CN1797805A - 薄膜气体传感器的制备方法 - Google Patents
薄膜气体传感器的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1797805A CN1797805A CN 200410101832 CN200410101832A CN1797805A CN 1797805 A CN1797805 A CN 1797805A CN 200410101832 CN200410101832 CN 200410101832 CN 200410101832 A CN200410101832 A CN 200410101832A CN 1797805 A CN1797805 A CN 1797805A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- thin film
- gas sensor
- preparation
- substrate
- sensitive material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
本发明提供一种薄膜气体传感器的制备方法,属于气体传感器工艺技术领域。该方法包括:基片清洗和腐蚀,采用溅射和剥离方法制备铬/铂电极,得到表面平整的带有电极图形的基片;在带有电极图形的基片上使用直流反应磁控技术淀积氧化锡纳米敏感薄膜,并且剥离薄膜敏感材料,使之图形化;高温退火后,划片、封装。由于在表面较平坦的基片上使用直流磁控反应溅射的方法制得氧化锡薄膜,薄膜敏感材料厚度及成分均匀可控、灵敏度高、响应快、一致性好、稳定性好。该制备加工方法对传感器自身的污染小、使用的薄膜材料较少,可降低对环境的污染、与集成电路工艺相兼容,工艺重复性好、适合于批量生产。
Description
技术领域
本发明属于气体传感器工艺技术领域,具体涉及一种薄膜气体传感器的制备方法。
背景技术
传统的厚膜传感器制备通常使用旋涂法和真空蒸发、溶胶凝胶法等工艺,其制得的敏感材料易污染、而且敏感膜与基片的附着力差,会导致生产的传感器稳定性降低、可靠性下降。除此,传统的厚膜气体传感器从电极、敏感材料制备,材料被涂覆烧结都需要人工干预,生产周期长,重复性差,难以大批量生产。而薄膜传感器由于体积小、精度高、宜于平面化和集成化、便于大批量生产,是目前国际上研究的热门传感器件。虽然熔胶凝胶也可以用于制备薄膜气体传感器,但仍然存在污染和不易集成化的缺点。
发明内容
本发明克服了上述制备气体传感器存在的不足和问题,提供一种薄膜气体传感器的制备方法,该方法工艺简单、适合批量生产、在传感器制备过程中可精确地控制敏感材料的厚度。
一种薄膜气体传感器包括基片,加热电极和测量电极,以及SnO2敏感材料,其制备方法包括:
(1)基片清洗和腐蚀,采用溅射和剥离方法制备铬/铂电极,得到表面平整的带有电极图形的基片;
(2)在带有电极图形的基片上使用直流反应磁控溅射技术淀积氧化锡纳米敏感薄膜,并且剥离薄膜敏感材料,使之图形化;
(3)高温退火后,划片、封装。
敏感材料可为氧化锡或氧化锌。
可在氧化锡敏感材料中注入B+、P+或As+。
敏感材料的致密退火温度范围可为400℃-900℃。
基片可为石英玻璃或硅片。
本发明的技术效果:采用MEMS技术和集成电路兼容工艺制备了氧化锡纳米薄膜气体传感器。基片先腐蚀后溅射金属,在表面较平坦的基片上使用直流磁控反应溅射的方法制得氧化锡薄膜,薄膜敏感材料厚度及成分均匀可控、灵敏度高、响应快(100ppm酒精响应时间约为1秒)、一致性好、稳定性好(测试电压变化小于1mV)。
使用集成电路工艺兼容的工艺流程和低功耗的器件结构设计薄膜气体传感器,明显区别于先采用化学共沉淀法和熔胶-凝胶法等制备传统粉体材料,再采用涂料和烧结等加工方法制备的氧化锡厚膜气体传感器,可成功地在四寸硅片(或石英玻璃上)均匀生成薄膜材料,解决因为应力等问题导致的薄膜破裂问题,集成度高。
该纳米薄膜传感器优势在于小型化、制备加工方法对传感器自身的污染小、使用的薄膜材料较少、降低对环境的污染、使用的工艺条件与集成电路工艺相兼容、工艺重复性好、生产效率高、适合于批量生产。极大地降了低气体传感器的生产成本,扩展了传感器的应用领域。并且,该项发明提高了传感器的灵敏度和稳定性。而灵敏度、稳定性、选择性是标定传感器性能的重要参数。这些因素决定了该传感器最终能否从实验室走到真正的产业化。只有真正实现了产业化,才能真正表现出传感器的实用性。
附图说明
下面结合附图,详细描述本发明。
图1为传感器的结构示意图;
图2为传感器的剖面图;
图3为工艺流程图。其中,
图3-a为第一次光刻并腐蚀石英玻璃;图3-b为电极图形化;图3-c为第二次光刻以敏感层图形化;图3-d为注入并激活。
具体实施方式
参考图1、图2,气体传感器包括基片5,加热电极1、测量电极2和压焊点3,以及SnO2敏感材料4。该薄膜气体传感器的工作原理在于,吸附于敏感薄膜材料上的氧离子,在适当的温度下会与环境中的目标气体作用,导致薄膜的电阻变化,从而,实现对目标气体的检测。
参考图3,本发明制备工艺包括:
(1)准备石英玻璃片或硅片;
(2)清洗;
(3)第一次光刻;
(4)使用缓冲氢氟酸腐蚀石英玻璃;
(5)溅射铬/铂,然后剥离,得到表面平整的带有电极图形的基片;
(6)第二次光刻;
(7)溅射清洗;
(8)溅射氧化锡或氧化锌,剥离,制得薄膜为70-90nm;
(9)注入B+,P+或As+,其工艺参数为:5E15,40kev;
(10)注入激活,为400℃-900℃;
(11)致密退火;
(12)划片;
(13)封装。
Claims (5)
1、一种薄膜气体传感器的制备方法,其步骤包括:
(1)基片清洗和腐蚀,采用溅射和剥离方法制备铬/铂电极,得到表面平整的带有电极图形的基片;
(2)在带有电极图形的基片上使用直流反应磁控技术淀积氧化锡纳米敏感薄膜,并且剥离薄膜敏感材料,使之图形化;
(3)高温退火后,划片、封装。
2、如权利要求1所述的薄膜气体传感器的制备方法,其特征在于:敏感材料为氧化锡或氧化锌。
3、如权利要求1或2所述的薄膜气体传感器的制备方法,其特征在于:在氧化锡敏感材料中注入B+、P+或As+。
4、如权利要求2所述的薄膜气体传感器的制备方法,其特征在于:敏感材料的致密退火温度范围为400℃-900℃。
5、如权利要求1所述的薄膜气体传感器的制备方法,其特征在于:基片为石英玻璃或硅片。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNB2004101018329A CN100389508C (zh) | 2004-12-27 | 2004-12-27 | 薄膜气体传感器的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNB2004101018329A CN100389508C (zh) | 2004-12-27 | 2004-12-27 | 薄膜气体传感器的制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1797805A true CN1797805A (zh) | 2006-07-05 |
CN100389508C CN100389508C (zh) | 2008-05-21 |
Family
ID=36818688
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB2004101018329A Expired - Fee Related CN100389508C (zh) | 2004-12-27 | 2004-12-27 | 薄膜气体传感器的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN100389508C (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102288644A (zh) * | 2011-07-08 | 2011-12-21 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种具有四支撑悬梁四层结构的电阻式气体传感器及方法 |
CN103033539A (zh) * | 2012-12-20 | 2013-04-10 | 中国科学院微电子研究所 | 在常温下检测气体的基于柔性衬底的敏感膜的制备方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5248890A (en) * | 1989-05-13 | 1993-09-28 | Forschungszentrum Julich Gmbh | Valance specific lanthanide doped optoelectronic metal fluoride semiconductor device |
GB2244860A (en) * | 1990-06-04 | 1991-12-11 | Philips Electronic Associated | Fabricating mim type device array and display devices incorporating such arrays |
CN1128479C (zh) * | 1999-08-17 | 2003-11-19 | 惠春 | 含二氧化锡基纳米晶粉体及二氧化锡基厚膜甲烷敏感材料的制备方法 |
CN1186627C (zh) * | 2003-02-28 | 2005-01-26 | 北京青鸟元芯微系统科技有限责任公司 | 低功耗化学气体传感器芯片及其制备方法 |
-
2004
- 2004-12-27 CN CNB2004101018329A patent/CN100389508C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102288644A (zh) * | 2011-07-08 | 2011-12-21 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种具有四支撑悬梁四层结构的电阻式气体传感器及方法 |
CN103033539A (zh) * | 2012-12-20 | 2013-04-10 | 中国科学院微电子研究所 | 在常温下检测气体的基于柔性衬底的敏感膜的制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN100389508C (zh) | 2008-05-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN106946221A (zh) | 基于“v”型槽阵列电极的柔性压力传感器制作方法 | |
US6416646B2 (en) | Method of making a material for establishing solid state contact for ion selective electrodes | |
CN109580723B (zh) | 一种柔性湿度传感器的制备方法及产品 | |
CN110579296A (zh) | 倾斜结构增强的双电层电容式柔性压力传感器及制造方法 | |
CN1805156A (zh) | 基于一维半导体纳米结构的光电传感器及其制作方法 | |
CN109655180B (zh) | 基于裂纹阵列结构的柔性压力传感器及其制备方法 | |
TWI329124B (en) | Process for lining a surface using an organic film | |
CN103360107B (zh) | 一种金-镍酸镧复合导电薄膜材料及其制备方法 | |
CN1664523A (zh) | 纳米尺度微型温度传感器的制作方法 | |
CN113061839B (zh) | 一种电阻型纳米结构氢气传感器的制备方法 | |
TW503405B (en) | Method of manufacturing substrate having transparent conductive film, substrate having transparent conductive film manufactured using the method, and touch panel using the substrate | |
CN100389508C (zh) | 薄膜气体传感器的制备方法 | |
CN103994844B (zh) | 一种基于热塑性弹性体的压敏元件及面载荷分布测量方法 | |
CN1797806A (zh) | 氢半导体传感器气敏元件及其制作方法 | |
Teravaninthorn et al. | The suitability of Ta2O5 as a solid state ion-sensitive membrane | |
CN108955960A (zh) | 一种氧化物薄膜晶体管式的柔性触觉传感器 | |
CN1037041C (zh) | 金属-氧化物-半导体结构电容式湿敏器件及其制造方法 | |
CN102709472B (zh) | 全透明阻变存储器及锡酸钡在做为透明的具有稳定阻变特性材料方面的应用 | |
CN1235044C (zh) | 用于检测Hg2+的薄膜光寻址电位传感器及其制备方法 | |
CN1420349A (zh) | 一种用于透射电镜观察的化学沉积镍固定合金粉末制样方法 | |
CN113218983A (zh) | 一种标定薄膜材料xps深度剖析刻蚀速率的方法 | |
CN1683586A (zh) | 氧化锡纳米敏感薄膜制备方法 | |
CN1547269A (zh) | 氧化铁/二氧化锡双层薄膜乙醇敏感元件的制造方法 | |
CN112345510A (zh) | 适用于油菜作物的柔性拉曼增强智能感知器件的制作工艺及其应用 | |
CN1186626C (zh) | 一种低功耗化学气体传感器芯片、传感器及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20080521 Termination date: 20151227 |
|
EXPY | Termination of patent right or utility model |