CN1860600A - 监视材料处理系统的方法和设备 - Google Patents
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Abstract
本发明提出一种监视材料处理系统的改进设备和方法，其中该材料处理系统包括一个处理工具、若干和该处理工具耦接的用于产生并发送状态数据的RF敏感状态传感器，以及一个配置成从该多个RF敏感状态传感器接收状态数据的传感器接口组件(SIA)。
Description
相关申请的相互引用
本申请和以下共同未决申请相关：同一日期申请的标题为“监视材料处理系统的方法和设备”的10/＿申请，代理机构案卷号231748US6YA；同一日期申请的标题为“监视材料处理系统的方法和设备”的10/＿申请，代理机构案卷号231750US6YA；同一日期申请的标题为“监视材料处理系统中的零件的方法和设备”的10/＿申请，代理机构案卷号231227US6YA；以及，同一日期申请标题为“监视材料处理系统中的等离子体的方法和设备”的10＿申请，代理机构案卷号231228US6YA。这些每份申请的整个内容收录作为参考。
技术领域
本发明涉及监视处理系统中的处理，并且尤其涉及利用带有集成传输部件的监视部件来监视处理。
背景技术
半导体工业中的集成电路(IC)的制造典型地在等离子体反应器内利用等离子体形成并帮助为从基片上去掉材料并在基片上沉积材料所需要的表面化学。通常，在真空条件下通过把电子加热到足以保持与供给的处理气体的电离碰撞的能量上在等离子体反应器中形成等离子体。另外，加热的电子可以具有足以保持离解碰撞的能量，并且选择预定条件(例如，室压，气体流率等)下的特定气体组从而产生适于在室内完成特定处理(例如，从基片上去掉材料的蚀刻处理或对基片添加材料的沉积处理)的充电物质和化学反应物质。
例如，在蚀刻处理期间在判定等离子体处理系统的状态以及判定正在产生的器件的品质时监视等离子体处理系统会是非常重要的。可以利用附加过程数据防止系统状态以及正在产生的产品的，状态的错误后果。例如，连续使用等离子体处理系统可导致等离子体加工性能的逐步退化并且最终导致系统完全失效。附加处理相关数据以及工具相关数据会改进材料处理系统的管理以及所生产的产品的品质。
发明内容
本发明提供一种用来监视处理系统中的处理的设备和方法，尤其涉及一种具有集成的传输部件的处理监视部件，以及一种利用具有集成的传输部件的处理监视部件来监视处理系统中的处理的方法。
本发明还提供一种用于监视材料处理系统中的等离子体处理的设备和方法，并且尤其涉及一种具有集成的传输部件的等离子体监视部件，以及一种利用具有集成的传输部件的等离子体监视部件来监视材料处理系统中的等离子体过程的方法。
本发明还提供用来监视材料处理系统中的处理的装置，其包括至少一个和至少一个传感器接口组件(SIA)耦合的RF敏感传感器。
附图说明
从下面连带附图对本发明的示范实施例的详细说明本发明的这些以及其它优点会变得更清楚和更容易理解，附图中：
图1示出依据本发明的一实施例的材料处理系统的简化方块图；
图2示出依据本发明的一实施例的RF敏感状态传感器和传感器接口组件(SIA)的简化方块图；
图3a-3c示出依据本发明的实施例的RF敏感状态传感器的简化方块图；
图4a-4c示出依据本发明的补充实施例的RF敏感状态传感器的简化方块图；
图5a-5c示出依据本发明的补充实施例的RF敏感状态传感器的简化方块图；
图6a-6c示出依据本发明的实施例的传感器接口组件的简化方块图；
图7a-7c示出依据本发明的补充实施例的传感器接口组件的简化方块图；
图8a-8c示出依据本发明的补充实施例的传感器接口组件的简化方块图；以及
图9示出依据本发明的一实施例的监视材料处理系统的方法。
具体实施方式
本发明提供一种改进的材料处理系统，其包括一个可具有一个或多个处理室的处理工具。此外，该处理系统可包括多个和该处理工具耦合的RF敏感状态传感器，以便生成和传送状态数据，并且包括至少一个SIA，其配置成从该多个RF敏感状态传感器中的至少一个接收状态数据。
图1示出一种依据本发明一实施例的材料处理系统的简化方块图。例如，材料处理系统100可包括一个蚀刻系统，例如等离子体蚀刻器。替代地，材料处理系统100可包括光致抗蚀涂覆系统例如光致抗蚀旋涂系统，和/或材料处理系统100可包括光致图案形成系统例如版印系统。在另一实施例中，材料处理系统100可包括介质涂敷系统例如玻璃上涂敷(SOG)或介质上涂敷(SOD)系统。在另一实施例中，材料处理系统100可包括一个沉积腔例如化学汽相沉积(CVD)系统、物理汽相沉积(PVD)系统、原子层沉积(ALD)系统和/或它们的组合。在一个补充实施例中，材料处理系统100可包括热处理系统例如快速热处理(RTP)系统。在另一实施例中，材料处理系统100可包括批扩散煅烧或其它半导体处理系统。
在该示出的实施例中，材料处理系统100包括处理室110、上组件120、支持基片135的基片保持器130、泵激系统160以及控制器170。泵激系统160例如可以在处理室110中提供受控压力。处理室110例如可以便于在邻近基片135的处理空间115中形成处理气体。材料处理系统100可配置成处理200mm的基片、300mm的基片或者更大的基片。替代地，可以通过在一个或多个处理室中生成等离子体来操作材料处理系统。
例如可以通过自动基片传送系统经槽阀(未示出)和室通路装置(未示出)把基片135传入和传出处理室110，其中可以通过安装在基片保持器130内的基片提升销(未示出)接收基片并且由基本保持器中安装的部件机械地移动。一旦从基片传送系统接收基片135，可以把基片降低到基片保持器130的上表面上。
例如可以通过静电夹紧系统把基片135固定到基片保持器130上。此外，基片保持器130还可以包括冷却系统，后者包括接收来自基片保持器130的热的并且把热传送到热交换系统(未示出)或者当加热时从该热交换系统传送热的再循环冷却剂流。另外，例如可以通过背面气体系统向基片135的背面传送气体以改善基片135和基片保持器135之间的气隙热传导。当温度升高或降低需要对基片控制温度时，可以采用这样的系统。在其它实施例中可以包括加热元件，例如电阻加热元件或热电加热器/冷却器。
在一替代实施例中，基片保持器130可以例如还包括一个垂直移动部件(未示出)，其由和基片保持器130及处理室110耦接的膜盒(bellows)包围，该膜盒配置成对处理室110中的降压环境密封该垂直移动部件。另外，一个膜盒罩(未示出)例如可和基片保持器130耦接并配置成保护该膜盒。基片保持器130例如还可以带有聚焦环(未示出)、屏蔽环(未示出)和挡板(未示出)。
在该示出的图1实施例中，基片保持器130可以包括一个可通过其使RF能与处理空间115中的处理气体耦合的电极(未示出)。例如，通过从RF系统150传输RF能可以电气上把基片保持器配130偏置在一RF电压。在一些情况下，可以利用RF偏置加热电子以形成和保持等离子体。RF偏置的典型频率是从1兆赫到100兆赫。例如，业内人士周知采用13.56兆赫用于等离子体处理的半导体处理系统。
如图1中所示，上组件120和处理室110耦接并被配置成完成下述功能中的至少一个功能：提供气体注入系统，提供容性耦合等离子体(CCP)源，提供感性耦合等离子体(ICP)源，提供变压器耦合等离子体(TCP)源，提供微波供能等离子体源，提供电子回旋加速器谐振(ECR)等离子体源，提供螺旋波等离子体源以及提供表面波等离子体源。
例如，上组件120可包括电极、绝缘环、天线、传输线和/或其它RF构件(未示出)。此外，上组件120可包括永久磁铁、电磁铁和/或其它磁体系统构件(未示出)。而且，上组件120可包括供给管路、注入部件和/或其它供气系统构件(未示出)。另外，上组件100可包括机架、盖、密封部件和/或其它机械部件(未示出)。
在一替代实施例中，处理室110例如还可以包括用来保护处理室110免受处理空间115中的处理等离子体的室套筒(未示出)或处理管(未示出)。另外，处理室110可包括一个监视端口(未示出)。监视端口例如可以允许光学地监视处理空间115。
材料处理系统100也包括至少一个具有集成传输装置的测量部件，如在所示出的实施例中，可利用至少一个RF敏感状态传感器190来产生和传输诸如状态数据的数据。例如，处理室110可包括至少一个RF敏感状态传感器190，和/或上组件120可包括至少一个RF敏感状态传感器190，和/或基本保持器可包括至少一个RF敏感状态传感器190。
材料处理系统100还可以包括至少一个带有集成的接收装置的接口部件。如图1中所示，可以利用传感器接口组件(SIA)180与至少一个RF敏感状态传感器190通信。例如，SIA180可接收状态数据。
在一实施例中，RF敏感状态传感器190可包括一个状态传感器(未示出)和一个集成的发送器(未示出)，而SIA180可包括一个集成接收器(未示出)。RF敏感状态传感器190可利用该发送器发送数据，而SIA 180可利用该接收器接收该发送的数据。这些RF敏感状态传感器190可以利用相同的或不同的频率操作，而SIA180可以利用一个或多个频率操作。
材料处理系统100还可以包括一个控制器170。控制器170可以和室110、上组件120、基片保持器RF130、RF系统150、泵激系统160以及SIA180耦接。该控制器可配置成向SIA提供控制数据和从SIA接收状态数据。例如，控制器170可包括微处理器、存储器(例如，易失性和/或非易失性存储器)以及数字I/O端口，该端口能产生足以通信、激励至处理系统100的输入以及监视来自处理系统100的输出的控制电压。另外，控制器170可以和室110、上组件120、基片保持器130、RF系统150、泵激系统160以及SIA180交换信息。另外，可以利用该存储器中存储的程序，根据处理方法控制材料处理系统100的上述构件。另外，控制器170可配置成分析状态数据、把状态数据和目标状态数据比较，以及利用该比较改变处理和/或控制处理工具。此外，该控制器可配置成分析状态数据、把状态数据和历史状态数据比较并且利用该比较预测、防止和/或宣布故障。
图2示出依据本发明的一实施例的RF敏感状态传感器和SIA的简化方块图。在该示出的实施例中，SIA180包括SIA接收器181和SIA发送器182，以及RF敏感状态传感器190包括状态传感器191和RF敏感发送器192。
SIA180可以利用通信链路195和RF敏感状态传感器190耦合。例如，RF敏感状态传感器190和SIA180可以利用范围从0.01兆赫至110.0兆赫的一个或多个RF频率操作。替代地，通信链路195可包括光学装置。
SIA接收器181可配置成接收来自一个或多个RF敏感状态传感器的信号。例如，SIA接收器181可配置成接收来自至少一个RF敏感状态传感器的响应信号，并且该响应信号可包括数据，其可包括状态数据。
另外，SIA发送器182可配置成向一个或更多的RF敏感状态传感器发送信号。例如，SIA发送器182可配置成向至少一个RF敏感状态传感器发送输入信号，并且该输入信号可包括数据，其可包括控制数据。
状态传感器191可配置成提供一个或多个与构件关联的性质。状态传感器191可配置成生成状态数据并把状态数据提供给RF敏感发送器192。状态数据可以包括沉积数据和腐蚀数据中的至少一个。例如，一些系统构件可以在系统操作期间使材料沉积在它们之上，并且可以把状态传感器191配置成产生可包括膜厚度数据、膜均匀性数据以及膜组成数据中的至少一个的沉积数据。在其他实施例中，状态传感器191可配置成生成腐蚀数据。腐蚀数据可包括零件磨损或腐蚀的信息。此外，在系统操作期间一些系统构件可被腐蚀，从而RF敏感状态传感器可用于监视腐蚀量并且提供诸如构件厚度数据、腐蚀深度数据以及构件均匀性数据的数据。状态数据可以包括用来控制处理、处理室和/或处理工具的测量数据和/或处理后的数据。
在各实施例中，状态传感器191可包括光学传感器、微机电(MEM)传感器、表面声波(SAW)传感器以及体声波(BAW)传感器中的至少之一。例如，光学传感器可以是一个和某系统构件耦合的窄带或宽带部件，并且可配置成利用一个或多个光信号生成状态数据。MEM传感器可以和一系统构件耦合并且可配置成利用一个或多个MEM谐振器生成状态数据。SAW传感器可以和一系统构件耦合并且可配置成利用一个或多个SAW谐振器生成状态数据。BAW传感器可以和一系统构件耦合并且可配置成利用一个或多个BAW谐振器生成状态数据。另外，这些传感器可以测量、存储(例如在易失性或非易失性存储器中)和/或处理状态数据。这些传感器可生成沉积和/或腐蚀数据。
备选地，状态传感器191还可以包括电源、接收器、发送器、控制器、时钟、存储器(例如易失性和/或非易失性存储器)和外壳中的至少一个。
状态传感器191可配置成生成用于长期或者短期的状态数据。例如，状态传感器可以包括连续运行计时器和触发式计时器中的至少一个，并且可以通过和处理有关的事件或者和处理无关的事件来触发该触发式计时器。状态传感器可以把RF能转换成DC信号并利用该DC信号操作传感器。在此方式下，可以生成和处理有关的事件，例如RF小时数据。
RF敏感发送器192可以配置成向至少一个SIA180发送信号。例如，可把RF敏感发送器192配置成发送响应信号，并且该响应信号可包括数据，其可包括状态数据和/或腐蚀数据。而且，该发送器可用于处理和发送窄带和宽带信号，包括AM信号、FM信号和/或PM信号。另外，该发送器还可处理和发送编码信号和/或扩谱信号以提高它在高干扰环境中(例如半导体加工设施中)的性能。
在各实施例中，RF敏感发送器192可包括电源、信号源、调制器、编码器、放大器、天线、存储器(例如，易失性和/或非易失性存储器)、外壳和控制器中的至少之一。在一种情况中，RF敏感发送器192可包括一个天线(未示出)，当设置在RF场中该天线充当反向散射部件。
在替代实施例中，RF敏感状态传感器190还可以包括电源、信号源、接收器、天线、存储器(例如，易失性和/或非易失性存储器)、计时器、外壳和控制器中至少之一。而且，RF敏感状态传感器190还可以包括例如在以下共同未决申请中说明的传感器：同一日期申请的标题为“监视材料处理系统的方法和设备”的10/＿申请，代理机构案卷号231748US6YA；同一日期申请标题为“监视材料处理系统的方法和设备”的10/＿申请，代理机构案卷号231750US6YA；同一日期申请标题为“监视材料处理系统中的零件的方法和设备”的10/＿申请，代理机构案卷号231227US6YA；以及，同一日期申请标题为“监视材料处理系统中的等离子体的方法和设备”的10/＿申请，代理机构案卷号231228US6YA；所有这些申请收录在此作为参考。
图3a-3c示出依据本发明的，实施例的RF敏感状态传感器的简化方块图。在示出的实施例中，RF敏感状态传感器190包括状态传感器191、RF敏感发送器192和电源194。
如图3a中所示，电源194可和RF敏感发送器192耦接。替代地，电源194可包含在RF敏感发送器192中。如图3b中所示，电源194可和状态传感器191耦接。替代地，电源194可包含在状态传感器191中。如图3c中所示，电源194可和状态传感器191以及RF敏感发送器192耦接。替代地，电源194可包含在状态传感器191内和RF敏感发送器192内。
电源194可以包括RF至DC转换器、DC至DC转换器和电池中的至少之一。RF至DC转换器例如可以包括天线、二级管和滤波器中的至少之一。在一情况中，RF至DC转换器可以把至少一个和处理相关的频率转换成DC信号。在另一情况中，RF至DC转换器可以把至少一个和处理无关的频率转换成DC信号。例如，可以对该转换器提供外部信号。备选地，RF至DC转换器可以把至少一个和等离子体相关的频率转换成DC信号。
图4a-4c示出依据本发明的补充实施例的RF敏感状态传感器的简化方块图。在这些示出的实施例中，RF敏感状态传感器190包括状态传感器191、RF敏感发送器192和接收器196。
如图4a中所示，接收器196可以和RF敏感发送器192耦接。替代地，接收器196可包含在RF敏感发送器192之内。如图4b中所示，接收器196可以和状态传感器191耦接。替代地，接收器196可包含在状态传感器191之内。如图4c中所示，接收器196可以和状态传感器191以及RF敏感发送器192耦接。替代地，接收器196可包含在状态传感器191之内和RF敏感发送器192之内。
接收器196可包括电源、信号源、天线、下变频器、解调器、译码器、控制器、存储器(例如易失性和/或非易失性存储器)和转换器中至少之一。例如，该接收器可用来接收和处理窄带和宽带信号，包括AM信号、FM信号和/或PM信号。另外，该接收器还可以接收和处理编码信号和/或扩频信号，以提高高干扰环境例如半导体加工设施内的性能。
图5a-5c示出依据本发明的补充实施例的RF敏感状态传感器的简化方块图。在这些示出的实施例中，RF敏感状态传感器190包括状态传感器191、RF敏感发送器192和控制器198。
如图5a中所示，控制器198可以和RF敏感发送器192耦接。替代地，控制器198可包含在RF敏感发送器192之内。如图5b中所示，控制器198可以和状态传感器191耦接。替代地，控制器198可包含在状态传感器191之内。如图5c中所示，控制器198可以和状态传感器191和RF敏感发送器192耦接。替代地，控制器198可包含在状态传感器191之内和RF敏感发送器192之内。
控制器198可包括微处理器、微控制器、计时器、数字信号处理器(DSP)、存储器(例如易失性和/或非易失性存储器)、A/D转换器和D/A转换器中至少之一。例如，该控制器可用于处理从AM信号、FM信号和/或PM信号接收的数据并且可用于处理要在AM信号、FM信号和/或PM信号上发送的数据。另外，控制器198还可用于处理编码信号和/或扩频信号。另外，控制器198还可以用于存储信息，例如测量数据、指令码、传感器信息和/或零件信息，它们可包括传感器标识和零件标识数据。例如，输入信号数据可被提供给控制器198。
图6a-6c示出依据本发明的实施例的SIA的简化方块图。在这些示出的实施例中，SIA180包括SIA接收器181、SIA发送器182和电源184。
SIA发送器182可配置成向至少一个RF敏感状态传感器发送输入信号，并且该至少一个RF敏感状态传感器可以利用该输入信号控制它的操作。例如，RF敏感状态传感器可以利用输入信号信息确定何时生成状态数据和/或何时发送响应信号。
SIA发送器182可以包括电源、信号源、天线、上变频器、放大器、调制器、编码器、计时器、控制器、存储器(例如，易失性和/或非易失性存储器)、D/A转换器和A/D转换器中至少之一。例如，该发送器可用于处理和发送窄带和宽带信号，包括AM信号、FM信号和/或PM信号。另外，SIA发送器182可配置成处理和发送编码信号和/或扩频信号以提高在高干扰环境例如半导体加工设施中的性能。
SIA接收器181可配置成接收来自至少一个RF敏感状态传感器的响应信号，并且该响应信号可包括状态数据。
SIA接收器181可包括电源、信号源，天线，下变频器、解调器、译码器、计时器，控制器、存储器(例如，易失性和/或非易失性存储器)、D/A转换器和A/D转换器中至少之一。例如，SIA接收器可用于接收和处理窄带和宽带信号，包括AM信号、FM信号和/或PM信号。另外，SIA接收器181还可配置成接收和处理编码信号和/或扩频信号以提高在高干扰环境例如半导体加工设施中的性能。
如图6a中所示，电源184可和SIA发送器182耦接。替代地，电源184可包含在SIA发送器182之内。如图6b中所示，电源184可以和SIA接收器181耦接。替代地，电源184可包含在SIA接收器182之内。如图6c中所示，电源184可以和SIA接收器181以及SIA发送器182耦接。替代地，电源184可以包含在SIA接收器181以及SIA发送器182之内。
电源184可以包括RF至DC转换器，DC至DC转换器、电池、滤波器、计时器、存储器(例如，易失性和/或非易失性存储器)和控制器中至少一个。另外，电池可以对处理室是外部的并且可以利用一条或更多的电缆和SIA连接。
图7a-7c示出依据本发明的补充实施例的传感器接口组件的简化方块图。在这些示出的实施例中，SIA180包括SIA接收器181、SIA发送器182和控制器186。
如图7a中所示，控制器186可以和SIA接收器181耦接。替代地，控制器186可包含在SIA接收器181之内。如图7b中所示，控制器186可以和SIA发送器182耦接。替代地，控制器186可包含在SIA发送器182之内。如图7c中所示，控制器186可以和SIA接收器181和SIA发送器182耦接。替代地，控制器186可包含在SIA接收器181之内和SIA发送器182之内。
控制器186可包括微处理器、微控制器、数字信号处理器(DSP)、存储器(例如，易失性和/或非易失性存储器)、A/D转换器和D/A转换器中至少之一。该控制器例如可用于处理从响应信号接收的数据并且可以用于处理要在输入信号上传送的数据。控制器186还可以用于存储信息，例如测量数据、指令码、传感器信息和/或零件信息，它们可包括传感器标识和零件标识数据。
图8a-8c示出依据本发明的补充实施例的传感器接口组件的简化方块图。在这些示出的实施例中，SIA180包括SIA接收器181、SIA发送器182和接口188。
如图8a中所示，接口188可以和SIA接收器181耦接。替代地，接口188可包含在SIA接收器181之内。如图8b中所示，接口188可以和SIA发送器182耦接。替代地，接口188可包含在SIA发送器182之内。如图8c中所示，接口188可以和SIA接收器181和SIA发送器182耦接。替代地，接口188可包含在SIA接收器181之内和SIA发送器182之内。
接口188可包括电源、信号源、接收器、发送器、控制器、处理器、存储器(例如，易失性和/或非易失性存储器)、计时器和转换器中的至少之一。该接口例如可用于处理从系统级构件例如控制器170(图1)接收的数据以及对其发送的数据。
业内人士会意识到可以把接收器和发送器组合在一个收发器中。
图9示出一种依据本发明的一实施例的监视材料处理系统的方法。过程900在910开始。
在920中，设置至少一个RF敏感状态传感器。可以在材料处理系统中的许多不同位置处设置RF敏感状态传感器。例如，RF敏感状态传感器可以和处理室构件、上组件构件和基片保持器构件耦合。另外，当在材料处理系统中使用室管路(处理管)时，RF敏感状态传感器可和该管路耦合。另外，RF敏感状态传感器可以和传送系统构件、RF系统构件、供气系统构件和/或排气系统构件(当在材料处理系统中使用这些构件中的一个或多个时)耦合。
RF敏感状态传感器可包括一个和状态传感器耦接的RF敏感发送器。在各实施例中，状态传感器可包括天线、电压探头、电流探头、电压/电流(V/I)探头、场探头、兰米尔(Langmuir)探针、存储器(例如，易失性和/或非易失性存储器)、处理器、计时器和外壳中的至少之一。例如，可以利用天线和/或探头测量处理室内和/或处理室外的电信号。探头可以和各构件耦接从而用来向处理室和/或处理工具提供RF信号。
状态传感器还可配置成生成数据例如状态数据，并把该数据提供到RF敏感发送器。另外，状态传感器可以包括处理器、存储器(例如，易失性和/或非易失性存储器)、计时器和电源中至少之一，并且状态传感器利用内部控制过程生成、存储和/或处理数据(例如状态数据)，并且接着把数据提供到RF敏感发送器。状态传感器可以利用和处理相关的和/或和处理无关的信号判定何时操作。替代地，状态传感器还可以包括接收器、发送器以及外壳中至少之一。
在各实施例中，RF敏感发送器包括一个发送器和一个天线。例如，该发送器可配置成用数据例如状态数据调制和/或编码输入信号，并且该天线可配置成发送该输入信号。
在别的情况下，RF敏感发送器可包括一个调制器和一个天线，并且该调制器可配制成用状态数据调制输入信号，而该天线可配置成发送该调制的信号。备选地，RF敏感发送器可包括一个天线和一个反向散射调制器。
在930，设置传感器接口组件(SIA)。可以在材料处理系统中的若干不同位置上设置SIA。例如，SIA可以和处理室、上组件和基片保持器耦合。在其它实施例中，如果可以建立和RF敏感状态传感器的通信链路，可以在处理室外安装SIA。备选地，SIA可以和监视端口或其它输入端口耦接。
SIA可以包括一个配置成接收来自至少一个RF敏感状态传感器的响应信号，并且该响应信号可以包括数据例如状态数据。例如，RF敏感状态传感器可配置成利用与处理相关和/或与处理无关的内部控制过程来生成并传送响应信号。
另外，SIA可以包括一个配置成向至少一个RF敏感状态传感器发送输入信号的发送器，并且该输入信号可包括用于该至少一个RF敏感状态传感器的操作数据。例如，RF敏感状态传感器可配置成当它接收来自SIA的输入信号时生成并发送响应信号。
在别的情况中，SIA可包括一个和SIA发送器以及SIA接收器连接的电源。在其它实施例中，SIA可包括一个可以和SIA发送器和SIA接收器耦接的控制器。
在940中，可以利用带有状态传感器和RF敏感发送器的RF敏感状态传感器来生成数据，例如状态数据。状态传感器可以在处理之前、期间和之后生成状态数据。例如，RF敏感状态传感器可以为处理室构件、上组件构件和基片保持器构件生成状态数据。另外，当在材料处理系统中使用室管路(处理管)时，RF敏感状态传感器可以为该管中路生成状态数据。此外，RF敏感状态传感器可以为传送系统构件、RF系统构件、供气系统构件和/或排气系统构件生成状态数据。
RF敏感状态传感器可配置成提供一个或多个与构件相关的特性。例如，状态传感器可配置成生成可包括沉积数据和腐蚀数据中至少之一的状态数据。沉积数据例如可包括膜厚度数据、膜均匀性数据和膜成分数据中的至少之一。腐蚀数据可包括构件厚度数据、腐蚀深度数据和构件均匀性数据中至少之一。状态数据可以包括可用来控制处理、处理室和/或处理工具的测量数据和/或处理数据。还可以在安装、操作和/或维护过程中使用状态数据。状态数据可以包括处理之前、期间和/或之后进行的测量。替代地，状态数据可包括等离子体处理之前、期间和/或之后进行的测量。
在一个或更多的实施例中，RF敏感状态传感器可包括电源，并且该电源可配置成利用和处理相关的频率促使该RF敏感状态传感器生成状态数据。例如，该电源可以把提供到处理室的一些RF能转换成DC信号，并且利用该DC信号操作RF敏感状态传感器中的状态传感器。替代地，RF敏感状态传感器可包括和状态传感器耦接的电池，并且可利用DC信号使状态传感器开始生成状态数据。
在其它实施例中，RF敏感状态传感器可以包括一个电源，并且该电源可配置成利用和等离子体无关的频率使该RF敏感状态传感器生成状态数据。例如，该电源可以把由输入信号提供的部分RF能转换成DC信号，并利用该DC信号操作RF敏感状态传感器中的状态传感器。替代地，RF敏感状态传感器可包括和状态传感器耦接的电池，并且该输入信号可用于使该状态传感器开始生成状态数据。
在补充实施例中，可以在等离子体处理系统中使用RF敏感状态传感器，并且它可配置成利用和等离子体相关和无关的频率生成数据，例如状态数据。
在950，至少一个RF敏感状态传感器利用它的RF敏感发送器发送状态数据。例如，RF敏感发送器可以发送包含诸如状态数据的数据的响应信号。在一替代实施例中，一个RF敏感发送器可以和多于一个的状态传感器耦接，并且一个RF敏感发送器可以和一个或多个附加传感器耦接。
可以在材料处理系统的若干不同位置上设置RF敏感状态传感器，并且它们可配置成在该材料处理系统进行等离子体处理之前、期间和/或之后发送状态数据。例如，RF敏感状态传感器可以和室构件、上组件构件和基片保持器构件中至少之一耦合，并且可以从系统中的不同位置处发送状态数据。另外，当在材料处理系统中使用室管路(处理管)时，RF敏感状态处理器可从该管路发送状态数据。此外，RF敏感状态传感器可以从传送系统构件、RF系统构件、供气系统构件和/或排气系统构件发送状态数据。
在一些实施例中，RF敏感状态传感器可以包括一个电源，并且该电源可以配置成利用和等离子体相关的频率使该RF敏感状态传感器发送状态数据。例如，该电源可以把提供给处理室的一部分RF能转换成DC信号，并用该DC信号操作该RF敏感状态传感器中的发送器。而且，RF敏感状态传感器可包括和发送器耦接的电池，并可以利用和处理相关的信号使RF敏感发送器开始发送数据。
在其它实施例中，RF敏感状态传感器可以包括一个电源，并且该电源可配置成利用和处理无关的频率使该RF敏感状态传感器发送状态数据。例如，该电源可以把由输入信号提供的RF能的一部分转换成DC信号，并且利用该DC信号操作该RF敏感状态传感器中的发送器。而且，RF敏感状态传感器可包括一个和发送器耦接的电池，并且可以利用输入信号使RF敏感发送器开始发送数据。
此外，该RF敏感状态传感器可以在等离子体处理系统中使用，并且可以配置成在发送诸如状态数据的数据时利用与等离子体相关频率或不相关频率发送响应信号。
在替代的实施例中，RF敏感状态传感器可以包括一个用来接收输入信号的接收器。例如，接收器可配置成接收输入信号并利用该输入信号生成用来控制RF敏感状态传感器的操作数据。而且，RF敏感状态传感器可利用该输入信号确定何时生成数据和/或何时发送数据。
在其它实施例中，RF敏感状态传感器可包括一个用于存储数据例如状态数据的存储器。可以在处理的某部分期间存储状态数据并在该处理的不同部分期间予以发送。例如，状态数据可以在等离子体事件期间存储并在结束该等离子体事件后发送。
在其它实施例中，RF敏感状态传感器可包括一个可用来控制RF敏感状态传感器的操作的控制器。该控制器可包括操作数据和/或从SIA接收操作数据。例如，可以利用该控制器确定何时生成和发送状态数据。
在一些实施例中，RF敏感状态传感器可包括一个计时器。计时器可包括连续运行计时器和触发式计时器中至少之一，并且可以通过和处理相关或和处理无关的频率来触发该触发式计时器。例如，计时器可以把RF能转换成DC信号并且利用该DC信号操作该计时器。在此方式下，可以生成RF小时数据。另外，可以通过RF敏感状态传感器接收的输入信号来触发计时器。
在960，可以利用SIA接收来自一个或多个RF敏感状态传感器的响应信号，并且该响应信号可包括例如状态数据的数据。例如，SIA中的接收器可以配置成在整个处理期间或在部分处理期间接收一个或多个响应信号。在一些情况中，当对处理室提供RF信号时，RF敏感状态传感器可发送状态数据。
另外，可以利用SIA向一个或多个RF敏感状态传感器发送输入信号。例如，SIA中的发送器可配置成在整个处理期间或者部分处理期间发送一个或多个输入信号。在一些情况中，当RF敏感状态传感器当接收来自SIA的输入信号时它可向SIA发送状态数据。输入信号例如可包括用于RF敏感状态传感器的操作数据。
SIA可利用内部和/或外部控制数据确定何时接收以及何时发送信号。例如，可以把SIA配置成在材料处理系统进行处理之前、期间和/或之后操作。
可以在材料处理系统的一个或多个位置上设置SIA。例如，SIA可以和室壁、上组件和基片保持器中的至少之一耦合，并且可以从系统中的不同位置接收状态数据。另外，SIA可以在材料处理系统中使用室管路(处理管)时从和该室管路耦合的RF敏感状态传感器接收状态数据。此外，SIA可接收来自和传送系统构件、RF系统构件、供气系统构件和/或排气系统构件耦合的RF敏感状态传感器的状态数据。
在一些实施例中，SIA可包括一个电源，并且该电源可配置成利用和等离子体相关的频率使SIA操作。例如，该电源可包括一个把提供给等离子体室的部分RF能转换成DC信号的RF至DC转换器，并且可利用该DC信号操作SIA中的发送器和/或接收器。
在其它实施例中，SIA可包括一个电源并且该电源可配置成利用和等离子体无关的频率使该SIA操作。例如，该电源可包括一个把外部信号提供的部分RF能转换成DC信号的RF至DC转换器，并且可利用该DC信号操作SIA中的发送器和/或接收器。
另外，电源可以在处理室的外面并且利用一条或多条电缆和SIA耦接。而且，该电源可包括电池。
如果(1)向RF敏感状态传感器190发送请求消息后和/或(2)在该传感器196的计时器规定的时间后，SIA180未从该传感器190接收到响应，该系统可能(例如向操作员)指示出错状态，从而可能检查和该不敏感传感器对应的设备。在此情况下可能需要暂停系统的操作。
在970，SIA可以向控制器发送数据例如状态数据。此外，SIA可以预处理状态数据。例如，SIA可以压缩和/或加密数据。过程900在980结束。
SIA和/或系统控制器可配置成分析数据例如状态数据，并且利用分析结果控制处理和/或控制处理工具。SIA和/或系统控制器可配置成比较状态数据和目标状态数据，并且利用该比较控制处理和/或控制处理工具。SIA和/或系统控制器还可配置成比较状态数据和历史状态数据，并且利用该比较预测、防止和/或宣布故障。此外，SIA和/或系统控制器可配置成分析数据例如状态数据，并且利用该分析结果决定何时对某构件进行维修。另外，一个构件或传感器的状态数据(或者其处理形式)可发回到另一个构件或传感器，从而接收传感器的对应设备可以知道和/或记住它使用的环境。
尽管上面仅详细说明了本发明的一些示范实施例，业内人士容易理解，在本质上不背离本发明的新颖教导和优点的情况下，对这些示范实施例的许多修改是可能的。由此，预期所有这样的修改包含在本
发明的范围内。
Claims (85)
1.一种材料处理系统，包括：
一个处理工具，其中该处理工具包括至少一个处理室；
多个和该处理工具耦接的RF敏感状态传感器，一个RF敏感状态传感器配置成为该处理工具生成状态数据和发送该状态数据；以及
一个配置成从至少一个RF敏感状态传感器接收状态数据的传感器接口组件(SIA)。
2.如权利要求1所述的材料处理系统，其中，状态数据包括沉积数据和腐蚀数据中至少之一。
3.如权利要求2所述的材料处理系统，其中，状态数据包括膜厚度数据、膜均匀性数据和膜组成数据中至少之一。
4.如权利要求2所述的材料处理系统，其中，状态数据包括构件厚度数据、构件均匀性数据和构件组成数据中至少之一。
5.如权利要求1所述的材料处理系统，其中，至少一个RF敏感状态传感器包括：
用于生成状态数据的状态传感器；以及
和该状态传感器耦接的用于发送状态数据的RF敏感发送器。
6.如权利要求5所述的材料处理系统，其中，处理传感器包括光学传感器、微机电(MEM)传感器、表面声波(SAW)传感器和体声波(BAW)传感器中至少之一。
7.如权利要求1所述的材料处理系统，其中，至少一个RF敏感状态传感器和室构件耦接。
8.如权利要求7所述的材料处理系统，其中，至少一个RF敏感状态传感器包括：
配置成为室构件生成状态数据的状态传感器；以及
和该状态传感器耦接的用于为该室构件发送状态数据的RF敏感发送器。
9.如权利要求1所述的材料处理系统，还包括上组件，其中，至少一个RF敏感电传感器和该上组件的至少一个构件耦接。
10.如权利要求9所述的材料处理系统，其中，该至少一个RF敏感电传感器包括：
配置成为该上组件的该至少一个构件生成电数据的电传感器；以及
和该电传感器耦接的用于为该上组件的该至少一个构件发送电数据的RF敏感发送器。
11.如权利要求1所述的材料处理系统，还包括基片保持器，其中，至少一个RF敏感状态传感器和该基片保持器耦接。
12.如权利要求11所述的材料处理系统，其中，该基片保持器包括夹盘、静电夹盘(ESC)、罩、聚焦环、隔板和电极中至少之一。
13.如权利要求11所述的材料处理系统，其中，该至少一个RF敏感状态传感器包括：
配置成为该基片保持器生成状态数据的状态传感器；以及
和该状态传感器耦接的用于为该基片保持器发送状态数据的RF敏感发送器。
14.如权利要求11所述的材料处理系统，其中，该至少一个RF敏感状态传感器包括：
配置成用于为该基片保持器上的晶片生成状态数据的状态传感器；以及
和该状态传感器耦接的用于为该晶片发送状态数据的RF敏感发送器。
15.如权利要求1所述的材料处理系统，还包括环，其中至少一个RF敏感状态传感器和该环耦接。
16.如权利要求15所述的材料处理系统，其中，该环包括聚焦环、屏蔽环、沉积环、电极环和绝缘环中至少之一。
17.如权利要求15所述的材料处理系统，其中，该至少一个RF敏感状态传感器包括：
配置成为该环生成状态数据的状态传感器；以及
和该状态传感器耦接的用于为该环发送状态数据的RF敏感发送器。
18.如权利要求1所述的材料处理系统，还包括板，其中，至少一个RF敏感状态传感器和该板耦接。
19.如权利要求18所述的材料处理系统，其中，该板包括排气板、隔板、电极板和绝缘板中至少之一。
20.如权利要求18所述的材料处理系统，其中，至少一个RF敏感状态传感器包括：
配置成用于为该板生成状态数据的状态传感器；以及
和该状态传感器耦接的用于为该板发送状态数据的RF敏感发送器。
21.如权利要求5所述的材料处理系统，其中，该至少一个RF敏感状态传感器还包括一个和该状态传感器及该RF敏感发送器中至少之一耦接的计时器。
22.如权利要求5所述的材料处理系统，其中，该RF敏感发送器包括一个配置成发送响应信号的天线以及一个和该天线耦接的发送器，其中，该发送器配置成利用该状态数据调制和/或编码该响应信号。
23.如权利要求5所述的材料处理系统，其中，该RF敏感状态传感器还包括一个和该状态传感器和该RF敏感发送器中至少之一耦接的电源。
24.如权利要求23所述的材料处理系统，其中，该电源包括配置成把从与处理相关的信号发射的能转换成DC信号的RF至DC转换器、配置成把与处理无关的信号转换成DC信号的RF至DC转换器、DC至DC转换器以及电池中的至少之一。
25.如权利要求24所述的材料处理系统，其中，该电源向该状态传感器提供DC信号。
26.如权利要求24所述的材料处理系统，其中，该电源向该RF敏感发送器提供DC信号。
27.如权利要求5所述的材料处理系统，其中，该至少一个RF敏感状态传感器还包括一个和该状态传感器及该RF敏感发送器中至少之一耦接的控制器。
28.如权利要求27所述的材料处理系统，其中，该控制器包括微处理器、微控制器、计时器、数字信号处理器(DSP)、存储器、接收器、A/D转换器和D/A转换器中至少之一。
29.如权利要求1所述的材料处理系统，其中，至少一个RF敏感状态传感器包括：
用于生成状态数据的状态传感器；
和该状态传感器耦接的用于发送状态数据的RF敏感发送器；以及
和该状态传感器及该RF敏感发送器中至少之一耦接的接收器。
30.如权利要求29所述的材料处理系统，其中，该RF敏感发送器包括天线和反向散射调制器。
31.如权利要求29所述的材料处理系统，其中，该RF敏感发送器包括一个配置成发射响应信号的天线以及一个和该天线耦接的发送器，其中，该发送器配置成用状态数据调制和/或编码该响应信号。
32.如权利要求31所述的材料处理系统，其中，该RF敏感发送器还包括RF至DC转换器、DC至DC转换器和电池中至少之一。
33.如权利要求29所述的材料处理系统，其中，该RF敏感状态传感器还包括至少一个电源，一个电源利用RF至DC转换器、DC至DC转换器和电池中至少之一提供DC信号。
34.如权利要求29所述的材料处理系统，其中，该接收器包括天线和处理器，该天线配置成接收输入信号，该处理器配置成利用该输入信号生成操作数据，并且利用该操作数据控制该RF敏感发送器、该接收器和该状态传感器中至少之一。
35.如权利要求34所述的材料处理系统，其中，该接收器还包括配置成把从与处理相关的信号发射的能转换成DC信号的RF至DC转换器、配置成把与处理无关的信号转换成DC信号的RF至DC转换器、DC至DC转换器以及电池中的至少之一。
36.如权利要求29所述的材料处理系统，其中，该至少一个RF敏感状态传感器还包括和该接收器、该状态传感器和该RF敏感发送器中至少之一耦接的控制器。
37.如权利要求36所述的材料处理系统，其中，该控制器包括微处理器、微控制器、计时器、数字信号处理器(DSP)、存储器、A/D转换器和D/A转换器中至少之一。
38.如权利要求1所述的材料处理系统，其中，至少一个RF敏感状态传感器包括：
用于生成状态数据的状态传感器；以及
和该状态传感器耦接的用于发送状态数据的RF敏感收发器。
39.如权利要求38所述的材料处理系统，其中，该RF敏感收发器包括配置成发射响应信号的天线、和该天线耦接的发送器、第二天线、接收器和处理器，其中该发送器配置成利用状态数据调制和/或编码该响应信号，该第二天线配置成接收输入信号，该接收器配置成利用该输入信号生成操作数据，该处理器配置成利用该操作数据控制该RF敏感收发器。
40.如权利要求38所述的材料处理系统，其中，该至少一个RF敏感状态传感器还包括一个和该状态传感器及该RF敏感收发器中至少之一耦接的控制器。
41.如权利要求40所述的材料处理系统，其中，该控制器包括微处理器、微控制器、计时器、数字信号处理器(DSP)、存储器、A/D转换器和D/A转换器中至少之一。
42.如权利要求38所述的材料处理系统，其中，该至少一个RF敏感状态传感器还包括和该状态传感器及该RF敏感收发器中至少之一耦接的至少一个电源，一个电源包括RF至DC转换器、DC至DC转换器和电池中至少之一。
43.如权利要求1所述的材料处理系统，其中，该SIA包括：
配置成从至少一个RF敏感状态传感器接收包含状态数据的响应信号的接收器；以及
配置成向该至少一个RF敏感状态传感器发送输入信号的发送器，其中，该输入信号使该至少一个RF敏感状态传感器把该响应信号发送到该接收器。
44.如权利要求1所述的材料处理系统，其中，该材料处理系统还包括：
和该SIA耦接的控制器，该控制器配置成分析该状态数据，其中该控制器比较该状态数据和目标电性能数据并且利用该比较改变处理。
45.如权利要求1所述的材料处理系统，其中，该材料处理系统还包括：
和该SIA耦接的控制器，该控制器配置成分析状态数据，其中该控制器比较该状态数据和历史状态数据并且利用该比较预测故障。
46.如权利要求1所述的材料处理系统，其中，该材料处理系统还包括：
和该SIA耦接的控制器，该控制器配置成分析状态数据，其中该控制器比较该状态数据和历史状态数据并且利用该比较宣布故障。
47.如权利要求1所述的材料处理系统，其中，该材料处理系统还包括：
和该SIA耦接的控制器，该控制器配置成向该SIA提供指令数据。
48.如权利要求1所述的材料处理系统，其中，该材料处理系统还包括：
和该SIA耦接的控制器，该控制器配置成分析状态数据并控制该处理工具。
49.如权利要求1所述的材料处理系统，还包括RF系统，其中一个RF敏感状态传感器和至少一个RF系统构件耦接。
50.如权利要求1所述的材料处理系统，还包括供气系统，其中一个RF敏感状态传感器和至少一个供气系统构件耦接。
51.如权利要求1所述的材料处理系统，还包括传送系统，其中一个RF敏感状态传感器和至少一个传送系统构件耦接。
52.如权利要求1所述的材料处理系统，还包括排气系统，其中一个RF敏感状态传感器和至少一个排气系统构件耦接。
53.如权利要求1所述的材料处理系统，其中，该材料处理系统还包括：
和该SIA耦接的控制器，该控制器配置成分析状态数据并且利用分析结果确定何时对该加工工作进行维护。
54.一种RF敏感状态传感器，包括：
配置成为材料处理系统中的一个构件生成状态数据的状态传感器；以及
和该状态传感器耦接的用于发送该构件的该状态数据的RF敏感发送器。
55.如权利要求54所述的RF敏感状态传感器，其中，该构件是蚀刻系统的一个部分。
56.如权利要求54所述的RF敏感状态传感器，其中，该构件是沉积系统中的一部分。
57.如权利要求54所述的RF敏感状态传感器，其中，该构件是清洁系统中的一部分。
58.如权利要求54所述的RF敏感状态传感器，其中，该构件是传送系统中的一部分。
59.一种等离子体处理系统，包括：
一个处理工具，其中该处理工具包括等离子体室；
多个和该处理工具耦接的用来生成和发送状态数据的RF敏感状态传感器，其中，至少一个RF敏感状态传感器和该等离子体室耦接；以及
一个配置成从该多个RF敏感状态传感器接收状态数据的传感器接口组件(SIA)。
60.如权利要求59所述的等离子体处理系统，其中，该处理系统还包括：
一个和该SIA耦接的控制器，该控制器配置成分析状态数据并控制该等离子体处理系统。
61.一种监视包含处理工具的材料处理系统的方法，其中，该处理工具包括至少一个处理室，该方法包括：
设置和该处理工具耦接的RF敏感状态传感器，其中，该RF敏感状态传感器配置成生成和发送状态数据；以及
设置传感器接口组件(SIA)，其中，该SIA配置成接收来自该RF敏感状态传感器的状态数据。
62.如权利要求61所述的监视材料处理系统的方法，该方法还包括：
生成状态数据；以及
发送该状态数据，其中，该RF敏感状态传感器接收包含操作数据的输入信号并且利用该操作数据，以使用响应信号发送状态数据。
63.如权利要求61所述的监视材料处理系统的方法，该方法还包括：
生成状态数据；以及
发送该状态数据，其中，该状态数据包括沉积数据和腐蚀数据中至少之一。
64.如权利要求61所述的监视材料处理系统的方法，该方法还包括：
把至少一个RF敏感状态传感器耦接到室构件；
为该室构件生成状态数据；以及
为该室构件发送状态数据，其中，该至少一个RF敏感状态传感器包括状态传感器和与该状态传感器耦接的RF敏感发送器。
65.如权利要求61所述的监视材料处理系统的方法，其中，该方法还包括：
把至少一个RF敏感状态传感器耦接到上组件的一个构件；
为上组件的该构件生成状态数据；以及
为上组件的该构件发送状态数据，其中，该至少一个RF敏感状态传感器包括状态传感器和与该状态传感器耦接的RF敏感发送器。
66.如权利要求61所述的监视材料处理系统的方法，其中，该方法还包括：
把至少一个RF敏感状态传感器耦合到基片保持器上；
为该基片保持器生成状态数据；以及
为该基片保持器发送状态数据，其中，该至少一个RF敏感状态传感器包括状态传感器和与该状态传感器耦接的RF敏感发送器。
67.如权利要求61所述的监视材料处理系统的方法，其中，该方法还包括：
把至少一个RF敏感状态传感器耦合到晶片上；
为该晶片生成状态数据；以及
为该晶片发送状态数据，其中，该至少一个RF敏感状态传感器包括状态传感器和与该状态传感器耦接的RF敏感发送器。
68.如权利要求61所述的监视材料处理系统的方法，其中，该方法还包括：
把至少一个RF敏感状态传感器耦接到传送系统构件、RF系统构件、供气系统构件和排气系统构件中至少之一；
为该构件生成状态数据；以及
为该构件发送状态数据，其中，该至少一个RF敏感状态传感器包括状态传感器和与该状态传感器耦接的RF敏感发送器。
69.如权利要求61所述的监视材料处理系统的方法，其中，该方法还包括：
使至少一个RF敏感状态传感器和环耦接；
为该环生成状态数据；以及
为该环发送状态数据，其中，该至少一个RF敏感状态传感器包括状态传感器和与该状态传感器耦接的RF敏感发送器。
70.如权利要求69所述的监视材料处理系统的方法，其中，该环包括聚焦环、屏蔽环、沉积环、电极环和绝缘环中至少之一。
71.如权利要求61所述的监视材料处理系统的方法，其中，该方法还包括：
使至少一个RF敏感状态传感器和板耦接；
为该板生成状态数据；以及
为该板发送状态数据，其中，该至少一个RF敏感状态传感器包括状态传感器和与该状态传感器耦接的RF敏感发送器。
72.如权利要求71所述的监视材料处理系统的方法，其中，该板包括隔板、排气板、电极板和注入板中至少之一。
73.如权利要求61所述的监视材料处理系统的方法，其中，该方法还包括：
使至少一个电源和一个RF敏感状态传感器耦接，其中，该RF敏感状态传感器包括状态传感器和与该状态传感器耦接的RF敏感发送器；
生成DC信号；以及
向该RF敏感发送器和该状态传感器中至少之一提供该DC信号。
74.如权利要求73所述的监视材料处理系统的方法，其中，该方法还包括：
利用电池、滤波器、RF至DC转换器和DC至DC转换器中至少之一生成DC信号。
75.如权利要求61所述的监视材料处理系统的方法，该方法还包括：
利用该SIA发送输入信息，该SIA包括发送器，其中该输入信号包括操作数据；以及
接收状态数据，其中，该SIA包括配置成从至少一个RF敏感状态传感器接收响应信号的接收器。
76.如权利要求75所述的监视材料处理系统的方法，该方法还包括：
生成状态数据；以及
发送该状态数据，其中，该RF敏感状态传感器接收该输入信号并且利用该操作数据，以便利用响应信号发送状态数据。
77.如权利要求61所述的监视材料处理系统的方法，该方法还包括：
利用该SIA发送输入信号，该SIA包括发送器，其中，该输入信号包括操作数据；
接收输入信号，其中，该RF敏感状态传感器包括配置成接收该输入信号并从该输入信号获得该操作数据的接收器；
生成状态数据，其中，该RF敏感状态传感器包括配置成生成状态数据的状态传感器；
发送该状态数据，其中，该RF敏感状态传感器包括配置成利用响应信号发送状态数据的发送器；以及
接收状态数据，该SIA包括配置成接收来自至少一个RF敏感状态传感器的响应信号的接收器。
78.如权利要求77所述的监视材料处理系统的方法，该方法还包括：
当不在产生等离子体时利用该SIA发送输入信号；以及
当不在产生等离子体时接收该输入信号。
79.如权利要求77所述的监视材料处理系统的方法，该方法还包括：
当进行处理时生成状态数据；
当不在产生等离子体时利用该RF敏感状态传感器发送响应信号；以及
当不在产生等离子体时接收响应信号。
80.如权利要求77所述的监视材料处理系统的方法，该方法还包括：
存储状态数据，其中，该RF敏感状态传感器包括配置成存储该状态数据的存储器。
81.如权利要求77所述的监视材料处理系统的方法，该方法还包括：
提供DC信号，其中，该RF敏感状态传感器包括配置成产生该DC信号并且把该DC信号提供给RF敏感状态传感器接收器和RF敏感状态传感器发送器中至少之一的电源。
82.如权利要求81所述的监视材料处理系统的方法，该方法还包括：
提供DC信号，其中，该RF敏感状态传感器包括配置成通过把至少一个与等离子体相关的频率转换成DC信号来产生该DC信号的电源。
83.如权利要求81所述的监视材料处理系统的方法，该方法还包括：
提供DC信号，其中，该RF敏感状态传感器包括配置成通过把至少一个与离子无关的频率转换成该DC信号来产生该DC信号的电源。
84.如权利要求81所述的监视材料处理系统的方法，该方法还包括：
提供DC信号，其中，该RF敏感状态传感器包括配置成通过把该输入信号的一部分转换成DC信号来产生该DC信号的电源。
85.如权利要求61所述的监视材料处理系统的方法，该方法还包括：
如果未从该RF敏感状态传感器接收状态数据，则停止该处理工具中的处理。
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