CN1851876A - 一种去除暴露区域聚合物的解吸附工艺 - Google Patents
一种去除暴露区域聚合物的解吸附工艺 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1851876A CN1851876A CN 200510126279 CN200510126279A CN1851876A CN 1851876 A CN1851876 A CN 1851876A CN 200510126279 CN200510126279 CN 200510126279 CN 200510126279 A CN200510126279 A CN 200510126279A CN 1851876 A CN1851876 A CN 1851876A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- stage
- polymer
- technology
- dechuck
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明提供了一种去除暴露区域聚合物的解吸附工艺,分为两个阶段:第一阶段加反向电压;第二阶段分两步:第一步进行气体冲洗,第二步用该气体启辉,其中,第二阶段所用工艺气体选自He、Ar、N2中的任一种。本发明所述的解吸附工艺可以有效去除暴露区域的聚合物,简化了刻蚀工艺,提高了生产效率,不用再进行湿法清洗,可防止湿法清洗方法对硅片和图形的腐蚀,保证了器件的性能。
Description
技术领域
本发明涉及多晶硅干法刻蚀工艺,具体地,涉及一种去除暴露区域(openarea)聚合物的解吸附(Dechuck)工艺。
背景技术
在深亚微米多晶硅干法刻蚀工艺中,形成一个完整的栅极结构,一般需要依次经过硬掩膜开启、去胶、自然二氧化硅层开启(BT)、多晶硅主刻蚀(ME)、过刻蚀(OE)等几个工艺步骤。
刻蚀工艺结束后,一般有一个Dechuck流程,以解除静电卡盘(ESC)对硅片的吸附作用。Dechuck分为两个阶段:第一阶段加反向电压;第二阶段分两步:第一步进行气体冲洗;第二步用该气体启辉。第二阶段的具体工艺参数为:第一步:气体冲洗阶段,通氧气200sccm,摆阀设置为全开状态,时间1s;第二步:气体启辉阶段,压力设置为60mT,通氧气200sccm,上电极电压500W进行启辉,时间3s。
在实际操作中,第二个阶段的启辉过程会对硅片表面造成一定的影响,在open area表面形成聚合物,参见附图1,2。
在open area处形成聚合物的主要原因是:Dechuck过程中采用的气体O2与刻蚀生成物(如溴化物、氯化物等)结合形成了聚合物,压力越高,聚合物越难被抽走,从而聚积在open area处。
为避免Dechuck步骤中在open area表面形成聚合物的现象,目前有两种常用方法解决此问题。
第一种方法是在Dechuck步骤中只进行电极电压反接的操作。此方法可以消除静电卡盘对硅片的吸附作用,但是过刻蚀步中的残余气体(如HBr、HeO)会在Dechuck步中对刻蚀剖面产生不良影响,出现微沟道(microtrench)现象,参见图3。
第二种方法是在刻蚀工艺结束后对刻蚀后硅片进行湿法清洗,以去除硅片表面的聚合物。该方法一次装入一个Cassette硅片(25片),在装有不同清洗剂的清洗槽中轮流浸泡,每次浸泡后采用超净水喷淋,然后进入下一个清洗槽,最后采用氮气吹干或加热烘干。典型流程为:浓硫酸(120℃)→水洗→氨水+双氧水→水洗→氢氟酸→水洗→吹干/烘干。此方法存在下列缺陷:需要人工操作,劳动量大,操作环境危险;工艺复杂,清洗时间长,生产效率低;清洗溶剂长期浸泡容易造成对硅片过腐蚀,或留下水痕,影响器件性能;清洗剂、超净水消耗量大,生产成本高。
发明内容
(一)要解决的技术问题
本发明的目的是提供一种去除open area聚合物的Dechuck工艺。
(二)技术方案
本发明所述的去除open area处聚合物的Dechuck工艺,分为两个阶段:第一阶段加反向电压,第二阶段分两步:第一步进行气体冲洗,第二步用该气体启辉,其特征在于第二阶段所用工艺气体选自He、Ar、N2中的任一种。
本发明所述的Dechuck工艺,第二阶段工艺参数设置为:第一步中摆阀设置成全开的状态,工艺气体流量为50-500sccm,以避免使用O2与刻蚀产物形成聚合物;第二步中腔室压力为20-60mT,以便迅速抽走残余的刻蚀产物;上电极采的功率为100-200W,以避免对图形的不良影响;时间为1-10s。
优选地,第二阶段的工艺参数设置为:第一步中工艺气体流量为100-300sccm;第二步中腔室压力为20-40mT,上电极功率为100-200W,时间为1-5s。
更优选地,Dechuck工艺的工艺参数设置为:第一步中工艺气体流量为200sccm,第二步中腔室压力为30mT,上电极功率为200W,时间为2s。
(三)有益效果
采用本发明所述的解吸附工艺可以有效去除暴露区域的聚合物,简化了刻蚀工艺,提高了生产效率,不用再进行湿法清洗,可防止湿法清洗方法对硅片和图形的腐蚀,保证了器件的性能。
附图说明
图1采用常规Dechuck工艺,在open area处产生聚合物;
图2采用常规Dechuck工艺,在open area处产生聚合物;
图3采用只加反向电压的Dechuck工艺,产生microtrench现象;
图4采用本发明所述的Dechuck工艺,有效去除了open area处的聚合物;
图5采用本发明所述的Dechuck工艺,有效去除了open area处的聚合物。
具体实施方式
以下实施例用于说明本发明,但不用来限制本发明的范围。
实施例1
在完成BT、ME、OE的刻蚀过程后,立即在北方微电子公司ICP等离子体刻蚀机(PM2)中进行以下Dechuck流程:
第一阶段:加反向电压1200V;
第二阶段:第一步进行He的清洗过程,摆阀设置为全开状态,He气体流量为200sccm,通气时间为2s;第二步进行含有He的启辉过程:腔室压力设置为30mT,He气体流量为200sccm,上RF的功率设置为200W进行启辉,时间为2s。
采用此工艺有效去除了open area处的聚合物。
实施例2
在完成BT、ME、OE的刻蚀过程后,立即在北方微电子公司ICP等离子体刻蚀机(PM2)中进行以下Dechuck流程:
第一阶段:加反向电压1200V;
第二阶段:第一步进行Ar的清洗过程,摆阀设置为全开状态,Ar气体流量为50sccm,通气时间为5s;第二步进行含有Ar的启辉过程:腔室压力设置为20mT,Ar气体流量为50sccm,上RF的功率设置为200W进行启辉,时间为5s。
采用此工艺有效去除了open area处的聚合物。
实施例3
在完成BT、ME、OE的刻蚀过程后,立即在北方微电子公司ICP等离子体刻蚀机(PM2)中进行以下Dechuck流程:
第一阶段:加反向电压1200V;
第二阶段:第一步进行N2的清洗过程,摆阀设置为全开状态,N2气体流量为500sccm,通气时间为5s;第二步进行含有N2的启辉过程:腔室压力设置为60mT,N2气体流量为500sccm,上RF的功率设置为100W进行启辉,时间为3s。
采用此工艺有效去除了open area处的聚合物。
Claims (5)
1、一种去除暴露区域聚合物的解吸附工艺,分为两个阶段:第一阶段加反向电压,第二阶段分两步:第一步进行气体冲洗,第二步用该气体启辉,其特征在于第二阶段所用工艺气体选自He、Ar、N2中的任一种。
2、如权利要求1所述的解吸附工艺,其特征在于第二阶段所用工艺气体为He。
3、如权利要求1或2所述的解吸附工艺,其特征在于第二阶段工艺参数设置为:第一步中工艺气体流量为50-500sccm;第二步中腔室压力为20-60mT,上电极功率为100-200W,工艺时间为1-10s。
4、如权利要求1或2所述的解吸附工艺,其特征在于第二阶段工艺参数设置为:第一步中工艺气体流量为100-300sccm;第二步中腔室压力为20-40mT,上电极功率为100-200W,工艺时间为1-5s。
5、如权利要求1或2所述的解吸附工艺,其特征在于第二阶段工艺参数设置为:第一步中工艺气体流量为200sccm;第二步中腔室压力为30mT,上电极功率为200W,工艺时间为2s。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNB2005101262799A CN100369215C (zh) | 2005-12-02 | 2005-12-02 | 一种去除暴露区域聚合物的解吸附工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNB2005101262799A CN100369215C (zh) | 2005-12-02 | 2005-12-02 | 一种去除暴露区域聚合物的解吸附工艺 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1851876A true CN1851876A (zh) | 2006-10-25 |
CN100369215C CN100369215C (zh) | 2008-02-13 |
Family
ID=37133350
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB2005101262799A Active CN100369215C (zh) | 2005-12-02 | 2005-12-02 | 一种去除暴露区域聚合物的解吸附工艺 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN100369215C (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101197269B (zh) * | 2006-12-06 | 2010-05-19 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 硅片刻蚀的方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6242350B1 (en) * | 1999-03-18 | 2001-06-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Post gate etch cleaning process for self-aligned gate mosfets |
WO2003038892A2 (en) * | 2001-10-26 | 2003-05-08 | Applied Materials, Inc. | Atomic-layer-deposited tantalum nitride and alpha-phase tantalum as barrier layers for copper metallization |
CN1278389C (zh) * | 2003-02-27 | 2006-10-04 | 株式会社日立高新技术 | 等离子体处理装置及静电吸盘的制造方法 |
CN100361279C (zh) * | 2003-05-15 | 2008-01-09 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种含硅低介电常数材料刻蚀后的预清洗工艺 |
-
2005
- 2005-12-02 CN CNB2005101262799A patent/CN100369215C/zh active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101197269B (zh) * | 2006-12-06 | 2010-05-19 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 硅片刻蚀的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN100369215C (zh) | 2008-02-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN1848383A (zh) | 一种去除多晶硅刻蚀工艺中残留聚合物的方法 | |
CN1082246C (zh) | 清洁处理基片的方法 | |
CN1177355C (zh) | 用于清洗晶片的清洗水和清洗晶片的方法 | |
CN1770404A (zh) | 清洗溶液和使用该溶液清洗半导体器件的方法 | |
CN1921083A (zh) | 半导体器件的制造方法 | |
CN1741263A (zh) | 制造半导体器件的方法以及一种半导体衬底 | |
CN102044429B (zh) | 一种硅片的刻蚀方法 | |
CN110600376B (zh) | 聚合物的去除方法 | |
CN1851876A (zh) | 一种去除暴露区域聚合物的解吸附工艺 | |
CN104393094B (zh) | 一种用于hit电池的n型硅片清洗制绒方法 | |
CN111627859A (zh) | 半导体结构及其形成方法 | |
CN1434978A (zh) | 除去剩余光致抗蚀剂和残留侧壁钝化物的原位后蚀刻方法 | |
CN1231300C (zh) | 等离子体反应室的干式清洁方法 | |
CN100362633C (zh) | 一种去除刻蚀工艺后硅片表面颗粒的等离子体清洗方法 | |
CN113990981B (zh) | 一种单晶绒面光滑圆整处理工艺 | |
CN1851871A (zh) | 一种能够消除残气影响的多晶硅刻蚀工艺 | |
CN1850363A (zh) | 去除刻蚀后聚合物的单片清洗装置及清洗方法 | |
CN1851857A (zh) | 一种硅片脱附工艺 | |
CN1209908A (zh) | 半导体器件的制造装置 | |
CN107393801A (zh) | 一种减少下电极损伤的腔体清洗方法 | |
CN1847458A (zh) | 一种多晶硅刻蚀中的干法清洗工艺 | |
CN1967773B (zh) | 深沟道器件的刻蚀方法 | |
KR0142838B1 (ko) | 플라즈마 식각 장치의 쳄버 크리닝 방법 | |
KR100196508B1 (ko) | 반도체 장치의 폴리실리콘막 세정방법 | |
CN101442001B (zh) | 一种多晶硅栅极刻蚀的方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CP03 | Change of name, title or address | ||
CP03 | Change of name, title or address |
Address after: No. 8, Wenchang Avenue, Beijing economic and Technological Development Zone, 100176 Patentee after: Beijing North China microelectronics equipment Co Ltd Address before: 100016 Jiuxianqiao East Road, Chaoyang District, Chaoyang District, Beijing Patentee before: Beifang Microelectronic Base Equipment Proces Research Center Co., Ltd., Beijing |