CN1722478A - 发光二极管封装体 - Google Patents

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Abstract

一种发光二极管封装体，包括一设置在该发光二极管封装体之内的发光二极管组件，以及一包覆住该发光二极管组件的封装材料，该封装材料之内包括多个散光负载式波长转换体。投射至各该散光负载式波长转换体的部分由该发光二极管组件所发射的光线分别被各该散光负载式波长转换体散射和吸收，再以另一波长光线放射出。

Description

发光二极管封装体
技术领域
本发明涉及一种发光二极管封装体，特别涉及一种将散光负载式波长转换体(scatter supported wave-length converter)嵌入在封装材料之中使其具有优良发光均匀度以及制作便利性的发光二极管封装体。
背景技术
近年来高亮度发光二极管(以下简称LED)的应用领域不断地被开发。与一般白炽灯泡还同，LED是属冷发光，具有耗电量低、组件寿命长、无须预热时间、反应速度快等优点，再加上其体积小、耐震动、适合量产，容易配合应用需求制成极小或数组式的组件，因此LED已普遍使用于信息、通讯及消费性电子产品的指示灯与显示装置上。LED除应用于户外各种显示器及交通号志灯外，在汽车工业中也占有一席的地，另外在可携式产品，如移动电话、PDA屏幕背光源的应用上，也有亮丽成绩。尤其是目前当红的液晶显示器产品，在选择与其搭配的背光模块零件时，LED更是不可或缺的关键零组件。
一般的发光二极管封装体均包括一发光二极管组件，而发光二极管组件是一由半导体材料所制成的发光组件，组件具有正、负两个电极端子。当在两端子之间施加正向电压时，只要通入小量的电流到组件中的PN结，便可以经由电子和空穴的结合将剩余能量以光的形式激发释出，并把电能直接转换为光能。当在两端子之间施加逆向电压时，由于此时PN接面是逆偏的状态，少数载子难以注入，因此不会发光。然而光线从发光二极管组件发射出来之后，必需在封装材料内进行一连串的光学扩散、反射、混色等过程，最后才能得到令人满意的色调以及亮度。所以，封装体的几何设计以及封装材料的选择，也是设计发光二极管封装体时的重要参数。
参考图1，图1为公知一灯泡型发光二极管封装体10的示意图。如图1所示，公知的灯泡型发光二极管封装体10包括一发光二极管芯片12，一黏着引脚14以及一引脚16，且黏着引脚14之中还包括一杯型槽18，黏着引脚14用来作为一负电极，而引脚16用来作为一正电极。发光二极管芯片12被设置在黏着引脚14的杯型槽18内，且发光二极管芯片12中的一P型电极以及一N型电极(未显示于图中)分别经由导线22电连接至黏着引脚14以及引脚16。杯型槽18被一封装材料24所填满，且封装材料24之中还包括许多散布于其中的荧光材料(未显示于图中)。
当光线从发光二极管芯片12发射出来之后，部份的光线将会被封装材料24中的荧光材料所吸收，并激发荧光材料以产生与原先的光线波长不同的光线，因此就功能而言，荧光材料是一种波长转换材料。通过从发光二极管芯片12发射出来的光线以及经过一种或多种荧光材料波长转换以后的光线间的微妙混合，最后发射出白光或他色的混合光。然而，要达到完美的混光以得到色调均匀的白光或混合光，光是靠封装材料24中的荧光材料是不够的。事实上，封装材料24中也同时包括许多散布于其中的散光材料(未显示于图中)，并且由于这些散光材料的存在，使得光线从发光二极管芯片12发射出来时，可以不断地被重复散射并且扩散，才能有效扩大光线从发光二极管芯片12发射出来以后的角度，进而抑制严重不均匀的的光线强度，使光线变柔和，同时达到混光均匀化的效果。另外，封装材料24视实际的需要，也可能包括各种不同目的的添加剂。
参考图2，图2为公知一表面黏着型发光二极管封装体50的示意图。如图2所示，公知的表面黏着型发光二极管封装体50包括一发光二极管芯片52以及一杯体54，且杯体54中还包括一正金属端子56以及一负金属端子58，正金属端子56用来作为一正电极，而负金属端子58用来作为一负电极。发光二极管芯片52被设置在杯体54的一凹槽62内，并位于正金属端子56之上，且发光二极管芯片52中的一P型电极以及一N型电极(未显示于图中)分别经由导线64电连接至正金属端子56以及负金属端子58。凹槽62被一封装材料66所填满，且封装材料66之中还包括许多散布于其中的荧光材料(未显示于图中)。
当光线从发光二极管芯片52发射出来之后，部份的光线将会被封装材料66中的一种或多种荧光材料所吸收，并激发荧光材料以产生与原先的光线波长不同的一种或多种波长的光线。通过控制从发光二极管芯片52所发射出来的光线，与经过荧光材料波长转换以后的光线之间的混合，使最后从表面黏着型发光二极管封装体50发射出来的光线成为白光或他色混合光。然而，与图1中的灯泡型发光二极管封装体10类似的是，要达到完美的混光以得到色调均匀的白光或他色混合光，光是靠封装材料66中的荧光材料是不够的。事实上，封装材料66中也同时包括许多散布于其中的散光材料(未显示于图中)，才可能达到混合均匀的效果。另外，封装材料66视实际的需要，也可能包括各种不同目的的添加剂。
上述的灯泡型发光二极管封装体10以及表面黏着型发光二极管封装体50均可以达到混色以产生白光或其它色光的目的，同时由于两者具有不同的封装结构，不同的封装结构对于最后的发光特性而言，也会产生不同的结果。然而，不管是采用哪一种封装结构，最终目标都是要生产出合乎整体色调及亮度均匀度要求的产品。当问题回归到均匀度时，其实封装材料24，66的本身，尤其是封装材料24，66中的散光材料是否能提供产品优良的均匀性，便成为一重要的考虑点。
在公知技术中，通常是在封装用的树脂间混合各个荧光材料、散光材料以及其它材料，使它们散布于封装用的树脂间，故在形成封装材料24，66之后，它们便被嵌入(embedded)在封装材料24，66之中。但是，这样的方式，却在混合的过程中产生种种问题，当各种不同的材料颗粒被混合到封装用的树脂之中时，由于不同的材料颗粒具有不同的重量、形状、物理特性以及化学特性，容易产生混合不均匀的问题，尤其是通常为颗粒或气泡的散光材料，一但产生这样的问题时，必定影响到整体色调及亮度的均匀性。因此，如何能发展出一种新的封装材料，当应用其于各种不同的封装结构时，均能消除各种不均匀的现象，同时又还能保持生产制作时的便利性，不会增加工艺的复杂度，便成为一个十分重要的课题。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种发光二极管封装体，以解决上述问题。
在本发明的较佳实施例中，公开了一种灯泡型发光二极管封装体。该发光二极管封装体包括一设置在该灯泡型发光二极管封装体之内的发光二极管组件、以及一覆盖住该发光二极管组件的封装材料，该封装材料之内包括多个散光负载式波长转换体。其中投射至各该散光负载式波长转换体的部份由该发光二极管组件所发射的光线被各该散光负载式波长转换体散射，且投射至各该散光负载式波长转换体的部份由该发光二极管组件所发射的光线被各该散光负载式波长转换体吸收而以另一波长光线放射出。
本发明的发光二极管封装体将散光负载式波长转换体混合在封装用的材料间，且各散光负载式波长转换体已经是波长转换活性体以及散光体所复合而成的单元，因此，在混合的过程中，不再存在不同的材料颗粒具有不同的重量、形状、物理特性以及化学特性的问题，进而避免了混合不均匀的现象。因此，不仅能够达到整体色调及亮度均匀性上的要求，还可以应用于各种不同的封装结构，同时在进行封装时，还能保持生产制作的便利性，不会增加工艺的复杂度。此外，本发明的发光二极管封装体还能利用高透光不导电胶将发光二极管芯片固定在高反射表面之上，以增加正面发光量，并将发光二极管芯片以及二极管芯片反向并联，以达到静电防护的目的。
附图说明
图1为公知一灯泡型发光二极管封装体的示意图。
图2为公知一表面黏着型发光二极管封装体的示意图。
图3为本发明第一实施例中的散光负载式波长转换体的示意图。
图4为本发明第二实施例中的散光负载式波长转换体的示意图。
图5为本发明第三实施例中的散光负载式波长转换体的示意图。
图6为本发明的一灯泡型发光二极管封装体的示意图。
图7为本发明的一表面黏着型发光二极管封装体的示意图。
图8为具有反向并联的一发光二极管芯片与一二极管芯片的灯泡型发光二极管封装体的示意图。
图9为具有反向并联的一发光二极管芯片与一二极管芯片的表面黏着型发光二极管封装体的示意图。
附图符号说明：
10、400、600灯泡型发光二极管封装体
12、52、402、502、602、702发光二极管芯片
14、404、604黏着引脚
16、406、606引脚
18、408、608杯型槽
22、64、412、514导线
24、66、414、516封装材料
50、500、700表面黏着型发光二极管封装体
54、504、704杯体
56、506、706正金属端子
58、508、708负金属端子
62、512、712凹槽
100、200、300散光负载式波长转换体
102、202、302散光体
104、204、304波长转换活性体
618、718透明不导电胶
622、722高反射表面
624、724二极管芯片
具体实施方式
参考图3，图3为本发明第一实施例中的散光负载式波长转换体100的示意图。如图3所示，本发明的散光负载式波长转换体100是一物理性复合材料或是一化学性复合材料，各散光负载式波长转换体100均包括一散光体102以及多个波长转换活性体104，且各波长转换活性体104附着于部份的散光体102的表面。波长转换活性体104是一波长转换材料，而散光体102是一散光材料，用来重复散射并且扩散光线之用。同时，散光体102以及各波长转换活性体104的界面处，可能包括不同的相(phase)。
参考图4，图4为本发明第二实施例中的散光负载式波长转换体200的示意图。如图4所示，本发明的散光负载式波长转换体200是一物理性复合材料或是一化学性复合材料，各散光负载式波长转换体200均包括一散光体202以及一波长转换活性体204，且散光体202被波长转换活性体204所包裹。波长转换活性体204是一波长转换材料，而散光体202是一散光材料，用来重复散射并且扩散光线之用。同时，散光体202以及波长转换活性体204的界面处，可能包括不同的相。
参考图5，图5为本发明第三实施例中的散光负载式波长转换体300的示意图。如图5所示，本发明的散光负载式波长转换体300是一物理性复合材料或是一化学性复合材料，各散光负载式波长转换体300均包括一散光体302以及多个波长转换活性体304，且各波长转换活性体304散布在散光体302之中。波长转换活性体304是一波长转换材料，而散光体302是一散光材料，用来重复散射并且扩散光线之用。同时，散光体302以及各波长转换活性体304的界面处，可能包括不同的相。
本发明第一、第二以及第三实施例中的波长转换活性体104、204、304均为以一般式(Y，Ce，Tb，Gd，Sc)3+t+u(Al，Ga，Tl，In，B)5+u+2v(O，S，Se)12+2t+3u+3v:(Ce，Tb)(其中0＜t＜5；0＜u＜15；0＜v＜9)表示的材料，而散光体102、202、302包括上述一般式中金属元素的一氧化物、一硫化物或是一硒化物。事实上，本发明中的波长转换活性体104、204、304以及散光体102、202、302并不限于以上材料，只要是分别具有良好的波长转换特性以及散射效果，并且可以被成功地物理性混合或化学性结合成如上所述的散光负载式波长转换体100、200、300结构的各种材料，均包括在本发明的范围之内。同时，本发明的散光负载式波长转换体中的波长转换活性体并不限于单一种材料，且散光体也不限于单一种材料，也就是说，本发明的散光负载式波长转换体可能是由多种波长转换活性体以及一种散光体，一种波长转换活性体以及多种散光体，或是多种波长转换活性体以及多种散光体所混合而成的复合材料。
在本发明中，各散光负载式荧光波长转换体100、200、300被混合于封装用的材料间，由于对于各散光负载式波长转换体100、200、300而言，其已经是波长转换活性体104、204、304以及散光体102、202、302所复合而成的单元，因此，在混合的过程中，不再存在不同的材料颗粒具有不同的重量、形状、物理特性以及化学特性的问题，进而避免了混合不均匀的现象。值得一提的是，封装用的材料包括一有机胶材料、一透光性陶瓷材料、一透光性玻璃材料、一绝缘透光的流体材料或是前述材料的复合材料。
参考图6，图6为本发明的一灯泡型发光二极管封装体400的示意图。如图6所示，本发明的灯泡型发光二极管封装体400包括一发光二极管芯片402，一黏着引脚404以及一引脚406，且黏着引脚404之中还包括一杯型槽408，黏着引脚404是一负电极，而引脚406是一正电极。发光二极管芯片402被设置在黏着引脚404的杯型槽408内，且发光二极管芯片402中的一P型电极以及一N型电极(未显示于图中)分别经由导线412电连接至黏着引脚404以及引脚406。杯型槽408被一封装材料414所填满，且封装材料414之中还包括许多散布于其中的散光负载式波长转换体(未显示于图中)，而散光负载式波长转换体具有本发明中所公开的任一种散光负载式波长转换体结构。
当光线从发光二极管芯片402发射出来之后，在经过封装材料414的时，部份的光线将会被散光负载式波长转换体中的波长转换活性体(未显示于图中)所吸收，并激发一种或多种波长转换材料以产生与原先的光线波长不同的光线(将蓝光转换成为黄光)，而部份的光线将会被散光负载式波长转换体中的散光体(未显示于图中)重复散射并且扩散，同时抑制严重不均匀的光线强度，最后这些光线将会与从发光二极管芯片402发射出来未经过波长转换的光线混合，以发射出白光或其它色光。由于本发明封装材料414中的散光负载式波长转换体的分布非常均匀，最后所产生的白光其整体色调及亮度的均匀性将会非常优良。
参考图7，图7为本发明的一表面黏着型发光二极管封装体500的示意图。如图7所示，本发明的表面黏着型发光二极管封装体500包括一发光二极管芯片502以及一杯体504，且杯体504中还包括一正金属端子506以及一负金属端子508，正金属端子506用来作为一正电极，而负金属端子508用来作为一负电极。发光二极管芯片50设置在杯体504的一凹槽512内，并位于正金属端子506之上，且发光二极管芯片502中的一P型电极以及一N型电极(未显示于图中)分别经由导线514被电连接至正金属端子506以及负金属端子508。凹槽512被一封装材料516所填满，且封装材料516之中还包括许多散布于其中的散光负载式波长转换体(未显示于图中)，而散光负载式波长转换体具有本发明中所公开的任一种散光负载式波长转换体结构。
当光线从发光二极管芯片502发射出来之后，在经过封装材料516的时，部份的光线将会被散光负载式波长转换体中的波长转换活性体(未显示于图中)所吸收，并激发一种或多种波长转换材料以产生与原先的光线波长不同的光线(将蓝光转换成为黄光)，而部份的光线将会被散光负载式波长转换体中的散光体(未显示于图中)重复散射并且扩散，同时抑制严重不均匀的光线强度，最后这些光线将会与从发光二极管芯片502发射出来未经过波长转换的光线混合，以发射出白光或其它色光。由于本发明封装材料516中的散光负载式波长转换体的分布非常均匀，最后所产生的白光或其它色光其整体色调及亮度的均匀性将会非常优良。
此外，由于发光二极管的本身常容易累积不可预期的电荷，以至于产生静电，当逆向偏压产生时，往往造成组件的击穿失效。因为发光二极管的抗静电能力差，常将其与一二极管反向并联，以提高其抗静电的能力。参考图8，图8为具有反向并联的一发光二极管芯片602与一二极管芯片624的灯泡型发光二极管封装体600的示意图。如图8所示，灯泡型发光二极管封装体600包括一发光二极管芯片602，一黏着引脚604以及一引脚606，且黏着引脚604之中还包括一杯型槽608，黏着引脚604是一负电极，而引脚606是一正电极。发光二极管芯片602并未被设置在黏着引脚604或是引脚606之上(也就是说，并未被设置在正电极以及负电极之上)，相反地，发光二极管芯片602被一透明不导电胶618贴附于灯泡型发光二极管封装体600中的一高反射表面622上。因此，当光线从发光二极管芯片602中发射出来后，向下的光线将可以穿过透明不导电胶618，再被高反射表面622所反射，继续与散光负载式波长转换体中的波长转换活性体(未显示于图中)以及散光体(未显示于图中)进行光学作用。如此一来，便更加提高了发光二极管芯片602的正面发光量，进而提高灯泡型发光二极管封装体600的亮度。另外，也可以在高反射表面622上设置两个斜面(未显示于图中)，以更加提高发光量。
灯泡型发光二极管封装体600还包括一设置在引脚606之上的二极管芯片624，且发光二极管芯片602以及二极管芯片624均分别包括一P型电极以及一N型电极。发光二极管芯片602以及二极管芯片624中的P型电极以及N型电极透过打线接合(未显示于图中)来使发光二极管芯片602以及二极管芯片624反向并联。当然，发光二极管芯片602也可以被一透明不导电胶贴附于黏着引脚604或是引脚606之上，并在其下设置所谓的高反射表面，或者二极管芯片624也可以被设置在黏着引脚604之上，再辅以适当的压线接合使发光二极管芯片602以及二极管芯片624反向并联(均未显示于图中)。
参考图9，图9为具有反向并联的一发光二极管芯片702与一二极管芯片724的表面黏着型发光二极管封装体700的示意图。如图9所示，本发明的表面黏着型发光二极管封装体700包括一发光二极管芯片702以及一杯体704，且杯体704中还包括一正金属端子706以及一负金属端子708，正金属端子706用来作为一正电极，而负金属端子708用来作为一负电极。发光二极管芯片702被设置在杯体704的一凹槽712内，且并未被设置在正金属端子706或是负金属端子708之上(也就是说，并未被设置于正电极以及负电极之上)，相反地，发光二极管芯片702被一透明不导电胶718贴附于表面黏着型发光二极管封装体700中的一高反射表面722上。因此，当光线从发光二极管芯片702中发射出来后，向下的光线将可以穿过透明不导电胶718，再被高反射表面722所反射，继续与散光负载式波长转换体中的波长转换活性体(未显示于图中)以及散光体(未显示于图中)进行光学作用。如此一来，便更加提高了发光二极管芯片702的正面发光量，进而提高表面黏着型发光二极管封装体700的亮度。
表面黏着型发光二极管封装体700还包括一二极管芯片724，设置在负金属端子708之上，且发光二极管芯片702以及二极管芯片724均分别包括一P型电极以及一N型电极。发光二极管芯片702以及二极管芯片724中的P型电极以及N型电极透过压线接合(未显示于图中)来使发光二极管芯片702以及二极管芯片724反向并联。当然，发光二极管芯片702也可以被一透明不导电胶贴附于正金属端子706或是负金属端子708之上，并在其下设置所谓的高反射表面，或者二极管芯片724也可以被设置在正金属端子706之上，再辅以适当的打线接合使发光二极管芯片702以及二极管芯片724反向并联(均未显示于图中)。
值得一提的是，图8与图9中与发光二极管芯片602、702搭配的二极管芯片624、724，包括一般的二极管芯片、一齐纳二极管芯片、一肖特基二极管芯片或是一突波抑制二极管芯片。除此的外，本发明中为了能更加提高发光二极管封装体的光利用率，也可以在封装用的树脂中加入蓝色荧光粉，以吸收短波长(395～450nm)的光线，进而发射出蓝光并激发散光负载式波长转换体发出黄光，最后混光得到白光或其它色光。
由于本发明的发光二极管封装体将散光负载式波长转换体混合于封装用的材料间，且各散光负载式波长转换体已经是波长转换活性体以及散光体所复合而成的单位，因此，在混合的过程中，可以有效避免混合不均匀的现象。应用本发明的发光二极管封装体于一实际生产线时，将可以生产出整体色调均匀的高亮度、抗静电产品。
与公知的发光二极管封装体相比，本发明的发光二极管封装体将散光负载式波长转换体混合于封装用的材料间，且各散光负载式波长转换体已经是波长转换活性体以及散光体所复合而成的单元，因此，在混合的过程中，不再存在不同的材料颗粒具有不同的重量、形状、物理特性以及化学特性的问题，进而避免了混合不均匀的现象。如此一来，不仅能够达到整体色调及亮度均匀性上的要求，更可以应用于各种不同的封装结构，同时在进行封装时，还能保持生产制作的便利性，不会增加制程的复杂度。此外，本发明的发光二极管封装体还能利用高透光不导电胶将发光二极管芯片固定在高反射表面之上，以增加正面发光量，并将发光二极管芯片以及二极管芯片反向并联，以达到静电防护的目的。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明权利要求书范围所做的均等变化与修饰，皆应属本发明专利的涵盖范围。

Claims (25)

1.一种灯泡型发光二极管封装体，包括：
一设置在该灯泡型发光二极管封装体之内的发光二极管组件；以及
一包覆住该发光二极管组件的封装材料，该封装材料之内包括多个散光负载式波长转换体；
其中投射至各该散光负载式波长转换体的部份由该发光二极管组件所发射的光线被各该散光负载式波长转换体散射，且投射至各该散光负载式波长转换体的部份由该发光二极管组件所发射的光线被各该散光负载式波长转换体吸收而以另一波长的光线放射出。
2.如权利要求1所述的灯泡型发光二极管封装体，其特征在于：该封装材料包括一有机胶材料、一透光性陶瓷材料、一透光性玻璃材料、一绝缘透光的流体材料或上述材料的复合材料。
3.如权利要求1所述的灯泡型发光二极管封装体，其特征在于：各该散光负载式波长转换体包括一物理性复合材料或一化学性复合材料，且各该散光负载式波长转换体之中均包括至少一散光体以及至少一活性体。
4.如权利要求3所述的灯泡型发光二极管封装体，其特征在于：该活性体是以一般式(A)3+t+u(B)5+u+2v(C)12+2t+3u+3v:D表示的材料，且0＜t＜5；0＜u＜15；0＜v＜9，而A是由Y，Ce，Tb，Gd，Sc中所选出的至少一种，B是由Al，Ga，Tl，In，B中所选出的至少一种，C是由O，S，Se中所选出的至少一种，D是由Ce，Tb中所选出的至少一种，该散光体包括上述该一般式中金属元素的一氧化物、一硫化物或是一硒化物。
5.如权利要求3所述的灯泡型发光二极管封装体，其特征在于：该活性体附着于部份的该散光体的表面。
6.如权利要求3所述的灯泡型发光二极管封装体，其特征在于：该散光体被该活性体所包裹。
7.如权利要求3所述的灯泡型发光二极管封装体，其特征在于：该活性体散布在该散光体之中。
8.如权利要求1所述的灯泡型发光二极管封装体，其特征在于：该发光二极管组件是一发光二极管芯片，且该灯泡型发光二极管封装体还包括一与该发光二极管芯片反向并联的二极管芯片。
9.如权利要求1所述的灯泡型发光二极管封装体，其特征在于：该发光二极管组件被一透明不导电胶贴附于该灯泡型发光二极管封装体中的一表面上。
10.如权利要求9所述的灯泡型发光二极管封装体，其特征在于：该表面是一高反射表面。
11.如权利要求9所述的灯泡型发光二极管封装体，其特征在于：该灯泡型发光二极管封装体还包括一用来作为正电极的第一引脚，以及一用来作为负电极的第二引脚。
12.如权利要求11所述的灯泡型发光二极管封装体，其特征在于：该第一引脚以及该第二引脚中的其中的一具有一杯型槽。
13.如权利要求12所述的灯泡型发光二极管封装体，其特征在于：该发光二极管芯片设置在该第一引脚的一表面上，该第二引脚的一表面上，或该第一引脚以及该第二引脚以外的任意表面上。
14.一种表面黏着型发光二极管封装体，包括：
一杯体，该杯体包括一凹槽；
一设置在该凹槽之内的发光二极管组件；以及
一填充在该凹槽之内并包覆住该发光二极管组件的封装材料，该封装材料之内包括多个散光负载式波长转换体；
其中投射至各该散光负载式波长转换体的部份由该发光二极管组件所发射的光线被各该散光负载式波长转换体散射，且投射至各该散光负载式波长转换体的部份由该发光二极管组件所发射的光线被各该散光负载式波长转换体吸收而以另一波长的光线放射出。
15.如权利要求14所述的表面黏着型发光二极管封装体，其特征在于：该填充材料包括一有机胶材料、一透光性陶瓷材料、一透光性玻璃材料、一绝缘透光的流体材料或上述材料的复合材料。
16.如权利要求14所述的表面黏着型发光二极管封装体，其特征在于：各该散光负载式波长转换体包括一物理性复合材料或是一化学性复合材料，且各该散光负载式波长转换体之中均包括至少一散光体以及至少一活性体。
17.如权利要求16所述的表面黏着型发光二极管封装体，其特征在于：该活性体是以一般式(A)3+t+u(B)5+u+2v(C)12+2t+3u+3v:D表示的材料，且0＜t＜5；0＜u＜15；0＜v＜9，而A是由Y，Ce，Tb，Gd，Sc中所选出的至少一种，B是由Al，Ga，Tl，In，B中所选出的至少一种，C是由O，S，Se中所选出的至少一种，D是由Ce，Tb中所选出的至少一种，该散光体包括上述该一般式中金属元素的一氧化物、一硫化物或是一硒化物。
18.如权利要求16所述的表面黏着型发光二极管封装体，其特征在于：该活性体附着于部份的该散光体的表面。
19.如权利要求16所述的表面黏着型发光二极管封装体，其特征在于：该散光体被该活性体所包裹。
20.如权利要求16所述的表面黏着型发光二极管封装体，其特征在于：该活性体散布于该散光体之中。
21.如权利要求14所述的表面黏着型发光二极管封装体，其特征在于：该发光二极管组件是一发光二极管芯片，且该表面黏着型发光二极管封装体还包括一与该发光二极管芯片反向并联的二极管芯片。
22.如权利要求14所述的表面黏着型发光二极管封装体，其特征在于：该发光二极管组件被一透明不导电胶贴附于该表面黏着型发光二极管封装体中的一表面上。
23.如权利要求22所述的表面黏着型发光二极管封装体，其特征在于：该表面是一高反射表面。
24.如权利要求22所述的表面黏着型发光二极管封装体，其特征在于：该杯体之中还包括一正电极以及一负电极。
25.如权利要求24所述的表面黏着型发光二极管封装体，其特征在于：该发光二极管芯片设置在该正电极的一表面上，该负电极的一表面上，或该正电极以及该负电极以外的任意表面上。
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