CN1835086A - 磁阻效应再现头 - Google Patents

Abstract

一种磁阻效应再现头，包括由下屏蔽层和上屏蔽层构成的屏蔽部分，并且防止由磁屏蔽层的磁畴结构造成的头输出中的波动，因此具有更加稳定的头输出。在包括磁屏蔽磁阻效应元件的屏蔽部分的磁阻效应再现头中，该屏蔽部分被形成为具有在高度方向上不对称的多边形平面形状。

Description

磁阻效应再现头

技术领域

本发明涉及磁阻效应再现头，并且更具体地，涉及一种其中设置的屏蔽部分具有特性结构的磁阻效应再现头。

背景技术

近年来，存储信息量的增长已经带来了对磁盘设备的更高记录密度的要求。随着面记录密度的增大，磁记录在记录介质上的信息的一比特所占据的面积减小。对磁记录在记录介质上的信息进行读取的磁阻效应再现头的传感器大小也进行了相应的减小。

图11示意性地示出了在从记录介质5读取磁记录的信息的状态下记录介质5与磁阻效应再现头之间的位置关系。磁阻效应再现头是通过在下屏蔽层12和上屏蔽层14之间夹入用于读取磁记录的信息的磁阻效应元件10形成的。在读取磁记录的信息时，将磁阻效应元件10、下屏蔽层12和上屏蔽层14的端面定位为面对磁性介质5的表面，并且读取磁记录在磁性介质5上的信息。

下屏蔽层12和上屏蔽层14起到了防止来自当前正在读取的比特旁边的比特的磁性影响磁阻效应元件10的屏蔽层的作用。这意味着只有磁阻效应元件10正下方的磁记录的信息得到检测并且实现了所需的分辨率。

传统上，将下屏蔽层12和上屏蔽层14形成为这样：当从垂直于磁性介质5的介质表面的方向上观察时，具有矩形或正方形的平面形状，如图11所示。

图12示出了从头浮动器的浮置面一侧观察时的磁阻效应再现头的结构。在这个磁阻效应再现头中，示出了自旋阀GMR(巨磁阻)元件作为磁阻效应元件10。自旋阀GMR元件是通过层叠反铁磁层101、固定层(pinned layer)102、自由层103和封顶层(capping layer)104形成的。反铁磁层101与固定层102反铁磁性耦合，并且起到了将固定层102的磁方向固定在该元件的“高度”方向(即，垂直于介质表面的方向)上的作用。自由层103是磁方向可根据磁记录在记录介质上的信息而自由变化的磁性层。

自旋阀GMR元件利用电阻根据固定层102和自由层103的磁方向的角度而改变这一效应，通过检测GMR元件的电阻的变化，来检测磁记录在记录介质上的信息。

在图12中，将磁阻效应元件10这样设置：由下屏蔽层12和上屏蔽层14借助绝缘层16、18沿着厚度方向将其夹在中间。为了提高磁阻效应元件10的再现效率，在磁阻效应元件10的两侧上设置了由永磁性材料构成的硬膜20。硬膜20起到了在没有来自记录介质的磁力作用时，使磁阻效应元件10的自由层103的磁方向对准芯宽度方向的作用。使用诸如Co的具有相对较大磁矫顽力的磁性材料作为硬膜20。

作为包括用于控制如上所述的磁阻效应元件10的自由层103的磁畴的硬膜20的磁阻效应再现头的制造工艺，有如下处理：通过沿着芯宽度方向施加大约5kOe的磁场来磁化硬膜20，以使硬膜20的磁方向对齐芯宽度方向。在这一磁化处理中，使构成磁阻效应记录头的磁体的磁方向暂时地定向为磁化方向，并且在去除了磁化磁场时，各个部分的磁方向如下。硬膜20的磁方向基本上与磁化方向一致，并且在硬膜20的偏置磁场的作用下，自由层103的磁方向基本上与磁化方向一致。不过，由于反铁磁层101的作用，固定层102的磁方向保持为元件的“高度”方向，而与磁化方向无关。

另一方面，由于下屏蔽层12和上屏蔽层14是由磁矫顽力极小的软磁体形成的，因此构成了这样的层12和14的磁化图形：使得在去除了磁化磁场时，静磁能最小。也就是说，当作为整体观察时，下屏蔽层12和上屏蔽层14形成了总磁性基本为零的磁畴结构。换句话说，下屏蔽层12和上屏蔽层14的磁畴结构在去除了磁化磁场之后为闭合磁畴结构，比如图13A中所示的顺时针磁畴或图13B中所示的逆时针磁畴。

当下屏蔽层12和上屏蔽层14被磁化时，磁方向与磁化磁场的取向一致，但是在去除磁化磁场之后，会产生顺时针磁畴结构还是逆时针磁畴结构是不确定的。由于下屏蔽层12和上屏蔽层14表现为左右对称，因此顺时针磁畴结构与逆时针磁畴结构具有相等的可能性，顺时针磁畴结构的发生率和逆时针磁畴结构的发生率表现为基本相等。

虽然下屏蔽层12和上屏蔽层14的芯宽度为几十到一百微米并且高度为数十微米，但是磁阻效应元件10的芯宽度和传感器高度都大约为100nm，以致磁阻效应元件10远小于屏蔽层(小几百到一千倍)。

这意味着，当从磁阻效应元件10观察屏蔽层时，图13A中所示的顺时针磁畴结构是沿着逆时针方向均匀磁化的结构的等效结构，而图13B中所示的逆时针磁畴结构是沿着顺时针方向均匀磁化的结构的等效结构。

在作为GMR元件等元件的磁阻效应元件10中，如图14A和14B所示，由于在磁阻效应元件10等的两侧形成了电流元件22，所以上屏蔽层14向下(朝向磁阻效应元件10)凸出，靠近磁阻效应元件10的上表面。这样，当如上所述在上屏蔽层14上形成了凸出部分时，在沿着向左的方向或向右的方向对上屏蔽层14进行磁化时，在上屏蔽层14向下凸出的界面上产生了磁荷，以致对磁阻效应元件10产生了如图由虚线所示的磁场。

图14A示出了上屏蔽层14沿向左的方向被有效磁化的状态，并且在这种情况下，由上屏蔽层14的凸出部分产生的磁场是在与由硬膜20引起的沿着芯宽度方向作用的偏置磁场相反的方向上产生的，并且因此起到了减小偏置磁场的作用。另一方面，当上屏蔽层14沿向右的方向被有效磁化时，由上屏蔽层14的凸出部分产生的磁场是在与由硬膜20引起的偏置磁场相同的方向上产生的，因此起到了增大偏置磁场的作用。

这样，利用传统的磁阻效应再现头，作用在磁阻效应元件10的偏置磁场会根据上屏蔽层14具有顺时针结构还是逆时针结构而发生显著波动。由于偏置磁场的波动，自由层103相对于记录介质的磁场旋转的角度也会发生波动，并且这导致了磁阻效应再现头的输出发生波动的问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种磁阻效应再现头和使用该磁阻效应再现头的磁盘设备。该磁阻效应再现头包括由下屏蔽层和上屏蔽层构成的屏蔽部分，并且防止由屏蔽部分的磁畴结构造成的头输出的波动，从而导致更加稳定的头输出，并且由于产品之间的波动得到了抑制，使制造产量得以提高。

为了实现所提出的目的，根据本发明的磁阻效应再现头包括磁屏蔽磁阻效应元件的屏蔽部分，其中该屏蔽部分形成为具有在高度方向上不对称的多边形平面形状。应当注意，“在高度方向上不对称”的表述表示：屏蔽部分关于平行于高度方向的假想对称线不对称。

这里，“屏蔽部分”的表述表示：沿厚度方向设置在磁阻效应元件任一侧的下屏蔽层和上屏蔽层。下屏蔽层和上屏蔽层可以都是不对称的，或者下屏蔽层和上屏蔽层之一(优先地是只有上屏蔽层)是不对称的。

屏蔽部分可以形成为上端面在高度方向上倾斜的梯形，从而能够很容易地使屏蔽部分对称。

通过将屏蔽部分的上表面的倾斜角θ设置成处于10°到45°的范围之内，包括10°和45°，并且将屏蔽部分在高度方向上的长度设置为处于屏蔽部分在芯宽度方向上的长度的1/5到2/3的范围之内，包括屏蔽部分在芯宽度方向上的长度的1/5和2/3，能够唯一地确定在磁化磁场去除之后的屏蔽部分的磁畴结构。

根据本发明的另一种磁阻效应再现头包括磁屏蔽磁阻效应元件的屏蔽部分，其中该屏蔽部分被形成为具有在芯宽度方向上不对称的多边形平面形状。

通过将屏蔽部分形成为侧面沿着高度方向形成为倾斜表面的梯形，能够容易地唯一确定屏蔽部分的磁畴结构。

屏蔽部分的特征还在于，将屏蔽部分形成为具有等腰梯形的平面形状、将屏蔽部分沿着高度方向的侧面的展开角(flare angle)α设置在10°到45°的范围之内(包括10°和45°)、将屏蔽部分在高度方向上的高度(H)设置为屏蔽部分在芯宽度方向上的宽度(Wb)的一到三倍，并且将屏蔽部分沿着高度方向的一个侧面的展开角α设置为0°。

根据本发明的一种磁盘设备，其包括：由旋转驱动装置旋转驱动的磁记录盘；包含头悬架和承载臂的支撑装置，所述头悬架支撑着其上形成有记录/再现头的头浮动器；以及，控制单元，其驱动该支撑装置以使头浮动器进行寻道操作，其中记录/再现头包括作为再现头的磁阻效应再现头，该磁阻效应再现头包括磁屏蔽磁阻效应元件的屏蔽部分，其中该屏蔽部分形成为具有在高度方向上不对称的多边形平面形状。

该记录/再现头可以另选地包括：作为再现头的磁阻效应再现头，该磁阻效应再现头包括磁屏蔽磁阻效应元件的屏蔽部分，其中该屏蔽部分形成为具有在芯宽度方向上不对称的多边形平面形状。

采用根据本发明的磁阻效应再现头，可以将由于在再现头的加工制造期间进行的磁化处理而出现在屏蔽部分中的磁畴结构唯一地确定为具有逆时针或顺时针闭合磁畴结构的规定磁畴结构。通过这样做，能将作用在构成磁阻效应再现头的磁阻效应元件上的偏置磁场固定，结果，能够提供具有头输出中的波动得到了抑制的稳定头输出的磁阻效应再现头。此外，通过抑制头输出中的波动，能够提高制造产量。

采用根据本发明的磁盘设备，通过使用在记录/再现头中使用具有稳定头输出的磁阻效应再现头，能够提供高度可靠的磁盘设备。

附图说明

对于本领域的技术人员来说，在参照附图阅读和理解了下面的详细说明之后，本发明的前述和其它目的和优点将会变得明了。

在这些附图中：

图1是示意性表示根据本发明的磁阻效应再现头的根据第一实施例的下屏蔽层和上屏蔽层的结构的立体图；

图2是用于说明屏蔽部分的磁畴结构的示意图；

图3A和3B是用于说明屏蔽部分的磁畴结构的其它例子的示意图；

图4是用于说明平面形状为梯形的屏蔽部分的示意图；

图5是用于说明根据第一实施例的屏蔽部分的另一个例子的示意图；

图6是示意性表示根据本发明的磁阻效应再现头的根据第二实施例的下屏蔽层和上屏蔽层的结构的立体图；

图7是用于说明屏蔽部分的磁畴结构的示意图；

图8A和8B是用于说明屏蔽部分的磁畴结构的其它例子的示意图；

图9是用于说明平面形状为等腰梯形的屏蔽部分的示意图；

图10是用于说明屏蔽部分的另一个例子的示意图；

图11是示意性表示传统磁阻效应再现头的下屏蔽层和上屏蔽层的结构的立体图；

图12是用于说明传统的磁阻效应再现头的截面结构的示意图；

图13A和13B是用于说明传统的磁阻效应再现头的屏蔽部分的磁畴结构的示意图；

图14A和14B是用于说明屏蔽部分对磁阻效应再现头的作用的示意图；

图15是配备有根据本发明的磁阻效应再现头的磁盘设备的平面图；和

图16是其上安装有根据本发明的磁阻效应再现头的头浮动器的立体图。

具体实施方式

现在将参照图详细说明根据本发明的磁阻效应再现头的优选实施例。

第一实施例

图1是表示形状为根据本发明的磁阻效应再现头所特有的下屏蔽层12和上屏蔽层14以及磁阻效应元件10的立体图。应当注意：构成磁阻效应元件10的叠层膜的结构和构成磁阻效应再现头的多个组成部分的结构基本上与前述的磁阻效应再现头相同的。因此，下面省略了对它们的描述。

根据本发明的磁阻效应再现头最具特色的部分是形成磁阻效应再现头的屏蔽部分的下屏蔽层12和上屏蔽层14的平面形状。也就是说，在传统的磁阻效应再现头中，将下屏蔽层12和上屏蔽层14形成为具有矩形或正方形的平面形状，而在根据本发明的磁阻效应再现头中，将下屏蔽层12和上屏蔽层14形成为具有梯形的平面形状。

应当注意：在本实施例中，为下屏蔽层12和上屏蔽层14的各个侧面给定了下述名称，以具体指定侧面。也就是说，将下屏蔽层12和上屏蔽层14的面对浮置面的侧面称为“下端面”FA，将沿着元件的高度方向的一侧上的侧面称为“高度方向上的第一侧面”FB，将沿着元件的高度方向的另一侧上的侧面称为“高度方向上的第二侧面”FC，而将与下端面相对的表面称为“上端面”FD。

通常，从头浮动器的浮置面侧对结合在头浮动器上的记录/再现头进行研磨，以设置记录/再现头的高度。这意味着，将下屏蔽层12和上屏蔽层14的各个下端面FA形成为平行于浮置面的平坦表面。在根据本发明的磁阻效应再现头中，对下屏蔽层12和上屏蔽层14二者来说，高度方向上的第一侧面FB和高度方向上的第二侧面FC都垂直于下端面FA，并且上端面FD相对于下端面FA倾斜。也就是说，下端面FA与高度方向上的第一侧面FB的夹角度是90°，下端面FA与高度方向上的第二侧面FC的夹角是90°，第一侧面FB与上端面FD的夹角是钝角，而第二侧面FC与上端面FD的夹角是锐角。

图2示出了在对下屏蔽层12和上屏蔽层14进行了磁化并且去除了磁化磁场之后的磁畴结构。在图2中，符号“MF”代表磁化磁场的方向。由于下屏蔽层12和上屏蔽层14是由诸如NiFe的软磁材料形成的，因此在施加了磁化磁场MF时，下屏蔽层12和上屏蔽层14在磁化磁场的方向上被磁化，但是当去除了磁化磁场时，会出现闭合磁畴结构，总剩余磁化强度基本为零。根据本实施例，下屏蔽层12和上屏蔽层14的特征在于，通过将下屏蔽层12和上屏蔽层14形成为具有沿左右方向不对称的平面形状，唯一地确定了出现在下屏蔽层12和上屏蔽层14中出现的闭合磁畴结构的方向。

也就是说，当去除了磁化磁力MF时，在沿下屏蔽层12和上屏蔽层14的上端面FD形成的磁畴D内保留有沿磁化磁力MF的方向取向的磁性，以致出现了如图中所示的逆时针磁畴结构作为闭合磁畴结构。这一逆时针磁畴结构是由于下述原因出现的。由于下屏蔽层12和上屏蔽层14的平面形状的不对称，导致产生顺时针闭合磁畴结构的可能性和产生逆时针闭合磁畴结构的可能性不相等。也就是说，由于下屏蔽层12和上屏蔽层14的平面形状和磁化磁力MF的方向，导致产生诸如图2中所示的那样的逆时针闭合磁畴结构的可能性更高。

这样，通过使下屏蔽层12和上屏蔽层14的平面形状在高度方向上不对称，使得在去除磁化磁力时出现逆时针磁畴结构，对于磁阻效应元件10来说，下屏蔽层14的磁畴结构有效地变成了向右的磁性。因此，如图14B所示，上屏蔽层14起到了增大硬膜20的偏置磁场的作用。而且，由于图2中所示的方向是针对上屏蔽层14的磁畴结构唯一确定的，因此作用在磁阻效应元件10上的偏置磁场不再通过上屏蔽层14的磁畴结构的作用而增大或减小，从而能够解决头输出中出现的波动问题。

图3A和3B示出了在将下屏蔽层12和上屏蔽层14的各自的在高度方向上的第一侧面FB的高度设置成与各自的下端面FA的长度(即，芯宽度方向上的长度)基本相等的情况下的下屏蔽层12和上屏蔽层14的磁畴结构。

图3A示出了逆时针磁畴结构的示例，而图13B示出了不同的磁畴结构的示例。这样，当第一侧面FB的高度增大时，下屏蔽层12和上屏蔽层14的平面形状变得更接近于对称，从而使能够确定在下屏蔽层12和上屏蔽层14中出现的磁畴结构的方向的一致性下降，此时图3A和3B中所示的结构的情况都会发生。

图3A示出了向右的磁场作用在磁阻效应元件10的位置上的情况，而图3B示出了向左的磁场作用在磁阻效应元件10的位置上的情况。如果出现在下屏蔽层12和上屏蔽层14中的磁畴结构不是如图3A和3B所示那样唯一确定的，以致不同方向的磁场作用在磁阻效应元件10的位置上，那么就会在头输出中产生波动。

图4是构成屏蔽部分的下屏蔽层12和上屏蔽层14的平面图。当将下屏蔽层12和上屏蔽层14形成为梯形时，为了唯一确定出现在下屏蔽层12和上屏蔽层14中的磁畴结构，右侧面在高度方向上的高度(Hr)应当不大于芯宽度方向上的长度(Wb)的2/3。

应当注意：如果右侧面在高度方向上的高度Hr过低，就会不再可能产生稳定的闭合磁畴结构，从而右侧面在高度方向上的高度Hr应当优先地为芯宽度方向上的长度(Wb)的大约1/5或更大。

当上端面FD的倾斜角θ为10°或10°以下时，会有不充分的左右对称，而当角度θ为45°或45°以上时，在上面的三角区域中会出现另一个磁畴，这个磁畴会改变总的磁畴结构。因此，上端面FD的倾斜角θ应当处于大约10°到45°的范围之内，包含10°和45°。

与如图4所示的将右侧面在高度方向上的高度Hr设置得低于左侧面在高度方向上的高度(Hl)的方法相反，也可以将右侧面在高度方向上的高度Hr设置得高于左侧面在高度方向上的高度Hl，如图5所示。在这种情况下也一样，当去除了磁化磁力MF时，会出现如图5所示的逆时针磁畴结构。

应当注意：当使作用在下屏蔽层12和上屏蔽层14上的磁化磁力MF的取向反向时，会在下屏蔽层12和上屏蔽层14中出现顺时针磁畴结构。在作用在磁阻效应元件10上的硬摸20的偏置磁场的取向与图14中所示的取向相反的时候，这样的顺时针磁畴结构可以被有效利用。

第二实施例

图6表示根据本发明的磁阻效应再现头的第二实施例。本实施例的特征在于，将构成屏蔽部分的下屏蔽层12和上屏蔽层14的平面形状形成为等腰梯形。将下屏蔽层12和上屏蔽层14的下端面FA的长度(芯宽度方向上的长度)设置为比上端面FD短。

图7示出了：在平面形状为等腰梯形的下屏蔽层12和上屏蔽层14中，当首先将磁化磁力MF施加到下屏蔽层12和上屏蔽层14上然后再将其去除时出现的磁畴结构。如图7所示，对于本实施例的下屏蔽层12和上屏蔽层14，由于下屏蔽层12和上屏蔽层14的不对称，在下屏蔽层12和上屏蔽层14中出现了顺时针磁畴结构。由于这种磁畴结构，上屏蔽层14的磁畴结构等效于向左的磁性作用在磁阻效应元件10上的状态，使得如图14A所示的磁场作用在磁阻效应元件10上。

图8A和8B示出了处于如下状态的磁畴结构：将下屏蔽层12和上屏蔽层14的形状设置成，使下端在芯宽度方向上的长度(Wb)大约是高度方向上的高度(H)的五倍。这样，当下端在芯宽度方向上的长度(Wb)大于高度方向上的高度(H)时，如图8A和8B所示，在下屏蔽层12和上屏蔽层14中可能会出现顺时针磁畴结构和这样一种磁畴结构：该磁畴结构是闭合磁畴结构的组合。当从磁阻效应元件10观察时，下屏蔽层12和上屏蔽层14在图8A所示的情况下，等效于向左磁化体，而在图8B所示的情况下，等效于向右磁化体。

图9示出了下屏蔽层12和上屏蔽层14的平面形状。

如果，如图8A和8B所示，当去除了作用在下屏蔽层12和上屏蔽层14上的磁化磁场时，可能会出现产生沿着相反的方向作用在磁阻效应元件10上的磁场的磁畴结构，那么作用在磁阻效应元件10上的偏置磁场将不会恒定不变，并且头输出会发生波动。

因此，需要将下端在芯宽度方向上的长度(Wb)减小到某一长度或该长度以下。在实践中，通过将下端在芯宽度方向上的长度(Wb)设置在沿高度方向的高度(H)的一到三倍的范围之内(包括一和三倍)，就可以将下屏蔽层12和上屏蔽层14的磁畴结构唯一地确定为图7中所示的顺时针磁畴结构。

如果将下屏蔽层12和上屏蔽层14的下端面FA与高度方向上的第一侧面FB与高度方向上的第二侧面FC之间形成的展开角设置为α，当该展开角低于10°时，下屏蔽层12和上屏蔽层14不对称性不足，以致不能唯一地确定在下屏蔽层12和上屏蔽层14中出现的磁畴结构。相反，当该角度α高于45°时，在两端的三角区域中会出现另外的磁畴，这会改变下屏蔽层12和上屏蔽层14的总体磁畴结构，使得在磁阻效应元件10的周边处的磁场方向变得不稳定。因此，在本实施例中，上屏蔽层14的下端面与高度方向上的第一侧面FB和高度方向上的第二侧面FC之间的展开角α应当处于大约10°到45°的范围之内(包括10°和45°)。

图6到图9示出了上端在芯宽度方向上的长度(Wt)大于下端在芯宽度方向上的长度(Wb)的情况，不过如图10所示，即使当上端在芯宽度方向上的长度(Wt)小于下端在芯宽度方向上的长度(Wb)时，由于下屏蔽层12和上屏蔽层14的平面形状的不对称，也可以唯一地确定磁畴结构。如图10所示，当上端在芯宽度方向上的长度(Wt)大于下端在芯宽度方向上的长度(Wb)时，在下屏蔽层12和上屏蔽层14中会出现逆时针闭合磁畴结构。在这种情况下，图14(b)中所示的磁场作用在磁阻效应元件10上。

应当注意：在上述的实施例中，下屏蔽层12和上屏蔽层14的平面形状是等腰梯形，不过作为使下屏蔽层12和上屏蔽层14在芯宽度方向上不对称的方法，不是必须使用等腰梯形，而是可以将高度方向上的第一侧面FB和高度方向上的第二侧面FC简单地形成为倾斜面。而且，可以将第一侧面FB和第二侧面FC之一的展开角α设置为0°。

如上所述，本发明的特征在于，在磁阻效应再现头中，设置在磁阻效应元件10的两侧的下屏蔽层12和上屏蔽层14具有不对称的平面表面，从而在制造磁阻效应再现头期间进行磁化处理时，将在下屏蔽层12和上屏蔽层14中产生的磁畴结构唯一地确定为规定的磁畴结构。

因此，本发明并不局限于上述的自旋阀GMR元件，并且可以采用完全相同的方式应用于包括下屏蔽层12和上屏蔽层14的任何磁阻效应再现头，比如MR元件、TMR元件和CPP型GMR元件。通过唯一地确定下屏蔽层12和上屏蔽层14的磁畴结构，能够防止由于下屏蔽层12和上屏蔽层14的磁畴结构不确定所导致的头输出中的波动。

图15示出了使用包括上述的磁阻效应再现头的记录/再现头的磁盘设备的一个示例。磁盘设备50包括位于采用矩形盒体形式的机壳51内的多个磁记录盘53，这些磁记录盘53由主轴电机52旋转驱动。在磁记录盘53的旁边设置有得到支撑以能够平行于盘表面进行摆动的承载臂54。在承载臂54的端部安装有头悬架55，以延长承载臂54，并且在头悬架55的端部安装有头浮动器60。头浮动器60安装在头悬架55的面对各个盘表面的表面上。

图16是多个头浮动器60中的一个的立体图。在头浮动器60的面对磁盘的表面(ABS面)上，沿着浮动器主体61的侧边缘，设置了用于使头浮动器60浮置在磁盘表面上方的浮置轨62a、62b。在头浮动器60的前端(气流流出的一侧)，面向磁盘布置有包括磁阻效应头的记录/再现头63。该记录/再现头63由保护膜64覆盖并保护。

由头悬架55将各个头浮动器60弹性压向盘表面，并且在磁记录盘53的旋转停止时接触盘表面。当磁记录盘53由主轴电机52旋转驱动时，由通过磁记录盘53的旋转产生的气流使各个头浮动器60浮起，并且由此移离各个盘表面。

通过使用致动器56将承载臂54摆动到预定位置的操作(寻道操作)，由设置在头浮动器60上的记录/再现头63将信息记录到磁记录盘53上并对信息进行再现。

Claims (12)

1、一种磁阻效应再现头，包括磁屏蔽磁阻效应元件的屏蔽部分，

其中所述屏蔽部分被形成为具有在高度方向上不对称的多边形平面形状。

2、根据权利要求1所述的磁阻效应再现头，

其中所述屏蔽部分被形成为上端面在高度方向上为倾斜的梯形。

3、根据权利要求1所述的磁阻效应再现头，

其中所述屏蔽部分的上表面的倾斜角θ处于10°到45°的范围内，并且包括10°和45°。

4、根据权利要求3所述的磁阻效应再现头，

其中所述屏蔽部分在高度方向上的长度被设置为处于所述屏蔽部分在芯宽度方向上的长度的1/5到2/3的范围之内，包括所述屏蔽部分在芯宽度方向上的长度的1/5和2/3。

5、一种磁阻效应再现头，包括磁屏蔽磁阻效应元件的屏蔽部分，

其中所述屏蔽部分被形成为具有在芯宽度方向上不对称的多边形平面形状。

6、根据权利要求5所述的磁阻效应再现头，

其中所述屏蔽部分被形成为侧面沿着高度方向被形成为倾斜面的梯形。

7、根据权利要求6所述的磁阻效应再现头，

其中所述屏蔽部分被形成为具有等腰梯形的平面形状。

8、根据权利要求6或7所述的磁阻效应再现头，

其中所述屏蔽部分的沿着高度方向的侧面的展开角α被设置在10°到45°的范围之内，包括10°和45°。

9、根据权利要求8所述的磁阻效应再现头，

其中所述屏蔽部分在高度方向上的高度(H)是所述屏蔽部分在芯宽度方向上的宽度(Wb)的一倍到三倍。

10、根据权利要求6所述的磁阻效应再现头，

其中所述屏蔽部分的沿着高度方向的一个侧面的外倾角是0°。

11、一种磁盘设备，包括：由旋转驱动装置旋转驱动的磁记录盘；包含头悬架和承载臂的支撑装置，所述头悬架和承载臂支撑着其上形成有记录/再现头的头浮动器；以及，控制单元，驱动该支撑装置以使所述头浮动器进行寻道操作，

其中所述再现/记录头包括作为再现头的磁阻效应再现头，所述磁阻效应再现头包括磁屏蔽磁阻效应元件的屏蔽部分，其中该屏蔽部分形成为具有在高度方向上不对称的多边形平面形状。

12、一种磁盘设备，包括：由旋转驱动装置旋转驱动的磁记录盘；包含头悬架和承载臂的支撑装置，所述头悬架和承载臂支撑着其上形成有记录/再现头的头浮动器；以及，控制单元，驱动该支撑装置以使所述头浮动器进行寻道操作，

其中所述再现/记录头包括作为再现头的磁阻效应再现头，所述磁阻效应再现头包括磁屏蔽磁阻效应元件的屏蔽部分，其中所述屏蔽部分被形成为具有在芯宽度方向上不对称的多边形平面形状。

Images