CN1835204A - 芯片保持器以及芯片处理方法 - Google Patents

Abstract

本发明能够提高对保持在芯片保持器上的芯片所进行的洗净处理的效率。芯片保持器(10)包括保持器下板(1)和保持器上板(2)构成。在保持器下板(1)上设置有由第1圆锥孔(12)和第2圆锥孔(13)构成的第1通孔。在保持器上板(2)上设置有由第3圆锥孔(22)和第4圆锥孔(23)构成的第2通孔。在由设置在保持器下板(1)上的第1圆锥孔(12)和设置在保持器上板(2)上的第3圆锥孔(22)构成的芯片保持空间(121)上，将作为被处理物的芯片(4)保持为可动状态。

Description

芯片保持器以及芯片处理方法

技术领域

本发明涉及在半导体制造装置等中所使用的芯片保持器，尤其涉及在制造半导体时在洗净装置中所使用的芯片保持器以及使用了该芯片保持器的芯片处理方法。

背景技术

过去，在被称为晶片的圆盘状半导体衬底上制成半导体元件之后，再将该半导体元件切成一个一个的芯片。之后，将各个芯片用纯水等洗净之后，再进行干燥。

在干燥工序中，由半导体衬底切断而成的各个芯片被放置在芯片保持器上，其中该芯片保持器上形成有与预定数目芯片嵌合的多个凹部。在形成于芯片保持器上的凹部的底部设置有与真空连接的吸气孔，通过该吸气孔，芯片被从其背面侧吸附固定在芯片保持器上。然后通过配置在芯片保持器上方的喷嘴将空气吹到芯片表面上来进行芯片的干燥。

然而，在使用了上述芯片保持器的时候，虽然芯片上被空气直接吹到的表面得以充分干燥，但是芯片的背面对作为向芯片保持器的吸附的面，其干燥并不充分，由此在后续工序中有可能产生问题。

因此，为了解决该问题，关于用于对切断制造成芯片的半导体元件进行干燥处理的芯片保持器，例如有日本特开平7-176511号公报中提出的方案。

图10(a)～(c)是剖视图，表示了使用在日本特开平7-176511号公报中所公开的现有技术的芯片保持器来对半导体芯片进行干燥的干燥方法的各个工序，图11是表示该芯片保持器的结构的图。

首先，如图10(a)所示那样，半导体衬底经过了预定的半导体元件制造过程之后，被切出并被洗净，从而形成芯片31，该芯片31被放置在承载部上，该承载部设置于芯片保持器32上的第1通孔33内。在这里，如图11所示，在芯片保持器32上形成有预定数量的第1通孔33，并且在各个第1通孔33上分别形成有与芯片31的平面形状(四边形状)相对应的4个锥面34a～34d。也就是说，在该锥面34a～34d分别与芯片31下表面的4个边缘(4边)抵接的状态下，芯片31被承载在第1通孔33内。此外，在各锥面34a～34d上分别沿芯片保持器32的厚度方向形成有槽35a～35d。

另外，锥面34a～34d的倾斜度，也就是锥角按照与所承载的半导体芯片31的大小对应的方式来决定。具体而言，对锥面34a～34d的锥角进行设定，使得承载在第1通孔33内的芯片31厚度中的预定高度从芯片保持器32的表面突出。

接着，如图10(a)所示，为承载了芯片31的芯片保持器32准备一个盖36。在该盖36上形成有与第1通孔33相对应的第2通孔37，并且在第2通孔37上形成有与第1通孔33的锥面34a～34d以及槽35a～35d具有大致相同形状的锥面38a～38d以及槽(省略图示)。

接着，如图10(b)所示，将盖36覆盖在芯片保持器32上。此时，芯片31被保持在由第1通孔33和第2通孔37形成的空间中。

接着，如图10(c)所示，在芯片保持器32的各个第1通孔33的下方配置空气喷嘴39a～39c，并且在盖36的各个第2通孔37的上方配置空气喷嘴39d～39f。分别从这些空气喷嘴39a～39f向芯片31的表面以及背面吹出空气，由此对芯片31的表面以及背面同时进行干燥。

此时，空气以及由空气所吹走的水滴经由设置在锥面34a～34d以及38a～38d上的槽35a～35d等而被排出到第1通孔33的外侧或者第2通孔37的外侧。换句话说，空气以及水滴从芯片保持器32和芯片31之间的间隙被排出。此外，通过使空气穿过设置在锥面34a～34d以及38a～38d上的槽35a～35d等，对芯片31侧面的干燥也能够切实地进行。

近年来，半导体加工技术，除了被应用于过去的LSI等的半导体元件制造中之外，还被应用于MEMS(Micro Electro MechanicalSystems)元件等的制造之中。由于MEMS元件具有微小结构，所以如果将过去的LSI中所使用的制造方法，即，在半导体衬底上制作半导体元件然后将该半导体元件切成芯片的制造方法适用于MEMS元件的制造中，则会由于MEMS元件的结构，导致产品本身被在切成芯片时的物理应力所破坏。

因此MEMS元件的制造采用了如下的方法，即，在半导体衬底(晶片)上的MEMS元件制作只进行到中间工序，将晶片切割成为作为芯片的MEMS元件之后，再实施最后工序。

在这里，在晶片上形成LSI等半导体元件之后，切成各个芯片并洗净，之后仅进行干燥，在这样的情况下，为了进行向芯片吹出空气的流通以及付着在芯片上的水滴等的排出，如上所述，仅在芯片保持器和芯片之间设置较小的间隙就足够了。

另一方面，在MEMS元件的制造中，在将晶片切成各个芯片之后，为了将该芯片加工至所期望的形状，需要进行蚀刻、洗净以及与其相伴的干燥等处理工序。然而，由于在日本特开平7-176511号公报中所公开的芯片保持器中，芯片与芯片保持器之间的间隙较小，所以蚀刻液、洗净液或者纯水等液体的置换效率和排出效率变差，因此产生了在洗净处理中需要花费很多时间的问题。

发明内容

鉴于上述原因，本发明的目的在于提高对被保持在芯片保持器上的芯片所进行的洗净处理的效率。

为了实现上述目的，本申请发明人进行了种种研究，取得了以下成果，即，发明了一种将芯片等被处理物保持为可动状态的芯片保持器。根据该芯片保持器，由于能够在芯片保持器中确保有多个洗净液等流体的给排水路径，故能够提高该流体的置换效率和排出效率。此外，能够减小芯片保持器与芯片之间的接触面积。因此，通过将芯片保持在该芯片保持器上来进行洗净处理，能够使芯片的洗净处理效率得到提高。

具体而言，本发明的芯片保持器包括：具有第1通孔的保持器下板、和具有第2通孔的保持器上板，其中，被处理物以可动状态保持在将上述保持器下板和上述保持器上板组合时由上述第1贯通孔和上述第2贯通孔形成的保持空间中。

利用本发明的芯片保持器，在由保持器下板上的第1通孔和保持器上板上的第2通孔所形成的保持空间中，可将被处理物保持为可动状态，也就是点接触状态或者非接触状态。因此，在处理该被处理物时能够提高从第1通孔或者第2通孔中导入的洗净液等流体的置换效率和排出效率，并且还能够减小芯片保持器与被处理物之间的接触面积。因此，通过采用该芯片保持器来保持被处理物并对其进行洗净处理，能够提高被处理物的洗净处理效率。此外，还能够防止尘埃等积存在该芯片保持器内。

在本发明的芯片保持器中，最好是上述第1通孔在上述保持器下板的上表面上具有和上述被处理物的最大投影面积相等或者更大的第1最大开口面，且在上述保持器下板的上表面和下表面之间具有比上述最大投影面积小的第1最小开口面；上述第2通孔在上述保持器上板的下表面上具有和上述最大投影面积相等或者更大的第2最大开口面，且在上述保持器上板的上表面和下表面之间具有比上述最大投影面积小的第2最小开口面。

这样，在能够切实避免被处理物超出至芯片保持器的保持空间外侧的同时，还能够在该保持空间中将被处理物保持为可动状态。

其中，所谓被处理物的最大投影面积是指当被处理物例如是芯片时，该芯片的最大的面(也就是芯片表面或者背面)的面积。

该情况下，上述第1通孔最好在上述保持器下板的下表面上具有比上述第1最小开口面大的开口面。

这样，就进一步提高了导入至芯片保持器保持空间中的洗净液等流体从第1通孔排出的排出效率，故进一步提高了被处理物的洗净处理效率。

此外，该情况下，上述第2通孔最好在上述保持器上板的上表面上具有比上述第2最小开口面大的开口面。

这样，就进一步提高了导入至芯片保持器保持空间中的洗净液等流体从第2通孔排出的排出效率，故进一步提高了被处理物的洗净处理效率。

此外，在该情况下，最好是上述第1通孔在上述保持器下板的上表面侧具有没有顶部的下板圆锥孔，上述第2通孔在上述保持器上板的下表面侧具有没有顶部的上板圆锥孔，上述第1最大开口面是上述下板圆锥孔的底部，上述第2最大开口面是上述上板圆锥孔的底部。

这样，由下板圆锥孔和上板圆锥孔构成了芯片保持器的保持空间。此外，即使在被处理物与下板圆锥孔或者上板圆锥孔的壁面接触的情况下，也能够以点接触状态切实地保持该被处理物。因此，由于能够切实提高导入至该保持空间中的洗净液等流体的置换效率和排出效率，故能够切实提高被处理物的洗净处理效率。

在本发明的芯片保持器中，在上述保持器下板的上表面上，最好设置有从上述第1通孔延伸至上述保持器下板侧面的槽。

这样，就进一步提高了洗净液等流体向芯片保持器的保持空间供给的效率以及流体从该保持空间排出的效率，故进一步提高了被处理物的洗净处理效率。

该情况下，上述保持器下板最好具有与上述第1通孔相邻的其他通孔，上述槽最好从上述第1通孔延伸到上述其他通孔。这样，由于确保了洗净液等流体向芯片保持器的保持空间的供给路径、以及流体从该保持空间排出的排出路径有多个方向，故进一步提高了该保持空间的流体供给效率以及排出效率，所以进一步提高了被处理物的洗净处理效率。

此外，该情况下，最好在上述保持器下板的上表面上，在最外周部设置有台阶。这样，在芯片保持器一侧面部产生了与槽连接的空隙，由此，通过该侧面部的流体的整流效果，对于芯片保持器的保持空间内的流体来说，从槽中穿过的置换效率提高了，所以能够进一步提高被处理物的洗净处理效果。

在本发明的芯片保持器中，在上述保持器上板的下表面上，最好设置有从上述第2通孔延伸至上述保持器上板侧面的槽。

这样，由于进一步提高了洗净液等流体向芯片保持器的保持空间的供给效率、以及流体从该保持空间的排出效率，故进一步提高了被处理物的洗净处理效率。

该情况下，上述保持器上板最好具有与上述第2通孔相邻的另一个通孔，上述槽最好从上述第2通孔延伸至上述另一个通孔。这样，由于确保了洗净液等流体向芯片保持器的保持空间的供给路径、以及流体从该保持空间排出的排出路径有多个方向，故进一步提高了流体向该保持空间的供给效率以及排出效率，所以进一步提高了被处理物的洗净处理效率。

此外，该情况下，最好在上述保持器上板的下表面的最外周部设置有台阶。这样，在芯片保持器一侧面部，产生了与槽连接的空隙，由此，通过该侧面部的流体的整流效果，对于芯片保持器的保持空间内的流体来说，从槽中穿过的置换效率提高了，所以能够进一步提高被处理物的洗净处理效果。

在本发明的芯片保持器中，在上述保持器下板和上述保持器上板组合起来的状态下，最好在上述保持器下板和上述保持器上板之间产生比上述被处理物的厚度小的空隙。

这样，在所有方向上确保了洗净液等流体向芯片保持器保持空间供给的供给路径、以及流体从该保持空间排出的排出路径。此外，利用流体的整流效果，流体也变得容易进入槽中。因此，由于进一步提高了流体向该保持空间中的供给效率以及排出效率，故进一步提高了被处理物的洗净处理效率。

在本发明的芯片保持器中，最好在上述保持器下板的下表面上设置有部分覆盖上述第1通孔的隔条。

这样，能够缓和被处理物所受到的来自导入至芯片保持器保持空间中的洗净液等流体的冲击。因此，即使在被处理物是结构上脆弱的元件的情况下，也能够在防止该元件破损的同时，提高该保持空间的流体置换效率以及排出效率，由此能够提高该元件的洗净处理效率。

在本发明的芯片保持器中，最好在上述保持器上板的上表面上设置有部分覆盖上述第2通孔的隔条。

这样，能够缓和被处理物所受到的来自导入至芯片保持器保持空间中的洗净液等流体的冲击。因此，即使被处理物是结构上脆弱的元件的时候，也能够在防止该元件破损的同时，提高该保持空间的流体置换效率以及排出效率，由此能够提高该元件的洗净处理效率。

在本发明的芯片保持器中，最好是上述被处理物的平面形状和上述保持空间的平面形状不同。

这样，被处理物与构成保持空间的第1通孔或者第2通孔的壁面接触的时候必然是点接触。也就是说，能够将被处理物以点接触状态或者非接触状态切实地保持在芯片保持器的保持空间中。由此，由于能够切实提高洗净液等导入至该保持空间的流体置换效率和排出效率，故能够切实提高被处理物的洗净处理效率。具体而言，上述被处理物的平面形状是四边形，则上述保持空间的平面形状可以是圆形、椭圆形或者五边形以上的多边形。

另外，所谓被处理物的平面形状，是指被处理物例如是芯片时，从其表面侧看到的该芯片的形状(也就是芯片表面或者背面的形状)，所谓保持空间的平面形状，是指从保持器上板的上表面看到的保持空间的形状(具体地说就是第1通孔的第1最大开口面的形状或者第2通孔的第2最大开口面的形状)。

本发明的芯片处理方法是：将上述被处理物保持在上述本发明的芯片保持器中对上述被处理物进行处理。具体而言，在上述处理中，或者通过在流体中漂洗上述被处理物来洗净上述被处理物，或者使上述被处理物干燥。因此，在洗净被处理物时，能够如上所述那样提高被处理物的洗净处理效率。此外，在对被处理物进行干燥的时候，由于芯片保持器和被处理物之间的接触面积小，所以能够对被处理物进行充分干燥，由此能够切实避免在后续工序中产生问题的情况。

根据本发明，由于在由保持器下板的第1通孔和保持器上板的第2通孔所形成的保持空间中将被处理物、具体来说就是芯片保持为非固定状态的可动状态，故能够提高导入至该保持空间中的洗净液等流体的置换效率和排出效率，并且还能够减小芯片保持器和被处理物之间的接触面积。因此，通过将被处理物保持在该芯片保持器上来进行洗净处理，能够切实提高被处理物的洗净处理效率。

附图说明

图1中，图1(a)以及图1(b)表示了本发明第1实施方式的芯片保持器的概略结构，图1(c)以及(d)表示了本发明的第1实施方式的芯片保持器的保持器下板和保持器上板各自的通孔形成区域的剖面结构。

图2说明了使用本发明的第1实施方式的芯片保持器的芯片洗净方法的大致情况。

图3是表示本发明第1实施方式的芯片保持器内部的流体流动的模式图。

图4中，图4(a)以及图4(b)表示了本发明第1实施方式改型例的芯片保持器的保持器下板和保持器上板各自的通孔形成区域的剖面结构。

图5中，图5(a)以及图5(b)表示了本发明第2实施方式的芯片保持器的概略结构，图5(c)表示了本发明的第2实施方式的芯片保持器的保持器下板和保持器上板各自的通孔形成区域的剖面结构，图5(d)是表示在图5(a)～图5(c)中所示的芯片保持器内部流体的流动的模式图。

图6中，图6(a)以及图6(b)表示了本发明第3实施方式的芯片保持器的概略结构，图6(c)表示了本发明的第3实施方式的芯片保持器的保持器下板和保持器上板各自的通孔形成区域的剖面结构。

图7中，图7(a)以及图7(b)表示了本发明第4实施方式的芯片保持器的概略结构，图7(c)表示了本发明的第4实施方式的芯片保持器的保持器下板和保持器上板各自的通孔形成区域的剖面结构，图7(d)是表示在图7(a)～图7(c)中所示的芯片保持器内部流体的流动的模式图。

图8中，图8(a)以及图8(b)用于说明芯片不会超出至本发明第1～第4实施方式中的芯片保持器的保持空间外侧的条件。

图9中，图9(a)以及图9(b)表示了本发明第1～第4实施方式的芯片保持器中的芯片保持空间的排列的例子。

图10中，图10(a)～图10(c)是表示使用了在日本特开平7-176511号公报中所公开的过去的芯片保持器的半导体芯片干燥方法的各个工序的剖视图。

图11表示了在日本特开平7-176511号公报中所公开的过去的芯片保持器的结构。

具体实施方式

(第1实施方式)

下面参照附图，对本发明的第1实施方式的芯片保持器以及芯片处理方法(具体而言是芯片洗净方法)，进行说明。

图1(a)以及图1(b)表示了第1实施方式的芯片保持器的概略结构，图1(a)表示该芯片保持器的保持器下板和保持器上板组合之前的状态，图1(b)表示该芯片保持器的保持器下板和保持器上板组合之后的状态。

此外，图1(c)以及图1(d)表示了在第1实施方式的芯片保持器的保持器下板和保持器上板上的各个通孔形成区域的剖面结构，图1(c)表示该芯片保持器的保持器下板和保持器上板组合之前的状态，图1(d)表示该芯片保持器的保持器下板和保持器上板组合之后的状态。

如图1(a)以及图1(c)所示，例如在厚度为1.0mm的保持器下板1的上表面侧上，作为第1开口部，形成了没有顶部的预定数量的第1圆锥孔(下板圆锥孔(背面侧))12。当本实施方式的芯片保持器被用于洗净例如大小为2mm(宽度)×2mm(长度)×0.4mm(厚度)的芯片时，第1圆锥孔12的底面(保持器下板1的上表面的最大开口面)直径例如是3.8mm，第1圆锥孔12的上表面(保持器下板1的上表面和下表面之间的最小开口面11)的直径例如是2.2mm。此外，在保持器下板1的下表面侧上，作为以最小开口面11为对称基准而与各个第1圆锥孔12对称的第2开口部，形成了没有顶部的预定数量的第2圆锥孔(下板圆锥孔(外表面侧))13。也就是说，在保持器下板1上，设置有分别由第1圆锥孔12和第2圆锥孔13构成的预定数量的第1通孔。另外，在本实施方式中，第1圆锥孔12和第2圆锥孔13具有相同的形状。

此外，如图1(a)以及图1(c)所示，例如在厚度1.0mm的保持器上板2的下表面侧上，作为第3开口部，形成了没有顶部的预定数量的第3圆锥孔(上板圆锥孔(背面侧))22。各个第3圆锥孔22以如下方式设置在保持器上板2上，即，当保持器上板2和保持器下板1组合在一起时，与形成在保持器下板1上的各个第1圆锥孔12的最大开口面与各个第3圆锥孔22的最大开口面吻合。也就是说，在保持器上板2上，设置了与第1圆锥孔12数量相同的与第1圆锥孔12具有相同形状的第3圆锥孔22。具体而言，当本实施方式的芯片保持器被用于洗净例如大小为2mm(宽度)×2mm(长度)×0.4mm(厚度)的芯片时，第3圆锥孔22的底面(保持器上板2的下表面中的最大开口面)直径例如是3.8mm，第3圆锥孔22的上表面(保持器上板2的上表面与下表面之间的最小开口面21)的直径例如是2.2mm。此外，在保持器上板2的上表面侧上，作为以最小开口面21为对称基准而与各个第3圆锥孔22对称的第4开口部，形成了没有顶部的预定数量的第4圆锥孔(上板圆锥孔(外表面侧))23。也就是说，在保持器上板2上，设置了分别由第3圆锥孔22和第4圆锥孔23构成的预定数量的第2通孔。另外，在本实施方式中，第3圆锥孔22和第4圆锥孔23具有同样的形状。

如图1(b)以及图1(d)所示，在将被处理物保持在本实施方式的芯片保持器10中时，首先，将作为被洗净物的例如芯片4配置在设置于保持器下板1上的第1圆锥孔12中。接着，将保持器下板1和保持器上板2重叠起来，使得各个第1圆锥孔12与各个第3圆锥孔22相吻合。之后，通过在分别形成于保持器下板1的例如四个角部、以及保持器上板2的例如四个角部上的固定螺栓孔5中插入固定螺栓(省略图示)，来固定保持器下板1和保持器上板2。由此，芯片4被保持在由设置在保持器下板1上的第1圆锥孔12、与设置在保持器上板2上的第3圆锥孔22所构成的芯片保持空间121中。

如上所述，由于芯片保持空间121由2个圆锥孔12以及22形成，所以其中心部较宽，在本实施方式中，芯片4可以向X方向(宽度方向)、Y方向(深度方向)以及Z方向(厚度方向)这三者中的任何一个方向移动。

具体而言，在本实施方式中，第1圆锥孔12的最小开口面11以及第3圆锥孔22的最小开口面21各自的面积(上述实施例的情况下是3.14×1.1×1.1≈3.8mm²)都比芯片4的最大投影面积(也就是作为芯片4最大面的芯片表面或者芯片背面的面积：在上述实施例的情况下是2×2＝4mm²)小。换句话说，第1圆锥孔12的最小开口面11以及第3圆锥孔22的最小开口面21各自的直径(上述实施例的情况下是2.2mm)比芯片4的对角长度(上述实施例的情况下是2.8mm左右)小。另外，不言自明，第1圆锥孔12以及第3圆锥孔22各自的最大开口面面积(也就是芯片保持空间121中心部在水平方向上的剖面面积)比芯片4的最大投影面积大。

根据上述结构，能够切实避免芯片4从本实施方式的芯片保持器10的芯片保持空间121向外侧超出，并且还能够以可动状态也就是点接触状态或者非接触状态将芯片4保持在该芯片保持空间121中。即，芯片4的平面形状(也就是芯片表面或者背面的形状(四边形))与第1圆锥孔12以及第3圆锥孔22所形成的芯片保持空间121的平面形状(第1圆锥孔12或者第3圆锥孔22的最大开口面的形状(圆形))不同。由此，能够将芯片4以非接触状态保持在芯片保持空间121中，并且芯片4在与第1圆锥孔12的壁面或者第3圆锥孔22的壁面接触之际必然构成点接触。

下面，参考图2对被保持在本实施方式的芯片保持器10中的芯片的洗净方法进行说明。

图2用于说明使用本实施方式的芯片保持器10所进行的芯片洗净方法的概略情况(使用第2～第4实施方式的芯片保持器的芯片洗净方法的概略情况也一样)。如图2所示，保持着芯片的芯片保持器10例如通过臂7以手动方式保持。通过打开洗净液线路开关阀门61a来向洗净槽61内供给洗净液81。此外，打开循环阀61b，关闭废液阀61c，并且驱动循环泵61d，由此使洗净液81循环。用于进行芯片水洗的水洗槽62例如是溢出槽，通过打开纯水供给阀62a，在从水洗槽62的底部向水洗槽62供给纯水82的同时，从喷淋喷嘴62b也向水洗槽62供给纯水82。用于进行芯片干燥的干燥炉63利用温度控制系统65来保持在一定的温度下，通过打开氮气线路开关阀63a来向干燥炉63内供给氮气。另外，洗净槽61、水洗槽62以及干燥炉63被壳体60围起来，凭借排气阀64而在壳体60内保持减压状态。

芯片洗净的处理步骤按照如下方式进行。首先、通过打开洗净液线路开关阀61a来向洗净槽61内供给所期望量的洗净液81。接着，打开循环阀61b，关闭废液阀61c，并且驱动循环泵61d，由此使洗净液81循环。接着，通过臂7保持芯片保持器10的同时，将芯片保持器10按照所希望的时间浸泡在蓄留于洗净槽61中的洗净液81中。之后，将芯片保持器10移至水洗槽62中，其中该水洗槽62中已通过预先打开纯水供给阀62a而供给有纯水82，将芯片保持器10按照所希望的时间浸泡在蓄留于水洗槽62中的纯水82中。水洗槽62中的水洗处理结束之后，将芯片保持器10移至干燥炉63中，该干燥炉63中预先通过温度控制系统控制在一定温度且通过打开氮气线路开关阀63a保证总是处于氮气环境下，按照所希望的时间进行干燥处理。

虽然在本实施方式中是以在芯片洗净处理中所使用的药液属于一个系统的情况为例来进行说明的，但是根据需要，也可以通过增加流体供给线路，利用多种药液进行的芯片洗净处理。此外，在本实施方式中，利用纯水进行水洗处理之后，立即将芯片保持器放入干燥炉63中；但也可以采用以下步来代替上述步，即，在用纯水进行水洗处理之后，利用HFE(Hydro Fluoro Ether(含氢氟醚))等溶剂除去芯片上的水分，然后将芯片保持器10放入干燥炉63中。

下面参考图3，对本实施方式的芯片保持器10内部的流体(洗净液或者纯水等)流动进行说明。

图3是表示在使用本实施方式的芯片保持器10所进行的洗净处理中所供给以及所排出的流体的流动的模式图。

如图3所示，从保持器上板2的第4圆锥孔23向芯片保持器10内供给的流体100通过最小开口面21进入芯片保持空间121，与芯片4接触。之后，接触到芯片4的流体100通过最小开口面11以及第2圆锥孔13被排出。

如上述说明那样，根据本实施方式，由于芯片4以可动状态被保持在芯片保持空间121中，所以芯片保持器10与芯片4的接触部位总是变化的，且能够使该接触部位的面积较小，故能够让流体和芯片4的整个表面接触。此外，由于在芯片保持空间121中总是确保有流体的流动路径，故能够提高流体的置换效率和排出效率，由此，能够提高芯片4的洗净处理效率。此外，还能够防止尘埃等积存在芯片保持器10内。

此外，根据本实施方式，在保持器下板1上设置有第1通孔，该第1通孔包括第1圆锥孔12以及第2圆锥孔13，该第1圆锥孔12以及第2圆锥孔13成夹持最小开口面11状设置；并且，在保持器上板2上设置有第2通孔，该第2通孔包括第3圆锥孔22以及第4圆锥孔23，该第3圆锥孔22以及第4圆锥孔23成夹持最小开口面21状设置。即，在保持器下板1的第1通孔上设置有位于保持器下板1的上表面的最大开口面以及位于保持器下板1的下表面的最大开口面(以夹持最小开口面11的方式设置的一对最大开口面)，并且在保持器上板2的第2通孔上设置有位于保持器上板2的上表面的最大开口面以及位于保持器上板2的下表面的最大开口面(以夹持最小开口面21的方式设置的一对最大开口面)。由此，由于提高了导入至芯片保持空间121中的洗净液等流体的从第1或者第2通孔排出的排出效率，故既提高了该流体的置换效率，又由此进一步提高了芯片4的洗净处理效率。此外，在使用本实施方式的芯片保持器10来对芯片4进行干燥时，也由于芯片保持空间121内的流体可从第1或者第2通孔迅速排出，故能够缩短干燥处理所需要的时间。

此外，根据本实施方式，由于保持器下板1和保持器上板2具有同样的结构，故各自的用途具有可替换性。即，使用保持器上板和保持器下板时没有区别，提高了便利性。

(第1实施方式的改型例)

下面参考附图，对本发明第1实施方式改型例的芯片保持器以及芯片处理方法进行说明。

图4(a)以及图4(b)表示了本改型例的芯片保持器的保持器下板以及保持器上板的各自的通孔形成区域的剖面结构。图4(a)表示该芯片保持器的保持器下板和保持器上板组合之前的状态，图4(b)表示该芯片保持器的保持器下板和保持器上板组合起来之后的状态。另外，在图4(a)以及图4(b)中，对与图1(a)～图1(d)所示的第1实施方式相同的构成要素加以同样的附图标记，并省略其说明。

如图4(a)以及图4(b)所示，本改型例和第1实施方式不同的地方在于，分别设置在保持器下板1和保持器上板2上的通孔的形状。具体而言，在第1实施方式中，如图1(c)以及图1(d)所示，在保持器下板1上设置了由第1圆锥孔12和第2圆锥孔13构成的第1通孔，并且在保持器上板2上设置了由第3圆锥孔22和第4圆锥孔23构成的第2通孔。与此相应，在本改型例中，如图4(a)以及(b)所示，将仅由第1圆锥孔12构成的第1通孔设置在保持器下板1上，并且将仅由第3圆锥孔22构成的第2通孔设置在保持器上板2上。即，成为第1通孔的第1圆锥孔12的最大开口面位于保持器下板1的上表面上，该第1圆锥孔12的最小开口面11位于保持器下板1的下表面上，另外，成为第2通孔的第3圆锥孔22的最大开口面位于保持器上板2的下表面上，该第3圆锥孔22的最小开口面21位于保持器上板2的上表面上。

另外，与第1实施方式相同，在本改型例中，如图4(b)所示，芯片4也被保持在由设置在保持器下板1上的第1圆锥孔(第1通孔)12、和设置在保持器上板2上的第3圆锥孔(第2通孔)22所构成的芯片保持空间121中。

对应于在洗净处理中所使用的流体或者干燥处理的方法等，上面所说明的本改型例的芯片保持器也可以作为代替第1实施方式的芯片保持器而使用的装置，利用本改型例的芯片保持器以及使用该保持器所进行的芯片处理方法，能够得到与第1实施方式相同的效果。

另外，在本改型例中，为了确保保持器下板1以及保持器上板2的各自的强度，根据芯片保持器的构成材料，有时候需要采用增大保持器下板1以及保持器上板2各自的厚度，或者加固保持器下板1以及保持器上板2的办法。

(第2实施方式)

下面参考附图，对本发明的第2实施方式的芯片保持器以及芯片处理方法(具体而言就是芯片洗净方法)进行说明。

图5(a)以及图5(b)表示了第2实施方式的芯片保持器的概略结构，图5(a)表示该芯片保持器的保持器下板和保持器上板组合之前的状态，图5(b)表示该芯片保持器的保持器下板和保持器上板组合起来之后的状态。

此外，图5(c)表示了第2实施方式的芯片保持器的保持器下板以及保持器上板各自的通孔形成区域的剖面结构。另外，图5(c)表示该芯片保持器的保持器下板和保持器上板组合起来之后的状态。

此外，图5(d)是表示使用如图5(a)～(c)所示的本实施方式的芯片保持器10的洗净处理中所供给以及排出的流体的流动的模式图。

另外，在图5(a)～(d)中，对于与图1(a)～(d)所示的第1实施方式相同的构成要素给与相同的附图标记，并省略其说明。

本实施方式与第1实施方式的第1个不同点是：如图5(a)～图5(c)所示，为了提高芯片保持空间121中的洗净液等流体的供给效率以及排出效率，在保持器下板1的上表面上设置有多个槽(下板槽)14，该多个槽14延伸到保持器下板1的侧面，并将彼此相邻的第1圆锥孔12连接起来；而且，在保持器上板2的下表面上设置有多个槽(上板槽)24，该多个槽24延伸到保持器上板2的侧面，并将彼此相邻的第3圆锥孔22连接起来。在这里，当利用本实施方式的芯片保持器对例如大小为2mm(宽度)×2mm(长度)×0.4mm(厚度)的芯片进行清洗的时候，槽14以及24的宽度、深度例如分别是1.0mm、0.5mm。另外，槽14的底面位于与最小开口面11相同的平面上，槽24的底面(图中是顶面)位于与最小开口面21相同的平面上。

此外，本实施方式与第1实施方式的第2个不同点是：如图5(a)～(c)所示，按照使保持器下板1的外周部上表面与槽14的底面同面的方式在该外周部处设置台阶，而且，按照使保持器上板2的外周部下表面和槽24的底面(图中是顶面)同面的方式在该外周部处设置台阶。由此，在由保持器下板1和保持器上板2组合而成的本实施方式的芯片保持器10(参考图5(b))的侧面部上形成有具有预定高度的空隙(与槽14以及24连接)。在这里，当使用本实施方式的芯片保持器对例如大小为2mm(宽度)×2mm(长度)×0.4mm(厚度)的芯片进行洗净时，各个台阶的高度以及深度例如分别是0.5mm以及1.0mm。在该情况下，在本实施方式的芯片保持器10(参考图5(b))的外周部上形成有高度为1.0mm的空隙。

本实施方式的芯片保持器10中，如图5(d)所示，从保持器上板2的第4圆锥孔23所供给的流体100经由最小开口面21进入芯片保持空间121，与芯片4接触。在第1实施方式中，与芯片4接触后的流体100经由最小开口面11以及第2圆锥孔13而排出(参考图3)。与此相应，在本实施方式的芯片保持器10中，由于例如图5(a)所示的槽14按照将彼此相邻的第1圆锥孔12连接的方式延伸，故如图5(d)所示，与芯片4接触后的流体100除了经由最小开口面11以及第2圆锥孔13排出之外，还可以从各个第1圆锥孔12经由槽14而沿4个方向排出。

根据上面所说明的本实施方式的芯片保持器以及使用了该保持器的芯片处理方法，除了与第1实施方式同样的技术效果之外，还能得到如下的效果。即，在由设置在保持器下板1上的第1圆锥孔12、和设置在保持器上板2上的第3圆锥孔22所构成的芯片保持空间121中，存在有最小开口面11以及21这2个方向，再加上槽14的4个方向，合计6个方向的流体(洗净液等)出入口。换句话说，由于在多个方向上确保了向芯片保持空间121的流体供给路径、以及从该芯片保持空间121的流体排出路径，故显著提高了流体供给以及排出的自由度。由此，由于进一步提高了流体向芯片保持空间121中的供给效率以及排出效率，也就是流体的置换效率，所以被洗净物例如芯片4的处理效率也得到进一步提高。

此外，根据本实施方式，例如图5(b)所示，在由保持器下板1和保持器上板2组合而成的芯片保持器10的侧面部上，形成有与槽14和24连接且具有预定高度的空隙。因此，由于通过在芯片保持器10侧面部处流体的整流，流体容易进入槽14和24，所以通过将相邻的第1圆锥孔12连接起来的槽14以及将相邻的第3圆锥孔22连接起来的槽24的叠加效果，可提高流体的置换效率。因此，被处理物例如芯片4的处理效率能够得到进一步提升。

另外，在本实施方式中，虽然按照使保持器下板1的外周部上表面与槽14的底面同面的方式在该外周部上设置了台阶，但也可以按照使槽14的底面比保持器下板1的外周部上表面更高的方式来设置台阶，来代替上述方式。同样的，虽然按照使保持器上板2的外周部下表面与槽24的底面(图中是顶面)同面的方式在该外周部上设置了台阶，但也可以按照使槽24的底面(图中是顶面)比保持器上板2的外周部下表面更低的方式来设置台阶。

此外，在本实施方式中，虽然是在保持器下板1上设置了槽14的同时在保持器上板2上设置了槽24，但代替上述方式，也可以在保持器下板1以及保持器上板2这两者中的任何一个上不设置槽。此外，虽然在保持器下板1以及保持器上板2这两者的外周部上都设置有台阶，但也可以在保持器下板1以及保持器上板2这两者或者其中的任何一个的外周部上不设置台阶。

(第3实施方式)

下面参照附图，对本发明的第3实施方式的芯片保持器以及芯片处理方法(具体而言就是芯片洗净方法)进行说明。

图6(a)以及图6(b)表示了第3实施方式的芯片保持器的概略结构，图6(a)表示该芯片保持器的保持器下板和保持器上板组合之前的状态，图6(b)表示该芯片保持器的保持器下板和保持器上板组合起来之后的状态。

此外，图6(c)表示了第3实施方式的芯片保持器的保持器下板、以及保持器上板上各自的通孔形成区域的剖面结构。另外，图6(c)表示该芯片保持器的保持器下板和保持器上板组合起来之后的状态。

另外，在图6(a)～图6(c)中，对与图5(a)～图5(d)中所示的第2实施方式相同的构成要素标注以相同的附图标记，并省略其说明。

本实施方式中与第2实施方式不同的方面如下：即，在第2实施方式中，按照使保持器下板1的外周部上表面与槽14的底面同面的方式在该外周部上设置台阶，并按照使保持器上板2的外周部下表面与槽24的底面(图中是顶面)同面的方式在该外周部上设置台阶。与此相应，在本实施方式中，并不在保持器下板1和保持器上板2各自的外周部上设置该各个台阶。取而代之，在本实施方式中，如图6(a)所示，例如在保持器下板1的上表面的固定螺栓孔5附近设置突起，并在保持器上板2的下表面的固定螺栓孔5附近设置突起，由此在将保持器下板1和保持器上板2组合起来构成芯片保持器10时，在保持器下板1和保持器上板2之间形成具有预定高度的空隙。在这里，当本实施方式的芯片保持器被用于清洗大小为2mm(宽度)×2mm(长度)×0.4mm(厚度)的芯片时，槽14以及24的宽度以及深度分别是例如1.0mm以及0.4mm。此外，该情况下，上述空隙的高度比芯片4的厚度(0.4mm)小，例如是0.2mm。此外，该情况下，第1圆锥孔12的底面(保持器下板1的上表面中的最大开口面)直径例如是3.4mm，第1圆锥孔12的上表面(保持器下板1的上表面和下表面之间的最小开口面11)直径例如是2.0mm。另外，第2圆锥孔13、第3圆锥孔22以及第4圆锥孔23分别具有和第1圆锥孔12相同的形状。

在本实施方式中，如图6(a)～图6(c)所示，各个槽14以及24分别将彼此相邻的第1圆锥孔12以及第3圆锥孔22连接起来，并且还一直延伸至保持器下板1以及保持器上板2各自的侧面。

根据上面所说明的本实施方式的芯片保持器以及使用了该芯片保持器的芯片处理方法，除了与第1实施方式相同的效果之外，还能得到如下效果：即，在由设置在保持器下板1上的第1圆锥孔12、和设置在保持器上板2上的第3圆锥孔22构成的芯片保持空间121中，洗净液等流体能够通过槽14以及24、还有保持器下板1和保持器上板2之间的空隙从所有方向出入。因此，显著提高了流体的供给和排出的自由度。此外，通过流体的整流效果，让流体变得更容易进入槽14以及24。由此，由于进一步提高了流体向芯片保持空间121中的供给效率以及排出效率，也就是流体的置换效率，故进一步提高了被洗净物，例如芯片4的处理效率。

另外，在本实施方式中，在保持器下板1和保持器上板2之间设置有比被处理物的厚度(例如芯片4的厚度)更小的空隙。但是，在此基础之上，还可以与第2实施方式相同地，在保持器下板1和保持器上板2中的至少一个的外周部上设置台阶。这样，可得到更加显著的流体整流效果。

此外，在本实施方式中，由于要在保持器下板1和保持器上板2之间产生空隙，故在保持器下板1的上表面的固定螺栓孔5附近设置了突起，并在保持器上板2的下表面的固定螺栓孔5附近设置了突起。但是，在保持器下板1和保持器上板2之间产生空隙的方法并不限于上述方法，例如还可以将上述突起设置在保持器下板1的上表面以及保持器上板2的下表面各自的其他位置(除了固定螺栓孔5附近之外的其他位置)上。

此外，在本实施方式中，虽然在保持器下板1上设置有槽14，并在保持器上板2上设置有槽24，但也可以代替上述方式，在保持器下板1以及保持器上板2这两者中的任何一个上不设置槽。

(第4实施方式)

下面参照附图，对本发明的第4实施方式的芯片保持器以及芯片处理方法(具体而言就是芯片洗净方法)进行说明。

图7(a)以及图7(b)表示了第4实施方式的芯片保持器的概略结构，图7(a)表示该芯片保持器的保持器下板和保持器上板组合之前的状态，图7(b)表示该芯片保持器的保持器下板和保持器上板组合起来之后的状态。

此外，图7(c)表示了第4实施方式的芯片保持器的保持器下板以及保持器上板各自的通孔形成区域的剖面结构。另外，图7(c)表示该芯片保持器的保持器下板和保持器上板组合起来之后的状态。

而且，图7(d)是表示使用了如图7(a)～图7(c)所示的本实施方式的芯片保持器10的洗净处理中所供给且排出的流体的流动的模式图。

另外，在图7(a)～图7(d)中，对与图1(a)～图1(d)中所示的第1实施方式相同的构成要素标注以相同的附图标记，并省略其说明。

如图7(a)～图7(c)所示，本实施方式与第1实施方式的第1个不同点是：分别设在保持器下板1和保持器上板2上的通孔的形状。具体而言，在第1实施方式中，如图1(c)以及图1(d)所示，在保持器下板1上设置了由第1圆锥孔12、以及第2圆锥孔13所构成的第1通孔，并在保持器上板2上设置了由第3圆锥孔22、以及第4圆锥孔23所构成的第2通孔。与此相应，在本实施方式中，如图7(a)～图7(c)所示，在保持器下板1上设置了仅由第1圆锥孔12所构成的第1通孔，并在保持器上板2上设置了仅由第3圆锥孔22所构成的第2通孔。即，作为第1通孔的第1圆锥孔12，其最大开口面位于保持器下板1的上表面上，而该第1圆锥孔12的最小开口面11则位于保持器下板1的下表面上。此外，作为第2通孔的第3圆锥孔22，其最大开口面11位于保持器上板2的下表面上，而该第3圆锥孔22的最小开口面21则位于保持器上板2的上表面上。另外，与第1实施方式相同，在本实施方式中，如图7(c)所示，芯片4被保持在由设置在保持器下板1上的第1圆锥孔(第1通孔)12、和设置在保持器上板2上的第3圆锥孔(第2通孔)22所构成的芯片保持空间121中。

本实施方式与第1实施方式的第2个不同点是：在保持器下板1的下表面上，设置有部分覆盖第1通孔(第1圆锥孔12)的隔条(下板隔条)15，并在保持器上板2的上表面上，设置有部分覆盖第2通孔(第3圆锥孔22)的隔条(上板隔条)25。由此，能够防止在保持器下板1的下表面的第1圆锥孔12的最小开口面11完全开口，并能够防止在保持器上板2的上表面中的第3圆锥孔22的最小开口面21完全开口。在这里，当使用本实施方式的芯片保持器对例如大小为2mm(宽度)×2mm(长度)×0.4mm(厚度)的芯片进行清洗时，隔条15以及25的宽度和高度都是例如1.0mm。

在本实施方式的芯片保持器10中，如图7(d)所示，由于最小开口面21被用隔条25部分覆盖了，所以欲从最小开口面21进入芯片保持空间121的洗净液等流体100不会对芯片4的中心部造成直接冲击，而是进入第3圆锥孔22，也就是芯片保持空间121中。

根据上面所说明的本实施方式的芯片保持器以及使用了该芯片保持器的芯片处理方法，除了与第1实施方式相同的效果之外，还能得到如下效果：即，被处理物(比如芯片4)所受到的来自导入至芯片保持空间121中的流体的冲击能够得到缓和。因此，即使在被处理物是结构脆弱的元件时，也能够防止该元件的破损，同时还能够提高芯片保持空间121的流体置换效率以及排出效率，并由此提高该元件的洗净处理效率。因此，在结构脆弱的被处理物的处理中使用本实施方式的芯片保持器10是特别有效的。具体而言，如果在对被厚度100nm以下薄膜所覆盖、用于形成大小为1500微米(宽度)×1500微米(长度)×3微米(高度)左右的空洞的情况(湿刻(wet etching))，或者对其它的形成为结构上不稳定的形状的MEMS元件进行洗净等情况下，使用本实施方式的芯片保持器10可以使生产量得到显著提高。

另外，在本实施方式中，在保持器下板1的下表面上设置有部分地覆盖第1通孔(第1圆锥孔12)的隔条15，并在保持器上板2的上表面上设置有部分地覆盖第2通孔(第3圆锥孔22)的隔条25。但是，取而代之，也可以仅在被作为洗净液等流体的导入孔所使用的通孔上部分地覆盖隔条。

此外，在本实施方式中，也可以通过将隔条15以及25分别与各个保持器下板1以及保持器上板2一体加工而成，从而分别在保持器下板1的下表面和保持器上板2的上表面上没有形成通孔的区域中形成虚设隔条。

此外，在第1～第4实施方式中所示的被洗净物的大小(例如芯片4的大小)以及芯片保持空间121的大小(也就是第1圆锥孔12以及第3圆锥孔22各自的大小)分别是表示各自的一个例子，只要是能使被洗净物无法从芯片保持空间121掉出到外侧的结构，则对被洗净物以及芯片保持空间121各自的大小并没有特别的限定。

下面参考图1(a)～图1(d)，对在作为被洗净物的芯片4的平面形状是正方形，构成芯片保持空间121的圆锥孔12以及22的最小开口面11以及21的形状是圆形(椭圆形除外)的情况下，被洗净物不会掉出至芯片保持空间121外侧的条件进行说明。另外，圆锥孔12以及22各自的尺寸相同，最小开口面11以及21各自的尺寸也相同。

在该情况下，如果将芯片4的一边的尺寸设定为比最小开口面11以及21的直径大，就能够在物理上防止芯片4向芯片保持空间121的外侧掉出。此时，圆锥孔12以及22各自的圆锥角度(假设各个圆锥孔12以及22存在顶部时该顶部的角度)例如可以设定在110°～160°左右的范围内。具体而言，将圆锥孔12以及22各自的圆锥角度设定在下述角度范围内，即，在芯片保持空间121内限制芯片4的可动范围，使芯片4仅能够倾斜至相对水平面为30°左右。此外，对于保持器下板1以及保持器上板2各自的厚度，按照将圆锥孔12以及22各自的圆锥角度设定至上述适当的角度的方式来进行设定。

接着，在作为被洗净物的芯片的平面形状是正方形，芯片保持空间由与第1实施方式的圆锥孔12、22相同的圆锥孔构成的情况下，当可以忽略该芯片厚度时，参照图8(a)、图8(b)对该芯片无法掉出至该芯片保持空间外侧的条件进行说明。在这里，如图8(a)所示，设圆锥孔的最大开口面和最小开口面各自的直径分别为L_顶和L_底，圆锥孔的最大开口面与壁面所成的角度为θ(10°≤θ≤35°)，芯片的对角长度(对角线的长度)为L_芯片。

如图8(b)所示，若设从最大开口面的一端到位于与其正相对位置的最小开口面的另一端的距离为x，则芯片倾斜时芯片不会掉出至该芯片保持空间外侧的条件是x＜L_芯片。此外，x可以表示为：

x＝{[L_底+(L_顶-L_底)/2]²+[(L_顶-L_底)/2·tan θ]²}^0.5＝{[(L_顶+L_底)²+(L_顶-L_底)²]/4+tan²θ}^0.5＝[(L_顶 ²+L_底 ²)/2+tan²θ]^0.5

因此，条件x＜L_芯片可以表示为：

[(L_顶 ²+L_底 ²)/2+tan²θ]^0.5＜L_芯片

此外，在第1～第4实施方式中，如图9(a)所示，可将芯片保持空间121(也就是保持器下板1的第1圆锥孔12以及保持器上板2的第3圆锥孔22：图9(a)中仅表示第1圆锥孔12)按照格子状(呈90°排列)配置。该情况下，与在格子方向(90度方向)上相邻的第1圆锥孔12彼此的距离相比，在斜方向(45度方向)上相邻的第1圆锥孔12彼此之间的距离较长。由此，例如如果在格子方向上按照每6个第1圆锥孔12排成一列，则在保持器下板1上的第1圆锥孔12的总数是36个。然而，对第1圆锥孔12也就是芯片保持空间121的排列没有特别的限定。例如也可以如图9(b)所示，将如图9(a)所示的第1圆锥孔12的排列中每1列的第1圆锥孔12错开配置，由此将所有相邻的第1圆锥孔12之间的距离设定为相同(呈60°排列)。这样，如图9(b)所示，能够将保持器下板1上的第1圆锥孔12的总数增加至39个。即，通过采用如图9(b)所示的第1圆锥孔12的排列也就是芯片保持空间的排列，不但能在芯片保持器内形成更多的芯片保持空间，而且还增大了在保持器下板1的下表面以及保持器上板2的上表面各自的通孔的开口面所占的面积。因此，能够进一步提高在芯片保持空间中流体的置换效率。

此外，在第1～第4实施方式中，由于需要将芯片保持器10浸泡在洗净液中，所以作为该芯片保持器10的材料，优选采用例如具备耐化学腐蚀性的树脂。具体而言，作为洗净液使用氟酸时，芯片保持器10的材料优选PEEK(Poly Ether Ether Keton(聚醚醚酮))。或者，作为洗净液使用其他种类的洗净液时，还可以与该洗净液对应采用PFA(聚四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚)或PTFE(聚四氟乙烯)等。

此外，在第1～4实施方式中，虽然假定被处理物是正方形的芯片，且芯片保持空间121的平面形状是圆形，但是芯片保持空间121的平面形状并没有特别的限定，除了圆形之外还可以使用椭圆形或者多边形。比如在被处理物是长方形形状的芯片时，芯片保持空间121的平面形状也可以是椭圆形。即，最好芯片保持空间121的平面形状与被处理物的平面形状不同。这样，构成芯片保持空间121的第1圆锥孔12或者第3圆锥孔22的壁面与被处理物接触时必然成点接触。即，能够将被处理物以点接触状态或者非接触状态切实地保持在芯片保持空间121中。因此，导入至该保持空间121中的洗净液等流体的置换效率和排出效率能够得到切实提高，故能够切实提高被处理物的洗净处理效率。具体而言，当被处理物是方形形状的芯片时，芯片保持空间121的平面形状优选是圆形，椭圆形或者五边形以上的多边形。换句话说，只要是能够将被处理物以点接触状态或者非接触状态保持在芯片保持空间121中，构成芯片保持空间121的通孔也可以采用圆锥孔之外的多棱锥孔等等。

此外，在第1～4实施方式中，使用芯片保持器10的芯片洗净方法采用的是以手动方式来进行芯片保持器10的搬运、和洗净液等流体的供给排出的类型的洗净装置。但不言而喻，也可以使用芯片保持器10的搬运系统或者流体的供给排出结构实现了自动化的洗净装置来代替上述手动的装置。

此外，在第1～4实施方式的芯片保持器10的芯片保持空间121中虽然是将最小开口面21侧作为流体导入孔，将最小开口面11侧作为流体排出孔，但也可以将最小开口面21侧作为流体排出孔，将最小开口面11侧作为流体导入孔，来代替上述方式。

此外，在第1～4实施方式中虽然是以使用了芯片保持器10来进行芯片洗净的情况为例来进行说明的，但也可以使用芯片保持器10来进行芯片干燥。此时，由于芯片保持器10与被处理物之间的接触面积很小，故能够充分的进行对被处理物的干燥，由此还能够切实地避免在后续步中产生问题的情况。

根据上述说明，本发明涉及在半导体制造装置中所使用的芯片保持器，在将其应用于在MEMS元件的制造中所进行的芯片洗净处理中时，能够提高被处理物的洗净处理效率，是非常实用的。

Claims (18)

1.一种芯片保持器，其包括：具有第1贯通孔的保持器下板、和具有第2贯通孔的保持器上板，其特征在于，

被处理物以可动状态保持在将上述保持器下板和上述保持器上板组合时由上述第1贯通孔和上述第2贯通孔形成的保持空间中。

2.如权利要求1所述的芯片保持器，其中，

上述第1贯通孔在上述保持器下板的上表面上具有和上述被处理物的最大投影面积相等或者更大的第1最大开口面，且在上述保持器下板的上表面和下表面之间具有比上述最大投影面积小的第1最小开口面，

上述第2贯通孔在上述保持器上板的下表面上具有和上述最大投影面积相等或者更大的第2最大开口面，且在上述保持器上板的上表面和下表面之间具有比上述最大投影面积小的第2最小开口面。

3.如权利要求2所述的芯片保持器，其中，

上述第1贯通孔在上述保持器下板的下表面上具有比上述第1最小开口面大的开口面。

4.如权利要求2所述的芯片保持器，其中，

上述第2贯通孔在上述保持器上板的上表面上具有比上述第2最小开口面大的开口面。

5.如权利要求2所述的芯片保持器，其中，

上述第1贯通孔在上述保持器下板的上表面侧具有没有顶部的下板圆锥孔，

上述第2贯通孔在上述保持器上板的下表面侧具有没有顶部的上板圆锥孔，

上述第1最大开口面是上述下板圆锥孔的底部，

上述第2最大开口面是上述上板圆锥孔的底部。

6.如权利要求1所述的芯片保持器，其中，

在上述保持器下板的上表面上设置有从上述第1贯通孔延伸到上述保持器下板侧面的槽。

7.如权利要求6所述的芯片保持器，其中，

上述保持器下板具有与上述第1贯通孔相邻的其他贯通孔，

上述槽从上述第1贯通孔延伸到上述其他贯通孔。

8.如权利要求6所述的芯片保持器，其中，

在上述保持器下板的上表面上，在最外周部设置有台阶。

9.如权利要求1所述的芯片保持器，其中，

在上述保持器上板的下表面上设置有从上述第2贯通孔延伸到上述保持器上板侧面的槽。

10.如权利要求9所述的芯片保持器，其中，

上述保持器上板具有与上述第2贯通孔相邻的其他贯通孔，

上述槽从上述第2贯通孔延伸到上述其他贯通孔。

11.如权利要求9所述的芯片保持器，其中，

在上述保持器上板的下表面上，在最外周部设置有台阶。

12.如权利要求1所述的芯片保持器，其中，

在上述保持器下板和上述保持器上板被组合起来的状态下，在上述保持器下板和上述保持器上板之间产生比上述被处理物的厚度小的空隙。

13.如权利要求1所述的芯片保持器，其中，

在上述保持器下板的下表面上设置有部分覆盖上述第1贯通孔的隔条。

14.如权利要求1所述的芯片保持器，其中，

在上述保持器上板的上表面上设置有部分覆盖上述第2贯通孔的隔条。

15.如权利要求1所述的芯片保持器，其中，

上述被处理物的平面形状和上述保持空间的平面形状不同。

16.如权利要求15所述的芯片保持器，其中，

上述被处理物的平面形状是四边形，上述保持空间的平面形状是圆形、椭圆形或者五边形以上的多边形。

17.一种芯片处理方法，其特征在于，

将上述被处理物保持在权利要求1所记载的芯片保持器中对上述被处理物进行处理。

18.如权利要求17所述的芯片处理方法，其中，

在上述处理中，或者通过在流体中漂洗上述被处理物来洗净上述被处理物，或者使上述被处理物干燥。

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