CN1812000A - 一种高临界电流密度MgB2基超导体及其制备方法 - Google Patents
一种高临界电流密度MgB2基超导体及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1812000A CN1812000A CNA2005101327261A CN200510132726A CN1812000A CN 1812000 A CN1812000 A CN 1812000A CN A2005101327261 A CNA2005101327261 A CN A2005101327261A CN 200510132726 A CN200510132726 A CN 200510132726A CN 1812000 A CN1812000 A CN 1812000A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- mgb
- critical current
- super conductor
- base super
- wire rod
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 title claims abstract description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 13
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 42
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 27
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 16
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 12
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 11
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 11
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 claims description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 9
- 239000008246 gaseous mixture Substances 0.000 claims description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910001209 Low-carbon steel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 6
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims description 6
- 239000000428 dust Substances 0.000 claims description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 4
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 3
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005482 strain hardening Methods 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 13
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 9
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 7
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 6
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 description 2
- PZKRHHZKOQZHIO-UHFFFAOYSA-N [B].[B].[Mg] Chemical compound [B].[B].[Mg] PZKRHHZKOQZHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
本发明涉及一种高临界电流密度MgB2基超导体及其制备方法。其特征在于该超导体为在MgB2基超导体中弥散分布着碳、锆及其化合物。制备过程为首先将干燥的镁、硼、锆和碳粉末按比例充分混合1－2小时，将混合后的粉末成型，然后置于真空退火炉中，在纯氩气或氩气与氢气的混合气保护下，在740℃－760℃的温度下保温1－10小时，最后冷却至室温，制成高临界电流密度的MgB2基超导体。采用碳和金属锆作为助烧剂，碳、锆及其化合物弥散分布在最终获得的MgB2基超导体中，使最终形成的MgB2晶粒细化，有效强化了MgB2晶粒连接。本发明的方法制备成本低，同时引入了第二相粒子，有效改善了MgB2基超导体的磁通钉扎。
Description
技术领域
本发明涉及一种高临界电流密度MgB2基超导体及其制备方法。
背景技术
2001年初临界温度为39K的二硼化镁(MgB2)新超导体的发现引起了国际学术界的普遍关注，因为它创造了金属间化合物超导材料转变温度的新记录，对理论研究和应用研究都有十分重要的学术价值。虽然MgB2超导体的临界温度仅为39K，但与氧化物高温超导体不同，MgB2具有十分简单的化学成分和晶体结构，材料的成本很低，晶界能承载很高的电流，其本征临界电流密度(Jc)非常高(超过107A/cm2)。同时MgB2的相干长度与钙钛矿型结构的氧化物相干长度要大，这就意味着MgB2中更易于引入有效磁通钉扎中心，改善超导电性。MgB2可以在液氢温区(20K-30K)就实现应用，而低温超导体在这一温区无法工作，液氢温区通过制冷机就能容易获得而无需复杂和昂贵的液氦。综合制冷成本和材料成本，MgB2超导体在20-30K，低场条件下应用具有很明显的价格优势，尤其在MRI磁体(工作磁场1-2T)制造领域。
但是MgB2超导体的实际应用必须解决一个关键问题，即提高MgB2超导体的磁通钉扎。纯MgB2超导体在20K下的不可逆场值仅为4-5T，主要原因是MgB2超导体中缺乏有效钉扎中心，磁通钉扎较弱，这就导致在高场下的MgB2超导体的临界电流密度(Jc)较低，影响了MgB2超导体在高温(＞20K)高场下(＞4T)的实际应用。因此提高MgB2超导体磁通钉扎特性将大大促进MgB2超导体的实用化。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术的不足，提供一种制备过程简单并适宜于大规模生产、且在3特斯拉以上的背景磁场中具有高临界电流密度的MgB2基超导体及其制造方法。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的。
一种高临界电流密度MgB2基超导体，其特征在于该超导体为在MgB2基超导体中弥散分布着碳、锆及其化合物，该超导体原子比组成为Mg∶Zr∶B∶C＝1-x∶x∶2-x∶x，其中0.05≤x≤0.20。
本发明的一种高临界电流密度MgB2基超导体，其特征在于该MgB2基超导体为片状或块状。
本发明的一种高临界电流密度MgB2基超导体，其特征在于该MgB2基超导体为截面形状为圆型的线材。
一种高临界电流密度MgB2基超导体的制备方法，其特征在于制备过程为首先将干燥的镁、硼、锆和碳粉末按照原子比Mg∶Zr∶B∶C＝1-x∶x∶2-x∶x的比例充分混合1-2小时，其中0.05≤x≤0.20；将混合后的粉末施加压力为20-80MPa压制成片或块，然后置于真空退火炉中，于室温下抽真空，待真空度达到10-3Pa后充入纯氩气或氩气与氢气的混合气，然后以大于60℃/分钟的升温速率将制得的片或块材加热，在740℃-760℃的温度下保温1-10小时，最后以大于25℃/分钟的冷却速率冷却至室温，制成高临界电流密度的MgB2基片或块材超导体。
本发明的一种高临界电流密度MgB2基超导体的制备方法，其特征在于制备过程是首先将干燥的镁、硼、锆和碳粉末，按照原子比Mg∶Zr∶B∶C＝1-x∶x∶2-x∶x的比例充分混合1-3小时，其中0.05≤x≤0.20；将混合后的粉末装入无缝低碳钢管或铌管，再将这一复合体装入无氧铜管中组装成复合体，再将复合体进行室温冷加工过程，经过旋锻、孔型轧制和拉拔三种加工工艺的综合使用加工成线材，线材的最终截面形状为圆型；将加工到最终尺寸和形状的线材置于真空退火炉中，于室温下抽真空，待真空度达到10-3Pa后充入纯氩气或氩气与氢气的混合气，然后以不低于60℃/分钟的升温速率将线材加热，在740℃-760℃的温度下保温1-10小时，最后以不低于25℃/分钟的冷却速率将线材冷却至室温，制成截面形状为圆型的MgB2基超导线材。
针对本发明的方法的研究，发现采用镁和硼的混合粉末作为烧结粉末，在等于大气压条件下制备的常规方法无法获得在高场下具有高临界电流密度的MgB2超导体。而如果在镁和硼的混合粉末中同时添加适量的碳和金属锆作为助烧剂，在等于大气压条件下制备的MgB2基超导体中弥散分布着碳、锆及其化合物，MgB2基超导体表现出高临界电流密度的特征。
本发明的方法采用碳和金属Zr作为助烧剂，在烧结过程完成后，碳、锆及其化合物弥散分布在最终获得的MgB2基超导体中，所获得的MgB2基超导体在3特斯拉以上的背景磁场中具有高的临界电流密度。碳、锆及其化合物弥散分布在最终获得的MgB2基超导体中，使最终形成的MgB2晶粒细化，有效强化了MgB2晶粒连接。本发明可实现MgB2基超导材料的低成本制备，同时引入了第二相粒子，有效改善了MgB2基超导体的磁通钉扎。
具体实施方案
一种高临界电流密度MgB2基超导体，其特征在于该超导体为在MgB2基超导体中弥散分布着碳、锆及其化合物，该MgB2基原子比组成为Mg∶Zr∶B∶C＝1-x∶x∶2-x∶x，其中0.05≤x≤0.20。制备步骤为(1)将干燥的镁、硼、锆和碳粉末按照原子比Mg∶Zr∶B∶C＝1-x∶x∶2-x∶x的比例充分混合1-2小时，其中0.05≤x≤0.20；(2)将混合后的粉末施加压力为20-80MPa压制成片或块，然后置于真空退火炉中，于室温下抽真空，待真空度达到10-3Pa后充入纯氩气或氩气与氢气的混合气，然后以大于60℃/分钟的升温速率将制得的片或块材加热，在740℃-760℃的温度下保温1-10小时，最后以大于25℃/分钟的冷却速率冷却至室温，制成高临界电流密度的MgB2基片或块材超导体。(4)或者将混合后的粉末装入无缝低碳钢管或铌管，再将这一复合体装入无氧铜管中组装成复合体，再将复合体进行室温冷加工过程，经过旋锻、孔型轧制和拉拔三种加工工艺的综合使用加工成线材，线材的最终截面形状为圆型；将加工到最终尺寸和形状的线材置于真空退火炉中，于室温下抽真空，待真空度达到10-3Pa后充入纯氩气或氩气与氢气的混合气，然后以不低于60℃/分钟的升温速率将线材加热，在740℃-760℃的温度下保温1-10小时，最后以不低于25℃/分钟的冷却速率将线材冷却至室温，制成截面形状为圆型的MgB2基超导线材。
下面具体说明符合本发明的技术实例。
实例1
将干燥的镁(99％)、硼(99％)、锆(99％)和碳(99％)粉末按照原子比Mg∶Zr∶B∶C＝0.95∶0.05∶1.95∶0.05的比例充分混合2小时。混合后的粉末用油压机压制成直径20mm的块，施加压力为20MPa，然后置于真空退火炉中，于室温下抽真空，待真空度达到10-3Pa后充入纯氩气或氩气与氢气的混合气，然后以不低于60℃/分钟的升温速率将线材加热，在740℃的温度下保温10小时，最后以不低于25℃/分钟冷却速率将片或块材冷却至室温，便制成超导转变温度为38.6K，临界电流密度为4.1×104A/cm2(20K，4T)的MgB2基超导体。
实例2
将干燥的镁(99％)、硼(99％)、锆(99％)和碳(99％)粉末按照原子比Mg∶Zr∶B∶C＝0.9∶0.1∶1.9∶0.1的比例充分混合1小时。混合后的粉末用油压机压制成直径20mm的片，施加压力为80MPa，然后置于真空退火炉中，于室温下抽真空，待真空度达到10-3Pa后充入纯氩气或氩气与氢气的混合气，然后以不低于60℃/分钟的升温速率将片或块材加热，在760℃的温度下保温1小时，最后以不低于25℃/分钟冷却速率将线材冷却至室温，便制成超导转变温度为37.2K，临界电流密度为5.2×104A/cm2(20K，4T)的MgB2基超导体。
实例3
将干燥的镁(99％)、硼(99％)、锆(99％)和碳(99％)粉末按照原子比Mg∶Zr∶B∶C＝0.8∶0.2∶1.8∶0.2的比例充分混合1.5小时。混合后的粉末用油压机压制成直径20mm的片，施加压力为60MPa，然后置于真空退火炉中，于室温下抽真空，待真空度达到10-3Pa后充入纯氩气或氩气与氢气的混合气，然后以不低于60℃/分钟的升温速率将线材加热，在750℃的温度下保温6小时，最后以不低于25℃/分钟冷却速率将片或块材冷却至室温，便制成超导转变温度为35.3K，临界电流密度为2.0×104A/cm2(20K，4T)的MgB2基超导体。
实例4
将干燥的镁(99％)、硼(99％)、锆(99％)和碳(99％)粉末按照原子比Mg∶Zr∶B∶C＝0.95∶0.05∶1.95∶0.05的比例充分混合1小时。将研磨后的粉末装入0.9米长低碳钢管(内径10mm，壁厚1.5mm)中，使粉末在管中达到充实、紧密，然后封闭钢管两端，再将钢管装入1米长无氧铜管(内径13.5mm，壁厚2mm)中。继而，对这一组装的复合体进行旋锻，按照每次0.5mm的道次加工率加工至直径为7mm。然后进行孔型轧制，按照每次1.0mm的道次加工率加工成边长为3mm的方线。将方线按照每次0.2mm的道次加工率加工成直径为1.2mm，长度为50米的线材。将加工后线材置于真空退火炉中，于室温下抽真空，待达到10-3Pa的真空度后充入纯氩气(＞99％)，然后开始以不低于60℃/分钟的升温速率将线材加热，在750℃的温度下保温3小时，最后以不低于20℃/分钟冷却速率将线材冷却至室温，便制成超导转变温度为35.2K，临界电流密度达到7.0×104A/cm2(25K，1T)的MgB2实用超导复合线材。
实例5
将干燥的镁(99％)、硼(99％)、锆(99％)和碳(99％)粉末按照原子比Mg∶Zr∶B∶C＝0.9∶0.1∶1.9∶0.1的比例充分混合1小时。将研磨后的粉末装入0.9米长低碳钢管(内径10mm，壁厚1.5mm)中，使粉末在管中达到充实、紧密，然后封闭钢管两端，再将钢管装入1米长无氧铜管(内径13.5mm，壁厚2mm)中。继而，对这一组装的复合体进行旋锻，按照每次0.5mm的道次加工率加工至直径为7mm。然后进行孔型轧制，按照每次1.0mm的道次加工率加工成边长为3mm的方线。将方线按照每次0.2mm的道次加工率加工成直径为1.2mm，长度为50米的线材。将加工后的线材置于真空退火炉中，于室温下抽真空，待达到10-3Pa的真空度后充入纯氩气(＞99％)，然后开始以不低于60℃/分钟的升温速率将线材加热，在760℃的温度下保温1小时，最后以不低于20℃/分钟冷却速率将线材冷却至室温，便制成超导转变温度为35.1K，临界电流密度达到7.7×104A/cm2(25K，1T)的MgB2实用超导复合线材。
实例6
首先将干燥的镁(99％)、硼(99％)、锆(99％)和碳(99％)粉末按照原子比Mg∶Zr∶B∶C＝0.8∶0.2∶1.8∶0.2的比例充分混合2小时。将研磨后的粉末装入0.9米长低碳钢管(内径10mm，壁厚1.5mm)中，使粉末在管中达到充实、紧密，然后封闭钢管两端，再将钢管装入1米长无氧铜管(内径13.5mm，壁厚2mm)中。继而，对这一组装的复合体进行旋锻，按照每次0.5mm的道次加工率加工至直径为7mm。然后进行孔型轧制，按照每次1.0mm的道次加工率加工成边长为3mm的方线。将方线按照每次0.2mm的道次加工率加工成直径为1.2mm，长度为50米的线材。将加工后线材置于真空退火炉中，于室温下抽真空，待达到10-3Pa的真空度后充入纯氩气(＞99％)，然后开始以不低于60℃/分钟的升温速率将线材加热，在740℃的温度下保温10小时，最后以不低于20℃/分钟冷却速率将线材冷却至室温，便制成超导转变温度为35.2K，临界电流密度达到5.9×104A/cm2(25K，1T)的MgB2实用超导复合线材。
Claims (5)
1.一种高临界电流密度MgB2基超导体，其特征在于该超导体为在MgB2基超导体中弥散分布着碳、锆及其化合物，该超导体的原子比组成为Mg∶Zr∶B∶C＝1-x∶x∶2-x∶x，其中0.05≤x≤0.20。
2.根据权利要求1所述的一种高临界电流密度MgB2基超导体，其特征在于该MgB2基超导体为片状或块状。
3.根据权利要求1所述的一种高临界电流密度MgB2基超导体，其特征在于该MgB2基超导体为截面形状为圆型的线材。
4.根据权利要求1和2所述的一种高临界电流密度MgB2基超导体的制备方法，其特征在于制备过程为首先将干燥的镁、硼、锆和碳粉末按照原子比Mg∶Zr∶B∶C＝1-x∶x∶2-x∶x的比例充分混合1-2小时，其中0.05≤x≤0.20；将混合后的粉末施加压力为20-80MPa压制成片或块，然后置于真空退火炉中，于室温下抽真空，待真空度达到10-3Pa后充入纯氩气或氩气与氢气的混合气，然后以大于60℃/分钟的升温速率将制得的片或块材加热，在740℃-760℃的温度下保温1-10小时，最后以大于25℃/分钟的冷却速率冷却至室温，制成高临界电流密度的MgB2基片或块材超导体。
5.根据权利要求1和3所述的一种高临界电流密度MgB2基超导体的制备方法，其特征在于制备过程是首先将干燥的镁、硼、锆和碳粉末，按照原子比Mg∶Zr∶B∶C＝1-x∶x∶2-x∶x的比例充分混合1-3小时，其中0.05≤x≤0.20；将混合后的粉末装入无缝低碳钢管或铌管，再将这一复合体装入无氧铜管中组装成复合体，再将复合体进行室温冷加工过程，经过旋锻、孔型轧制和拉拔三种加工工艺的综合使用加工成线材，线材的最终截面形状为圆型；将加工到最终尺寸和形状的线材置于真空退火炉中，于室温下抽真空，待真空度达到10-3Pa后充入纯氩气或氩气与氢气的混合气，然后以不低于60℃/分钟的升温速率将线材加热，在740℃-760℃的温度下保温1-10小时，最后以不低于25℃/分钟的冷却速率将线材冷却至室温，制成截面形状为圆型的MgB2基超导线材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2005101327261A CN100354986C (zh) | 2005-12-28 | 2005-12-28 | 一种高临界电流密度MgB2基超导体及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2005101327261A CN100354986C (zh) | 2005-12-28 | 2005-12-28 | 一种高临界电流密度MgB2基超导体及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1812000A true CN1812000A (zh) | 2006-08-02 |
| CN100354986C CN100354986C (zh) | 2007-12-12 |
Family
ID=36844847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB2005101327261A Expired - Fee Related CN100354986C (zh) | 2005-12-28 | 2005-12-28 | 一种高临界电流密度MgB2基超导体及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN100354986C (zh) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101508571B (zh) * | 2009-04-03 | 2011-06-29 | 西北有色金属研究院 | 一种分步烧结反应制备碳掺杂MgB2超导体的方法 |
| CN102122549A (zh) * | 2011-01-18 | 2011-07-13 | 西南交通大学 | 葡萄糖在制备掺杂二硼化镁超导材料中的用途 |
| CN102982889A (zh) * | 2012-11-20 | 2013-03-20 | 溧阳市生产力促进中心 | MgB2超导线及其制造方法 |
| CN104607643A (zh) * | 2014-12-25 | 2015-05-13 | 东南大学 | 一种中心镁扩散法制备单芯MgB2超导线材的方法 |
| CN111943681A (zh) * | 2019-07-16 | 2020-11-17 | 史玉成 | 超导新材料的制备方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1035324A (zh) * | 1988-02-21 | 1989-09-06 | 中国科学院物理研究所 | 无稀土高温超导合金及其制备方法 |
| JP3876317B2 (ja) * | 2003-03-26 | 2007-01-31 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | ＭｇＢ２超伝導線材の製造方法 |
| JP4350407B2 (ja) * | 2003-04-07 | 2009-10-21 | 財団法人国際超電導産業技術研究センター | 臨界電流密度及び不可逆磁界の高いＭｇＢ２系超電導体 |
-
2005
- 2005-12-28 CN CNB2005101327261A patent/CN100354986C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101508571B (zh) * | 2009-04-03 | 2011-06-29 | 西北有色金属研究院 | 一种分步烧结反应制备碳掺杂MgB2超导体的方法 |
| CN102122549A (zh) * | 2011-01-18 | 2011-07-13 | 西南交通大学 | 葡萄糖在制备掺杂二硼化镁超导材料中的用途 |
| CN102982889A (zh) * | 2012-11-20 | 2013-03-20 | 溧阳市生产力促进中心 | MgB2超导线及其制造方法 |
| CN102982889B (zh) * | 2012-11-20 | 2015-12-09 | 溧阳市生产力促进中心 | MgB2超导线及其制造方法 |
| CN104607643A (zh) * | 2014-12-25 | 2015-05-13 | 东南大学 | 一种中心镁扩散法制备单芯MgB2超导线材的方法 |
| CN111943681A (zh) * | 2019-07-16 | 2020-11-17 | 史玉成 | 超导新材料的制备方法 |
| CN111943681B (zh) * | 2019-07-16 | 2022-07-22 | 苏州鱼得水电气科技有限公司 | 超导新材料的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN100354986C (zh) | 2007-12-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110534254B (zh) | 一种高性能铁基超导带材的制备方法 | |
| CN102522153B (zh) | 一种多芯MgB2超导线材的制备方法 | |
| CN100354986C (zh) | 一种高临界电流密度MgB2基超导体及其制备方法 | |
| CN102280198A (zh) | 一种多芯MgB2超导线/带材的制备方法 | |
| CN1865457A (zh) | 一种铁基二硼化镁超导线带材的热处理方法 | |
| CN1986407A (zh) | 含碳的MgB2超导材料及其制备方法 | |
| CN1150634C (zh) | 一种MgB2超导材料及其制备方法 | |
| Cheng et al. | Enhancement of grain connectivity and critical current density in the ex-situ sintered MgB2 superconductors by doping minor Cu | |
| CN101728028B (zh) | 原位法制备多芯TiC掺杂MgB2线带材的方法 | |
| CN1929044B (zh) | 含有Si元素和C元素的MgB2超导材料及其制备方法 | |
| CN101168442B (zh) | 一种高性能MgB2超导材料及其制备方法 | |
| CN1834271A (zh) | 用于高温超导的高W含量Ni－W合金的制备方法 | |
| CN1988058B (zh) | 一种二硼化镁超导材料及其制备方法 | |
| CN1190802C (zh) | 一种硼化镁超导线材的制备方法 | |
| CN101343184B (zh) | 一种MgB2基复合元素掺杂超导体的制备方法 | |
| CN104217817B (zh) | 制备（Ba/Sr）1-xKxFe2As2超导线材或带材的方法 | |
| CN101279741A (zh) | 一种制备二硼化镁超导材料的方法 | |
| CN1683281A (zh) | 一种二硼化镁超导体的制备方法 | |
| Tsapleva et al. | The materials science of modern technical superconducting materials | |
| CN1794367A (zh) | 一种MgB2超导体的制备方法 | |
| CN1933036A (zh) | 一种MgB2超导材料及其制备方法 | |
| CN102982889B (zh) | MgB2超导线及其制造方法 | |
| CN101508571B (zh) | 一种分步烧结反应制备碳掺杂MgB2超导体的方法 | |
| CN102992771A (zh) | 一种二硼化镁基超导块材的制造方法 | |
| Jin et al. | Superconducting properties and intergranular coupling of high-strength Sr1-xKxFe2As2/Ag/Nb/Cu composite conductors |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20071212 Termination date: 20211228 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |