性上的明确的热阈值为界限开始/停止(on/off)记录，而由蓝紫色激光的激发引起的光劣化模式(mode)的存在，使该对比变得模糊，特别是对于必须形成小于光束的细密记录部位的高密度记录系统，有可能显著影响记录信号的品质。

另外，形成记录部位时，例如，在利用热变形进行记录，即，利用凹槽形成法进行记录的方法中，在进行了不必要的变形的情况下，或上述光劣化引起对比模糊的情况下，对光盘半径方向带来不良影响，即，使相邻的将被记录的(或已经被记录的)轨道部位被侵蚀或模糊化，显著影响相邻轨道的记录信号品质。特别是在需要高密度且高速记录的光记录介质中，必须使多个轨道(以下称为多轨道)上的记录部位的记录信号品质均良好。换言之，整个盘片都需要保持良好的信号品质，为此，即使在记录单一轨道后，重新记录相邻轨道，也必须保持已经记录的轨道的信号品质不劣化，而且，还必须保持随后记录的相邻轨道的信号品质良好、不劣化。因此，目前，不可避免地需要开发这样一种记录模式：形成记录部位时，抑制不必要的变形或光劣化模式，保持相邻轨道的记录信号品质，同时能明确识别形成的记录部位。为此，急需开发一种记录用材料，所述记录用材料即使为了不引起不必要的变形而降低记录激光能量，也能进行充分的记录，并且没有光劣化导致的对比模糊，具有高耐光性。

为了准确地读取信号，读出信号的大小很重要，对于此点应该给与充分的考虑。

本发明的目的是提供一种具有记录层的光记录介质，该光记录介质适用于能利用选自波长为300nm～900nm范围的激光、特别是波长为390nm～430nm范围的激光、更特别的是波长为400nm～410nm范围的蓝紫色激光进行良好的记录和再现的超高密度记录。而且，本发明还提供适用于该光记录介质的新型化合物。

另外，本发明提供能利用工业上有利的旋涂法等涂布法制作该记录层的记录用材料。

本发明人等为解决上述课题，进行了深入研究，结果完成了本发明。即，本发明涉及以下内容。

1、一种光记录介质，该光记录介质具有至少一层能利用激光进行记录再现的记录层(A)，并且该记录层(A)中含有至少一种有机化合物，其特征在于，该记录层(A)中利用激光记录的记录部位的记录层膜厚(a²)相对该记录层(A)的未记录部位的记录层膜厚(a¹)的变化率(|[a²-a¹]/a¹|×100)小于25％，并且，该记录层(A)中利用激光记录的记录部位的记录层膜厚(a²)相对该记录层(A)的未记录部位的记录层膜厚(a¹)的变化量(|a²-a¹|)小于15nm；

2、如上述1所述的光记录介质，其中所述记录层(A)可以利用涂布法形成；

3、如上述2所述的光记录介质，其中有机化合物是具有由4个碳原子和2个氮原子构成的六元环结构、并且键合有取代或无取代氨基的有机化合物(B)；

4、如上述1～3任一项所述的光记录介质，其特征在于，记录激光能量小于或等于6mW；

5、如上述3所述的光记录介质，其中有机化合物(B)是以作为可互变结构之一的通式(0)表示的化合物；

(式中，环A⁰表示取代或无取代的碳环式芳香族环或取代或无取代的杂环式芳香族环，R^A和R^B表示氢原子或取代基，X⁰表示2价取代基，Y⁰表示取代或无取代的氨基，m⁰表示Y⁰的个数。)

6、如上述5所述的光记录介质，其中有机化合物(B)是以作为可互变结构之一的通式(1)表示的化合物；

(式中，环A和环B表示取代或无取代的碳环式芳香族环或取代或无取代的杂环式芳香族环，R表示氢原子或取代基，X表示2价取代基，Y表示取代或无取代的氨基，m表示Y的个数。)

7、如上述6所述的光记录介质，其中有机化合物(B)是以作为可互变结构之一的通式(2)表示的化合物；

(式中，环C表示取代或无取代的碳环式芳香族环或取代或无取代的杂环式芳香族环，X’表示2价取代基，R⁰～R⁶分别独立，表示氢原子或取代基，m’表示R⁵的个数，n’表示R⁶的个数。其中，选自R¹～R⁴的至少1个或1个以上基团为取代或无取代氨基，在R¹～R⁴的组合及R⁵～R⁶的组合中，各组合内的各取代基，也可以分别独立地通过连接基团键合，与取代位置的原子一起形成环结构，m’和n’分别表示0、1或1以上的整数。)

8、如上述7所述的光记录介质，其中有机化合物(B)是以作为可互变结构之一的通式(3)表示的化合物；

(式中，环D表示取代或无取代的碳环式芳香族环或取代或无取代的杂环式芳香族环，X”表示2价取代基，R⁷～R¹²分别独立，表示氢原子或取代基。其中，选自R⁸～R¹¹的至少1个或1个以上基团为取代或无取代氨基，R⁸～R¹¹也可以分别独立地通过连接基团键合，与取代位置的碳原子一起形成环结构。)

9、如上述8所述的光记录介质，其中有机化合物(B)是以作为可互变结构之一的通式(4)表示的化合物；

(式中，R¹³～R²⁵分别独立，表示氢原子或取代基，在R¹⁴～R¹⁸的组合及R²¹～R²⁵的组合中，各组合内的各取代基，也可以分别独立地通过连接基团键合，与取代位置的碳原子和/或氮原子一起形成环结构。)

10、如上述9所述的光记录介质，其中有机化合物(B)是以作为可互变结构之一的通式(5)表示的化合物；

(式中，R²⁶～R³⁵分别独立，表示氢原子或取代基，在R²⁶～R³⁰的组合及R³¹～R³⁵的组合中，各组合内的各取代基，也可以分别独立地通过连接基团键合，与取代位置的碳原子和/或氮原子一起形成环结构。)

11、如上述10所述的光记录介质，其中，R³¹～R³⁵中的至少1个基团是具有杂环残基的取代烷氧基，该杂环残基含有至少1个杂原子；

12、如上述10所述的光记录介质，其中，构成以R²⁶～R³⁵表示的取代基的原子是选自碳原子、氢原子、氮原子、硫原子、氧原子的原子；

13、如上述1所述的光记录介质，其特征在于，在所述记录层(A)中，含有至少1种吸收该激光、并且具有热变色温度的有机化合物。

14、如上述1所述的光记录介质，其特征在于，在所述记录层(A)中，含有至少1种有机化合物，该有机化合物吸收该激光，并且如果加热非晶质状态，则伴随发热形成结晶状态；

15、如上述1所述的光记录介质，其中，在所述记录层(A)中，含有至少1种有机化合物，该有机化合物通过记录激光的照射，将不同于该记录层(A)记录前的极大吸收波长(λmax¹)的极大吸收波长(λmax²)赋予记录后的该记录层(A)；

16、如上述1所述的光记录介质，其中，在所述记录层(A)中，含有至少1种有机化合物，该有机化合物通过照射记录再现波长为λ0的记录激光，在记录后赋予不同于该记录层(A)记录前在λ0处的折射率n1以及消光系数k1的折射率n2以及消光系数k2。

17、如上述1所述的光记录介质，其特征在于，有机化合物溶液状态的吸光度的极大波长在记录层成为薄膜状态时，向短波长侧移动。

18、以通式(5)表示的化合物；

19、以通式(6)表示的喹唑啉-4-酮化合物，其中，喹唑啉-4-酮环的5～8位中任一个位置具有二取代氨基；

(式中，R³⁶～R⁴¹分别独立，表示氢原子或取代基。)

20、以通式(6)表示的喹唑啉-4-酮化合物的制备方法，其特征在于，利用下述通式(7)的化合物以及通式(8)和/或通式(9)表示的化合物进行反应；

R³⁷-Z¹                                      (8)

R³⁸-Z²                                      (9)

(式中，R³⁶～R⁴¹表示与式(6)中的R³⁶～R⁴¹相同的基团。Z¹、Z²表示离去基团。)

21、含有至少1种以通式(5)表示的化合物的组合物；

22、一种光记录介质，该记录介质在基板上具有可利用激光记录再现的记录层(A)，并且，该记录层(A)中含有至少一种有机化合物，其特征在于，所述光记录介质能利用对该记录层(A)照射小于或等于6mW的记录激光产生的热和/或激光，在不使该基板发生机械变形的情况下进行记录。

利用本发明能提供一种光记录介质，该记录介质通过使可利用激光记录再现的记录层(A)含有至少1种本发明的特定有机化合物，可使其利用波长为300～900nm的激光、特别是作为高密度光记录介质而备受关注的波长为390～430的激光、进而波长为400～410nm的蓝紫色激光的记录能量减少，而且，抑制来自相邻轨道的信号泄漏，从而使该记录介质具有可进行高密度且高品质的信号记录再现的记录层。而且，本发明还提供能利用工业上有利的旋涂法等涂布法制作该记录层的记录用材料。

附图说明

图1是说明本发明课题的概念图。

图2是表示本发明的光记录介质的构成例之一的示意图。

图3是表示本发明的光记录介质的其他构成例之一的示意图。

图4是表示本发明的光记录介质的其他构成例之一的示意图。

图5是表示本发明的光记录介质的其他构成例之一的示意图。

图6是表示本发明的光记录介质的其他构成例之一的示意图。

图7是表示本发明的光记录介质的其他构成例之一的示意图。

符号说明

1： 基板

2： 记录层

3： 反射层

4： 保护层

5： 粘合层

11：基板

12：记录层

13：反射层

14：保护层

15：  虚设基板层

11’：支持基板

12’：记录层

13’：反射层

14’：透明保护层

15’：透光层

21：  支持基板

22：  记录层

23：  氮化物层

24：  氧化物层

25：  透光层

40：  电介质层

101： 射束点

102： 记录部位

具体实施方式

本发明涉及光记录介质，其特征为，光记录介质的记录层(A)中含有本发明的特定有机化合物(B)，还涉及能利用从波长300nm～900nm、特别是波长为390nm～430nm、更特别的是波长为400nm～410nm范围内选出的激光进行记录以及再现的新型光记录介质，以及本发明光记录介质中使用的新型化合物。

本发明的光记录介质是指能记录并再现信息的光记录介质。但是，此处，作为优选例子，对基板上具有记录层(A)，根据需要还可以具有反射层的本发明的光记录介质进行说明。另外，在下面的说明中，作为光记录介质，对下述介质进行说明：该介质是圆盘状的光盘，在支持基板上具有导槽、以及在该导槽上优选利用涂布法形成的含有至少1种作为记录用材料的本发明有机化合物的记录层、和反射膜，照射波长为300～900nm的激光进行信号的记录再现，但本发明的光记录介质并不限于上述形状或构成，还包括卡片状、薄片状等其他各种形状的介质，或没有反射层的介质，或适用于将来开发的利用更短波长的激光进行记录再现的介质。

本发明的光记录介质，例如，具有如图2所示的依次层叠基板1、记录层2、反射层3、以及保护层4形成的4层结构，或具有如图3所示的贴合结构。即，在基板1上先形成记录层2，然后在其上密合地设置反射层3，在反射层上再通过粘合层5贴合保护层4。但是，在记录层2的下面或上面也可以分别设置其他层，还可以在反射层3上面设置其他层。另外，还可以具有如图4所示依次叠层基板1、反射层3、记录层2、保护层4，并在保护层侧进行记录再现的结构。也可以为特开平10-326435号公报所记载的透光层厚度由光学系统的开口数N.A.以及激光波长λ确定的介质结构。

另外，本发明的光记录介质，根据需要还可以形成特开平11-203729号公报记载的具有2种或2种以上记录层的结构。具有2种或2种以上记录层的结构的光记录介质中适用的光记录介质可以具有2种或2种以上本发明的记录层(A)，或1个是本发明的记录层(A)，至少1个是其他记录层(A’)。作为记录层(A’)，可以举出含有1个或1个以上上述公知的有机色素的记录层，或使用金属或准金属等无机物的公知无机记录层等。另外，记录层(A’)可以为2种或2种以上。记录层(A’)和记录层(A’)可以相邻，也可以被中间层隔离。另外，记录层(A)和记录层(A’)分别为2种或2种以上时，对各自的位置关系没有特别限定。作为中间层，为了间隔距离的目的，可以是透明树脂层，也可以适当含有反射层、反射放大层或粘合层。另外，在每个记录层和基板、或每个记录层和保护层之间，可以分别根据需要，设置反射层、反射放大层或粘合层。

作为在光盘中适用本发明的例子，可以举出，如图5所示的依次层叠基板11、记录层12、反射层13以及保护层14，进而在兼具粘合层的保护层14上贴合虚设基板15的介质。当然，也可以是无基板15的结构，在基板11和记录层12之间、记录层12和反射层13之间、反射层13和保护层14之间、保护层14和虚设基板15之间，还可以设置其他层。在图5所示的光盘中，从基板11侧进行记录再现。

作为其他实施方案，有特开平10-302310号公报中公开的结构，例如，如图6所示，在形成导槽的支持基板11’上依次形成反射层13’、以有机色素为主要成分的记录层12’，在该记录层12’上通过任意形成的透明保护层14’形成透光层15’，在透光层15’侧进行信息的记录和再现。另外，也可以反过来在透光层15’侧形成导槽，在其上层叠透明保护层14’、记录层12’、反射层13’，然后贴合支持基板11’。

或者，作为其他实施方案，包括特开2002-175645号公报中公开的构成，例如，如图7所示，在形成导槽的支持基板21上形成记录层22，在该记录层22上，形成依次层叠氮化物层23、氧化物层24而成的电介质层40，然后在电介质层40上，根据需要利用粘合剂形成透光层25，在透光层25侧进行信息的记录和再现。另外，也可以反过来在透光层25侧形成导槽，在其上层叠依次层叠有氧化物层24、氮化物层23的电介质层40、记录层22，再贴合支持基板21。如上所述，不使用反射层，而在信息记录层上形成电介质层，从而得到多重干涉产生的光学增强效果，由此，在能得到适当的初期反射率的光记录介质中可以使用本发明的有机化合物(B)。

本发明的光记录介质是具有至少一层可利用激光进行记录再现的记录层(A)、并且该记录层(A)中含有至少1种有机化合物(B)的光记录介质，其特征在于，该记录层(A)上利用激光记录的记录部位的记录层膜厚(a2)相对该记录层(A)的未记录部分的记录层膜厚(a1)的变化率(|[a²-a¹]/a¹|×100)小于25％，并且，该记录层(A)中利用激光记录的记录部位的记录层膜厚(a²)相对该记录层(A)的未记录部位的记录层膜厚(a¹)的变化量(|a²-a¹|)小于15nm。

在本发明中，在基板上设置记录层(A)，该记录层(A)含有至少1种本发明的有机化合物(B)，相对该记录层(A)的未记录部位的记录层膜厚(a¹)，该记录层(A)上利用激光记录的记录部位的记录层膜厚(a²)的变化率(|[a²-a¹]/a¹|×100)可以控制为小于25％，并且，相对该记录层(A)的未记录部位的记录层膜厚(a¹)，该记录层中利用激光记录的记录部位的记录层膜厚(a²)的变化量(|a²-a¹|)可控制为小于15nm。

此处，本发明的记录部位是指利用热变性控制凹槽(凹槽形成)或凸起的记录标记部位，实质上是指不论是否变形，均发生光学变化的部位。相对该记录层(A)的未记录部位的记录层膜厚(a¹)，该记录层(A)上利用激光记录的记录部位的记录层膜厚(a²)的变化率(|[a²-a¹]/a¹|×100)小于25％，优选小于10％，较优选小于5％，更优选小于2％，进一步优选小于1％。

另外，相对该记录层(A)的未记录部位的膜厚(a¹)，该记录层(A)中利用激光记录的记录部位的膜厚(a²)的变化量(|a²-a¹|)小于15nm，优选小于10nm，较优选小于5nm，更优选小于2nm，进一步优选小于1nm。

本发明中，在本发明的记录层(A)上利用激光进行记录时，优选记录部位不发生变形地发生光学变化，可利用再现激光再现。

本发明的记录层(A)只要不影响上述控制即可，可以利用任何方法形成，但优选利用涂布法形成。

该记录层(A)中含有至少1种有机化合物(B)作为记录用材料，也可以混合SiO₂等无机化合物。在本发明中，作为优选的有机化合物，可以举出具有由4个碳原子和2个氮原子构成的六元环、并且键合取代或无取代氨基的有机化合物。

此处，本发明的有机化合物(B)不同于染料前体，不必一同使用显色剂和光吸收剂，是单独使用即可进行记录的材料，是一种记录用色素，该记录用色素在使用的激光波长区域内具有充分的吸收，伴随具有规定能量的激光照射所引起的光热转换，发生物理化学变化，由此改变折射率(n)和消光系数(k)，从而能形成该记录层(A)的反射率变化部分，即上述记录部位。另外，使用本发明的有机化合物(B)，能得到多轨道记录特性优异的光记录介质。

本发明的光记录介质可利用选自300nm～900nm范围的记录激光波长进行记录再现，其中，利用从波长390nm～430nm范围、进而从波长400nm～410nm范围选出的记录激光波长和再现激光波长能得到良好的信号特性。而且，在本发明的光记录介质中，光记录层(A)是由以本发明的有机化合物(B)为主要成分的组合物、甚至实质含量为100％的组合物构成的单层结构，可不发生实质变形地利用光学变化进行记录。

用作本发明有机化合物(B)的有机化合物可在通过选择取代基保持消光系数的状态下任意选择吸收波长，从而在上述激光波长中使记录层满足必要的光学常数(折射率n和消光系数k)。本发明的有机化合物(B)能提高读出信号的大小。而且，用作本发明有机化合物(B)的有机化合物能利用涂布法制膜得到良好的涂膜形状，从而形成本发明的记录层(A)，并且，能利用小的记录激光能量，得到无论是否实质上发生上述变形而都会发生光学变化的记录标记形状，因而是能用于多轨道记录特性优异的光记录介质，特别是追记型光记录介质的非常有用的化合物。

下面，进一步详细说明本发明。

在本发明的光记录介质中，基板上设置含有至少1种有机化合物的记录层(A)，该记录层中的至少1个是可以形成无论是否实质上发生变形但却均发生光学变化的记录部位的记录层。对于该记录层(A)，可以举出能优选利用涂布法形成的层。

本发明涉及一种光记录介质，其特征在于，该记录层(A)中含有至少1种有机化合物，该有机化合物吸收该激光，并且，如果加热非结晶状态，则伴随发热形成结晶状态。

在本发明的光记录介质中，本发明的记录层(A)优选含有至少1种吸收激光、并且具有热变色温度(下面称为变色温度)的化合物，较优选在400℃或400℃以下具有至少1个变色温度的有机化合物，特别优选在400℃或400℃以下具有至少1个变色温度、并且在400℃或400℃以下不具有熔点的有机化合物作为本发明的记录用色素。此处，本发明的变色温度是指本发明的有机化合物在加热前后色调发生变化时的温度范围，本发明的熔点是指本发明的有机化合物从固体状态变化到液体状态时的温度范围。作为本发明的有机化合物，优选在400℃或400℃以下具有至少1个变色温度的有机化合物，较优选在400℃或400℃以下具有至少1个变色温度、并且在400℃或400℃以下不具有熔点的有机化合物，而且，只要能溶于涂布法中使用的溶剂即可，没有特别限定，可以使用1种、2种或2种以上。另外，优选的具有变色温度的范围为200～400℃，较优选200～300℃的范围。

作为本发明的有机化合物，有具有变色温度的有机化合物，优选在400℃或400℃以下具有至少1个变色温度的有机化合物，较优选在400℃或400℃以下具有至少1个变色温度、并且在400℃或400℃以下不具有熔点的有机化合物，只要是具有上述特定物性的有机化合物即可，没有特别限定。

本发明的光记录介质是在该记录层(A)中含有至少1种有机化合物的光记录介质，上述有机化合物能利用记录激光的照射，赋予记录后的该记录层(A)不同于该记录层(A)记录前的极大吸收波长(λmax¹)的极大吸收波长(λmax²)。

在本发明的光记录介质中，本发明的记录层(A)优选含有至少一种下述有机化合物作为本发明的记录用色素：吸收激光，并且如果加热非结晶状态，则伴随发热形成结晶状态的有机化合物；较优选如果加热非结晶状态、则伴随发热形成结晶状态时的发热峰温度大于或等于200℃的有机化合物；进一步优选如果加热非结晶状态，则伴随发热形成结晶状态，并且如果加热结晶状态则进行分解，而且没有熔点的有机化合物。此处，所谓本发明的非结晶状态，是指本发明的有机化合物分子没有形成具有规则的空间配置的结晶地集合在一起的固体状态。另外，本发明的结晶状态是指具有结晶结构的固体状态，可以举出完全的单晶或微结晶的集合。在上述的该结晶状态中，也可以部分具有非结晶状态。本发明的熔点是指本发明的有机化合物由固体状态变成液体状态时的温度范围。此处，特别优选含有至少一种在波长300nm～900nm中至少在小于400nm处具有最大的极大吸收波长的有机化合物作为本发明记录用色素。

作为本发明的有机化合物，优选如果加热非结晶状态，则伴随发热形成结晶状态的有机化合物；较优选如果加热非结晶状态、则伴随发热形成结晶状态时的发热峰温度大于或等于200℃的有机化合物；进一步优选如果加热非结晶状态，则伴随发热形成结晶状态，并且如果加热结晶状态，则发生分解，且没有熔点的有机化合物；而且，只要能溶于涂布法中使用的溶剂即可，没有特别限定，可以使用1种、2种或2种以上。

作为本发明的有机化合物，有吸收激光、并且如果加热非结晶状态则伴随发热形成结晶状态的有机化合物，优选如果加热非结晶状态则伴随发热形成结晶状态时的发热峰温度大于或等于200℃的有机化合物，较优选如果加热非结晶状态则伴随发热形成结晶状态、并且如果加热结晶状态则发生分解、而且不具有熔点的有机化合物。只要是满足上述特定物性的有机化合物即可，没有特别限定，

另外，本发明的光记录介质，是在该记录层(A)中含有至少1种有机化合物的光记录介质，上述有机化合物能通过记录激光的照射，赋予记录后的该记录层(A)不同于该记录层(A)记录前的极大吸收波长(λmax¹)的极大吸收波长(λmax²)。

在本发明的光记录介质中，本发明的记录层(A)的特征在于，通过照射记录激光，在记录后得到不同于该记录层(A)记录前的极大吸收波长(λmax¹)的极大吸收波长(λmax²)。作为具体的例子，可以举出以下记录层，该记录层的极大吸收波长(λmax¹)与记录再现波长(λ0)相比，位于短波长侧(λmax¹＜λ0)，通过照射记录激光，使极大吸收波长变成λmax²，由此使λ0处的吸光度增大；或该记录层的极大吸收波长(λmax¹)与记录再现波长(λ0)相比，位于长波长侧(λmax¹＞λ0)，通过照射记录激光，使极大吸收波长变成λmax²，由此使λ0处的吸光度增大。

作为本发明的有机化合物，优选赋予记录层(A)以下性能的有机化合物，即，所述记录层(A)的极大吸收波长(λmax¹)与记录再现波长(λ0)相比，位于短波长侧(λmax¹＜λ0)，通过照射记录激光，使极大吸收波长变成λmax²，由此使λ0处的吸光度增大；较优选能使记录层(A)的与记录再现波长相比在短波长侧的极大吸收波长在记录后长波长化为5nm～100nm的有机化合物，且只要能溶于涂布法中使用的溶剂即可，没有特别限定，可以使用1种、2种或2种以上。优选的移动波长量为10nm～50nm，较优选20nm～40nm。

此处，本发明的极大吸收波长是指该记录膜(A)的分光光谱中的光吸收量达到极大值时的光波长。

作为本发明的有机化合物，有可通过照射记录激光在记录后赋予不同于该记录层(A)记录前的极大吸收波长(λmax¹)的极大吸收波长(λmax²)的有机化合物；优选可赋予记录层(A)以下性能的有机化合物，即，所述记录层(A)的极大吸收波长(λmax¹)与记录再现波长(λ0)相比，位于短波长侧(λmax¹＜λ0)，通过照射记录激光，使极大吸收波长变成λmax²，由此使λ0处的吸光度增大；较优选能使记录层(A)的与记录再现波长相比处于短波长侧的极大吸收波长在记录后长波长化至5nm～100nm的有机化合物，只要是满足上述特定物性的有机化合物即可，没有特别限定。

另外，本发明的光记录介质是在所述记录层(A)中含有至少1种有机化合物的光记录介质，通过照射记录再现波长为λ0的记录激光，在记录后赋予不同于该记录层(A)记录前在λ0处的折射率n1以及消光系数k1的折射率n2以及消光系数k2。

在本发明的光记录介质中，本发明的记录层(A)优选具有以下特征：通过照射记录激光，在记录后得到不同于该记录层(A)记录前在记录再现波长(λ0)处的折射率n1、消光系数k1的折射率n2、消光系数k2。作为具体的例子，可以举出通过照射记录激光使折射率减少(n2＜n1)、消光系数增大(k2＞k1)的记录层。

此处，本发明的折射率n和消光系数k分别相当于该记录膜(A)的复数折射率(N＝n-jk)的实部和虚部。

此处，阐述计算记录后的激光照射后的复数折射率的方法。

有必要先利用图表法或逐次近似法等计算激光照射前的记录膜(A)的复数折射率，此种情况下，形成记录膜(A)的基板不需要附有导槽，只要基板表面平坦即可，可以使用石英玻璃或聚碳酸酯。

接下来，为了计算激光照射后的复数折射率，实际上使用光记录介质的评价装置，在附有导槽的盘片基板上进行涂膜，对制成的光记录介质的记录膜(A)的沟进行轨道跟踪伺服，对沟(groove)中和岸(land)间照射连续的记录激光。

此处，剥离并除去虚设基板或反射膜，将记录膜(A)和基板的激光照射部分剪裁成适当的切片，利用分光光度计，在适当波长范围内测定相对记录再现波长(λ0)的吸光度。(例如，λ0＝405nm时，波长范围为300nm～500nm)

该吸光度被色素膜厚d除，即可求出吸收系数α，然后利用α＝4π×k/λ的关系式求出k。n可以通过k的Kramers-Kronig变换求出。

[Kramers-Kronig变换式]

$n\left(\mathrm{\ω}\right)-1=\frac{2}{\mathrm{\π}}P{\∫}_0^{\∞}\frac{{\mathrm{\ω}}^{\′}\·k\left({\mathrm{\ω}}^{\′}\right)}{{\left({\mathrm{\ω}}^{\′}\right)}^2-{\mathrm{\ω}}^2}d{\mathrm{\ω}}^{\′}$

P：Cauchy主值积分

(出处：“光物性手册”朝仓书店1986年第3次印刷)

作为本发明的有机化合物(B)，较优选可赋予该记录层(A)下述特性的有机化合物，即，通过照射记录再现波长为λ0的记录激光，使λ0处的记录后的折射率n2小于记录前的折射率n1(Δn＝n2-n1＜0)，而且，记录后的消光系数k2大于记录前的消光系数k1(Δk＝k2-k1＞0)；进一步优选使记录层(A)的折射率在记录后减少0.01～1.0(Δn＝-0.01～-1.0)、而且使消光系数在记录后增加0.005～0.5(Δk＝+0.005～+0.5)的有机化合物，只要是上述化合物即可，没有特别限定，可以使用1种、2种或2种以上。更优选使折射率在记录后减少0.02～0.08(Δn＝-0.02～-0.08)、而且使消光系数在记录后增加0.01～0.10(Δk＝+0.01～+0.10)的有机化合物。

作为本发明的有机化合物，有通过照射记录再现波长为λ0的记录激光，在记录后赋予不同于该记录层(A)记录前在λ0处的折射率n1以及消光系数k1的折射率n2以及消光系数k2的有机化合物；优选可赋予记录层(A)下述特性的有机化合物，即，通过照射记录再现波长为λ0的记录激光，使λ0处的记录后的折射率n2小于记录前的折射率n1(Δn＝n2-n1＜0)，而且，使记录后的消光系数k2大于记录前的消光系数k1(Δk＝k2-k1＞0)；较优选使记录层(A)的折射率在记录后减少0.01～1.0(Δn＝-0.01～-1.0)、而且使消光系数在记录后增加0.005～0.5(Δk＝+0.005～+0.5)的有机化合物，进一步优选使折射率在记录后减少0.02～0.08(Δn＝-0.02～-0.08)、而且使消光系数在记录后增加0.01～0.10(Δk＝+0.01～+0.10)的有机化合物，只要是满足上述特定物性的有机化合物即可，没有特别限定。

本发明的光记录介质的特征在于，有机化合物在溶液状态时的吸光度的极大波长在记录层变成薄膜状态时向短波长侧移动。

在本发明的光记录介质中，关于用于本发明记录层(A)的本发明的有机化合物，可以举出该化合物在溶液状态时的吸光度的极大波长在记录层变成薄膜状态时向短波长侧移动的化合物。作为形成该化合物的溶液的溶剂，只要是能测定吸光度的溶剂即可，没有特别限定，例如，可以举出甲醇、乙醇、异丙醇、烯丙醇、甲基溶纤素、乙基溶纤素、四氟丙醇、八氟戊醇等醇类溶剂；己烷、庚烷、辛烷、癸烷、环己烷、甲基环己烷、乙基环己烷、二甲基环己烷等脂肪族或脂环式烃类溶剂；甲苯、二甲苯、苯、叔丁基苯、三甲基苯等芳香族烃类溶剂；四氯化碳、氯仿、四氯乙烷、二溴乙烷等卤代烃类溶剂；二乙基醚、二丁基醚、二异丙基醚、二氧杂环己烷等醚类溶剂；丙酮、3-羟基-3-甲基-2-丁酮、二异丙酮等酮类溶剂；乙酸乙酯、乳酸甲酯等酯类溶剂；水等。优选四氯化碳、氯仿、四氯乙烷、二溴乙烷等卤代烃类溶剂；四氟丙醇、八氟戊醇等醇类溶剂；进一步优选氯仿溶剂。

另外，变成薄膜状态时向短波长侧移动的移动量优选大于或等于5nm，较优选大于或等于10nm，进一步优选大于或等于20nm。

本发明的光记录介质是在基板上具有可利用激光记录再现的记录层(A)、并且该记录层(A)中含有至少1种有机化合物的光记录介质，其特征在于，利用对该记录层(A)照射6mW或6mW以下的记录激光产生的热和/或激光，能不使该基板发生机械变形地进行记录。

因此，本发明的光记录介质具有以下优良特征，即，没有现有光记录介质中出现的细凸起或凹陷，实际上，基板无变形。

作为本发明的有机化合物的优选例，可以更具体地举出下面的有机化合物。

本发明记录层(A)中使用的有机化合物，优选含有至少1种具有由4个碳原子和2个氮原子构成的六元环结构、且键合有取代或无取代的氨基的本发明有机化合物(B)的记录层。

构成本发明光记录介质的记录层(A)优选实质上是由1种或1种以上的本发明有机化合物(B)组成的本发明组合物。

本发明的组合物中含有的本发明有机化合物(B)的含量可以选择可记录再现的任意量，但通常为大于或等于30质量％，优选大于或等于60质量％，进一步优选实质上为100质量％。

在本发明的记录层(A)中，除本发明有机化合物(B)以外，还可以混合在波长290nm～690nm具有极大吸收、且在300nm～900nm的折射率大的上述有机化合物以外的化合物。另外，根据需要，还可以混合猝灭剂、化合物热分解促进剂、紫外线吸收剂、粘合剂、吸热性或吸热分解性化合物、或提高溶解性的高分子等添加剂，或者导入具有上述效果的化合物作为本发明有机化合物(B)的取代基。本发明的组合物中，上述化合物的混合比例通常小于或等于40质量％。

作为猝灭剂的具体例子，优选乙酰丙酮化物类化合物、双二硫代-α-二酮类化合物或二苯基二硫醇类化合物等双二硫醇类化合物、thiocatechonal类化合物、水杨醛肟类化合物、硫代二酚盐类化合物、甲类化合物等金属络合物。另外，还优选胺类化合物。

作为化合物热分解促进剂，只要是能通过热减量分析(TG分析)等确认促进化合物热分解即可，没有特别限定，例如，可以举出金属类防爆燃剂、金属茂化合物、乙酰丙酮化物类金属络合物等金属化合物。

作为吸热性或吸热分解性化合物，可以举出特开平10-291366号公报中记载的化合物，或者具有该公报中记载的取代基的化合物。

上述各种猝灭剂、化合物热分解促进剂以及吸热性或吸热分解性化合物，根据需要，可以使用1种，也可以将2种或2种以上混合使用。

另外，根据需要还可以添加粘合剂、流平剂、消泡剂等添加物。作为优选的粘合剂，可以举出聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮、硝基纤维素、醋酸纤维素、酮类树脂、丙烯酸类树脂、聚苯乙烯树脂、聚氨酯树脂、聚乙烯醇缩丁醛、聚碳酸酯、聚烯烃等。

作为设置记录层(A)时的涂布方法，例如，可以举出旋涂法、喷涂法、浇铸法、斜板式涂布(slide)法、帘涂法、模压(extrusion)法、线涂(wire)法、凹版印刷法、扩散(spread)涂布、滚涂法、刮涂法、浸渍法等涂布法等，其中旋涂法简便，故优选。

利用旋涂法等涂布法时，可以使用将本发明的化合物(B)溶解或分散在溶剂中制成的1质量％～40质量％、优选3质量％～30质量％的涂布液，此时，优选对基板无损坏的溶剂。作为用于涂布法的溶剂，可以举出甲醇、乙醇、异丙醇、烯丙醇、甲基溶纤素、乙基溶纤素、四氟丙醇、八氟戊醇等醇类溶剂；己烷、庚烷、辛烷、癸烷、环己烷、甲基环己烷、乙基环己烷、二甲基环己烷等脂肪族或脂环式烃类溶剂；甲苯、二甲苯、苯、叔丁基苯、三甲基苯等芳香族烃类溶剂；四氯化碳、氯仿、四氯乙烷、二溴乙烷等卤代烃类溶剂；二乙基醚、二丁基醚、二异丙基醚、二氧杂环己烷等醚类溶剂、丙酮、3-羟基-3-甲基-2-丁酮、二异丙酮等酮类溶剂；乙酸乙酯、乳酸甲酯等酯类溶剂；水等。上述溶剂可以单独使用，或多种混合使用。作为优选的溶剂，大气压下的沸点小于或等于150℃的溶剂在涂布后的干燥迅速，所以从制造本发明的光记录介质方面考虑是优选的。而且，更优选大气压下的沸点小于或等于150℃的醇类溶剂，特别优选氟取代醇。具体可以举出四氟丙醇、八氟戊醇作为优选例子。

本发明中的有机化合物(B)特别是在上述氟取代醇中的溶解量通常大于或等于1质量％，优选大于或等于10质量％，更优选大于或等于20质量％。

作为本发明有机化合物(B)具有的由4个碳原子和2个氮原子构成的六元环结构，可以举出2个氮原子相邻键合的1，2-二氮杂环结构、2个氮原子中间有1个碳原子的1，3-二氮杂环结构、2个氮原子中间有2个碳原子的1，4-二氮杂环结构，优选列举1，3-二氮杂环结构。另外，相邻原子之间可以由单键、双键中的任一种键键合。

作为本发明有机化合物(B)上键合的取代氨基的取代基，优选列举卤原子、硝基、氰基、羟基、羧基、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳烷基、取代或无取代的芳基、取代或无取代的金属茂基(metallocenyl)、取代或无取代的链烯基、取代或无取代的烷氧基、取代或无取代的芳烷氧基、取代或无取代的芳氧基、取代或无取代的链烯氧基、取代或有取代的烷硫基、取代或无取代的芳烷硫基、取代或有取代的芳硫基、取代或无取代的链烯硫基、取代或有取代的酰基、取代或无取代的酰氧基、取代或无取代的烷氧基羰基、取代或无取代的芳烷氧基羰基、取代或有取代的芳氧基羰基、取代或无取代的链烯氧基羰基、取代或无取代的氨基、或具有金属茂残基的基团。

作为取代氨基的取代基的具体例子，可以举出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等卤原子，硝基、氰基、羟基、羧基。

作为取代氨基的取代基的取代或无取代烷基的具体例子，包括以下取代基：

甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、2-甲基丁基、1-甲基丁基、新戊基、1，2-二甲基丙基、1，1-二甲基丙基、环戊基、正己基、4-甲基戊基、3-甲基戊基、2-甲基戊基、1-甲基戊基、3，3-二甲基丁基、2，3-二甲基丁基、1，3-二甲基丁基、2，2-二甲基丁基、1，2-二甲基丁基、1，1-二甲基丁基、2-乙基丁基、1-乙基丁基、1，2，2-三甲基丁基、1，1，2-三甲基丁基、1-乙基-2-甲基丙基、环己基、正庚基、2-甲基己基、3-甲基己基、4-甲基己基、5-甲基己基、2，4-二甲基戊基、正辛基、2-乙基己基、2，5-二甲基己基、2，5，5-三甲基戊基、2，4-二甲基己基、2，2，4-三甲基戊基、3，5，5-三甲基己基、正壬基、正癸基、4-乙基辛基、4-乙基-4，5-甲基己基、正十一烷基、正十二烷基、1，3，5，7-四乙基辛基、4-丁基辛基、6，6-二乙基辛基、正十三烷基、6-甲基-4-丁基辛基、正十四烷基、正十五烷基、3，5-二甲基庚基、2，6-二甲基庚基、2，4-二甲基庚基、2，2，5，5-四甲基己基、1-环戊基-2，2-二甲基丙基、1-环己基-2，2-二甲基丙基等无取代的烷基；

氯甲基、1-氯乙基、2-氯乙基、2-溴乙基、2-碘乙基、二氯甲基、氟甲基、三氟甲基、五氟乙基、2，2，2-三氟乙基、2，2，2-三氯乙基、1，1，1，3，3，3-六氟-2-丙基、九氟丁基、全氟癸基等被卤原子取代的烷基；

羟甲基、2-羟基乙基、3-羟基丙基、4-羟基丁基、2-羟基-3-甲氧基丙基、2-羟基-3-氯丙基、2-羟基-3-乙氧基丙基、3-丁氧基-2-羟基丙基、2-羟基-3-环己氧基丙基、2-羟基丙基、2-羟基丁基、4-羟基癸基等被羟基取代的烷基；

羟基甲氧基甲基、羟基乙氧基乙基、2-(2’-羟基-1’-甲基乙氧基)-1-甲基乙基、2-(3’-氟-2’-羟基丙氧基)乙基、2-(3’-氯-2-羟基丙氧基)乙基、羟基丁氧基环己基等被羟基烷氧基取代的烷基；

羟基甲氧基甲氧基甲基、羟基乙氧基乙氧基乙基、[2’-(2’-羟基-1’-甲基乙氧基)-1’-甲基乙氧基]乙氧基乙基、[2’-(2’-氟-1’-羟基乙氧基)-1’-甲基乙氧基]乙氧基乙基、[2’-(2’-氯-1’-羟基乙氧基)-1’-甲基乙氧基]乙氧基乙基等被羟基烷氧基烷氧基取代的烷基；

氰基甲基、2-氰基乙基、3-氰基丙基、4-氰基丁基、2-氰基-3-甲氧基丙基、2-氰基-3-氯丙基、2-氰基-3-乙氧基丙基、3-丁氧基-2-氰基丙基、2-氰基-3-环己基戊基、2-氰基丙基、2-氰基丁基等被氰基取代的烷基；

甲氧基甲基、乙氧基甲基、正丙氧基甲基、正丁氧基甲基、甲氧基乙基、乙氧基乙基、正丙氧基乙基、正丁氧基乙基、正己氧基乙基、(4-甲基戊氧基)乙基、(1，3-二甲基丁氧基)乙基、(2-乙基己氧基)乙基、正辛氧基乙基、(3，5，5-三甲基己氧基)乙基、(2-甲基-1-异丙基丙氧基)乙基、(3-甲基-1-异丙基丁氧基)乙基、2-乙氧基-1-甲基乙基、3-甲氧基丁基、(3，3，3-三氟丙氧基)乙基、(3，3，3-三氯丙氧基)乙基等被烷氧基取代的烷基；

甲氧基甲氧基甲基、甲氧基乙氧基乙基、乙氧基乙氧基乙基、正丙氧基乙氧基乙基、正丁氧基乙氧基乙基、环己氧基乙氧基乙基、癸氧基丙氧基乙氧基、(1，2-二甲基丙氧基)乙氧基乙基、(3-甲基-1-异丁基丁氧基)乙氧基乙基、(2-甲氧基-1-甲基乙氧基)乙基、(2-丁氧基-1-甲基乙氧基)乙基、2-(2’-乙氧基-1’-甲基乙氧基)-1-甲基乙基、(3，3，3-三氟丙氧基)乙氧基乙基、(3，3，3-三氯丙氧基)乙氧基乙基等被烷氧基烷氧基取代的烷基；

甲氧基甲氧基甲氧基甲基、甲氧基乙氧基乙氧基乙基、乙氧基乙氧基乙氧基乙基、正丁氧基乙氧基乙氧基乙基、环己氧基乙氧基乙氧基乙基、正丙氧基丙氧基丙氧基乙基、(2，2，2-三氟乙氧基)乙氧基乙氧基乙基、(2，2，2-三氯乙氧基)乙氧基乙氧基乙基等被烷氧基烷氧基烷氧基取代的烷基；

甲酰基甲基、2-氧代丁基、3-氧代丁基、4-氧代丁基、2，6-二氧代环己烷-1-基、2-氧代-5-叔丁基环己烷-1-基等被酰基取代的烷基；

甲酰氧基甲基、乙酰氧基乙基、正丙酰氧基乙基、正丁酰氧基乙基、戊酰氧基乙基、(2-乙基己酰氧基)乙基、(3，5，5-三甲基己酰氧基)乙基、(3，5，5-三甲基己酰氧基)己基、(3-氟丁酰氧基)乙基、(3-氯丁酰氧基)乙基等被酰氧基取代的烷基；

甲酰氧基甲氧基甲基、乙酰氧基乙氧基乙基、正丙酰氧基乙氧基乙基、戊酰氧基乙氧基乙基、(2-乙基己酰氧基)乙氧基乙基、(3，5，5-三甲基己酰基)氧基丁氧基乙基、(3，5，5-三甲基己酰氧基)乙氧基乙基、(2-氟丙酰基氧基)乙氧基乙基、(2-氯丙酰氧基)乙氧基乙基等被酰氧基烷氧基取代的烷基；

乙酰氧基甲氧基甲氧基甲基、乙酰氧基乙氧基乙氧基乙基、正丙酰氧基乙氧基乙氧基乙基、戊酰氧基乙氧基乙氧基乙基、(2-乙基己酰氧基)乙氧基乙氧基乙基、(3，5，5-三甲基己酰氧基)乙氧基乙氧基乙基、(2-氟丙酰氧基)乙氧基乙氧基乙基、(2-氯丙酰氧基)乙氧基乙氧基乙基等被酰氧基烷氧基烷氧基取代的烷基；

甲氧基羰基甲基、乙氧基羰基甲基、正丁氧基羰基甲基、甲氧基羰基乙基、乙氧基羰基乙基、正丁氧基羰基乙基、(4-乙基环己氧基羰基)环己基、(2，2，3，3-四氟丙氧基羰基)甲基、(2，2，3，3-四氯丙氧基羰基)甲基等被烷氧基羰基取代的烷基；

苯氧基羰基甲基、(2-甲基苯氧基羰基)甲基、(3-甲基苯氧基羰基)甲基、(4-甲基苯氧基羰基)甲基、(4-叔丁基苯氧基羰基)甲基、苯氧基羰基乙基、(4-叔丁基苯氧基羰基)乙基、(1-萘氧基羰基)甲基、(2-萘氧基羰基)甲基、(2-苯基苯氧基羰基)乙基、(3-苯基苯氧基羰基)乙基、(4-苯基苯氧基羰基)乙基等被芳氧基羰基取代的烷基；

苄氧基羰基甲基、苄氧基羰基乙基、苯乙氧基羰基甲基、(4-环己氧基苄氧基羰基)甲基等被芳烷氧基羰基取代的烷基；

乙烯氧基羰基甲基、乙烯氧基羰基乙基、烯丙氧基羰基甲基、环戊二烯氧基羰基甲基、辛烯氧基羰基甲基等被链烯氧基羰基取代的烷基；

甲氧基羰基氧基甲基、甲氧基羰基氧基乙基、乙氧基羰基氧基乙基、丁氧基羰基氧基乙基、(2，2，2-三氟乙氧基羰基氧基)乙基、(2，2，2-三氯乙氧基羰基氧基)乙基等被烷氧基羰基氧基取代的烷基；

甲氧基甲氧基羰基氧基甲基、甲氧基乙氧基羰基氧基乙基、乙氧基乙氧基羰基氧基乙基、正丁氧基乙氧基羰基氧基乙基、(2，2，2-三氟乙氧基)乙氧基羰基氧基乙基、(2，2，2-三氯乙氧基)乙氧基羰基氧基乙基等被烷氧基烷氧基羰基氧基取代的烷基；

二甲基氨基甲基、二乙基氨基甲基、二正丁基氨基甲基、二正己基氨基甲基、二正辛基氨基甲基、二正癸基氨基甲基、N-异戊基-N-甲基氨基甲基、1-哌啶基甲基、二(甲氧基甲基)氨基甲基、二(甲氧基乙基)氨基甲基、二(乙氧基甲基)氨基甲基、二(乙氧基乙基)氨基甲基、二(正丙氧基乙基)氨基甲基、二(正丁氧基乙基)氨基甲基、二(2-环己氧基乙基)氨基甲基、二甲基氨基乙基、二乙基氨基乙基、二正丁基氨基乙基、二正己基氨基乙基、二正辛基氨基乙基、二正癸基氨基乙基、N-异戊基-N-甲基氨基乙基、1-哌啶基乙基、二(甲氧基甲基)氨基乙基、二(甲氧基乙基)氨基乙基、二(乙氧基甲基)氨基乙基、二(乙氧基乙基)氨基乙基、二(正丙氧基乙基)氨基乙基、二(正丁氧基乙基)氨基乙基、二(2-环己基氧基乙基)氨基乙基、二甲基氨基丙基、二乙基氨基丙基、二正丁基氨基丙基、二正己基氨基丙基、二正辛基氨基丙基、二正癸基氨基丙基、N-异戊基-N-甲基氨基丙基、1-哌啶基丙基、二(甲氧基甲基)氨基丙基、二(甲氧基乙基)氨基丙基、二(乙氧基甲基)氨基丙基、二(乙氧基乙基)氨基丙基、二(正丙氧基乙基)氨基丙基、二(正丁氧基乙基)氨基丙基、二(2-环己氧基乙基)氨基丙基、二甲基氨基丁基、二乙基氨基丁基、二-正丁基氨基丁基、二-正己基氨基丁基、二-正辛基氨基丁基、二-正癸基氨基丁基、N-异戊基-N-甲基氨基丁基、1-哌啶基丁基、二(甲氧基甲基)氨基丁基、二(甲氧基乙基)氨基丁基、二(乙氧基甲基)氨基丁基、二(乙氧基乙基)氨基丁基、二(正丙氧基乙基)氨基丁基、二(正丁氧基乙基)氨基丁基、二(2-环己氧基乙基)氨基丁基等被二烷基氨基取代的烷基；

乙酰基氨基甲基、乙酰基氨基乙基、正丙酰基氨基乙基、正丁酰基氨基乙基、环己基羰基氨基乙基、4-甲基环己基羰基氨基乙基、琥珀酰亚胺基(Succinimino)乙基等被酰基氨基取代的烷基；

甲基磺酰胺基(sulfonamino)甲基、甲基磺酰胺基乙基、乙基磺酰胺基乙基、正丙基磺酰胺基乙基、正辛基磺酰胺基乙基等被烷基磺酰胺基取代的烷基；

甲基磺酰基甲基、乙基磺酰基甲基、丁基磺酰基甲基、甲基磺酰基乙基、乙基磺酰基乙基、正丁磺酰基乙基、2-乙基己基磺酰基乙基、2，2，3，3-四氟丙基磺酰基甲基、2，2，3，3-四氯丙基磺酰基甲基等被烷基磺酰基取代的烷基；

苯磺酰基甲基、苯磺酰基乙基、苯磺酰基丙基、苯磺酰基丁基、2-甲基苯磺酰基甲基、3-甲基苯磺酰基甲基、4-甲基苯磺酰基甲基、4-甲基苯磺酰基乙基、4-甲基苯磺酰基丙基、4-甲基苯磺酰基丁基、2，4-二甲基苯磺酰基甲基、2，6-二甲基苯磺酰基甲基、2，4-二甲基苯磺酰基乙基、2，4-二甲基苯磺酰基丙基、2，4-二甲基苯磺酰基丁基等被芳基磺酰基取代的烷基；

噻二唑啉基甲基、吡咯啉基甲基、吡咯烷基甲基、吡唑烷基甲基、咪唑烷基甲基、噁唑基、三唑啉基甲基、吗啉基甲基、吲哚啉基甲基、苯并咪唑啉基甲基、六氢化咔唑基甲基等被杂环基取代的烷基。

作为取代氨基的取代基的、取代或无取代的芳烷基，有可以具有上述列举的烷基为取代基的芳烷基、或可以具有与上述列举的烷基所具有的取代基相同的取代基的芳烷基，作为具体例子，可以举出苄基、苯乙基、α-甲基苄基、α，α-二甲基苄基、1-萘甲基、2-萘甲基、糠基、2-甲基苄基、3-甲基苄基、4-甲基苄基、4-乙基苄基、4-异丙苄基、4-叔丁基苄基、4-正己基苄基、4-正壬基苄基、3，4-二甲基苄基、3-甲氧基苄基、4-甲氧基苄基、4-乙氧基苄基、4-正丁氧基苄基、4-正己氧基苄基、4-正壬氧基苄基、3-氟苄基、4-氟苄基、2-氯苄基、4-氯苄基等。

作为取代氨基的取代基的、取代或无取代的芳基是无取代的碳环式芳香族基团、杂环式芳香族基团、或、可以具有上述列举的烷基作为取代基的碳环式芳香族基团、杂环式芳香族基团、或可以具有与上述列举的烷基具有的取代基相同的取代基的碳环式芳香族基团、杂环式芳香族基团，作为具体例，可以举出苯基、4-甲基苯基、3-甲基苯基、2-甲基苯基、4-乙基苯基、3-乙基苯基、2-乙基苯基、4-正丙基苯基、4-异丙基苯基、2-异丙基苯基、4-正丁基苯基、4-异丁基苯基、4-仲丁基苯基、2-仲丁基苯基、4-叔丁基苯基、3-叔丁基苯基、2-叔丁基苯基、4-正戊基苯基、4-异戊基苯基、4-新戊基苯基、4-叔戊基苯基、4-正己基苯基、4-(2’-乙基丁基)苯基、4-正庚基苯基、4-正辛基苯基、4-(2’-乙基己基)苯基、4-正壬基苯基、4-正癸基苯基、4-正十一烷基苯基、4-正十二烷基苯基、4-正十四烷基苯基、4-环己基苯基、4-(4’-甲基环己基)苯基、4-(4’-叔丁基环己基)苯基、3-环己基苯基、2-环己基苯基、2，3-二甲基苯基、2，4-二甲基苯基、2，5-二甲基苯基、2，6-二甲基苯基、3，4-二甲基苯基、3，5-二甲基苯基、3，4，5-三甲基苯基、2，3，5，6-四甲基苯基、2，4-二乙基苯基、2，6-二乙基苯基、2，5-二异丙基苯基、2，6-二异丙基苯基、2，6-二异丁基苯基、2，4-二叔丁基苯基、2，5-二叔丁基苯基、4，6-二叔丁基-2-甲基苯基、5-叔丁基-2-甲基苯基、4-叔丁基-2，6-二甲基苯基、1-萘基、2-萘基、1，2，3，4-四氢-5-萘基、1，2，3，4-四氢-6-萘基、4-乙基-1-萘基、6-正丁基-2-萘基、5-茚满基、4-甲氧基苯基、3-甲氧基苯基、2-甲氧基苯基、4-乙氧基苯基、3-乙氧基苯基、2-乙氧基苯基、4-正丙氧基苯基、3-正丙氧基苯基、4-异丙氧基苯基、2-异丙氧基苯基、4-正丁氧基苯基、4-异丁氧基苯基、2-仲丁氧基苯基、4-正戊氧基苯基、4-异戊氧基苯基、2-异戊氧基苯基、4-新戊氧基苯基、2-新戊氧基苯基、4-正己氧基苯基、4-(2’-乙基丁基)氧基苯基、4-正庚氧基苯基、4-正辛氧基苯基、4-正壬氧基苯基、4-正癸氧基苯基、4-正十一烷氧基苯基、4-正十二烷氧基苯基、4-正十四烷氧基苯基、4-环己氧基苯基、2-环己氧基苯基、2，3-二甲氧基苯基、2，4-二甲氧基苯基、2，5-二甲氧基苯基、3，4-二甲氧基苯基、3，5-二甲氧基苯基、3，5-二乙氧基苯基、2-甲氧基-4-甲基苯基、2-甲氧基-5-甲基苯基、2-甲基-4-甲氧基苯基、3-甲基-4-甲氧基苯基、3-甲基-5-甲氧基苯基、2-甲氧基-1-萘基、4-甲氧基-1-萘基、4-正丁氧基-1-萘基、5-乙氧基-1-萘基、6-甲氧基-2-萘基、6-乙氧基-2-萘基、6-正丁氧基-2-萘基、6-正己氧基-2-萘基、7-甲氧基-2-萘基、7-正丁氧基-2-萘基、

4-苯基苯基、3-苯基苯基、2-苯基苯基、4-(4’-甲基苯基)苯基、4-(3’-甲基苯基)苯基、4-(4’-乙基苯基)苯基、4-(4’-异丙苯基)苯基、4-(4’-叔丁基苯基)苯基、4-(4’-正己基苯基)苯基、4-(4’-正辛基苯基)苯基、4-(4’-甲氧基苯基)苯基、4-(4’-正丁氧基苯基)苯基、2-(2’-甲氧基苯基)苯基、4-(4’-氯苯基)苯基、3-甲基-4-苯基苯基、3-甲氧基-4-苯基苯基、9-苯基-2-芴基、9，9-二苯基-2-芴基、9-甲基-9-苯基-2-芴基、9-乙基-9-苯基-2-芴基、

4-氟苯基、3-氟苯基、2-氟苯基、4-氯苯基、3-氯苯基、2-氯苯基、4-溴苯基、2-溴苯基、4-三氟甲基苯基、2，3-二氟苯基、2，4-二氟苯基、2，5-二氟苯基、2，6-二氟苯基、3，4-二氟苯基、3，5-二氟苯基、2，3-二氯苯基、2，4-二氯苯基、2，5-二氯苯基、3，4-二氯苯基、3，5-二氯苯基、2，5-二溴苯基、2，4，6-三氯苯基、2-氟-4-甲基苯基、2-氟-5-甲基苯基、3-氟-2-甲基苯基、3-氟-4-甲基苯基、2-甲基-4-氟苯基、2-甲基-5-氟苯基、3-甲基-4-氟苯基、2-氯-4-甲基苯基、2-氯-5-甲基苯基、2-氯-6-甲基苯基、3-氯-4-甲基苯基、2-甲基-3-氯苯基、2-甲基-4-氯苯基、3-甲基-4-氯苯基、2-氯-4，6-二甲基苯基、2，4-二氯-1-萘基、1，6-二氯-2-萘基、2-甲氧基-4-氟苯基、3-甲氧基-4-氟苯基、2-氟-4-甲氧基苯基、2-氟-4-乙氧基苯基、2-氟-6-甲氧基苯基、3-氟-4-甲氧基苯基、3-氟-4-乙氧基苯基、2-氯-4-甲氧基苯基、3-氯-4-甲氧基苯基、2-甲氧基-5-氯苯基、3-甲氧基-4-氯苯基、3-甲氧基-6-氯苯基、5-氯-2，4-二甲氧基苯基、2-羟基苯基、3-羟基苯基、4-羟基苯基、2-硝基苯基、3-硝基苯基、4-硝基苯基、2-氰基苯基、3-氰基苯基、4-氰基苯基、2-甲基-5-硝基苯基、3，5-二硝基苯基、2-羟基-4-硝基苯基等取代或无取代的碳环式芳香族基团；

4-吡啶基、3-吡啶基、2-吡啶基、4-丁基-2-吡啶基、5-甲基-2-吡啶基、6-甲基-2-吡啶基、4，6-二甲基-2-吡啶基、4-甲基-5-硝基-2-吡啶基、3-羟基-2-吡啶基、6-氟-3-吡啶基、6-甲氧基-3-吡啶基、6-甲氧基-2-吡啶基、2-嘧啶基、3-嘧啶基、4-嘧啶基、2，6-二甲基-4-嘧啶基、4-喹啉基、3-喹啉基、4-甲基-2-喹啉基、3-呋喃基、2-呋喃基、3-噻吩基、2-噻吩基，4-甲基-3-噻吩基、5-甲基-2-噻吩基、3-甲基-2-噻吩基、2-噁唑基、2-噻唑基、2-噻二唑基、2-苯并噁唑基、2-苯并噻唑基、2-苯并咪唑基等取代或无取代杂环式芳香族基团。

作为取代氨基的取代基的、取代或无取代的金属茂基，包括无取代的金属茂基、或、可以具有上述列举的烷基作为取代基的金属茂基、或可以具有与上述列举的烷基所具有的取代基相同的烷基的取代基的金属茂基，作为具体例子，可以举出，茂铁基、茂钴基、茂镍基、二氯茂钛基、三氯钛环戊二烯基、二(三氟甲烷磺酸酯基)茂钛基、二氯茂锆基、二甲基茂锆基、二乙氧基茂锆基、二(环戊二烯基)铬基、二氯化二(环戊二烯基)钼基、二氯化二(环戊二烯基)铪基、二氯化二(环戊二烯基)铌基、二(环戊二烯基)镥基、二(环戊二烯基)钒基、二氯化二(环戊二烯基)钒基、八甲基茂铁基、八甲基茂钴基、八甲基茂镍基等取代或无取代的金属茂基。

作为取代氨基的取代基的、取代或无取代的链烯基，包括可以具有上述列举的烷基作为取代基的链烯基、或可以具有与上述列举的烷基所具有的取代基相同的取代基的链烯基，作为具体例子，可以举出乙烯基、丙烯基、1-丁烯基、异丁烯基、1-戊烯基、2-戊烯基、2-甲基-1-丁烯基、3-甲基-1-丁烯基、2-甲基-2-丁烯基、2，2-二氰基乙烯基、2-氰基-2-甲基羧基乙烯基、2-氰基-2-甲基砜乙烯基、苯乙烯基、4-苯基-2-丁烯基等。

作为取代氨基的取代基的、取代或无取代的烷氧基，包括可以具有与上述列举的烷基所具有的取代基相同的取代基的烷氧基，作为具体例子，可以举出甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、仲丁氧基、正戊氧基、异戊氧基、叔戊氧基、仲戊氧基、环戊氧基、正己氧基、1-甲基戊氧基、2-甲基戊氧基、3-甲基戊氧基、4-甲基戊氧基、1，1-二甲基丁氧基、1，2-二甲基丁氧基、1，3-二甲基丁氧基、2，3-二甲基丁氧基、1，1，2-三甲基丙氧基、1，2，2-三甲基丙氧基、1-乙基丁氧基、2-乙基丁氧基、1-乙基-2-甲基丙氧基、环己氧基、甲基环戊氧基、正庚氧基、1-甲基己氧基、2-甲基己氧基、3-甲基己氧基、4-甲基己氧基、5-甲基己氧基、1，1-二甲基戊氧基、1，2-二甲基戊氧基、1，3-二甲基戊氧基、1，4-二甲基戊氧基、2，2-二甲基戊氧基、2，3-二甲基戊氧基、2，4-二甲基戊氧基、3，3-二甲基戊氧基、3，4-二甲基戊氧基、1-乙基戊氧基、2-乙基戊氧基、3-乙基戊氧基、1，1，2-三甲基丁氧基、1，1，3-三甲基丁氧基、1，2，3-三甲基丁氧基、1，2，2-三甲基丁氧基、1，3，3-三甲基丁氧基、2，3，3-三甲基丁氧基、1-乙基-1-甲基丁氧基、1-乙基-2-甲基丁氧基、1-乙基-3-甲基丁氧基、2-乙基-1-甲基丁氧基、2-乙基-3-甲基丁氧基、1-正丙基丁氧基、1-异丙基丁氧基、1-异丙基-2-甲基丙氧基、甲基环己氧基、正辛氧基、1-甲基庚氧基、2-甲基庚氧基、3-甲基戊氧基、4-甲基庚氧基、5-甲基庚氧基、6-甲基庚氧基、1，1-二甲基己氧基、1，2-二甲基己氧基、1，3-二甲基己氧基、1，4-二甲基己氧基、1，5-二甲基己氧基、2，2-二甲基己氧基、2，3-二甲基己氧基、2，4-二甲基己氧基、2，5-二甲基己氧基、3，3-二甲基己氧基、3，4-二甲基己氧基、3，5-二甲基己氧基、4，4-二甲基己氧基、4，5-二甲基己氧基、1-乙基己氧基、2-乙基己氧基、3-乙基己氧基、4-乙基己氧基、1-正丙基戊氧基、2-正丙基戊氧基、1-异丙基戊氧基、2-异丙基戊氧基、1-乙基-1-甲基戊氧基、1-乙基-2-甲基戊氧基、1-乙基-3-甲基戊氧基、1-乙基-4-甲基戊氧基、2-乙基-1-甲基戊氧基、2-乙基-2-甲基戊氧基、2-乙基-3-甲基戊氧基、2-乙基-4-甲基戊氧基、3-乙基-1-甲基戊氧基、3-乙基-2-甲基戊氧基、3-乙基-3-甲基戊氧基、3-乙基-4-甲基戊氧基、1，1，2-三甲基戊氧基、1，1，3-三甲基戊氧基、1，1，4-三甲基戊氧基、1，2，2-三甲基戊氧基、1，2，3-三甲基戊氧基、1，2，4-三甲基戊氧基、1，3，4-三甲基戊氧基、2，2，3-三甲基戊氧基、2，2，4-三甲基戊氧基、2，3，4-三甲基戊氧基、1，3，3-三甲基戊氧基、2，3，3-三甲基戊氧基、3，3，4-三甲基戊氧基、1，4，4-三甲基戊氧基、2，4，4-三甲基戊氧基、3，4，4-三甲基戊氧基、1-正丁基丁氧基、1-异丁基丁氧基、1-仲丁基丁氧基、1-叔丁基丁氧基、2-叔丁基丁氧基、1-正丙基-1-甲基丁氧基、1-正丙基-2-甲基丁氧基、1-正丙基-3-甲基丁氧基、1-异丙基-1-甲基丁氧基、1-异丙基-2-甲基丁氧基、1-异丙基-3-甲基丁氧基、1，1-二乙基丁氧基、1，2-二乙基丁氧基、1-乙基-1，2-二甲基丁氧基、1-乙基-1，3-二甲基丁氧基、1-乙基-2，3-二甲基丁氧基、2-乙基-1，1-二甲基丁氧基、2-乙基-1，2-二甲基丁氧基、2-乙基-1，3-二甲基丁氧基、2-乙基-2，3-二甲基丁氧基、1，1，3，3-四甲基丁氧基、1，2-二甲基环己氧基、1，3-二甲基环己氧基、1，4-二甲基环己氧基、乙基环己氧基、正壬氧基、3，5，5-三甲基己氧基、正癸氧基、正十一烷基氧基、正十二烷基氧基、1-金刚烷基氧基、正十五烷基氧基等直链、支链或环状无取代烷氧基；

甲氧基甲氧基、甲氧基乙氧基、乙氧基乙氧基、正丙氧基乙氧基、异丙氧基乙氧基、正丁氧基乙氧基、异丁氧基乙氧基、叔丁氧基乙氧基、仲丁氧基乙氧基、正戊氧基乙氧基、异戊氧基乙氧基、叔戊氧基乙氧基、仲戊氧基乙氧基、环戊氧基乙氧基、正己氧基乙氧基、乙基环己氧基乙氧基、正壬氧基乙氧基、(3，5，5-三甲基己氧基)乙氧基、(3，5，5-三甲基己氧基)丁氧基、正癸氧基乙氧基、正十一烷基氧基乙氧基、正十二烷基氧基乙氧基、3-甲氧基丙氧基、3-乙氧基丙氧基、3-(正丙氧基)丙氧基、2-异丙氧基丙氧基、2-甲氧基丁氧基、2-乙氧基丁氧基、2-(正丙氧基)丁氧基、4-异丙氧基丁氧基、十氢萘氧基乙氧基、金刚烷基氧基乙氧基等被烷氧基取代的烷氧基；

甲氧基甲氧基甲氧基、乙氧基甲氧基甲氧基、丙氧基甲氧基甲氧基、丁氧基甲氧基甲氧基、甲氧基乙氧基甲氧基、乙氧基乙氧基甲氧基、丙氧基乙氧基甲氧基、丁氧基乙氧基甲氧基、甲氧基丙氧基甲氧基、乙氧基丙氧基甲氧基、丙氧基丙氧基甲氧基、丁氧基丙氧基甲氧基、甲氧基丁氧基甲氧基、乙氧基丁氧基甲氧基、丙氧基丁氧基甲氧基、丁氧基丁氧基甲氧基、甲氧基甲氧基乙氧基、乙氧基甲氧基乙氧基、丙氧基甲氧基乙氧基、丁氧基甲氧基乙氧基、甲氧基乙氧基乙氧基、乙氧基乙氧基乙氧基、丙氧基乙氧基乙氧基、丁氧基乙氧基乙氧基、甲氧基丙氧基乙氧基、乙氧基丙氧基乙氧基、丙氧基丙氧基乙氧基、丁氧基丙氧基乙氧基、甲氧基丁氧基乙氧基、乙氧基丁氧基乙氧基、丙氧基丁氧基乙氧基、丁氧基丁氧基乙氧基、甲氧基甲氧基丙氧基、乙氧基甲氧基丙氧基、丙氧基甲氧基丙氧基、丁氧基甲氧基丙氧基、甲氧基乙氧基丙氧基、乙氧基乙氧基丙氧基、丙氧基乙氧基丙氧基、丁氧基乙氧基丙氧基、甲氧基丙氧基丙氧基、乙氧基丙氧基丙氧基、丙氧基丙氧基丙氧基、丁氧基丙氧基丙氧基、甲氧基丁氧基丙氧基、乙氧基丁氧基丙氧基、丙氧基丁氧基丙氧基、丁氧基丁氧基丙氧基、甲氧基甲氧基丁氧基、乙氧基甲氧基丁氧基、丙氧基甲氧基丁氧基、丁氧基甲氧基丁氧基、甲氧基乙氧基丁氧基、乙氧基乙氧基丁氧基、丙氧基乙氧基丁氧基、丁氧基乙氧基丁氧基、甲氧基丙氧基丁氧基、乙氧基丙氧基丁氧基、丙氧基丙氧基丁氧基、丁氧基丙氧基丁氧基、甲氧基丁氧基丁氧基、乙氧基丁氧基丁氧基、丙氧基丁氧基丁氧基、丁氧基丁氧基丁氧基、(4-乙基环己氧基)乙氧基乙氧基、(2-乙基-1-己氧基)乙氧基丙氧基、〔4-(3，5，5-三甲基己氧基)丁氧基〕乙氧基等被烷氧基烷氧基取代的烷氧基；

甲氧基羰基甲氧基、乙氧基羰基甲氧基、正丙氧基羰基甲氧基、异丙氧基羰基甲氧基、(4’-乙基环己氧基)羰基甲氧基等被烷氧基羰基取代的烷氧基；

乙酰基甲氧基、乙基羰基甲氧基、正辛基羰基甲氧基、苯甲酰甲氧基等被酰基取代的烷氧基；

乙酰氧基甲氧基、乙酰氧基乙氧基、乙酰氧基己氧基、正丁酰氧基环己氧基等被酰氧基取代的烷氧基；

甲基氨基甲氧基、2-甲基氨基乙氧基、2-(2-甲基氨基乙氧基)乙氧基、4-甲基氨基丁氧基、1-甲基氨基丙烷-2-基氧基、3-甲基氨基丙氧基、2-甲基氨基-2-甲基丙氧基、2-乙基氨基乙氧基、2-(2-乙基氨基乙氧基)乙氧基、3-乙基氨基丙氧基、1-乙基氨基丙氧基、2-异丙氨基乙氧基、2-(正丁氨基)乙氧基、3-(正己基氨基)丙氧基、4-(环己基氨基)丁氧基等被烷基氨基取代的烷氧基；

甲基氨基甲氧基甲氧基、甲基氨基乙氧基乙氧基、甲基氨基乙氧基丙氧基、乙基氨基乙氧基丙氧基、4-(2’-异丁基氨基丙氧基)丁氧基等被烷基氨基烷氧基取代的烷氧基；

二甲基氨基甲氧基、2-二甲基氨基乙氧基、2-(2-二甲基氨基乙氧基)乙氧基、4-二甲基氨基丁氧基、1-二甲基氨基丙烷-2-基氧基、3-二甲基氨基丙氧基、2-二甲基氨基-2-甲基丙氧基、2-二乙基氨基乙氧基、2-(2-二乙基氨基乙氧基)乙氧基、3-二乙基氨基丙氧基、1-二乙基氨基丙氧基、2-二异丙氨基乙氧基、2-(二正丁基氨基)乙氧基、2-哌啶基乙氧基、3-(二正己基氨基)丙氧基等被二烷基氨基取代的烷氧基；

二甲基氨基甲氧基甲氧基、二甲基氨基乙氧基乙氧基、二甲基氨基乙氧基丙氧基、二乙基氨基乙氧基丙氧基、4-(2’-二异丁基氨基丙氧基)丁氧基等被二烷基氨基烷氧基取代的烷氧基；

甲硫基甲氧基、2-甲硫基乙氧基、2-乙硫基乙氧基、2-正丙硫基乙氧基、2-异丙硫基乙氧基、2-正丁硫基乙氧基、2-异丁硫基乙氧基、(3，5，5-三甲基己硫基)己氧基等被烷硫基取代的烷氧基等。

作为取代氨基的取代基的、取代或无取代的芳烷氧基，包括可以具有上述列举的烷基作为取代基的芳烷氧基、或可以具有与上述列举的烷基所具有的取代基相同的取代基的芳烷氧基，作为具体例子，可以举出苄氧基、4-硝基苄氧基、4-氰基苄氧基、4-羟基苄氧基、2-甲基苄氧基、3-甲基苄氧基、4-甲基苄氧基、4-三氟甲基苄氧基、1-萘基甲氧基、2-萘基甲氧基、4-氰基-1-萘基甲氧基、4-羟基-1-萘基甲氧基、6-羟基-2-萘基甲氧基、4-甲基-1-萘基甲氧基、6-甲基-2-萘基甲氧基、4-三氟甲基-1-萘基甲氧基、芴-9-基乙氧基等。

作为取代氨基的取代基的、取代或无取代的芳氧基，包括可以具有上述列举的烷基作为取代基的芳氧基、或可以具有与上述列举的烷基所具有的取代基相同的取代基的芳氧基，作为具体例子，可以举出苯氧基、4-甲基苯氧基、3-甲基苯氧基、2-甲基苯氧基、4-乙基苯氧基、3-乙基苯氧基、2-乙基苯氧基、4-正丙基苯氧基、4-异丙基苯氧基、2-异丙基苯氧基、4-正丁基苯氧基、4-异丁基苯氧基、4-仲丁基苯氧基、2-仲丁基苯氧基、4-叔丁基苯氧基、3-叔丁基苯氧基、2-叔丁基苯氧基、4-正戊基苯氧基、4-异戊基苯氧基、4-新戊基苯氧基、4-叔戊基苯氧基、4-正己基苯氧基、4-(2’-乙基丁基)苯氧基、4-正庚基苯氧基、4-正辛基苯氧基、4-(2’-乙基己基)苯氧基、4-正壬基苯氧基、4-正癸基苯氧基、4-正十一烷基苯氧基、4-正十二烷基苯氧基、4-正十四烷基苯氧基、4-环己基苯氧基、4-(4’-甲基环己基)苯氧基、4-(4’-叔丁基环己基)苯氧基、3-环己基苯氧基、2-环己基苯氧基、2，3-二甲基苯氧基、2，4-二甲基苯氧基、2，5-二甲基苯氧基、2，6-二甲基苯氧基、3，4-二甲基苯氧基、3，5-二甲基苯氧基、3，4，5-三甲基苯氧基、2，3，5，6-四甲基苯氧基、2，4-二乙基苯氧基、2，6-二乙基苯氧基、2，5-二异丙基苯氧基、2，6-二异丙苯氧基、2，6-二异丁基苯氧基、2，4-二叔丁基苯氧基、2，5-二叔丁基苯氧基、4，6-二叔丁基-2-甲基苯氧基、5-叔丁基-2-甲基苯氧基、4-叔丁基-2，6-二甲基苯氧基、1-萘氧基、2-萘氧基、1，2，3，4-四氢-5-萘氧基、1，2，3，4-四氢-6-萘氧基、4-乙基-1-萘氧基、6-正丁基-2-萘氧基、5-茚满基氧基、4-甲氧基苯氧基、3-甲氧基苯氧基、2-甲氧基苯氧基、4-乙氧基苯氧基、3-乙氧基苯氧基、2-乙氧基苯氧基、4-正丙氧基苯氧基、3-正丙氧基苯氧基、4-异丙氧基苯氧基、2-异丙氧基苯氧基、4-正丁氧基苯氧基、4-异丁氧基苯氧基、2-仲丁氧基苯氧基、4-正戊氧基苯氧基、4-异戊氧基苯氧基、2-异戊氧基苯氧基、4-新戊氧基苯氧基、2-新戊氧基苯氧基、4-正己氧基苯氧基、4-(2’-乙基丁基)氧基苯氧基、4-正庚基氧基苯氧基、4-正辛基氧基苯氧基、4-正壬基氧基苯氧基、4-正癸基氧基苯氧基、4-正十一烷基氧基苯氧基、4-正十二烷基氧基苯氧基、4-正十四烷氧基苯氧基、4-环己氧基苯氧基、2-环己氧基苯氧基、2，3-二甲氧基苯氧基、2，4-二甲氧基苯氧基、2，5-二甲氧基苯氧基、3，4-二甲氧基苯氧基、3，5-二甲氧基苯氧基、3，5-二乙氧基苯氧基、2-甲氧基-4-甲基苯氧基、2-甲氧基-5-甲基苯氧基、2-甲基-4-甲氧基苯氧基、3-甲基-4-甲氧基苯氧基、3-甲基-5-甲氧基苯氧基、2-甲氧基-1-萘氧基、4-甲氧基-1-萘氧基、4-正丁氧基-1-萘氧基、5-乙氧基-1-萘氧基、6-甲氧基-2-萘氧基、6-乙氧基-2-萘氧基、6-正丁氧基-2-萘氧基、6-正己氧基-2-萘氧基、7-甲氧基-2-萘氧基、7-正丁氧基-2-萘氧基、4-苯基苯氧基、3-苯基苯氧基、2-苯基苯氧基、4-(4’-甲基苯基)苯氧基、4-(3’-甲基苯基)苯氧基、4-(4’-乙基苯基)苯氧基、4-(4’-异丙基苯基)苯氧基、4-(4’-叔丁基苯基)苯氧基、4-(4’-正己基苯基)苯氧基、4-(4’-正辛基苯基)苯氧基、4-(4’-甲氧基苯基)苯氧基、4-(4’-正丁氧基苯基)苯氧基、2-(2’-甲氧基苯基)苯氧基、4-(4’-氯苯基)苯氧基、3-甲基-4-苯基苯氧基、3-甲氧基-4-苯基苯氧基、9-苯基-2-芴基氧基、9，9-二苯基-2-芴基氧基、9-甲基-9-苯基-2-芴基氧基、9-乙基-9-苯基-2-芴基氧基、4-氟苯氧基、3-氟苯氧基、2-氟苯氧基、4-氯苯氧基、3-氯苯氧基、2-氯苯氧基、4-溴苯氧基、2-溴苯氧基、4-三氟甲基苯氧基、2，3-二氟苯氧基、2，4-二氟苯氧基、2，5-二氟苯氧基、2，6-二氟苯氧基、3，4-二氟苯氧基、3，5-二氟苯氧基、2，3-二氯苯氧基、2，4-二氯苯氧基、2，5-二氯苯氧基、3，4-二氯苯氧基、3，5-二氯苯氧基、2，5-二溴苯氧基、2，4，6-三氯苯氧基、2-氟-4-甲基苯氧基、2-氟-5-甲基苯氧基、3-氟-2-甲基苯氧基、3-氟-4-甲基苯氧基、2-甲基-4-氟苯氧基、2-甲基-5-氟苯氧基、3-甲基-4-氟苯氧基、2-氯-4-甲基苯氧基、2-氯-5-甲基苯氧基、2-氯-6-甲基苯氧基、3-氯-4-甲基苯氧基、2-甲基-3-氯苯氧基、2-甲基-4-氯苯氧基、3-甲基-4-氯苯氧基、2-氯-4，6-二甲基苯氧基、2，4-二氯-1-萘氧基、1，6-二氯-2-萘氧基、2-甲氧基-4-氟苯氧基、3-甲氧基-4-氟苯氧基、2-氟-4-甲氧基苯氧基、2-氟-4-乙氧基苯氧基、2-氟-6-甲氧基苯氧基、3-氟-4-甲氧基苯氧基、3-氟-4-乙氧基苯氧基、2-氯-4-甲氧基苯氧基、3-氯-4-甲氧基苯氧基、2-甲氧基-5-氯苯氧基、3-甲氧基-4-氯苯氧基、3-甲氧基-6-氯苯氧基、5-氯-2，4-二甲氧基苯氧基、2-羟基苯氧基、3-羟基苯氧基、4-羟基苯氧基、2-硝基苯氧基、3-硝基苯氧基、4-硝基苯氧基、2-氰基苯氧基、3-氰基苯氧基、4-氰基苯氧基、2-甲基-5-硝基苯氧基、3，5-二硝基苯氧基、2-羟基-4-硝基苯氧基等取代或无取代的碳环式芳香族氧基；

4-吡啶氧基、3-吡啶氧基、2-吡啶氧基、4-甲基-2-吡啶氧基、5-甲基-2-吡啶氧基、6-甲基-2-吡啶氧基、4，6-二甲基-2-吡啶氧基、4-甲基-5-硝基-2-吡啶氧基、3-羟基-2-吡啶氧基、6-氟-3-吡啶氧基、6-甲氧基-3-吡啶氧基、6-甲氧基-2-吡啶氧基、2-嘧啶氧基、3-嘧啶氧基、4-嘧啶氧基、2，6-二甲基-4-嘧啶氧基、4-喹啉氧基、3-喹啉氧基、4-甲基-2-喹啉氧基、3-呋喃氧基、2-呋喃氧基、3-噻吩氧基、2-噻吩氧基、4-甲基-3-噻吩氧基、5-甲基-2-噻吩氧基、3-甲基-2-噻吩氧基、2-噁唑氧基、2-噻唑氧基、2-噻二唑氧基、2-苯并噁唑氧基、2-苯并噻唑氧基、2-苯并咪唑氧基等取代或无取代的杂环式芳香族氧基等。

作为取代氨基的取代基的、取代或无取代的链烯氧基，包括可以具有上述列举的烷基作为取代基的链烯氧基、或可以具有与上述列举的烷基具有的取代基相同的取代基的链烯氧基，作为具体例子，可以举出乙烯氧基、丙烯氧基、1-丁烯氧基、异丁烯氧基、1-戊烯氧基、2-戊烯氧基、2-甲基-1-丁烯氧基、3-甲基-1-丁烯氧基、2-甲基-2-丁烯氧基、环戊二烯基氧基、2，2-二氰基乙烯氧基、2-氰基-2-甲基羧基乙烯氧基、2-氰基-2-甲基砜乙烯氧基、苯乙烯氧基、4-苯基-2-丁烯氧基、肉桂氧基等。

作为取代氨基的取代基的、取代或无取代的烷硫基，包括可以具有与上述列举的烷基具有的取代基相同的取代基的烷硫基，作为具体例子，可以举出甲硫基、乙硫基、正丙硫基、异丙硫基、正丁硫基、异丁硫基、仲丁硫基、叔丁硫基、正戊硫基、异戊硫基、新戊硫基、2-甲基丁硫基、甲基羧基乙硫基、2-乙基己硫基、3，5，5-三甲基己硫基、十氢萘硫基等。

作为取代氨基的取代基的、取代或无取代的芳烷硫基，包括可以具有上述列举的烷基作为取代基的芳烷硫基、或可以具有与上述列举的烷基具有的取代基相同的取代基的芳烷硫基，作为具体例子，可以举出苄硫基、4-氰基苄硫基、4-羟基苄硫基、2-甲基苄硫基、3-甲基苄硫基、4-甲基苄硫基、4-三氟甲基苄硫基、1-萘甲硫基、4-硝基-1-萘甲硫基、4-氰基-1-萘甲硫基、4-羟基-1-萘甲硫基、4-甲基-1-萘甲硫基、4-三氟甲基-1-萘甲硫基、芴-9-基乙硫基等。

作为取代氨基的取代基的、取代或无取代的芳硫基，包括可以具有上述列举的烷基作为取代基的芳硫基、或可以具有与上述列举的烷基具有的取代基相同的取代基的芳硫基，作为具体例子，可以举出苯硫基、4-甲基苯硫基、2-甲氧基苯硫基、4-叔丁基苯硫基、萘硫基等。

作为取代氨基的取代基的、取代或无取代的链烯基硫基，包括可以具有上述列举的烷基作为取代基的链烯基硫基、或可以具有与上述列举的烷基具有的取代基相同的取代基的链烯基硫基，作为具体例子，可以举出乙烯基硫基、丙烯基硫基、1-丁烯基硫基、异丁烯基硫基、1-戊烯基硫基、2-戊烯基硫基、2-甲基-1-丁烯基硫基、3-甲基-1-丁烯基硫基、2-甲基-2-丁烯基硫基、环戊二烯基硫基、2，2-二氰基乙烯基硫基、2-氰基-2-甲基羧基乙烯基硫基、2-氰基-2-甲基砜乙烯基硫基、苯乙烯基硫基、4-苯基-2-丁烯硫基、肉桂基氧基等。

作为取代氨基的取代基的、取代或无取代的酰基，包括可以具有上述列举的烷基作为取代基的酰基、或可以具有与上述列举的烷基具有的取代基相同的取代基的酰基，作为具体例子，可以举出甲酰基、甲基羰基、乙基羰基、正丙基羰基、异丙基羰基、正丁基羰基、异丁基羰基、仲丁基羰基、叔丁基羰基、正戊基羰基、异戊基羰基、新戊基羰基、2-甲基丁基羰基、苯甲酰基、2-甲基苯甲酰基、3-甲基苯甲酰基、4-甲基苯甲酰基、4-乙基苯甲酰基、4-正丙基苯甲酰基、4-叔丁基苯甲酰基、4-硝基苄基羰基、3-正丁氧基-2-萘甲酰基、肉桂酰基等。

作为取代氨基的取代基的、取代或无取代的酰氧基，包括可以具有上述列举的烷基作为取代基的酰氧基、或可以具有与上述列举的烷基具有的取代基相同的取代基的酰氧基，作为具体例子，可以举出甲酰氧基、甲基羰基氧基、乙基羰基氧基、正丙基羰基氧基、异丙基羰基氧基、正丁基羰基氧基、异丁基羰基氧基、仲丁基羰基氧基、叔丁基羰基氧基、正戊基羰基氧基、异戊基羰基氧基、新戊基羰基氧基、2-甲基丁基羰基氧基、苯甲酰氧基、2-甲基苯甲酰氧基、3-甲基苯甲酰氧基、4-甲基苯甲酰氧基、4-乙基苯甲酰氧基、4-正丙基苯甲酰氧基、4-叔丁基苯甲酰氧基、4-硝基苄基羰基氧基、3-正丁氧基-2-萘甲酰氧基、肉桂酰氧基等。

作为取代氨基的取代基的、取代或无取代的烷氧基羰基，包括可以具有与上述列举的烷基具有的取代基相同的取代基的烷氧基羰基，作为具体例子，可以举出甲氧基羰基、乙氧基羰基、正丙氧基羰基、异丙氧基羰基、正丁氧基羰基、异丁氧基羰基、仲丁氧基羰基、叔丁氧基羰基、正戊氧基羰基、异戊氧基羰基、新戊氧基羰基、2-乙基己氧基羰基、3，5，5-三甲基己氧基羰基、十氢萘氧基羰基、环己氧基羰基、2-氯乙氧基羰基、羟基甲氧基羰基、2-羟基乙氧基羰基等烷氧基羰基；

甲氧基甲氧基羰基、甲氧基乙氧基羰基、乙氧基乙氧基羰基、正丙氧基乙氧基羰基、正丁氧基乙氧基羰基、正戊氧基乙氧基羰基、正己氧基乙氧基乙基、正丁氧基丁氧基羰基、正己氧基丁氧基羰基、羟基甲氧基甲氧基羰基、羟基乙氧基乙氧基羰基等被烷氧基取代的烷氧基羰基；

甲氧基甲氧基甲氧基羰基、甲氧基乙氧基乙氧基羰基、乙氧基乙氧基乙氧基羰基、正丙氧基乙氧基乙氧基羰基、正丁氧基乙氧基乙氧基羰基、正戊氧基乙氧基乙氧基羰基、正己氧基乙氧基乙氧基羰基等被烷氧基烷氧基取代的烷氧基羰基等。

作为取代氨基的取代基的、取代或无取代的芳烷氧基羰基，包括可以具有上述列举的烷基作为取代基的芳烷氧基羰基、或可以具有与上述列举的烷基具有的取代基相同的取代基的芳烷氧基羰基，作为具体例子，可以举出苄氧基羰基、4-硝基苄氧基羰基、4-氰基苄氧基羰基、4-羟基苄氧基羰基、2-甲基苄氧基羰基、3-甲基苄氧基羰基、4-甲基苄氧基羰基、4-三氟甲基苄氧基羰基、1-萘基甲氧基羰基、2-萘基甲氧基羰基、4-氰基-1-萘基甲氧基羰基、4-羟基-1-萘基甲氧基羰基、6-羟基-2-萘基甲氧基羰基、4-甲基-1-萘基甲氧基羰基、6-甲基-2-萘基甲氧基羰基、4-三氟甲基-1-萘基甲氧基羰基、芴-9-基乙氧基羰基等。

作为取代氨基的取代基的、取代或无取代的芳氧基羰基，包括可以具有上述列举的烷基作为取代基的芳氧基羰基、或可以具有与上述列举的烷基具有的取代基相同的取代基的芳氧基羰基，作为具体例子，可以举出苯氧基羰基、2-甲基苯氧基羰基、4-甲基苯氧基羰基、4-叔丁基苯氧基羰基、2-甲氧基苯氧基羰基、4-异丙苯氧基羰基、萘氧基羰基等。

作为取代氨基的取代基的、取代或无取代的链烯氧基羰基，包括可以具有上述列举的烷基作为取代基的链烯氧基羰基、或可以具有与上述列举的烷基具有的取代基相同的取代基的链烯氧基羰基，作为具体例子，可以举出乙烯氧基羰基、丙烯氧基羰基、1-丁烯氧基羰基、异丁烯氧基羰基、1-戊烯氧基羰基、2-戊烯氧基羰基、环戊二烯基氧基羰基、2-甲基-1-丁烯氧基羰基、3-甲基-1-丁烯氧基羰基、2-甲基-2-丁烯氧基羰基、2，2-二氰基乙烯氧基羰基、2-氰基-2-甲基羧基乙烯氧基羰基、2-氰基-2-甲基砜乙烯氧基羰基、苯乙烯氧基羰基、4-苯基-2-丁烯氧基羰基等。

作为取代氨基的取代基的、取代或无取代的氨基，包括可以具有上述列举的烷基作为取代基的氨基、或可以具有与上述列举的烷基具有的取代基相同的取代基的氨基，作为具体例子，可以举出氨基、甲基氨基、乙基氨基、丙基氨基、丁基氨基、戊基氨基、己基氨基、庚基氨基、辛基氨基、2-乙基己基氨基、环己基氨基、3，5，5-三甲基己基氨基、壬基氨基、癸基氨基等单烷基氨基，或二甲基氨基、二乙基氨基、甲基乙基氨基、二丁基氨基、哌啶基、吗啉基、二(乙酰氧基乙基)氨基、二(丙酰氧基乙基)氨基等二烷基氨基；

可以具有上述列举的烷基作为取代基的芳烷基氨基、或可以具有与上述列举的烷基具有的取代基相同的取代基的芳烷基氨基，作为具体例子，可以举出苄基氨基、苯乙基氨基、3-苯基丙基氨基、4-乙基苄基氨基、4-异丙基苄基氨基等单芳烷基氨基，或二苄基氨基、二苯乙基氨基、二(4-乙基苄基)氨基、二(4-异丙基苄基)氨基等二芳烷基氨基；

可以具有上述列举的烷基作为取代基的芳基氨基、或可以具有与上述列举的烷基具有的取代基相同的取代基的芳基氨基，作为具体例子，可以举出苯基氨基、1-萘基氨基、2-萘基氨基、2-甲基苯基氨基、3-甲基苯基氨基、4-甲基苯基氨基、2，4-二甲基苯基氨基、2，6-二甲基苯基氨基、4-乙基苯基氨基、4-异丙基苯基氨基、4-甲氧基苯基氨基、4-氯苯基氨基、4-乙酰基苯基氨基、4-甲氧基羰基苯基氨基、4-乙氧基羰基苯基氨基、4-丙氧基羰基苯基氨基等单芳基氨基，或N，N-二苯基氨基、N，N-二(3-甲基苯基)氨基、N，N-二(4-甲基苯基)氨基、N，N-二(4-乙基苯基)氨基、N，N-二(4-叔丁基苯基)氨基、N，N-二(4-正己基苯基)氨基、N，N-二(4-甲氧基苯基)氨基、N，N-二(4-乙氧基苯基)氨基、N，N-二(4-正丁氧基苯基)氨基、N，N-二(4-正己氧基苯基)氨基、N，N-二(1-萘基)氨基、N，N-二(2-萘基)氨基、N-苯基-N-(3-甲基苯基)氨基、N-苯基-N-(4-甲基苯基)氨基、N-苯基-N-(4-正辛基苯基)氨基、N-苯基-N-(4-甲氧基苯基)氨基、N-苯基-N-(4-乙氧基苯基)氨基、N-苯基-N-(4-正己氧基苯基)氨基、N-苯基-N-(4-氟苯基)氨基、N-苯基-N-(1-萘基)氨基、N-苯基-N-(2-萘基)氨基、N-苯基-N-(4-苯基苯基)氨基等二芳基氨基等。

取代氨基的取代基的、具有金属茂残基的基团是由连接基团和取代或无取代的金属茂基团形成的基团，优选以下述通式(a)表示的基团。

(式中，L表示连接基团，Q^a1、Q^a2分别独立，表示氢原子、卤原子、取代或无取代的烷基、取代或无取代的烷氧基、取代或无取代的芳基、或取代或无取代的膦基(phosphino)，M表示二价过渡金属。)

通式(a)表示的基团中，作为Q^a1和Q^a2表示的卤原子、取代或无取代的烷基、取代或无取代的烷氧基、取代或无取代的芳基的例子，可以举出与上述取代或无取代的烷基、取代或无取代的烷氧基、取代或无取代的芳基相同的取代基。

另外，Q^a1和Q^a2表示的取代或无取代的膦基包括可以具有与上述列举的烷基具有的取代基相同的取代基的膦基，作为具体例子，可以举出二甲基膦基、二乙基膦基、二丙基膦基、二丁基膦基、二戊基膦基、二己基膦基等二烷基膦基，对甲基对苯基膦基等烷基芳基膦基，二苯基膦基、二甲苯基膦基、二(叔丁基苯基)膦基、苯基-3，5-二甲苯基膦基等二芳基膦基等。

通式(a)表示的基团中，M表示二价过渡金属，具体可以举出Fe、Co、Ni、Ru、Os、Mn、Cr、W、V、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Er、Tm、Yb等，特别优选Fe。

通式(a)表示的基团中，L表示的连接基团包括适当选择组合碳原子以及氮原子、氧原子、硫原子、磷原子、金属原子、准金属原子等杂原子、氢原子，适当选择1个或多个单键、双键和/或三键键合形成的连接基团。

作为连接基团L的优选例子，可以举出下式(b)中任一种表示的基团等。

[式中，A表示-O-、-S-、-N(Q⁶)-，L¹表示单键、取代或无取代的二价脂肪族烃基团或取代或无取代的二价芳香族环基团，Q¹、Q²、Q⁶分别独立，表示氢原子、取代或无取代的烷基，Q³表示-O-Q⁷-、-C(＝O)-O-Q⁷-、-O-C(＝O)-Q⁷-中的任一种表示的基团，Q⁷表示单键、取代或无取代的二价脂肪族烃基团，Q⁴表示氢原子或甲基，Q⁵表示-CH₂-、-CH₂CH₂-、-CH＝CH-、-CH₂-C(＝O)-、-CH₂CH₂-C(＝O)-]中的任一种表示的基团，m是0～4的整数。]

上式中，L¹表示的取代或无取代的二价脂肪族烃基团包括可以具有上述列举的烷基作为取代基的二价脂肪族烃基团、或可以具有与上述列举的烷基具有的取代基相同的取代基的二价脂肪族烃基团，作为具体例子，可以举出亚甲基、亚乙基、亚丙基、亚丁基、亚戊基、亚环戊基、亚己基、亚环己基、亚庚基、亚辛基、亚壬基、亚癸基、亚十一烷基、亚十二烷基、亚十三烷基、亚十四烷基、亚十五烷基等亚烷基；

亚乙烯基、亚丙烯基、亚丁-1-烯基、亚戊-1-烯基、亚戊-2-烯基、亚癸烯基等亚链烯基等。

另外，上式中，L¹表示的取代或无取代的二价芳香族环基团包括可以具有上述列举的烷基作为取代基的二价芳香族环基团、或可以具有与上述列举的烷基具有的取代基相同的取代基的二价芳香族环基团，作为具体例子，可以举出亚苯基、亚萘基、亚茚基、亚蒽基、亚芴基、亚薁基、亚并四苯基、亚基、亚芘基、亚苝基等芳香族烃基团；

亚呋喃基、亚吡咯基、3-亚吡咯啉基、亚吡咯烷基、1，3-oxoranylene基、亚吡唑基、2-亚吡唑啉基、亚吡唑烷基、亚咪唑基、亚噁唑基、亚噻唑基、1，2，3-亚噁二唑基、1，2，3-亚三唑基、1，2，4-亚三唑基、1，3、4-亚噻二唑基、4H-亚吡喃基、亚吡啶基、亚哌啶基、亚二氧杂环己烷基、亚吗啉基、亚哒嗪基、亚嘧啶基、亚吡嗪基、亚哌嗪基、亚三嗪基、亚苯并呋喃基、亚吲哚基、亚硫茚基、亚苯并咪唑基、亚苯并噻唑基、亚嘌呤基、亚喹啉基、亚异喹啉基、亚氧杂萘邻酮基、亚噌啉基、亚喹喔啉基、亚二苯并呋喃基、亚咔唑基、亚菲酮基、吩噻嗪基、亚黄酮基、亚萘嵌间二氮杂苯基等杂环基等。

作为以Q¹、Q²、Q⁶表示的取代或无取代的烷基的例子，可以举出与上述取代或无取代的烷基相同的烷基。具体可以举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基等碳原子数为1～4的烷基。

作为以Q7表示的取代或无取代的二价脂肪族烃基的例子，可以举出与上述取代或无取代的二价脂肪族烃基相同的基团。具体可以举出上述碳原子数为1～4的亚烷基，亚乙烯基、亚丙烯基、亚丁-1-烯基等碳原子数为2～4的亚链烯基。

本发明有机化合物(B)上键合的取代氨基可以是键合有一个上述取代基的单取代氨基或键合有二个上述取代基的二取代氨基中的任一种。二取代氨基的情况下，二个取代基可以通过单键、或通过连接基团键合，还可以与取代氮原子一起形成环状结构。作为连接基团的例子，可以举出与上述连接基团相同的连接基团。

本发明的化合物(B)具有的六元环结构以及取代或无取代的氨基的个数，没有特别限定，但通常分别具有1～4个，优选分别具有1～2个，进一步优选分别具有1个。

作为本发明有机化合物(B)的优选例子，更具体而言，作为可互变结构之一，可以举出下面通式(0)表示的化合物。

(式中，环A⁰表示取代或无取代的碳环式芳香族环或取代或无取代的杂环式芳香族环，R^A和R^B表示氢原子或取代基，X⁰表示2价取代基，Y⁰表示取代或无取代的氨基，m⁰表示Y⁰的个数。)

通式(0)表示的化合物中，环A⁰优选表示取代或无取代的碳环式芳香族环或取代或无取代的杂环式芳香族环，

通式(0)表示的化合物中，环A⁰优选碳原子数为6～26的取代或无取代的碳环式芳香族环或碳原子数为3～26的取代或无取代的杂环式芳香族环，较优选碳原子数为6～20的取代或无取代的碳环式芳香族环或碳原子数为3-20的取代或无取代的杂环式芳香族环。

作为环A⁰表示的芳香族环的具体例子，例如，可以举出取代或无取代的苯环、取代或无取代的萘环、取代或无取代的并环戊二烯环、取代或无取代的苯并二茚环、取代或无取代的薁环、取代或无取代的庚搭烯环、取代或无取代的亚联苯环、取代或无取代的菲环、取代或无取代的蒽环、取代或无取代的荧蒽环、取代或无取代的苊环、取代或无取代的苯并菲环、取代或无取代的芘环、取代或无取代的环、取代或无取代的并四苯环、取代或无取代的偕双烯型化合物环、取代或无取代的苉环、取代或无取代的戊-1-烯-3-炔环、取代或无取代的二苯并菲环、取代或无取代的并戊苯环、取代或无取代的亚四苯基环、取代或无取代的己芬环、取代或无取代的并六苯环、取代或无取代的玉红省环、取代或无取代的晕苯环、取代或无取代的三萘环、取代或无取代的并七苯环、取代或无取代的庚省环、取代或无取代的吡蒽环、取代或无取代的联十苯环等碳环式芳香族环；

取代或无取代的呋喃环、取代或无取代的噻吩环、取代或无取代的吡咯环、取代或无取代的吡唑环、取代或无取代的咪唑环、取代或无取代的噁唑环、取代或无取代的噻唑环、取代或无取代的吡啶环、取代或无取代的哒嗪环、取代或无取代的嘧啶环、取代或无取代的吡嗪环、取代或无取代的喹啉环、取代或无取代的异喹啉环、取代或无取代的喹喔啉环、取代或无取代的吲哚嗪环、取代或无取代的吲哚环、取代或无取代的吲唑环、取代或无取代的嘌呤环、取代或无取代的酞嗪环、取代或无取代的萘啶环、取代或无取代的喹唑啉环、取代或无取代的噌啉环、取代或无取代的蝶啶环、取代或无取代的咔啉环、取代或无取代的菲啶环、取代或无取代的吖啶环、取代或无取代的萘嵌间二氮杂苯环、取代或无取代的菲绕啉环、取代或无取代的吩嗪环、取代或无取代的呋咱环等杂环式芳香族环等。

环A⁰具有取代基时的取代基，是指上述的卤原子、硝基、氰基、羟基、羧基、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳烷基、取代或无取代的芳基、取代或无取代的金属茂基、取代或无取代的链烯基、取代或无取代的烷氧基、取代或无取代的芳烷氧基、取代或无取代的芳氧基、取代或无取代的链烯氧基、取代或无取代的烷硫基、取代或无取代的芳烷硫基、取代或无取代的芳硫基、取代或无取代的链烯硫基、取代或无取代的酰基、取代或无取代的酰氧基、取代或无取代的烷氧基羰基、取代或无取代的芳烷氧基羰基、取代或无取代的芳氧基羰基、取代或无取代的链烯氧基羰基、取代或无取代的氨基、或具有金属茂残基的基团，作为各取代基的具体例子，可以举出与上述取代氨基的取代基相同的取代基。

在通式(0)表示的化合物中，R^A和R^B表示氢原子或取代基。R^A和R^B表示的取代基是指卤原子、硝基、氰基、羟基、羧基、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳烷基、取代或无取代的芳基、取代或无取代的金属茂基、取代或无取代的链烯基、取代或无取代的烷氧基、取代或无取代的芳烷氧基、取代或无取代的芳氧基、取代或无取代的链烯氧基、取代或无取代的烷硫基、取代或无取代的芳烷硫基、取代或无取代的芳硫基、取代或无取代的链烯硫基、取代或无取代的酰基、取代或无取代的酰氧基、取代或无取代的烷氧基羰基、取代或无取代的芳烷氧基羰基、取代或无取代的芳氧基羰基、取代或无取代的链烯氧基羰基、取代或无取代的氨基、或具有金属茂残基的基团，作为各取代基的具体例子，可以举出与上述取代氨基的取代基相同的取代基。

通式(0)表示的化合物中，X⁰表示2价取代基。作为X⁰表示的2价取代基的例子，例如，可以举出氧原子、硫原子等2价原子，以＝N-R⁰¹[R⁰¹为氢原子、或与上述取代氨基的取代基的具体例子相同的取代基]表示的取代或无取代的亚氨基等。

通式(0)表示的化合物中，Y⁰表示取代或无取代的氨基。作为Y⁰表示的取代氨基的取代基的例子，可以举出与上述取代氨基的取代基的具体例子相同的取代基。

通式(0)表示的化合物中，m⁰表示Y⁰的个数。m⁰表示以Y⁰表示的取代或无取代的氨基的个数，作为大于或等于1的整数m⁰的例子，通常为1～4，优选1或2，更优选1。通式(0)的环A⁰上优选至少有1处被以Y⁰表示的取代或无取代的氨基取代。

另外，Y⁰较优选二甲基氨基、甲基氨基、乙基氨基等碳原子数为为1～2的取代或无取代氨基，特别优选二甲基氨基。

与本发明通式(0)中的取代基R^B取代的碳原子相邻键合的R^B中的原子含有氢原子时，或通式(0)中的取代基R^A为氢原子时，具有可互变结构，所以可能存在互变异构体。

作为本发明有机化合物(B)的更优选例，可以举出作为互变结构之一的以下面通式(1)表示的化合物。

(式中、环A和环B表示取代或无取代的碳环式芳香族环或取代或无取代的杂环式芳香族环，R表示氢原子或取代基，X表示2价取代基，Y表示取代或无取代的氨基，m表示Y的个数。)

通式(1)表示的化合物中，环A和环B分别独立，表示取代或无取代的碳环式芳香族环或取代或无取代的杂环式芳香族环。

作为通式(1)的环A和环B表示的取代或无取代的碳环式芳香族环或取代或无取代的杂环式芳香族环的例子，可以举出作为上述环A⁰的取代或无取代的碳环式芳香族环或取代或无取代的杂环式芳香族环的具体例子，具有取代基时也可以举出相同的取代基。

通式(1)表示的化合物中，R表示氢原子或取代基。R表示的取代基例子可以举出与上述R^A和R^B的具体例子相同的取代基。

通式(1)表示的化合物中，X表示2价取代基。作为X表示的2价取代基的例子，可以举出与上述X⁰的具体例子相同的取代基。

通式(1)表示的化合物中，Y表示取代或无取代的氨基。Y表示的取代或无取代的氨基的例子，可以举出与上述Y⁰的具体例子相同的取代基。通式(1)的环A上有至少1处被Y表示的取代或无取代的氨基取代是优选的。Y较优选二甲基氨基、甲基氨基、乙基氨基等碳原子数为1～2的取代或无取代的氨基，特别优选二甲基氨基。

通式(1)表示的化合物中，m表示Y的个数。以m表示的Y的个数与上述m⁰的具体例子相同的数。

本发明通式(1)表示的化合物具有可互变结构，所以可能有互变异构体。具体而言，是以下面的通式(1)和通式(101)～(103)表示的结构，在本发明中，为了简便，给出通式(1)的结构，也可以是具有通式(101)～(103)的结构的化合物，还可以是具有通式(1)和通式(101)～(103)各结构的化合物的混合物，可以自由使用。

在本发明通式(1)表示的化合物中，R表示氢原子时，除上述互变异构体结构以外，还有下面通式(104)～(106)表示的结构。

在本发明的通式(104)～(106)表示的化合物中，X为氧原子或硫原子时，除上述互变异构体结构以外，还有下面通式(107)～(110)表示的结构。

(式中，X¹表示氧原子或硫原子。)

作为本发明有机化合物(B)的更优选例子，可以举出作为互变结构之一的以下面通式(2)表示的化合物。

(式中，环C表示取代或无取代的碳环式芳香族环或取代或无取代的杂环式芳香族环，X’表示2价取代基，R⁰～R⁶分别独立，表示氢原子或取代基，m’表示R⁵的个数，n’表示R⁶的个数。其中，选自R¹～R⁴的至少1个或1个以上基团是取代或无取代氨基，在R¹～R⁴的组合及R⁵～R⁶的组合中，对于每个组合内的各取代基，还可以分别独立地通过连接基团键合，与取代位置的原子一起形成环结构，m’和n’分别表示0、大于或等于1的整数。)

在通式(2)表示的化合物中，环C表示取代或无取代的碳环式芳香族环或取代或无取代的杂环式芳香族环。

作为以通式(2)的环C表示的取代或无取代的碳环式芳香族环或取代或无取代的杂环式芳香族环的具体例子，可以举出与上述环A和环B相同的环。

在通式(2)表示的化合物中，X’表示2价取代基。作为X’表示的2价取代基的具体例子，可以举出与上述X表示的2价取代基相同的基团。

在通式(2)表示的化合物中，R⁰～R⁶分别独立，表示氢原子或取代基，m’表示R⁵的个数，n’表示R⁶的个数。其中，选自R¹～R⁴的至少1个或1个以上基团是取代或无取代的氨基，在R¹～R⁴的组合及R⁵～R⁶的组合中，每个组合内的各取代基分别独立地通过连接基团键合，与取代位置的原子一起形成环结构。

作为以R⁰～R⁶表示的取代基的具体例子，可以举出与上述R^A和R^B的具体例子相同的取代基。此处，R²优选取代或无取代的氨基。取代或无取代的氨基的具体例子可以举出上述取代或无取代的氨基，优选二甲基氨基、甲基氨基、乙基氨基等碳原子数为1～2的取代或无取代的氨基，特别优选二甲基氨基。

作为在通式(2)的R¹～R⁴的组合以及R⁵～R⁶的组合中，每个组合内的各取代基分别独立地通过连接基团键合，与取代位置的原子一起形成环结构时的连接基团，可以举出与上述连接基团L相同的基团。

R⁵、R⁶或R⁵和R⁶通过连接基团键合并与取代位置的原子一起形成环结构时，优选至少其一具有杂环残基，该杂环残基含有至少一个杂原子。此处，所谓“含有杂原子”是指在单一或多个碳原子-碳原子之间、和/或碳原子-氢原子之间具有1个或1个以上相同或不同的杂原子。

此处所说的杂原子是指碳原子和氢原子以外的原子，优选举出氧原子、硫原子、氮原子。

作为含有至少1个杂原子的杂环残基，优选举出含有1～4个杂原子的杂环残基，作为更优选例，可以举出含有至少1～4个选自氧原子、硫原子、氮原子的杂原子的杂环残基。

作为含有1个杂原子的杂环残基的具体例子，可以举出取代或无取代的呋喃环、二氢呋喃环、四氢呋喃环、吡喃环、二氢吡喃环、四氢吡喃环等含氧杂环残基；

取代或无取代的吡咯环、吡咯啉环、吡咯烷环、吡啶环、哌啶环等含氮杂环残基；

取代或无取代的噻吩环、二氢噻吩环、四氢噻吩环、1，1-二氧代四氢噻吩环等含硫杂环残基。

作为含有2个杂原子的杂环残基的具体例子，可以举出取代或无取代的1，2-二氧杂环戊烷、1，3-二氧杂环戊烷、1，2-二氧杂环己烷、1，3-二氧杂环己烷、1，4-二氧杂环己烷、二氧杂环己烯等含氧杂环残基；

取代或无取代的噁唑烷环、噁唑环、吡唑环、吡唑啉环、吡唑烷环、咪唑环、吗啉环、哒嗪环、嘧啶环、吡嗪环、哌嗪环等含氮杂环残基；

取代或无取代的噻唑环、噻唑烷环、噻唑啉环等含硫杂环残基。

作为含有3个杂原子的杂环残基的具体例子，可以举出取代或无取代的三噁烷环等含氧杂环残基；

取代或无取代的1，3，5-三嗪环、1，2，4-三嗪环、1，2，3-三嗪环、1，3，5-六氢三嗪环、1，2，4-六氢三嗪环、1，2，3-六氢三嗪环、噁二唑环等含氮杂环残基；

取代或无取代的三噻烷环、噻二唑环等含硫杂环残基。

作为含有4个杂原子的杂环残基的具体例子，可以举出取代或无取代的四唑环、四嗪环等含氮杂环残基。

在通式(2)表示的化合物中，m’表示R⁵的个数。m’表示以R⁵表示的取代基的个数，为0或大于或等于1的整数，例如，通常为0～4，优选为0～2，更优选为1。

在通式(2)表示的化合物中，n’表示R⁶的个数。n’表示以R⁶表示的取代基的个数，为0或大于或等于1的整数，例如，通常为0～4，优选为0～2，更优选为1。

作为通式(2)的可互变结构的具体例子，可以举出与通式(101)～(110)表示的结构相同的结构，也可以是各结构的混合物，可以自由使用。

作为本发明有机化合物(B)的更优选例，可以举出作为可互变结构之一的以下面通式(3)表示的化合物。

(式中，环D表示取代或无取代的碳环式芳香族环或取代或无取代的杂环式芳香族环，X”表示2价取代基，R⁷～R¹²分别独立，表示氢原子或取代基。其中，选自R⁸～R¹¹的至少1个基团是取代或无取代的氨基，R⁸～R¹¹分别独立地通过连接基团键合，与取代位置的原子一起形成环结构。)

在通式(3)表示的化合物中，环D表示取代或无取代的碳环式芳香族环或取代或无取代的杂环式芳香族环。

作为以通式(3)的环D表示的取代或无取代的碳环式芳香族环或取代或无取代的杂环式芳香族环的具体例子，可以举出与上述环A和环B相同的环。

在通式(3)表示的化合物中，X”表示2价取代基。作为X”表示的2价取代基的具体例子，可以举出与上述X表示的2价取代基相同的基团。

在通式(3)表示的化合物中，R⁷～R¹²分别独立，表示氢原子或取代基，选自R⁸～R¹¹的至少1个基团是取代或无取代的氨基，R⁸～R¹¹分别独立地通过连接基团键合，与取代位置的碳原子一起形成环结构。作为以R⁷～R¹²表示的取代基的具体例子，可以举出与上述R^A和R^B的具体例子相同的取代基。此处，R⁸～R¹¹、以及R⁹优选为取代或无取代的氨基。取代或无取代的氨基的具体例子可以举出上述的取代或无取代的氨基，优选二甲基氨基、甲基氨基、乙基氨基等碳原子数为1～2的取代或无取代的氨基，特别优选二甲基氨基。

作为构成以R⁷～R¹²表示的各取代基的原子，优选列举选自碳原子、氢原子、氮原子、硫原子、氧原子的原子。

对于通式(3)的R⁸～R¹¹组合内的各取代基，作为分别独立地通过连接基团键合、并且与取代位置的碳原子一起形成环结构时的连接基团的例子，可以举出与上述连接基团L相同的基团。

另外，通式(3)的R¹²优选具有杂环残基的取代基，该杂环残基含有至少1个杂原子。作为具体的取代基例，可以举出上述杂环残基取代的取代基，优选列举取代或无取代的哌嗪环、吗啉环、二氧杂环己烷环、吡咯烷环等杂环残基取代的取代烷氧基、取代氨基，具体的例子包括4-甲基哌嗪基甲氧基、4-甲基哌嗪基乙氧基、4-甲基哌嗪基丙氧基、4-甲基哌嗪基丁氧基、4-乙基哌嗪基甲氧基、4-乙基哌嗪基乙氧基、4-乙基哌嗪基丙氧基、4-乙基哌嗪基丁氧基、4-丙基哌嗪基甲氧基、4-丙基哌嗪基乙氧基、4-丙基哌嗪基丙氧基、4-丙基哌嗪基丁氧基、4-丁基哌嗪基甲氧基、4-丁基哌嗪基乙氧基、4-丁基哌嗪基丙氧基、4-丁基哌嗪基丁氧基、吗啉基甲氧基、吗啉基乙氧基、吗啉基丙氧基、吗啉基丁氧基、1，3-二氧杂环己烷-2-基甲氧基、1，3-二氧杂环己烷-2-基乙氧基、1，3-二氧杂环己烷-2-基丙氧基、1，3-二氧杂环己烷-2-基丁氧基、2-氧杂吡咯烷基甲氧基、2-氧杂吡咯烷基乙氧基、2-氧杂吡咯烷基丙氧基、2-氧杂吡咯烷基丁氧基等杂环残基键合的烷氧基；

二(4-甲基哌嗪基甲基)氨基、二(4-甲基哌嗪基乙基)氨基、二(4-甲基哌嗪基丙基)氨基、二(4-甲基哌嗪基丁基)氨基、二(4-乙基哌嗪基甲基)氨基、二(4-乙基哌嗪基乙基)氨基、二(4-乙基哌嗪基丙基)氨基、二(4-乙基哌嗪基丁基)氨基、二(4-丙基哌嗪基甲基)氨基、二(4-丙基哌嗪基乙基)氨基、二(4-丙基哌嗪基丙基)氨基、二(4-丙基哌嗪基丁基)氨基、二(4-丁基哌嗪基甲基)氨基、二(4-丁基哌嗪基乙基)氨基、二(4-丁基哌嗪基丙基)氨基、二(4-丁基哌嗪基丁基)氨基、二(4-吗啉基甲基)氨基、二(4-吗啉基乙基)氨基、二(4-吗啉基丙基)氨基、二(4-吗啉基丁基)氨基、二(1，3-二氧杂环己烷-2-基甲基)氨基、二(1，3-二氧杂环己烷-2-基乙基)氨基、二(1，3-二氧杂环己烷-2-基丙基)氨基、二(1，3-二氧杂环己烷-2-基丁基)氨基、二(2-氧杂吡咯烷基甲基)氨基、二(2-氧杂吡咯烷基乙基)氨基、二(2-氧杂吡咯烷基丙基)氨基、二(2-氧杂吡咯烷基丁基)氨基等杂环残基键合的取代氨基；

4-甲基哌嗪基甲基氨基、4-甲基哌嗪基乙基氨基、4-甲基哌嗪基丙基氨基、4-甲基哌嗪基丁基氨基、4-乙基哌嗪基甲基氨基、4-乙基哌嗪基乙基氨基、4-乙基哌嗪基丙基氨基、4-乙基哌嗪基丁基氨基、4-丙基哌嗪基甲基氨基、4-丙基哌嗪基乙基氨基、4-丙基哌嗪基丙基氨基、4-丙基哌嗪基丁基氨基、4-丁基哌嗪基甲基氨基、4-丁基哌嗪基乙基氨基、4-丁基哌嗪基丙基氨基、4-丁基哌嗪基丁基氨基、4-吗啉基甲基氨基、4-吗啉基乙基氨基、4-吗啉基丙基氨基、4-吗啉基丁基氨基、1，3-二氧杂环己烷-2-基甲基氨基、1，3-二氧杂环己烷-2-基乙基氨基、1，3-二氧杂环己烷-2-基丙基氨基、1，3-二氧杂环己烷-2-基丁基氨基、2-氧杂吡咯烷基甲基氨基、2-氧杂哌嗪基乙基氨基、2-氧杂吡咯烷基丙基氨基、2-氧杂吡咯烷基丁基氨基等杂环残基键合的单取代氨基。

作为通式(3)的可互变结构的具体例子，可以举出与通式(101)～(110)表示的结构相同的结构，也可以是各结构的混合物，可以自由使用。

作为本发明有机化合物(B)的更优选例，可以举出作为可互变结构之一的以下面通式(4)所示的化合物。

(式中，R¹³～R²⁵分别独立，表示氢原子或取代基，在R¹⁴～R¹⁸的组合以及R²¹～R²⁵的组合中，每个组合内的各取代基可以分别独立地通过连接基团键合，与取代位置的碳原子和/或氮原子一起形成环结构。)

在通式(4)表示的化合物中，R¹³～R²⁵分别独立，表示氢原子或取代基，在R¹⁴～R¹⁸的组合以及R²¹～R²⁵的组合中，每个组合内的各取代基可以分别独立地通过连接基团键合，与取代位置的碳原子和/或氮原子一起形成环结构。作为以R¹³～R²⁵表示的取代基的具体例子，可以列举与上述R^A和R^B的具体例子相同的取代基。此处，R²¹～R²⁵中的至少1个取代基优选是具有杂环残基的取代基，该杂环残基含有至少1个杂原子。较优选为具有杂环残基的取代烷氧基，该杂环残基含有至少1个杂原子。作为具体例子，可以列举与上述通式(3)中以R¹²表示的具有杂环残基的取代基相同的基团，该杂环残基含有至少1个杂原子。

作为构成以R¹³～R²⁵表示的各取代基的原子，优选列举选自碳原子、氢原子、氮原子、硫原子、氧原子的原子。

作为在通式(4)的R¹⁴～R¹⁸的组合以及R²¹～R²⁵的组合中，每个组合内的各取代基分别独立地通过连接基团键合、并且与取代位置的碳原子和/或氮原子一起形成环结构时的连接基团，可以举出与上述连接基团L相同的基团。

键合在通式(4)的化合物上、键合有R¹⁵和R¹⁶的取代氨基的键合位置优选喹唑啉结构的6位。作为取代或无取代氨基的具体例子，可以举出上述取代或无取代的氨基，优选二甲基氨基、甲基氨基、乙基氨基等碳原子数为1～2的取代或无取代的氨基，特别优选二甲基氨基。

作为通式(4)的可互变结构的具体例子，可以举出与通式(101)～(110)表示的结构相同的结构，也可以是各结构的混合物，可以自由使用。

作为本发明有机化合物(B)的更优选的例子，可以举出作为可互变结构之一的以下面通式(5)表示的化合物。

(式中，R²⁶～R³⁵分别独立，表示氢原子或取代基，在R²⁶～R³⁰的组合以及R³¹～R³⁵的组合中，每个组合内的各取代基可以分别独立地通过连接基团键合，与取代位置的碳原子和/或氮原子一起形成环结构。)

在通式(5)表示的化合物中，R²⁶～R³⁵分别独立，表示氢原子或取代基，在R²⁶～R³⁰的组合以及R³¹～R³⁵的组合中，每个组合内的各取代基可以分别独立地通过连接基团键合，与取代位置的碳原子和/或氮原子一起形成环结构。作为以R²⁶～R³⁵表示的取代基的具体例子，可以列举与上述R^A和R^B的具体例子相同的取代基。此处，R³¹～R³⁵优选为具有杂环残基的取代基，该杂环残基含有至少1个杂原子。较优选为具有杂环残基的取代烷氧基，该杂环残基含有至少1个杂原子，作为具体例子，可以列举与上述通式(3)中以R¹²表示的具有杂环残基的取代烷氧基相同的基团，该杂环残基含有至少1个杂原子。作为特别优选的例子，可以列举2-氧杂吡咯烷基甲氧基、2-氧杂吡咯烷基乙氧基、2-氧杂吡咯烷基丙氧基、2-氧杂吡咯烷基丁氧基等杂环残基键合的烷氧基。

作为构成以R²⁶～R³⁵表示的各取代基的原子，优选列举选自碳原子、氢原子、氮原子、硫原子、氧原子的原子。

作为在通式(5)的R²⁶～R³⁰的组合以及R³¹～R³⁵的组合中，每个组合内的各取代基分别独立地通过连接基团键合、并且与取代位置的碳原子和/或氮原子一起形成环结构时的连接基团，可以举出与上述连接基团L相同的基团。

作为取代或无取代氨基的具体例子，可以举出上述取代或无取代的氨基，优选二甲基氨基、甲基氨基、乙基氨基等碳原子数为1～2的取代或无取代的氨基，特别优选二甲基氨基。

作为通式(5)的可互变结构的具体例子，可以举出与通式(101)～(110)表示的结构相同的结构，也可以是各结构的混合物，可以自由使用。

本发明的记录层(A)中含有的有机化合物(B)可以优选使用上述通式(0)～通式(5)的化合物。较优选含有具有杂环残基的取代基的化合物，其中杂环残基含有至少1个杂原子，进一步优选含有具有杂环残基的取代烷氧基的化合物，其中杂环残基含有至少1个杂原子，作为具体例子，可以列举与通式(3)中以R¹²表示的取代烷氧基相同的取代烷氧基。

特别优选1～2个甲基取代的氨基取代在喹唑啉环的6位的化合物，优选二甲基氨基、甲基氨基、乙基氨基等碳原子数为1～2的取代或无取代的氨基，特别优选二甲基氨基。

另外，在本发明中，作为用于本发明光记录介质的记录层的有机化合物，喹唑啉-4-酮环的5～8位中的任一个位置具有二取代氨基的通式(6)表示的喹唑啉-4-酮化合物是优选的新型化合物。

(式中，R³⁶～R⁴¹分别独立，表示氢原子或取代基。)

在通式(6)表示的化合物中，R³⁶～R⁴¹分别独立，表示氢原子或取代基，在R³⁶～R⁴⁰的组合中，各组合内的各取代基也可以分别独立地通过连接基团键合，与取代位置的碳原子和/或氮原子一起形成环结构。作为以R³⁶～R⁴¹表示的取代基的具体例子，可以列举与上述R^A和R^B的具体例子相同的取代基。

作为在通式(6)的R³⁶～R⁴¹的组合中，各组合内的各取代基分别独立地通过连接基团键合，与取代位置的碳原子和/或氮原子一起形成环结构时的连接基团的例子，可以举出与上述连接基团L相同的基团。

作为本发明的光记录介质中使用的有机化合物(B)的具体例子，例如可以举出下面的化合物，但本发明并不限于这些化合物。

                       表1

                  化合物例

作为本发明的有机化合物(B)，优选的以通式(0)表示的化合物，例如，可以利用下面的方法制备。即，例如，使以下述通式(10)表示的化合物和以通式(11)表示的化合物，在存在/或不存在溶剂的条件下，根据需要进行加热，使其反应，由此可以制备以通式(0)表示的化合物。另外，反应时，还可以根据需要使用催化剂。

[式中，环A⁰、R^A、R^B、X⁰以及Y⁰与通式(0)中的环A⁰、R^A、R^B、X⁰以及Y⁰定义相同，m01、m02、以及m03分别独立，表示0或大于或等于1的整数，而且，与通式(0)的整数m0之间满足m01+m02+m03＝m0的关系。]

作为反应时使用的溶剂，可以列举戊烷、己烷、庚烷、辛烷等烃类溶剂；环丁砜等含硫溶剂；N-甲基-2-吡咯烷酮、1，3-二甲基咪唑烷-2-酮等酰胺类溶剂；1-氯萘、1，2-二氯苯等卤代芳香族溶剂；硝基苯等硝基化芳香族溶剂；醋酸、丙酸、丁酸等有机酸溶剂；四氢呋喃、二氧杂环己烷、二丁基醚等醚类溶剂等。另外，作为催化剂可以举出异喹啉、1，8-二氮二环[5.4.0]-7-十一碳烯、1，5-二氮二环[4.3.0]-5-壬烯等胺类化合物，醋酸、丙酸、丁酸等有机酸化合物，醋酸钯、氯化钯、氧化钯等金属盐。

只要能使反应进行即可，对反应温度没有特别限制，加热温度优选大于或等于30℃，较优选大于或等于50℃，进一步优选大于或等于100℃。

关于通式(0)表示的化合物的制备方法，例如可以使以下述通式(13)表示的化合物和下述通式(14)表示的化合物在存在/或不存在溶剂、存在/或不存在碱的条件下，根据需要加热反应，由此可以制备通式(0)表示的化合物。另外，反应时，还可以根据需要使用催化剂。

H-Y⁰ _m0(14)

[上式中，环A⁰、R^A、R^B、X⁰、Y⁰以及m⁰与通式(0)中的A⁰、R^A、R^B、X⁰、Y⁰以及m⁰定义相同，Z⁰表示离去基团。]

反应时使用的溶剂、催化剂可以举出与上述的溶剂、催化剂相同的物质。

另外，加热温度也可以与上述的加热温度相同。

反应时使用的碱，例如可以列举甲醇钠、乙醇钠、丙醇钠、丁醇钠、甲醇钾、乙醇钾、丙醇钾、丁醇钾等金属醇盐化合物。

对通式(13)中以Z⁰表示的离去基团没有特别限定，只要是使用以通式(14)表示的胺类化合物将通式(13)表示的化合物氨基化时，能随氨基化而离去的基团即可，可以选择任意基团。具体例子可以列举氯原子、溴原子、碘原子等卤素原子；芳基磺酰氧基、烷基磺酰氧基等取代磺酰氧基等。

作为本发明的有机化合物(B)优选的以通式(1)表示的化合物，例如可以利用下面的方法制备。即，例如，使以下面的通式(15)表示的化合物和下面的通式(16)表示的化合物在存在/或不存在溶剂的条件下加热反应，由此可以制备通式(1)表示的化合物。另外，反应时，还可以根据需要使用催化剂。

[式中，环A、环B、X以及R与通式(1)中的环A、环B、X以及R的定义相同，m1和m2分别独立，表示0或大于或等于1的整数，且与通式(1)中的整数m之间满足m1+m2＝m的关系。]

反应时使用的溶剂、催化剂可以举出与上述的溶剂、催化剂相同的物质。

另外，加热温度也可以与上述的加热温度相同。

以通式(2)表示的化合物可以使用以下面的通式(17)表示的化合物和下面的通式(18)表示的化合物，利用上述反应同样地制备。

[式中，环C、X’、R⁰～R⁶、m’、n’与通式(2)的环C、X’、R⁰～R⁶、m’、n’的定义相同。]

以通式(3)表示的化合物可以如下制备，例如，利用上述的反应，使以下面的通式(19)表示的化合物和下面的通式(20)表示的化合物同样地进行反应，得到下面的通式(21)表示的化合物后，在存在/或不存在溶剂的条件下，与通式(22)表示的胺类化合物通过加热进行反应，由此制备通式(3)表示的化合物。反应时，还可以根据需要使用催化剂。

[式中，环D、X”、R⁷～R¹²与通式(2)的环D、X”、R⁷～R¹²的定义相同。]

以通式(4)表示的化合物可以如下制备，例如，利用上述的反应，使以下面的通式(23)表示的化合物和下面的通式(24)表示的化合物同样地进行反应，得到下面的通式(25)表示的化合物后，与通式(26)表示的胺类化合物进行反应，由此制备通式(4)表示的化合物。

[式中，R¹³～R²⁵与通式(4)的R¹³～R²⁵的定义相同。]

以通式(5)表示的化合物可以如下制备，例如，利用上述的反应，使以下面的通式(27)表示的化合物和下面的通式(28)表示的化合物同样地进行反应，得到下面的通式(29)表示的化合物后，与通式(30)表示的胺类化合物进行反应，由此制备通式(5)表示的化合物。

[式中，R²⁶～R³⁵与通式(5)的R²⁶～R³⁵的定义相同。]

通式(27)可以根据上述制备通式(0)表示的化合物的方法进行制备，还可以利用下面所示的合成方法合成。即，使下面的通式(7)表示的化合物和通式(8)和/或通式(9)表示的化合物在存在/或不存在溶剂、存在/或不存在碱的条件下，根据需要进行加热，使其反应，由此可以制备通式(6)表示的化合物。

R³⁷-Z¹                                 (8)

R³⁸-Z²                                 (9)

[式中，R³⁶～R⁴¹表示与通式(6)的R³⁶～R⁴¹相同的基团。Z¹、Z²表示离去基团。]

在通式(8)和通式(9)中，Z¹和Z²表示的离去基团，没有特别限定，，只要是在使用通式(8)和/或通式(9)表示的化合物对以通式(7)表示的化合物进行取代反应时，能随取代反应而离去的基团即可，可以选择任意基团。具体可以列举氯原子、溴原子、碘原子等卤素原子；芳基磺酰氧基、烷基磺酰氧基等取代磺酰氧基等。

相对1mol通式(7)表示的化合物，通式(8)或通式(9)表示的化合物的使用量优选1.0～10mol，进一步优选2.0～6.0mol。

本发明的反应是在存在或不存在溶剂的条件下进行的。作为使用的溶剂，只要是不阻碍反应进行的溶剂即可，没有特别限定，例如，可以举出甲醇、乙醇、异丙醇等醇类溶剂；N，N-二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮等酰胺类溶剂；1，3-二甲基-2-咪唑烷酮等尿素类溶剂；二甲亚砜、环丁砜等亚砜类溶剂；甲苯、二甲苯等芳香族类溶剂等，优选使用酰胺类溶剂、亚砜类溶剂等非质子类溶剂，进一步优选使用N，N-二甲基甲酰胺、二甲亚砜。上述溶剂可以单独使用，也可以二种或二种以上混合使用。

上述溶剂的使用量需要根据反应溶液的均一性和搅拌速度等调整，相对1重量份通式(7)表示的化合物，优选为0重量份～50重量份，进一步优选为0重量份～30重量份。

作为本发明反应中使用的碱性化合物的例子，可以选择碳酸钾、氢化钠等无机碱试剂；叔丁醇钾等碱金属衍生物醇盐以及叔丁基锂等有机碱试剂等各种物质，优选无机碱试剂，进一步优选碳酸钾、氢化钠。

相对1mol通式(7)表示的化合物，上述碱性化合物的使用量优选0.1～5.0mol，进一步优选0.5～2.5mol。

本发明的反应通常采用在空气环境下或氮气环境下进行搅拌等方法进行。此时的反应温度通常为-20～100℃，低于50℃时，能抑制副产物的生成，故优选。此处的副产物是喹唑啉-4-酮环的3位的亚氨基NH处取代有取代基的化合物。较优选反应温度为10～50℃，进一步优选10～40℃，特别优选15～30℃。另外，对反应压力没有特别限定，在大气压下可以充分进行。反应时间优选15分钟～1天，进一步优选30分钟～15小时。

作为本发明的优选反应例，可以举出混合通式(7)～(9)表示的化合物、碱性化合物以及溶剂，并进行搅拌。需要说明的是，对于通式(7)～(9)表示的化合物、碱性化合物以及溶剂的混合顺序没有特别限定，可以根据需要自由进行。

作为终产物的通式(6)表示的化合物，在反应结束后，例如，可以利用浓缩、蒸馏、重结晶、柱层析等常规方法进行分离、纯化。或投入不良溶剂中，经过滤、洗涤、干燥等操作而制得。

制作图2或图3所示的光记录介质时，在基板上成膜记录层(A)时，为了提高基板的耐溶剂性或反射率、记录灵敏度等，还可以在基板上设置无机物或聚合物组成的层。

记录层(A)的膜厚为10nm～1000nm，优选20nm～300nm。如果记录层(A)的膜厚小于10nm，则由于热扩散大，因此有时无法进行记录，或发生记录信号漂移，而且信号振幅变小。另外，如果膜厚大于1000nm，则有可能出现反射率降低，再现信号特性恶化。

接下来，优选在记录层(A)上形成50nm～300nm厚度的反射层。为了提高反射率或为了改善密合性，可以在记录层(A)和反射层之间设置反射放大层或粘合层。作为反射层的材料，可以使用在再现光的波长下反射率足够高的物质，例如，Au、Al、Ag、Cu、Ti、Cr、Ni、Pt、Ta以及Pd，上述金属可以单独使用，也可以制成合金进行使用。其中，Au、Ag、Al反射率高，适合用作反射层的材料。利用蓝色激光进行记录再现时，优选Al或Ag。除此以外，还可以含有下面的物质。例如，可以列举Mg、Se、Hf、V、Nb、Ru、W、Mn、Re、Fe、Co、Rh、Ir、Zn、Cd、Ga、In、Si、Ge、Te、Pb、Po、Sn、Bi等金属或准金属。另外，利用以Ag或Al为主要成分的物质容易得到反射率高的反射层，故优选。也可以利用金属以外的材料，交替层合低折射率薄膜和高折射率薄膜，形成多层膜，用作反射层。

形成反射层的方法，可以列举溅镀法、离子电镀法、化学蒸镀法、真空蒸镀法等。另外，为了提高反射率、改善记录特性、改善再现光稳定性、提高粘结性等，还可以在基板上面或反射层下面设置公知的无机或有机类中间层、粘合层。

作为反射层上形成的保护层的材料，只要是能保护反射层免受外力破坏的材料即可，没有特别限定。作为无机物质，可以列举SiO₂、Si₃N₄、MgF₂、AlN、SnO₂、TiO₂等。作为有机物质，可以列举热塑性树脂、热固性树脂、电子射线固化型树脂、紫外线固化型树脂等。将热塑性树脂、热固性树脂等溶解于适当的溶剂，调制涂布液后，涂布该涂布液，进行干燥，即可形成。紫外线固化型树脂可以直接进行涂布，或将其溶解于适当的溶剂中调制涂布液后，涂布该涂布液，并照射紫外线使其固化，即可形成。作为紫外线固化型树脂，可以使用聚氨酯丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯等丙烯酸酯树脂。上述材料可以单独使用或混合使用，可以形成1层膜，还可以形成多层膜。

形成保护层的方法，可以与记录层同样地使用旋涂法或浇铸法等涂布法或溅镀法或化学蒸镀法等方法，其中优选旋涂法。

保护层的膜厚通常在0.1μm～100μm的范围内，本发明中为3μm～30μm，较优选5μm～20μm。

还可以在保护层的上面进一步印刷标签、条形码等。

另外，还可以使用在反射层面上贴合保护薄片或基板，或以反射层面为内侧，彼此对向地贴合2张光记录介质等的方法。

为了保护表面或为了防止灰尘等的附着，可以在基板镜面侧成膜紫外线固化型树脂、无机类薄膜等。

制作如图4所示的光记录介质时，优选在基板上，形成1nm～300nm厚度的反射层。为了提高反射率或改善密合性，可以在记录层(A)和反射层之间设置反射放大层或粘结层。作为反射层的材料，可以使用在再现光的波长下反射率足够高的材料，例如，Al、Ag、Ni以及Pt，上述金属可以单独使用，也可以制成合金后使用。其中，Ag、Al反射率高，故适合用作反射层的材料。除此以外，还可以根据需要含有下面的物质。例如，可以列举Mg、Se、Hf、V、Nb、Ru、W、Mn、Re、Fe、Co、Rh、Ir、Zn、Cd、Ga、In、Si、Ge、Te、Pb、Po、Sn、Bi、Au、Cu、Ti、Cr、Pd、Ta等金属或准金属。利用以Ag或Al为主要成分的物质容易得到反射率高的反射层，故优选。也可以利用金属以外的材料，交替层合低折射率薄膜和高折射率薄膜，形成多层膜，作为反射层。

形成反射层的方法，可以列举溅镀法、离子电镀法、化学蒸镀法、真空蒸镀法等。另外，为了提高反射率、改善记录特性、提高密合性等，还可以在反射层上面设置公知的无机或有机类中间层、粘合层。

接下来，在反射层上制作记录层(A)时，为了提高反射层的耐溶剂性或反射率、记录灵敏度等，还可以在反射层上设置由无机物或聚合物组成的层。

设置记录层(A)的方法，可以列举旋涂法、喷涂法、浇铸法、斜板式涂布法、帘涂法、模压法、线涂法、凹版印刷布、扩散涂布、滚涂法、刮涂法、浸渍法等涂布法等，其中旋涂法简便，故优选。

利用旋涂法等涂布法时，使用将本发明化合物(B)溶解或分散在溶剂中形成的1质量％～40质量％、优选3质量％～30质量％的涂布液，此时，溶剂优选不损伤反射层的溶剂。

作为涂布法中使用的溶剂，可以列举与上述溶剂相同的溶剂。这些溶剂可以单独使用，也可以多种混合使用。作为优选的溶剂，由于大气压下沸点小于或等于150℃的溶剂在涂布后干燥迅速，有利于制造本发明光记录介质，故优选。较优选大气压下沸点小于或等于150℃的醇类溶剂，特别优选氟取代醇。作为优选例子，具体可以列举四氟丙醇、八氟戊醇。

记录层(A)的膜厚通常为1nm～1000nm，优选5nm～300nm。如果记录层(A)的膜厚小于1nm，则有可能无法记录，或记录信号漂移、而且信号振幅变小。如果膜厚大于1000nm，则有可能反射率降低、再现信号特性恶化。

作为在记录层(A)上形成的保护层的材料，只要是能保护记录层(A)免受外力或环境气体等来自外部的不良影响的材料即可，没有特别限定。作为无机物质，可以列举SiO₂、Si₃N₄、MgF₂、AlN、SnO₂、TiO₂等。作为有机物质，可以列举热塑性树脂、热固性树脂、电子射线固化型树脂、紫外线固化型树脂等。将热塑性树脂、热固性树脂等溶解于适当的溶剂，调制涂布液后，涂布该涂布液，进行干燥，即可形成。紫外线固化型树脂可以直接进行涂布，或将其溶解于适当的溶剂中调制涂布液后，涂布该涂布液，并照射紫外线使其固化，即可形成。作为紫外线固化型树脂，可以使用聚氨酯丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯等丙烯酸酯树脂。上述材料可以单独使用或混合使用，可以形成1层膜，还可以形成多层膜。

形成保护层的方法，可以与记录层(A)相同地使用旋涂法或浇铸法等涂布法或溅镀法或化学蒸镀法等方法，其中优选旋涂法。另外，不能选择对记录层无损坏的溶剂的情况下，与形成记录层时的条件相同，可以列举溅镀法、化学蒸镀法或真空蒸镀法等。如特开平11-273147号公报中记载的通过感压性粘合薄片或干式光敏聚合物薄片等粘合层形成保护层，或利用感压性粘合薄片或干式光敏聚合物薄片本身作为保护层。

在记录层(A)上形成保护层时，为了提高记录层的耐溶剂性或反射率、记录灵敏度，还可以在记录层(A)上设置由无机物和聚合物组成的层。

保护层的膜厚通常在0.01μm～1000μm的范围内，根据需要可以为0.1μm～100μm，进一步为1μm～20μm。

另外，还可以使用在基板面上贴合保护薄片或反射层，或以基板面为内侧，彼此对向地贴合2张光记录介质等的方法。

为了保护表面或防止灰尘等的附着，还可以在保护层面侧形成紫外线固化型树脂、无机类薄膜等。

为了保护介质整体，在本发明的光记录介质中，例如，还可以设置软盘或光磁盘片上所见的保护盘片的外壳型保护单元。可以使用塑料或铝等金属作为材料。

作为基材的材质，只要在记录光和再现光波长处基本上为透明即可。作为支持基板的材质，图5所示，考虑到通过基板11照射蓝紫色激光的情况，可以利用丙烯酸树脂、聚乙烯树脂、聚碳酸酯树脂、聚烯烃树脂、环氧树脂等高分子材料或玻璃等无机材料等透明材料。另一方面，如图6所示，从与基板11’相反的透光层15’侧照射激光的情况下，基板的材质不需要满足光学上的各项必要条件，可以在更广泛的材料中选择。从基板所要求的机械特性或基板生产率方面考虑，优选丙烯酸树脂、聚碳酸酯树脂、聚烯烃树脂等可注塑成型或浇铸成型的材料。上述基板材料可以利用注塑成型法等在基板上形成圆盘状。

还可以根据需要，在上述基板的表层，螺旋状或同心圆状地形成亚微米级的导槽和/或预制沟。上述导槽和预制沟优选在基板形成时赋予，可以利用使用母盘的注塑成型或使用光敏聚合物的热转印法赋予。另外，也可以在图6中的透光层15’上形成导槽和/或预制沟，赋予时也可以使用同样的方法。在进行高于DVD的高密度记录的HD-DVD-R的情况下，导槽的间距优选在0.25～0.80μm的范围内选择，深度优选在20～150nm的范围内选择。

通常，作为光盘使用时，可以是厚度为1.2mm左右、直径为80至120mm左右的圆盘状，也可以在中央具有直径为15mm左右的孔。

本发明的光记录介质可对选自波长为300nm～900nm的记录激光波长和再现激光波长进行记录再现，其中，对从波长390nm～430nm、尤其是波长400nm～410nm范围选出的记录激光波长以及再现激光波长，能得到良好的C/N比，而且，再现光稳定性良好，能得到高品质信号特性。

此处，本发明中所说的波长300nm～900nm的激光，没有特别限定，可以列举能在可见光区域的大范围内进行波长选择的色素激光，或氮激光(337nm)等气体激光，波长为445nm的氦镉激光、波长为457nm或波长为488nm的氩激光等离子激光，波长为400～410nm的GaN类激光，起振使用掺杂了Cr的LiSnAlF₆的波长860nm的红外线激光的第2高频波430nm的激光、He-Ne激光(633nm)，除此以外，还可以举出波长415nm、425nm、602nm、612nm、635nm、647nm、650nm、660nm、670nm、680nm、780nm、830nm等可见半导体激光等半导体激光等。在本发明中，可以根据进行记录或再现的记录层的感应波长适当选择上述激光。高密度记录和再现分别优选使用从上述激光、进而小于或等于430nm的激光、特别是小于或等于410nm的激光选出的单波长或多波长激光。

另外，对激光的记录能量没有特别限定，优选较小能量。本发明记录层(A)的记录激光能量通常小于或等于10mW，优选小于或等于8mW，进一步优选小于或等于6mW。激光的再现能量没有特别限定，优选较小能量。本发明记录层(A)的再现激光能量通常小于或等于2mW，优选小于或等于1mW，进一步优选小于或等于0.7mW。

在本发明的光记录介质中，可以采用小于或等于5mW的记录激光能量进行记录，基板不变形，而且记录、再现也非常优异。所以，可利用小的记录激光能量进行记录再现，并使多轨道记录特性优异。而且，调制度高，信号良好。

下面列举本发明的实施例，但本发明并不限定于下述实施例。需要说明的是，熔点测定利用熔点测定仪(BUCHI制：B-540)以20℃/分钟的升温速度进行测定，发热峰测定使用示差扫描热分析装置((株)岛津制作所制：DSC-50)进行测定。吸光光谱使用分光光度计((株)岛津制作所制：UV-1600)进行测定。记录层表面的观察利用扫描电子显微镜(SEM)((株)日立高科技制：S-4500)以及扫描探针显微镜(AFM)(DIGITAL INSTRUMENT社制：NanoScope(注册商标)III)进行。另外，核磁共振光谱利用FT-NMR光谱仪(日本电子(株)制：GSX270)进行分析，质谱利用液质分析装置((株)岛津制作所制：LCMS-QP8000α)或FD-MS质谱装置(日本电子(株)制：SX-102A)进行分析。

[制造例1]

化合物A-1的合成

在170份四氢噻吩-1，1-二氧化物中，添加16.9份均苯四甲酸酐，升温至200℃。然后，加入15.7份下式(B-1)表示的化合物，在同温度下搅拌10小时。反应结束后，冷却至40℃或40℃以下，注入到850份甲苯中，过滤析出物，用甲苯洗涤，干燥，得到28.0份下式(a-1)表示的化合物(收率为91％)。接下来，将7.7份下式(a-1)表示的化合物、8.2份2-二茂铁-5-[3-(4-甲基哌嗪-1-基)丙氧基]苯胺、300份1-甲基-2-吡咯烷酮以及30份甲苯，在150℃下搅拌11小时。反应结束后，冷却至40℃或40℃以下，注入到2000份甲醇中，过滤析出物。然后，将过滤物溶解在氯仿中后，利用硅胶柱层析(洗脱剂：氯仿/甲醇＝9/1)进行纯化。用甲醇洗涤得到的固体物质，干燥，得到5.7份下式(A-1)表示的化合物(收率为37％)。

化合物(A-1)的物理性质如下所示。

·MS(m/z)：819

·变色温度＜390℃

·熔点＞400℃

·如果加热非结晶状态，则伴随发热形成结晶状态时的发热峰温度：233℃

·在氯仿溶液中，于300nm～900nm范围内的最大极大吸收波长：389.5nm

·薄膜在波长405nm处的折射率n1：1.83

·薄膜在波长405nm处的消光系数k1：0.18

[制造例2]

化合物A-2的合成

混合6.0份上述(a-1)表示的化合物、6.0份2-二茂铁-5-[2-(N-吗啉基)乙氧基]苯胺、300份1-甲基-2-吡咯烷酮以及30份甲苯，在150℃下搅拌11小时。反应结束后，冷却至40℃或40℃以下，注入到1000份甲醇中，过滤析出物。然后，将过滤物溶解在氯仿中后，利用硅胶柱层析(洗脱剂：氯仿/甲醇＝95/5)进行纯化。用甲醇洗涤得到的固体物质，干燥，得到2.6份下式(A-2)表示的化合物(收率为22％)。

化合物(A-2)的物理性质如下所示。

·MS(m/z)：792

·变色温度＜300℃

·熔点＞400℃

·如果加热非结晶状态，则伴随发热形成结晶状态时的发热峰温度：245℃

·在氯仿溶液中，于300nm～900nm范围的最大极大吸收波长：394.5nm

·薄膜在波长405nm处的折射率n1：1.80

·薄膜在波长405nm处的消光系数k1：0.20

[实施例1-1]

将0.2g本例化合物编号A-1溶解于10ml 2，2，3，3-四氟-1-丙醇，调制色素溶液。

在聚碳酸酯树脂制、具有连续导槽(轨道间距：0.6μm、槽宽：0.30μm，间距比率50％，槽深度：50nm)、外径为120mmΦ、厚度为0.6mm的圆盘状基板上，旋涂上述色素溶液，与70℃干燥3小时，在基板的导槽上形成膜厚为60nm的记录层。利用Balzers社制溅镀装置(CDI-900)在记录层上溅镀银，形成厚度为120nm的反射层。溅镀气体使用氩气。溅镀条件为：溅镀能量为3.75kW，溅镀压力为1.06Pa(8.0×10^-3Torr)。

进一步在反射层上旋涂紫外线固化型树脂“SD-1700”(大日本油墨化学工业制)，然后照射紫外线，形成厚度为5μm的保护层。再在保护层上旋涂紫外线固化型树脂DESOLITE“KZ-8681”(JSR株式会社制)后，载置与上述基板相同的聚碳酸酯树脂基板(虚设板)，照射紫外线，使基板贴合，制作光记录介质。利用该方法再制作2张相同的光记录介质，共计得到3张本实施例的光记录介质。此处，取1张制作的光记录介质，在未记录的状态下剥离虚设板、粘合层、保护层、银反射膜，露出色素层，并将其切成适当的切片，利用分光光度计测定300nm～500nm波长区域的吸光度，结果极大吸收波长＝368nm，比氯仿中的极大吸收波长小21.5nm，在405nm处的吸光度＝0.18。

另外，取1张本实施例的光记录介质进行下面的评价试验。

利用搭载了波长405nm、开口数0.65的蓝色激光头的评价仪(PULSTEC工业制：型号DDU-1000)，在CLOCK频率为33MHz、线速度为3.8m/s的条件下，使用1-7调制方式的随机信号图案数据，以4.8mW的记录激光能量，在沟(groove)中进行记录，结果形成光学变化大、形状良好的标记，并且可以高密度记录。记录后，利用同一评价仪，以0.4mW的再现能量进行再现，结果得到高信号调制度，单一轨道记录再现的抖晃以及3个连续轨道记录再现抖晃之差小于1％，几乎没有相邻轨道的信号重叠(cross light)，能够确认多轨道记录特性非常优异。取1张记录后的光记录介质，剥离虚设板、粘合层、保护层、银反射膜，露出色素层，利用电子显微镜观察该记录部位。在利用电子显微镜(SEM)观察时，未见基板变形或色素膜形成凹陷。使用AFM测定记录层在厚度方向上的变化量，结果为记录部位的记录层膜厚和未记录部位的记录层膜厚之差小于15nm，记录部位相对未记录部位的膜厚变化率小于25％。然后，用2，2，3，3-四氟-1-丙醇冲洗露出的色素层，并进行观察，确认基板上无机械变形。

再取1张本实施例的光记录介质，在整个该光记录介质上，不开启on·off调制地以4.8mW的稳定激光能量在沟(groove)和岸(land)上连续记录，然后剥离虚设板、粘合层、保护层、银反射膜，露出色素层。将其裁剪成适当的切片，利用分光光度计测定300nm～500nm波长区域的吸光度，结果极大吸收波长为393nm，向长波长侧移动(移动长度＝25nm)，进行记录再现的405nm处的吸光度增大至0.21。此处，用预先测定的沟中色素膜厚d除吸光度，求出激光照射后的消光系数α，根据α和消光系数k2的关系式(k2＝λ·α/4π)求得k2。激光照射后的n2可以根据Kramers-Kronig的关系式求出。在波长405nm处，n2＝1.77、k2＝0.22。变化量Δn(n2-n1)＝-0.06，Δk(k2-k1)＝+0.04。

[实施例1-2]

在实施例1-1中，除了使用示例化合物编号A-2的化合物代替示例化合物编号A-1的化合物以外，利用实施例1-1中所述的方法制作3张本实施例的光记录介质，并与实施例1-1相同地进行各种测定。

取1张制作的光记录介质，在未记录状态下，剥离虚设板、粘合层、保护层、银反射膜，露出色素层，并将其裁剪成适当的切片，利用分光光度计测定300nm～500nm波长区域的吸光度，结果极大吸收波长＝368nm，比氯仿中的极大吸收波长小26.5nm，405nm处的吸光度＝0.20。

另外，取1张本实施例的光记录介质，与实施例1-1相同地进行评价试验，结果形成光学变化大、形状良好的标记，并且可以高密度记录。记录后，利用同一评价仪，以0.4mW的再现能量进行再现，结果得到高信号调制度，单一轨道记录再现的抖晃以及3个连续轨道记录再现抖晃之差小于1％，几乎没有相邻轨道的信号重叠，能够确认多轨道记录特性非常优异。取1张记录后的光记录介质，剥离虚设板、粘合层、保护层、银反射膜，露出色素层，并利用电子显微镜观察该记录部位。在利用电子显微镜(SEM)观察时，未见基板变形或色素膜形成凹陷。使用AFM测定记录层在厚度方向上的变化量，结果为记录部位的记录层膜厚和未记录部位的记录层膜厚之差小于15nm，记录部位相对未记录部位的膜厚变化率小于25％。然后，用2，2，3，3-四氟-1-丙醇冲洗露出的色素层，并进行观察，确认基板上无机械变形。

再取1张本实施例的光记录介质，在整个该光记录介质上，不开启on.off调制，利用4.8mW的稳定激光能量在沟(groove)和岸(land)上连续记录，然后剥离虚设板、粘合层、保护层、银反射膜，露出色素层。将其裁剪成适当的切片，利用分光光度计测定300nm～500nm波长区域的吸光度，结果极大吸收波长为395nm，向长波长侧移动(移动长度＝27nm)，进行记录再现的405nm处的吸光度增大至0.22。与实施例1-1相同地进行计算，结果为在波长405nm处，n2＝1.75、k2＝0.22。变化量Δn(n2-n1)＝-0.05，Δk(k2-k1)＝+0.04。

[实施例1-3]

示例化合物编号A-3的化合物物理性质为：变色温度＜300℃，熔点＞400℃，如果加热非结晶状态、则伴随发热形成结晶状态时的发热峰温度：241℃，在氯仿溶液中、300nm～900nm范围内的最大极大吸收波长：397.5nm，薄膜在波长405nm处的折射率n1：1.80、消光系数k1：0.18。

在实施例1-1中，除了使用示例化合物编号A-3的化合物代替示例化合物编号A-1的化合物以外，利用实施例1-1中所述的方法制作3张本实施例的光记录介质，并进行与实施例1-1相同的各种测定。

取1张制作的光记录介质，剥离未记录的虚设板、粘合层、保护层、银反射膜，露出色素层，并将其裁剪成适当的切片，利用分光光度计测定300nm～500nm波长区域的吸光度，结果极大吸收波长＝372nm，比氯仿中的极大吸收波长小25.5nm。

另外，取1张本实施例的光记录介质，进行与实施例1-1相同的评价试验，结果形成光学变化大、形状良好的标记，并且可以高密度记录。记录后，利用同一评价仪，以0.4mW的再现能量进行再现，结果得到高信号调制度，单一轨道记录再现的抖晃以及3个连续轨道记录再现抖晃之差小于1％，几乎没有相邻轨道的信号重叠，能够确认多轨道记录特性非常优异。取1张记录后的光记录介质，剥离虚设板、粘合层、保护层、银反射膜，露出色素层，并利用电子显微镜观察该记录部位。在利用电子显微镜(SEM)观察时，未见基板变形或色素膜形成凹陷。使用AFM测定记录层在厚度方向上的变化量，结果为记录部位的记录层膜厚和未记录部位的记录层膜厚之差小于15nm，记录部位相对未记录部位的膜厚变化率小于25％。然后，用2，2，3，3-四氟-1-丙醇冲洗露出的色素层，并进行观察，确认基板上无机械变形。

再取1张本实施例的光记录介质，在整个该光记录介质上，不开启on·off调制，利用4.8mW的稳定激光能量在沟(groove)和岸(land)上连续记录，然后剥离虚设板、粘合层、保护层、银反射膜，露出色素层。将其裁剪成适当的切片，利用分光光度计测定300nm～500nm波长区域的吸光度，结果极大吸收波长为391nm，向长波长侧移动(移动长度＝19nm)，进行记录再现的405nm处的吸光度增大。与实施例1-1相同地进行计算，结果为在波长405nm处，n2＝1.76、k2＝0.22。变化量Δn(n2-n1)＝-0.04，Δk(k2-k1)＝+0.04。

[实施例1-4～1-6]

在实施例1-1中，除了使用示例化合物编号A-4～A-6的化合物代替示例化合物编号A-1的化合物以外，利用实施例1-1中所述的方法分别制作3张本实施例的光记录介质。分别取1张制作的光记录介质，在未记录的状态下，剥离虚设板、粘合层、保护层、银反射膜，露出色素层，并将其裁剪成适当的切片，利用分光光度计测定300nm～500nm波长区域的吸光度，与氯仿中的极大吸收波长比较，极大吸收波长都缩短10nm或10nm以上。

与实施例1-1相同地进行评价试验，结果形成光学变化大、形状良好的标记，并且可以高密度记录。记录后，利用同一评价仪，以0.4mW的再现能量进行再现，结果得到高信号调制度，单一轨道记录再现的抖晃以及3个连续轨道记录再现的抖晃之差小于1％，几乎没有相邻轨道的信号重叠，能够确认多轨道记录特性非常优异。

取1张各实施例中得到的记录后的光记录介质，与实施例1-1相同地利用电子显微镜观察该记录部位，在利用电子显微镜(SEM)观察时，未见基板变形或色素膜形成凹陷，而且，使用AFM测定记录层在厚度方向上的变化量，结果为记录部位的记录层膜厚和未记录部位的记录层膜厚之差小于15nm，记录部位相对未记录部位的膜厚变化率小于25％。然后，用2，2，3，3-四氟-1-丙醇冲洗露出的色素层，并进行观察，确认基板上无机械变形。

再使用1张各本实施例得到的光记录介质，在整个该光记录介质上，不开启on·off调制，利用4.8mW的稳定激光能量在沟(groove)和岸(land)上连续记录，然后剥离虚设板、粘合层、保护层、银反射膜，露出色素层。将其裁剪成适当的切片，利用分光光度计测定300nm～500nm波长区域的吸光度，极大吸收波长都向长波侧移动10nm或10nm以上。

[实施例2-1]

化合物B-1的合成

在260份N，N-二甲基甲酰胺中，加入10.0份下式(b-1)表示的化合物、和48.6份碘甲烷，同时加入19.7份碳酸钾，室温下搅拌2小时。反应结束后，注入到1500份水中，过滤析出物，经水洗、干燥，得到3.50份下式(B-1)表示的化合物(收率为30％)。

·MS(m/z)：203

·¹H-NMR(DMSO-d₆，δ(ppm))：11.91(1H，s，NH)，7.43(1H，d，J＝8.91，7-H)，7.27(1H，dd，J＝2.97，8.91，8-H)，7.15(1H，d，J＝2.97，5-H)，2.97(6H，s，(CH₃)₂N-)，2.27(3H，s，-CH₃)

[实施例2-2]

化合物B-2的合成

在250份N，N-二甲基甲酰胺中，加入9.90份实施例2-1中使用的以通式(b-1)表示的化合物、和52.8份碘乙烷，同时加入19.5份碳酸钾，室温下搅拌12小时。反应结束后，注入到1250份水中，过滤析出物，经水洗、干燥，得到4.70份下式(B-2)表示的化合物(收率为36％)。

·MS(m/z)：231

·¹H-NMR(DMSO-d₆，δ(ppm))：11.88(1H，s，NH)，7.40(1H，d，J＝8.91，7-H)，7.20(1H，dd，J＝2.97，9.04，8-H)，7.10(1H，d，J＝3.24，5-H)，3.39(4H，q，CH₂)，2.26(3H，s，2-CH₃)，1.11(6H，t，CH₃)

如实施例1-1～1-6所述，本发明的光记录介质在蓝色激光波长区域可以利用较低记录能量进行记录再现，且多轨道记录特性优异。而且，调制度高、能得到良好的信号。

由此可知，含有本发明定义的结构的化合物的记录层可利用选自波长300nm～900nm的激光进行信号记录，本发明的光记录介质可以用作利用选自波长300nm～900nm的激光进行记录再现的光记录介质。

产业上的可利用性

根据本发明，在记录层(A)中使用本发明的有机化合物(B)，从而能提供一种作为高密度光记录介质备受关注的信息记录容量大、而且实用的光记录介质，该光记录介质以较低激光能量即可利用波长300nm～900nm的激光、进而为波长390nm～430nm的激光、特别是波长400nm～410nm的蓝紫色激光在该介质整体上进行良好的记录。

Claims (22)

1、一种光记录介质，该光记录介质具有至少一层能利用激光进行记录再现的记录层(A)，并且该记录层(A)中含有至少一种有机化合物，其特征在于，该记录层(A)中利用激光记录的记录部位的记录层膜厚(a²)相对该记录层(A)的未记录部位的记录层膜厚(a¹)的变化率(|[a²-a¹]/a¹|×100)小于25％，并且，该记录层(A)中利用激光记录的记录部位的记录层膜厚(a²)相对该记录层(A)的未记录部位的记录层膜厚(a¹)的变化量(|a²-a¹|)小于15nm。

2、如权利要求1所述的光记录介质，其中所述记录层(A)可以利用涂布法形成。

3、如权利要求2所述的光记录介质，其中有机化合物是具有由4个碳原子和2个氮原子构成的六元环结构并且键合取代或无取代氨基形成的有机化合物(B)。

4、如权利要求1～3任一项所述的光记录介质，其特征在于，记录激光能量小于或等于6mW。

5、如权利要求3所述的光记录介质，其中有机化合物(B)是作为可互变结构之一的通式(0)表示的化合物，

式中，环A⁰表示取代或无取代的碳环式芳香族环或取代或无取代的杂环式芳香族环，R^A和R^B表示氢原子或取代基，X⁰表示2价取代基，Y⁰表示取代或无取代的氨基，m⁰表示Y⁰的个数。

6、如权利要求5所述的光记录介质，其中有机化合物(B)是作为可互变结构之一的通式(1)表示的化合物，

式中，环A和环B表示取代或无取代的碳环式芳香族环或取代或无取代的杂环式芳香族环，R表示氢原子或取代基，X表示2价取代基，Y表示取代或无取代的氨基，m表示Y的个数。

7、如权利要求6所述的光记录介质，其中有机化合物(B)是作为可互变结构之一的通式(2)表示的化合物，

式中，环C表示取代或无取代的碳环式芳香族环或取代或无取代的杂环式芳香族环，X’表示2价取代基，R⁰～R⁶分别独立，表示氢原子或取代基，m’表示R⁵的个数，n’表示R⁶的个数；其中，选自R¹～R⁴的至少1个或1个以上基团为取代或无取代氨基，在R¹～R⁴的组合以及R⁵～R⁶的组合中，各组合内的各取代基可以分别独立地通过连接基团键合，与取代位置的原子一起形成环结构，m’和n’分别表示0、1或1以上的整数。

8、如权利要求7所述的光记录介质，其中有机化合物(B)是作为可互变结构之一的通式(3)表示的化合物，

式中，环D表示取代或无取代的碳环式芳香族环或取代或无取代的杂环式芳香族环，X”表示2价取代基，R⁷～R¹²分别独立，表示氢原子或取代基；其中，选自R⁸～R¹¹的至少1个或1个以上基团为取代或无取代氨基，R⁸～R¹¹可以分别独立地通过连接基团键合，与取代位置的碳原子一起形成环结构。

9、如权利要求8所述的光记录介质，其中有机化合物(B)是作为可互变结构之一的通式(4)表示的化合物，

式中，R¹³～R²⁵分别独立，表示氢原子或取代基，在R¹⁴～R¹⁸的组合以及R²¹～R²⁵的组合中，各组合内的各取代基可以分别独立地通过连接基团键合，与取代位置的碳原子和/或氮原子一起形成环结构。

10、如权利要求9所述的光记录介质，其中有机化合物(B)是作为可互变结构之一的通式(5)表示的化合物，

式中，R²⁶～R³⁵分别独立，表示氢原子或取代基，在R²⁶～R³⁰的组合以及R³¹～R³⁵的组合中，各组合内的各取代基可以分别独立地通过连接基团键合，与取代位置的碳原子和/或氮原子一起形成环结构。

11、如权利要求10所述的光记录介质，其中，R³¹～R³⁵中的至少1个基团是具有杂环残基的取代烷氧基，该杂环残基含有至少1个杂原子。

12、如权利要求10所述的光记录介质，其中，构成以R²⁶～R³⁵表示的取代基的原子是选自碳原子、氢原子、氮原子、硫原子、氧原子的原子。

13、如权利要求1所述的光记录介质，其特征在于，在所述记录层(A)中，含有至少1种吸收该激光且具有受热变色温度的有机化合物。

14、如权利要求1所述的光记录介质，其特征在于，在所述记录层(A)中，含有至少1种有机化合物，该有机化合物吸收该激光，并且如果加热非晶质状态，则会伴随着发热而形成结晶状态。

15、如权利要求1所述的光记录介质，其中，在所述记录层(A)中，含有至少1种有机化合物，该有机化合物通过被照射记录激光，可赋予记录后的该记录层(A)不同于该记录层(A)记录前的极大吸收波长(λmax¹)的极大吸收波长(λmax²)。

16、如权利要求1所述的光记录介质，其中，在所述记录层(A)中，含有至少1种有机化合物，该有机化合物通过被照射记录再现波长为λ0的记录激光，可在记录后赋予不同于该记录层(A)记录前的λ0处的折射率n1及消光系数k1的折射率n2以及消光系数k2。

17、如权利要求1所述的光记录介质，其特征在于，有机化合物溶液状态下的吸光度的极大波长在记录层成为薄膜状态时，向短波长侧移动。

18、以通式(5)表示的化合物。

19、以通式(6)表示的喹唑啉-4-酮化合物，其中，喹唑啉-4-酮环的5～8位中的任一个位置具有二取代氨基，

式中，R³⁶～R⁴¹分别独立，表示氢原子或取代基。

20、以通式(6)表示的喹唑啉-4-酮化合物的制备方法，其特征在于，利用下述通式(7)表示的化合物以及通式(8)和/或通式(9)表示的化合物进行反应，

       R³⁷-Z¹           (8)

       R³⁸-Z²           (9)

式中，R³⁶～R⁴¹表示与式(6)中的R³⁶～R⁴¹相同的基团，Z¹、Z²表示离去基团。

21、一种组合物，该组合物含有至少1种通式(5)表示的化合物。

22、一种光记录介质，该光记录介质在基板上具有可利用激光记录再现的记录层(A)，并且，该记录层(A)中含有至少一种有机化合物，其特征在于，所述光记录介质能利用对该记录层(A)照射小于或等于6mW的记录激光产生的热和/或激光，在不使该基板发生机械变形的情况下进行记录。

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