CN1783711A

CN1783711A - 表面声波元件、表面声波元件的制造方法

Info

Publication number: CN1783711A
Application number: CN 200510125795
Authority: CN
Inventors: 古畑诚; 后藤健次; 佐藤久克
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2004-12-01
Filing date: 2005-12-01
Publication date: 2006-06-07

Abstract

表面声波元件及其制造方法。本发明的课题是提供具有良好的频率特性和通过特性的表面声波元件和该表面声波元件的制造方法。作为解决手段，表面声波元件(10)在半导体基板(硅层50)的同一平面上并列地形成有半导体配线区域(20)和SAW区域(30)，在晶片(1)上以栅格状布置表面声波元件(10)，并且将相邻的表面声波元件(10)上所形成的半导体配线区域(20)和所述SAW区域(30)布置成相间方格状，在半导体配线区域(20)和SAW区域(30)的上面形成同一平面的绝缘层(71～74)，在最上层的绝缘层(74)的表面上形成压电层(90)，在SAW区域(30)的压电层(90)的表面上形成IDT(40)。

Description

表面声波元件、表面声波元件的制造方法

技术领域

本发明涉及在半导体基板上形成的表面声波元件和该表面声波元件的制造方法。

背景技术

以往公知的表面声波元件及其制造方法是：在硅基板等半导体基板上依次形成外延层和SiO₂层，在SiO₂层上面与平面方向并列地布置半导体配线区域和SAW(Surface Acoustic Wave，表面声波)区域，在SAW区域中，在形成为比半导体配线区域的SiO₂层更厚的SiO₂层上面形成由铝构成的梳齿状的IDT(Interdigital Transducer，叉指换能器)和压电层(ZnO)，在半导体配线区域中，在SiO₂层上面形成由铝配线层和氮化硅(Si₃N₄)构成的绝缘层(例如参照非专利文献1)。

【非专利文献1】Ultrasonics Simposium，1989.Proceedings.IEEE 1989，3-6Oct.1989、Pages：195-200Vol.1Visser，J.H；Vellekoop，M.J；Venema，A；vanderDrift，E；rek，P.J.M.；Nederlof，A.J.；Nieuwenhuizen，M.S.

在这样的非专利文献1中，半导体配线区域的最上层和SAW区域的SiO₂层的高度不同，特别是半导体配线区域的最上层低于SAW区域的SiO₂层上面的高度，所以为了修平形成有IDT的SAW区域的SiO₂层表面，利用CMP(Chemical and Mechanical Polishing，化学机械抛光)等进行研磨时，难以均匀地形成形成有IDT的SAW区域的SiO₂层的厚度。已公知形成有IDT的SAW区域的SiO₂层根据其厚度不同而在传播声波的速度(音速)上存在差异，但由于频率与音速成正比，因此在同一元件内存在音速不同的区域时，出现无法获得稳定的频率特性和陡峻的通过特性的问题。

发明内容

本发明的目的在于，提供在半导体基板上形成有SAW器件、且具有良好的频率特性和通过特性的表面声波元件和该表面声波元件的制造方法。

本发明的表面声波元件，在半导体基板上面的同一平面上并列地形成了半导体配线区域和SAW区域，其特征在于，设置有：在所述半导体配线区域中形成的金属配线；和在包括所述金属配线在内的所述半导体配线区域的表面和所述SAW区域的表面上形成的绝缘层，所述绝缘层的最上层在所述半导体配线区域和所述SAW区域中形成了距所述半导体基板上表面的厚度相同的同一平面，还设置有：在所述绝缘层的最上层表面形成的压电层；和在所述SAW区域的所述压电层表面形成的IDT。

这里，作为半导体基板由硅层形成，采用SiO₂层作为绝缘层，采用ZnO薄膜等作为压电层。

根据本发明，在半导体配线区域和SAW区域中，在同一平面上形成绝缘层，所以能够在平坦的同一平面上形成IDT，因此能够提供具有稳定的频率特性和陡峻的通过特性的表面声波元件。

并且，本发明的表面声波元件的制造方法，用于制造在半导体基板上面的同一平面上并列地形成了半导体配线区域和SAW区域的表面声波元件，其特征在于，在晶片上以栅格状布置所述表面声波元件，并且将相邻的所述表面声波元件上所形成的所述半导体配线区域和所述SAW区域布置成相间方格状，在所述半导体配线区域和所述SAW区域的上面形成距所述半导体基板上表面的厚度相同的同一平面的绝缘层，在该所述绝缘层的最上层表面上形成压电层，在所述SAW区域的所述压电层的表面上形成IDT。

这里，所谓相间方格状是指配置成半导体配线区域或SAW区域彼此之间不在共同的边上相邻而半导体配线区域和SAW区域相邻的状态。

并且，所谓相同厚度且同一平面的绝缘层是指形成为具有从半导体基板表面到绝缘层的最上层的厚度的平面。

具体情况将在后面的实施方式中进行说明，而在半导体制造工艺中是公知的是：在晶片内，配线密度较小的SAW区域的绝缘层以较大的面积构成时，会产生部分厚度不同的区域，但通过将表面声波元件的半导体配线区域和SAW区域如前面所述那样配置成相间方格状，可以配置成SAW区域被半导体配线区域包围，所以能够以相同厚度且平坦地形成在配线密度不同的SAW区域和半导体配线区域的上面形成的绝缘层。

并且，在本发明中，优选在布置于所述晶片外周部的所述表面声波元件外侧周边独立于所述金属配线地形成具有和在所述半导体配线区域中形成的金属配线的配线密度大致相同的配线密度的金属配线层。

本发明的表面声波元件将半导体配线区域和SAW区域如前面所述那样配置成相间方格状，但在外周部，SAW区域有时会布置在最外周部。在这种情况下，在SAW区域的外周部形成具有和半导体配线区域的配线密度大致相同的配线密度的独立的金属配线层，由此无论是在配置于晶片内部的表面声波元件中还是在配置于外周部的表面声波元件中，其SAW区域都被具有大致相同的配线密度的半导体配线区域和金属配线层所包围，所以能够以相同厚度且平坦地形成在配线密度不同的SAW区域和半导体配线区域的上面上形成的绝缘层。

并且，本发明的表面声波元件的制造方法，其特征在于，包括：在所述半导体基板的所述半导体配线区域的表面上形成所述金属配线的步骤；在包括所述金属配线在内的所述金属配线的表面和所述SAW区域的表面上形成绝缘层的步骤；将所述绝缘层研磨成预定厚度的步骤；对所述绝缘层的最上层进行研磨以在所述半导体配线区域和所述SAW区域形成同一平面的步骤；在所述绝缘层的最上层形成压电层的步骤；和在所述压电层的表面形成IDT的步骤。

根据如前面所述那样把表面声波元件配置在晶片上、如上所述的制造工序，可以使用现有的半导体制造工艺，在不增加工序数量的情况下形成厚度相同、且同一平面的绝缘层。

另外，在本发明中，优选包括：在所述半导体基板的所述半导体配线区域的表面形成所述金属配线的步骤；在包括所述金属配线在内的所述金属配线的表面和所述SAW区域的表面上形成绝缘层的步骤；对所述绝缘层的表面进行研磨以形成相同厚度且同一平面的步骤；在研磨后的所述绝缘层的所述SAW区域中形成压电层的步骤；和在所述压电层的表面形成IDT的步骤。

这样，在进行了研磨以形成相同厚度且同一平面的绝缘层的SAW区域中形成压电层，再形成IDT，所以SAW区域的压电层在具有均匀厚度的平坦的绝缘层上形成，能够提供具有稳定的频率特性和陡峻的通过特性的表面声波元件。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式1的表面声波元件结构的俯视图。

图2是表示本发明的实施方式1的表面声波元件结构的部分剖面图。

图3是表示形成有本发明的实施方式1的表面声波元件的晶片的配置的俯视图。

图4(a)是表示本发明的实施方式1的表面声波元件的配置关系的俯视图，(b)是沿B-B线的剖面图。

图5(a)～(e)是表示本发明的实施方式1的表面声波元件的制造工艺的部分剖面图。

图6是示意性表示本发明的实施方式1的表面声波元件的剖面图。

图7是表示在本发明的实施方式1的表面声波元件中传播的音速V和绝缘层厚度之间的关系的曲线图。

图8是表示本发明的实施方式1的表面声波元件(SAW滤波器)的通过特性的曲线图。

图9(a)是表示本发明的实施方式2的表面声波元件的配置关系的俯视图，(b)是沿B-B线的剖面图，(c)是沿C-C线的剖面图。

图10是表示本发明的实施方式3的表面声波元件结构的剖面图。

图11(a)是表示现有的其他实施方式的表面声波元件的配置关系的俯视图，(b)是沿D-D线的剖面图。

具体实施方式

以下，根据附图说明本发明的实施方式。

在图1、图2中示出了本发明的实施方式1的表面声波元件，在图3～图6中示出了实施方式1的表面声波元件的制造方法，在图7、图8中示出了表示表面声波元件特性的曲线图，在图9中示出了实施方式2的表面声波元件的制造方法，在图10中示出了实施方式3，在图11中示出了现有的其他实施方式。

(实施方式1)

图1是表示本实施方式1的表面声波元件的俯视图。在图1中，在表面声波元件10形成为：在长方形的作为半导体基板的硅层50(参照图2)的上面，将半导体配线区域20和SAW区域30并列地布置在同一平面内。在半导体配线区域20中形成有4层的未图示的金属配线(参照图2)。并且，在SAW区域30的最上层形成有梳齿状的IDT 40。

IDT 40由A1构成，相互插入地形成了输入侧电极41和输出侧电极42，分别具有用于输入或输出的端子，这些端子与未图示的在半导体区域中形成的预定金属配线连接。

在图2中示出了本实施方式的表面声波元件10的图1中利用A-A所示的部分剖面图。在图2中，表面声波元件10通过作为半导体基板的硅层50、在硅层50表面上形成的用于修平硅层50表面的BPSG层(掺硼磷的氧化膜层)51、以及分别交替的下述的铝配线和绝缘层形成了层叠状，其中，所述铝配线和绝缘层是：作为金属配线的铝配线61、在包括铝配线61在内的硅层50的表面上形成的由SiO₂构成的绝缘层71、同样地在绝缘层71上面形成的铝配线62、在铝配线62上面形成的绝缘层72、在绝缘层72上面形成的铝配线63、在铝配线63上面形成的绝缘层73、在绝缘层73上面形成的铝配线64、和在铝配线64上面形成的绝缘层74。

绝缘层71～74的上表面分别被研磨，平坦地加工成相同厚度的平面。然后，在最上层的绝缘层74的所有表面上形成了由氮化硅(Si₃N₄)构成的保护层80，在保护层80的整个上表面形成了由ZnO构成的压电层90。硅层50的上表面被分成两个区域(参照图1)，把形成有铝配线61～64的范围称为半导体配线区域20，把除此以外的区域称为SAW区域30。

在SAW区域30的压电层90的上表面形成了由铝构成的IDT 40。IDT40是图1所示的梳齿状电极。

另外，在硅层50上形成了未图示的晶体管等多个电路元件，为了连接这些电路元件，设置了铝配线61～64，并利用通孔(未图示)等分别进行了预定的连接。并且，虽然没有图示，但IDT 40的输入侧端子和输出侧端子与铝配线61～64中所对应的任意一个连接。另外，在图2中图示了铝配线中的一个，而铝配线不限于此，具有未图示的其他多个。

本发明的第一宗旨如前面所述，是：在半导体基板(硅层50)上形成半导体配线区域20和SAW区域30，并在这两个区域上形成平坦的绝缘层和压电层，在SAW区域30中形成IDT 40。

下面，参照附图说明本发明的实施方式1的表面声波元件10的制造方法。

图3是表示形成有实施方式1的表面声波元件10的晶片1的配置的俯视图。在图3中，在晶片1上如图所示那样以栅格状配置了多个表面声波元件10。以下，把晶片内部的一部分范围作为1B，把位于晶片外周部的一部分范围作为1C，进行具体说明。

图4(a)是将图3中的1B所示的范围放大而示出表面声波元件10的配置的俯视图，图4(b)是表示图4(a)的B-B截面的剖面图。在图4(a)、图4(b)中，表面声波元件10在图中的上方侧配置成表面声波元件10A、10B、10C的状态。这里，SAW区域30A和半导体配线区域20B、SAW区域30B和半导体配线区域20C对接一边而相邻。并且，在图中的纵方向上也相同地将表面声波元件10A、10D、10E配置成半导体配线区域和SAW区域分别相邻。即，半导体配线区域和SAW区域配置成了相间方格状。

通过这样配置、且利用后述的图5所示制造方法，在通过半导体制造工艺同时形成多个表面声波元件10之后，通过切割，沿切割线11逐个切开。

图5(a)～(e)是表示表面声波元件的制造工艺的部分剖面图。在图5中以在晶片1上形成的表面声波元件中的一个为代表示出。

首先，在图5(a)中，在作为半导体基板的硅层50表面上形成BPSG层51，在BPSG层51的表面上形成铝配线61。在铝配线61的表里两面形成了铝配线的保护层61A、61B。以后，包括保护层61A、61B在内统称为铝配线。

然后，在铝配线61的上表面及除此以外的BPSG层51的表面上形成预定的大致相同厚度的、由SiO₂构成的绝缘层71。因此，铝配线61所处位置的绝缘层71的上面比没有铝配线61的范围内的上面要厚h。

然后，如图5(b)所示，通过CMP对厚出的绝缘层71进行相应h量的研磨，形成距硅层50表面的厚度在任何位置都相同的平坦的绝缘层表面71A。此时，虽然可以调节研磨量，使得研磨得比h深而获得绝缘层表面71A，但是要把铝配线61上面的绝缘层71的厚度设定在绝缘性能不劣化的范围。

图5(c)表示形成第2层的工艺。在图5(c)中，在第1层的绝缘层71上面形成第2层的铝配线62，再在其上面形成绝缘层72。第2层的绝缘层72也与第1层的绝缘层71相同，通过CMP对铝配线62上面方向的突出部分进行研磨，形成平坦且厚度均匀的绝缘层表面72A。

通过相同的工艺，形成第3层、第4层。

在图5(d)中示出了形成第4层的绝缘层74的状态的剖面图。在图5(d)中，通过CMP对在铝配线64上面形成的绝缘层74的突出部(用h表示)进行研磨，获得平坦且距硅层50表面的厚度均匀的绝缘层表面74A。在整个该绝缘层表面74A上形成由Si₃N₄构成的保护层80(还参照图5(e))。保护层80是结构强度大、耐撞性强的薄膜。

另外，也可以在最上层的铝配线64和绝缘层73的上面设置保护层80。

在图5(e)中示出了实施方式1的表面声波元件在通过切割被切开前的状态，是表示沿图4(a)所示的B-B切断部的一部分的剖面图。在图5(e)中，在保护层80的整个上面形成压电层90，在压电层90的SAW区域中形成IDT 40。与表面声波元件10A相邻地配置了表面声波元件10B，在表面声波元件10B的切割线11侧构成了半导体配线区域20B。半导体配线区域20B通过与前述的图5(a)～图5(d)相同的工艺，同时形成了铝配线61B～64B、绝缘层71～74。

这样形成的表面声波元件10通过CMP对在半导体配线区域20和SAW区域30形成的绝缘层71～74进行研磨，从而形成均匀的厚度，但由于在SAW区域不存在铝配线61～64，所以密度(铝配线的配线密度)低于半导体配线区域。由此，在通过CMP同时对两个区域进行研磨时，密度较低的SAW区域的绝缘层表面有一部分被较多地研磨，这在半导体制造工艺中是公知的。为了减少这种研磨量部分地增加的现象，将半导体配线区域配置成相间方格状，这是本发明的第2宗旨。

这里，参照附图说明使用了为半导体芯片的晶片配置的一般的布置方法的表面声波元件。另外，标以和图4(a)相同的标号。

图11(a)是表示采用一般布局的表面声波元件的俯视图，图11(b)是沿图11(a)的D-D线的剖面图。在图11(a)、图11(b)中，表面声波元件全部以相同方向进行配置。即，在图中，半导体配线区域20和SAW区域30连续地配置在纵方向上。这里，图11(a)所示的横方向的B-B截面方式虽然与图4(a)、图4(b)相同地配置，但在纵方向上相邻的表面声波元件10C、10D配置成半导体配线区域20C和20D、SAW区域30C和30D分别相邻。因此，在晶片内的纵方向上，SAW区域与前述实施方式1的相间方格状配置相比，具有不可包围在半导体配线区域内的较大的面积。

下面，参照图6说明通过CMP对实施方式1的相间方格状配置(参照图4(a)、(b))和前述的一般配置(参照图11(a)、(b))的表面声波元件进行研磨时的截面的差异。

图6是示意性表示表面声波元件的剖面图。在图6中，在实施方式1的结构中，在两侧具有铝配线61～64和铝配线61B～64B，所以最上层的绝缘层74的表面形成为74B所示的形状，距硅层50表面的距离(厚度)的最小值为T2。并且，根据一般配置，如前面所述，SAW区域具有不可包围在半导体配线区域内的较大的面积，所以形成为74C(图中的双点划线所示)所示的形状，距硅层50表面的距离(厚度)的最小值为T1。

这里，对于绝缘层厚度对表面声波元件性能的影响进行说明。

图7是表示在表面声波元件中传播的速度(音速)V和绝缘层厚度之间关系的曲线图。在图7中，纵轴表示音速V，横轴表示绝缘层的厚度T乘以声波的波数k的值kT。波数k利用2π/λ(波长)表示，所以波长恒定时的波数k为常数，在横轴中表示的kT大小取决于绝缘层的厚度。

因此，如图7所示，在绝缘层的厚度如厚度T2那样较厚时，音速V变低，绝缘层的厚度如厚度T1那样较薄时，音速V变高。并且，音速V和频率f之间的关系可由f＝V/λ表示，所以在绝缘层的厚度较厚时，频率变低，在较薄时频率变高。

这样，频率随绝缘层的厚度而发生变化，所以为了获得稳定的频率特性，要求绝缘层形成均匀的厚度。

下面，参照图8说明把表面声波元件作为SAW滤波器时的通过特性和绝缘层厚度之间的关系。

图8是表示SAW滤波器的通过特性的曲线图。在图8中，纵轴表示衰减量(单位dB)，横轴表示频率。曲线97示出了图11所示的配置所形成的最小厚度T1存在时的SAW滤波器的通过特性。并且，曲线96示出了实施方式1的相间方格状配置所形成的最小厚度T2存在时的SAW滤波器的通过特性。

如图8所示，曲线96所示的通过特性表示在中心波段附近陡峻的特性，表示可以获得高性能的滤波特性。曲线96表示的是通过提高如前面所述那样通过CMP对IDT 40下层所形成的绝缘层厚度进行研磨时的厚度均匀性而获得的特性。

因此，根据前述的实施方式1，在晶片1内将半导体配线区域20和SAW区域30配置成相间方格状，由此SAW区域30配置成被半导体配线区域20包围的状态，所以在配线密度不同的SAW区域30和半导体配线区域20上面形成的绝缘层能够形成为厚度均匀性良好的同一平面，因而能够提供具有稳定的频率特性的SAW谐振器、具有陡峻的通过特性的SAW滤波器。

并且，将表面声波元件10如前面所述那样以相间方格状配置在晶片1上，在半导体基板(硅层50)上面并列分开地形成半导体配线区域20和SAW区域30，可以采用通过CMP对绝缘层71～74进行研磨的半导体制造工艺，在不增加工序数量的情况下形成为厚度均匀性良好的同一平面。

(实施方式2)

下面，参照附图说明本发明的实施方式2的表面声波元件。实施方式2以前述实施方式1的技术构思为基础，特别是目的在于提高在晶片外周部形成的表面声波元件的SAW区域的绝缘层厚度的均匀性。

在图9中示出了实施方式2的表面声波元件，图9(a)是表示表面声波元件10在晶片1内的配置的部分俯视图，放大并示意性地示出图3所示的1C区域。在图9(b)中示出了沿图9(a)所示的B-B线的剖面图，在图9(c)中示出了沿C-C线的剖面图。在图9(a)～图9(c)中，在表面声波元件10的外周部形成有金属配线层21。

虽然未图示，但金属配线层21与前述实施方式1(参照图2)相同，独立于铝配线61～64的4层铝配线层与绝缘层71～74以相同厚度形成为层叠状。因此，在图9(a)所示的表面声波元件10A的SAW区域30A、表面声波元件10B的SAW区域30B、表面声波元件10C的SAW区域30C等的外周侧形成了具有和半导体配线层20C、20D等大致相同的配线密度的金属配线层21。

以SAW区域30A为代表进行说明，SAW区域30A的周围被半导体配线区域和金属配线层所包围，形成了与图3所示的1B区域相同的配置结构。

即，形成了实施方式1中所说明的状态，所以绝缘层的最上层可以通过CMP形成为平坦且厚度均匀性良好的同一平面，可获得和实施方式1相同的效果。并且，配置在晶片1上的任何位置的表面声波元件都形成了平坦且厚度均匀性良好的同一平面，所以具有提高有效利用率、降低成本的效果。

(实施方式3)

下面，参照附图说明本发明的实施方式3。实施方式3的特征在于将实施方式1(参照图2)所示的压电层90的形成范围仅限于SAW区域内，其他结构和实施方式1相同，所以省略说明并标以相同标号。

在图10中示出了实施方式3的表面声波元件10的截面。在图10中，在最上层的绝缘层74上面的SAW区域30的范围内形成了保护层80，再在其上面形成了压电层90，在压电层90上面形成了IDT。

根据这种实施方式3的结构，铝配线61～64、绝缘层71～74的结构和制造方法与实施方式1相同，位于最上层的绝缘层74的表面形成了平坦、且厚度均匀性良好的同一平面，所以能够获得和前述实施方式1相同的效果。

并且，压电层90仅在SAW区域内形成，所以能够减轻声波对半导体配线区域20的影响，能够减少在形成压电层90时施加给半导体配线区域的负荷。

另外，前述实施方式1和实施方式3与前述实施方式2相结合为更好。

下面，说明本发明的实施方式4。实施方式4是利用涂布玻璃(SOG)形成绝缘层的方法。对于图10所示的元件绝缘膜71～74，根据高频化、配线的细微化，多为进行使用气相法的成膜。但是，在几百MHz以下的较低频率下，配线也有可以是0.35μm以上的旧型配线。在该情况下，可以通过把涂布玻璃用于元件绝缘膜71～74，实现更加低廉的成膜。另外，SOG工艺采用旋涂方式，通过300rpm的预备旋转3秒钟、3000rpm的主旋转10秒钟，在晶片上涂布液体状玻璃。然后，在烘焙炉中，在80℃下进行3分钟处理，最后在300℃下固化60分钟，由此完成制作。

另外，本发明不限于前述实施方式，在可实现本发明的目的的范围内的变形、改进等均包括在本发明内。

例如，在前述实施方式中，将表面声波元件逐个配置成了相间方格状，但也可以多个为一组地配置为相间方格状。

并且，基于CMP的研磨考虑到了研磨量根据晶片的部位不同而产生的微小差异，也可以根据晶片1的部位，改变表面声波元件的配置，以实现密度平衡。

并且，在前述实施方式1中(参照图5(b))，绝缘层71比周围突出相当于铝配线61的厚度的h，通过CMP对该突出部分进行了研磨，但也可以将绝缘层形成得更厚，在CMP处理中将整个绝缘层研磨成预定厚度。

并且，在前述实施方式2中，在晶片外周部形成的表面声波元件的所有外侧周边形成了金属配线层21，但即使仅在和SAW区域外侧相邻的部分形成金属配线层21，也能够获得前述效果。

另外，根据前述实施方式1～3，除了能够将一个表面声波元件的绝缘层厚度变均匀之外，还可以减小配置在晶片1的各个位置的表面声波元件的绝缘层厚度的偏差，所以能够稳定地获得每个表面声波元件的频率特性和通过特性等，因此能够提高有效利用率，有助于降低成本。

因此，在前述实施方式1～实施方式3中，能够提供在半导体基板上形成有SAW器件的、具有良好的通过特性的SAW滤波器和具有良好的频率特性的SAW谐振器等的表面声波元件以及这些表面声波元件的制造方法。

Claims

1.一种表面声波元件，在半导体基板上面的同一平面上并列地形成有半导体配线区域和SAW区域，其特征在于，

设置有：

在所述半导体配线区域中形成的金属配线；和

在包括所述金属配线在内的所述半导体配线区域的表面和所述SAW区域的表面上形成的绝缘层，

所述绝缘层的最上层在所述半导体配线区域和所述SAW区域上形成了距所述半导体基板的上面的厚度相同的同一平面，

还设置有：

在所述绝缘层的最上层表面形成的压电层；和

在所述SAW区域的所述压电层的表面上形成的IDT。

2.一种表面声波元件的制造方法，用于制造在半导体基板上面的同一平面上并列地形成有半导体配线区域和SAW区域的表面声波元件，其特征在于，

在晶片上以栅格状布置所述表面声波元件，并且将相邻的所述表面声波元件上所形成的所述半导体配线区域和所述SAW区域布置成相间方格状，

在所述半导体配线区域和所述SAW区域的上面形成距所述半导体基板的上表面的厚度相同的同一平面的绝缘层，

在所述绝缘层的最上层表面上形成压电层，在所述SAW区域的所述压电层的表面上形成IDT。

3.根据权利要求2所述的表面声波元件的制造方法，其特征在于，

在布置于所述晶片外周部的所述表面声波元件的外侧周边，独立于金属配线而形成具有和在所述半导体配线区域上形成的所述金属配线的配线密度大致相同的配线密度的金属配线层。

4.根据权利要求2或3所述的表面声波元件的制造方法，其特征在于，包括：

在所述半导体基板的所述半导体配线区域的表面上形成所述金属配线的步骤；

在包括所述金属配线在内的所述金属配线的表面和所述SAW区域的表面上形成绝缘层的步骤；

将所述绝缘层研磨成预定厚度的步骤；

对所述绝缘层的最上层进行研磨以在所述半导体配线区域和所述SAW区域上形成同一平面的步骤；

在所述绝缘层的最上层形成压电层的步骤；和

在所述压电层的表面上形成IDT的步骤。

5.根据权利要求2或3所述的表面声波元件的制造方法，其特征在于，包括：

对所述绝缘层的表面进行研磨以形成相同厚度且同一平面的步骤；

在研磨后的所述绝缘层的所述SAW区域中形成压电层的步骤；和

在所述压电层的表面上形成IDT的步骤。