CN1779921A - 一种等离子刻蚀用内聚焦环 - Google Patents
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Abstract
本发明有关一种等离子刻蚀用内聚焦环，设置于载片台的四周，包括底边及侧边，底边及内侧边形成一夹角，上述夹角为非直角，可以为钝角，可以为锐角，也可以为一圆弧。另外，在夹角处，还可以设置淀积槽。通过上述设置，可以增加刻蚀时反应生成物与内聚焦环之间的接触面积，防止淀积层发生脱落时影响刻蚀的进行。
Description
技术领域
本发明涉及一种微电子制造业中的刻蚀工艺，尤其是一种等离子刻蚀用内聚焦环。
背景技术
在等离子刻蚀中，为提高刻蚀的均一性，通常会在载片台周边安装一个内聚焦环。请参阅图6所示，载片台1具有突出部11，其上具有需要进行等离子刻蚀工艺的硅片2，突出部11四周设置有内聚焦环3，内聚焦环3呈阶梯形构造，具有底边31及内侧边32，底边31与内侧边32形成直角。硅片2部分承接于上述内聚焦环3的底边31上，而与内侧边32具有一定的距离。
在硅片2刻蚀时会产生大量的生成物，这些生成物一部分被真空泵抽走，一部分会淀积在内聚焦环表面，特别在内聚焦环3内侧的直角处更容易淀积大量的生成物，形成淀积层4。同时由于在刻蚀时会产生大的热量，导致腔体内温度包括载片台1和内聚焦环3的温度会发生较大的变化。当淀积层4达到一定厚度之后随着温度的变化，淀积层4发生脱落的可能性增大，若脱落物掉在载片台1表面，作业时就会发生硅片2背面冷却用氦气压力控制异常的报警。从而影响硅片2的正常刻蚀程序。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种等离子刻蚀用内聚焦环，其能够防止该等离子刻蚀用内聚焦环上的淀积物非正常脱落，影响刻蚀的正常进行。
为完成以上技术问题，本发明采用以下技术方案，一种等离子刻蚀用内聚焦环，设置于载片台的四周，包括底边及侧边，底边及内侧边形成一夹角，其特征在于：夹角为非直角。
本发明也可以采用以下技术方案，一种等离子刻蚀用内聚焦环，设置于载片台的四周，包括底边及侧边，底边及内侧边形成一夹角，其特征在于：在夹角处设置有淀积槽。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：由于在内聚焦环的夹角处或改为非直角构造，或在夹角处设置有淀积槽，均能增加淀积物与内聚焦环的接触面积，从而防止淀积物的非正常脱落。
附图说明
图1为本发明一种等离子刻蚀用内聚焦环的第一实施例与载片台及硅片的结构示意图。
图2是本发明一种等离子刻蚀用内聚焦环的第一实施例的结构示意图。
图3是本发明一种等离子刻蚀用内聚焦环的第二实施例的结构示意图。
图4是本发明一种等离子刻蚀用内聚焦环的第三实施例的结构示意图。
图5是本发明一种等离子刻蚀用内聚焦环的第四实施例的结构示意图。
图6为现有等离子刻蚀用内聚焦环与载片台及硅片的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步描述。
请参阅图1及图2所示，本发明一种等离子刻蚀用内聚焦环5，其设置于载片台6上，上述载片台6具有突出部61，其上放置有需要进行等离子刻蚀工艺的硅片7，内聚焦环5呈阶梯形构造，具有底边51及内侧边52，底边51与内侧边52形成钝角，其角度为130度。硅片7部分承接于上述内聚焦环5的底边51上，而与内侧边52具有一定的距离。在硅片7刻蚀时会产生大量的生成物，这些生成物一部分被真空泵抽走，一部分会淀积在内聚焦环5的表面，特别在内聚焦环内侧的夹角处更容易淀积大量的生成物，形成淀积层8。同时，在刻蚀时会产生大的热量，导致腔体内温度包括载片台6和内聚焦环5的温度会发生较大的变化。然而，由于底边51与内侧边52之间的夹角为钝角，所以淀积层8与底边51及内侧边52之间的接触面积较大，因而上述淀积层8也不会从内聚焦环5上脱落。
请参阅图3所示，其为本发明等离子刻蚀用内聚焦环5的第二实施例的结构示意图。也具有底边51及内侧边52，其与第一实施例的区别在于底边51与内侧边52之间呈锐角，角度为50度。同样，淀积层8与底边51及内侧边52之间的接触面积同样较大，淀积层8也不会从内聚焦环5上脱落。
请参阅图4所示，其为本发明等离子刻蚀用内聚焦环5的第三实施例的结构示意图。也具有底边51及内侧边52，其与第一实施例的区别在于底边51与内侧边52之间形成弧形。同样，淀积层8与底边51及内侧边52之间的接触面积同样较大，淀积层8也不会从内聚焦环5上脱落。
请参阅图5所示，等离子刻蚀用内聚焦环5的第四实施例的结构示意图。也具有底边51及内侧边52，在底边51与内侧边52的夹角处具有淀积槽9，淀积层8部分淀积于上述淀积槽9中。同样，淀积层8与底边51及内侧边52之间的接触面积同样较大，淀积层8也不会从内聚焦环5上脱落。
综上所述，本发明完成了发明人的发明目的，由于底边51与内侧边52之间形成非直角设置或形成淀积槽9，所以淀积层8与底边51及内侧边52之间的接触面积增大，增加淀积层8的附着面积，不会从内聚焦环5上脱落。
Claims (8)
1.一种等离子刻蚀用内聚焦环，设置于载片台的四周，包括底边及侧边，底边及内侧边形成一夹角，其特征在于：夹角为非直角。
2.如权利要求1所述的等离子刻蚀用内聚焦环，其特征在于：所述夹角为钝角。
3.如权利要求2所述的等离子刻蚀用内聚焦环，其特征在于：所述夹角为130度。
4.如权利要求1所述的等离子刻蚀用内聚焦环，其特征在于：所述夹角为锐角。
5.如权利要求4所述的等离子刻蚀用内聚焦环，其特征在于：所述夹角为50度。
6.如权利要求1所述的等离子刻蚀用内聚焦环，其特征在于：所述夹角为圆弧状。
7.如权利要求1-6中任一项所述的等离子刻蚀用内聚焦环，其特征在于：在夹角处进一步设置有淀积槽。
8.一种等离子刻蚀用内聚焦环，设置于载片台的四周，包括底边及侧边，底边及内侧边形成一夹角，其特征在于：在夹角处设置有淀积槽。
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| CN 200410084260 CN1779921A (zh) | 2004-11-17 | 2004-11-17 | 一种等离子刻蚀用内聚焦环 |
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