CN1721319A - 制造反射式隐藏镜面及其它微机电元件的间隙壁的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明是有关于一种制造反射式隐藏镜面及其它微机电元件的间隙壁的方法。一种用于制造微机电系统，例如反射式隐藏镜面的制造方法，包括下列步骤：形成I型镜面结构；形成间隙壁层于I型镜面结构上；以及图案化间隙壁层，以沿着I型镜面结构的一侧形成至少一间隙壁。一微机电系统，至少包含：一基材；一I型镜面结构形成于该基材上；以及沿着该I型镜面结构的一侧设有至少一间隙壁。本发明提供了一种用于制造反射式隐藏镜面及其它微机电系统元件的坚固耐用的间隙壁制程，并且避免了镜桥的产生。

Description

制造反射式隐藏镜面及其它微机电元件的间隙壁的方法
技术领域
本发明是有关于数字光学处理器(Digital Light Processor；DLP)及其制造方法，特别是有关于一种用于制造反射式隐藏镜面(ReflectiveStealth Mirrors；RSM)及其它微机电系统(MicroelectromechanicalSystem；MEMS)的间隙壁的制造方法。
背景技术
本申请案主张以美国临时申请案(U.S.Provisional Application)第60/584,738号的申请日2004年6月30日为优先权日。
数字光学处理器为一种微机电系统，其作为快速且反射式数字光开关。而数字光学处理器系统结合影像处理、记忆体、光源以及光学。整个数字光学处理器可利用互补式金氧半导体(ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor；CMOS)制程在传统CMOS集成电路上制造。
数字光学处理器系统中最近发展出反射式隐藏镜面。如图1所示，反射式隐藏镜面至少包含一个以上可移动镜面20以及固定枢纽30，以支持玻璃基材上10的可移动的镜面20。每个可移动的镜面20所反射的光的方向不同，端视下方的记忆胞(Memory Cell)下的状态而定。
在反射式隐藏镜面制造时，一般使用二层非晶硅(Amorphous Silicon)以固定支撑镜面20的上部及底部。在完成反射式隐藏镜面制程后，经由蚀刻移除非晶硅层以松开镜面20。在镜面侧壁及其上方覆盖的非晶硅层40的界面经常发生严重金属尖峰(Spiking)现象，在移除非晶硅层40后，金属尖峰现象会产生镜桥(Mirror Bridges)45，而如图2所示。由于在操作反射式隐藏镜面时，产生的镜桥45会妨碍镜面20的移动，因此镜面的尖峰现象为主要的品质问题。
沿着镜面及其上方覆盖的非晶硅层的侧壁可利用氧化间隙壁以防止尖峰现象。如图3A所示，习知制造氧化间隙壁，是沉积共形氧化层60于镜面20上，其中镜面20是由底部氧化层21、中间反射层22及顶端氧化层23所形成，然后对氧化层60以箭头35的方向进行非等向性干蚀刻。假如此间隙壁步骤能做适当地控制，氧化间隙壁60a及氧化间隙壁60b的高度即可完全地覆盖镜面20的每个侧壁，而如图3B所示。然而，利用习知的间隙壁步骤，会由于蚀刻速率的差异或蚀刻终点不稳定，而使得氧化间隙壁的高度不易控制。因此，会过度蚀刻氧化层60会导致氧化间隙壁60a以及氧化间隙壁60b的高度不足，而暴露出中间反射层22。而镜桥即自中间反射层22的暴露部分而产生。
所以，亟需一种用于制造反射式隐藏镜面及其它微机电系统元件的坚固耐用的间隙壁制程，以避免产生镜桥。
由此可见，上述现有的反射式隐藏镜面的间隙壁制程在方法与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决现有的反射式隐藏镜面的间隙壁制程存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品又没有适切的结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新的制造反射式隐藏镜面及其它微机电元件的间隙壁的方法，便成了当前业界极需改进的目标。
有鉴于上述现有的反射式隐藏镜面的间隙壁制程存在的缺陷，本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新的制造反射式隐藏镜面及其它微机电元件的间隙壁的方法，能够改进一般现有的反射式隐藏镜面的间隙壁制程方法，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本发明。
发明内容
本发明的目的在于，克服现有的反射式隐藏镜面及其它微机电源件的间隙壁制程存在的缺陷，而提供一种新型结构的用于制造反射式隐藏镜面及其它微机电源件的间隙壁的系统，所要解决的技术问题是使其提供一种间隙壁的制造方法，其是用于制造微机电系统，例如反射式隐藏镜面。此方法至少包含：形成I型的微机电结构，其中微机电结构例如镜面；形成间隙壁层于微机电结构上；以及图案化间隙壁层，以沿着微机电结构的一侧形成至少一间隙壁。
本发明的另一目的是为提供一种微机电系统，例如反射式隐藏镜面。此微机电系统至少包含：基材；在基材上设有I型的微机电结构，其中此微机电结构例如镜面；以及沿着微机电系统结构设有至少一间隙壁。
本发明的又一目的是为提供一种微机电系统的制造方法，例如反射式隐藏镜面。此方法至少包含：形成I型的微机电结构，其中微机电结构例如镜面；形成间隙壁层于微机电结构上；以及图案化间隙壁层，以沿着微机电结构的一侧形成至少一间隙壁。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种用于制造反射式隐藏镜面的间隙壁的制造方法，其至少包含：形成一I型镜面结构；形成一间隙壁层于该I型镜面结构上；以及图案化该间隙壁层，以沿着该I型镜面结构的一侧形成至少一间隙壁。
本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术措施来进一步实现。
前述的制造反射式隐藏镜面及其它微机电元件的间隙壁的方法，其中形成该镜面结构的步骤至少包含：形成一非导体层于一基材上；形成一反射层于该非导体层上；形成一阻障层于该反射层上；图案化该非导电性层、该反射层及该阻障层；以及进行一蚀刻步骤，以使该非导体层和该阻障层悬突出于该反射层，以形成该I型镜面结构。
前述的制造反射式隐藏镜面及其它微机电元件的间隙壁的方法，其中所述的蚀刻步骤包括等向性蚀刻，且蚀刻该反射层的速率是高于蚀刻该非导体层及该阻障层的速率。
前述的制造反射式隐藏镜面及其它微机电元件的间隙壁的方法，其中所述的蚀刻步骤包含一选择性蚀刻步骤。
前述的制造反射式隐藏镜面及其它微机电元件的间隙壁的方法，其中在图案化该间隙壁的步骤时，该阻障层作为一硬罩幕。
前述的制造反射式隐藏镜面及其它微机电元件的间隙壁的方法，其中所述的I型镜面结构形成该反射式隐藏镜面的一零件。
本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种微机电系统，其特征在于其至少包含：一基材；一I型镜面结构形成于该基材上；以及沿着该I型镜面结构的一例设有至少一间隙壁。
本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术措施来进一步实现。
前述的微机电系统，其中所述的I型镜面结构至少包含，一非导体层设于一基材上；一反射层设于该非导体层上；以及一阻障层设于该反射层上，且该非导体层和该阻障层悬突出于该反射层。
前述的微机电系统，其中所述的I型镜面结构形成一反射式隐藏镜面的一零件。
借由上述技术方案，本发明制造反射式隐藏镜面及其它微机电元件的间隙壁的方法提供了一种用于制造反射式隐藏镜面及其它微机电系统元件的坚固耐用的间隙壁制程，并且避免了镜桥的产生的优点。
综上所述，本发明特殊的制造反射式隐藏镜面及其它微机电元件的间隙壁的方法，其具有上述诸多的优点及实用价值，并在同类产品及制造方法中未见有类似的结构设计及方法公开发表或使用而确属创新，其不论在产品结构、制造方法或功能上皆有较大的改进，在技术上有较大的进步，并产生了好用及实用的效果，且较现有的反射式隐藏镜面及其它微机电源件的间隙壁制程具有增进的多项功效，从而更加适于实用，而具有产业的广泛利用价值，诚为一新颖、进步、实用的新设计。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
附图说明
图1所示为习知反射式隐藏镜面的透视图。
图2所示为制造习知反射式隐藏镜面时其镜面的顶视图。
图3A所示为习知氧化间隙壁制程的镜面的剖面图。
图3B所示为根据习知氧化间隙壁制程的镜面剖面图，其中镜面的氧化间隙壁具有理想轮廓。
图3C所示为根据习知氧化间隙壁制程的镜面剖面图，其中镜面的氧化间隙壁具有不良结构的轮廓。
图4A至图4E、图5A及图5B所示为根据本发明的间隙壁制程的镜面剖面图，其中图4A至图4E说明制造I型镜面结构，而图5A及图5B说明沿着I型镜面结构的侧壁制造间隙壁。
图6所示为完整I-型镜面结构的剖面图。
图7所示为完成例示的反射式隐藏镜面后，I型镜面结构的剖面图。
10：玻璃基材                       20：镜面
21：底部氧化层                     22：中间反射层
23：顶端氧化层                     30：枢纽
35：箭头                           40：非晶硅层
45：镜桥                           60：氧化层
60a：氧化间隙壁                    60b：氧化间隙壁
100：基材                          110：第一非晶硅层
120：镜面结构                      121：介电层
122：中间反射层                    123：阻障层
123a：悬突部分                     123b：悬突部分
130：第二非晶硅层                  133：箭头
135：箭头                          140：光罩层
147：箭头                          160：间隙壁层
160a：间隙壁                       160b：间隙壁
170：枢纽
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的制造反射式隐藏镜面及其它微机电元件的间隙壁的方法其具体实施方式、结构、制造方法、步骤、特征及其功效，详细说明如后。
本发明的目的为提供一种间隙壁的制造方法，其是用于数字光学处理器系统或其它微机电系统元件的反射式隐藏镜面的制程中。此制造方法至少包含制造具有I型剖面的镜面结构，以及沿着镜面结构的一侧形成的非导体间隙壁。本发明的另一目的为提供一种微机电系统，此微机电系统至少包含具有I型剖面的镜面结构。本发明的又一目的为提供一种微机电系统的制造方法。
请参照图4A，第一非晶硅层110形成于基材100上。基材100以由玻璃所组成为较佳，然而，基材100亦可由其它材料例如硅所组成。基材100包括互补式金氧半导体集成电路(图未绘示)，其控制即将形成于基材100上的镜面结构的移动。可利用习知的半导体晶圆制程与材料以制造互补式金氧半导体集成电路。第一非晶硅层110可采用习知的化学气相沉积步骤而形成。在一例示实施例中，第一非晶硅层110的厚度实质为14,000埃(Angstroms；)。
在图4B中，介电层121形成于第一非晶硅层110上。介电层121可由二氧化硅(Silicon Dioxide)或氮化硅(Silicon Nitride)所组成，并可利用习知化学气相沉积步骤而形成。在一例示实施例中，介电层121的厚度实质为400埃。
如图4B所示，例如由铝硅铜(Aluminum Silicon Copper；AlSiCu)所组成的中间反射层122形成于介电层121上。在一例示实施例中，中间反射层122可利用习知化学气相沉积步骤而形成，其厚度实质为2500埃。
再进一步说明图4B，由氮化钛(Titanium Nitride)所组成的阻障层(Barrier Layer)123形成于中间反射层上122。此阻障层123可利用习知化学气相沉积步骤而形成。在一例示实施例中，阻障层123的厚度实质为400埃，以至于阻障层123为透明的。
在图4C中，光罩层140(例如光阻)形成于阻障层123的预设部分上。在第一镜面图案化步骤时，此光罩层140是用于大致定义出镜面结构，而此镜面结构即如下文所述。
如图4D所示，利用例如以箭头135的方向进行非等向性蚀刻步骤，图案化阻障层123、中间反射层122以及介电层121，以形成具有大致形状的镜面结构。
接下来，如图4E所示，进一步图案化此镜面结构，以便形成具有I型剖面的结构。举例而言，可利用以箭头133的方向进行等向性干蚀刻步骤(其是利用例如富含氯气(Cl2)的电浆)或湿蚀刻步骤以完成上述结构。等向性干蚀刻或湿蚀刻步骤选择性蚀刻中间反射层122，并以高于介电层121及阻障层123的蚀刻速率而蚀刻中间反射层122。如此一来，介电层121及阻障层123皆悬突出于中间反射层122，从而产生I型剖面的镜面结构120。
复数个非导体的间隙壁是沿着I型的镜面结构的侧面形成，如图5A及图5B所示。如图5A所示，间隙壁层160共形形成于I型的镜面结构120上。间隙壁层160可由电浆加强(Plasma Enhanced)的二氧化硅或电浆加强的氮化硅所组成，且利用习知电浆加强化学气相沉积(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition；PECVD)步骤来形成间隙壁层160。在一例示实施例中，间隙壁层160的厚度实质为800埃。
如图5B所示，利用习知间隙壁蚀刻步骤以箭头147的方向图案化间隙壁层160，以形成非导体的间隙壁160a及间隙壁160b，且间隙壁160a及间隙壁160b沿着镜面结构120的中间反射层122及介电层121的侧壁延伸，并介于阻障层的悬突部分123a、悬突部分123b及基材100之间。间隙壁160a及间隙壁160b完全覆盖镜面结构120的中间反射层122的每个侧壁。可经由非等向性干蚀刻步骤，以I型的镜面结构120的阻障层123为硬罩幕，而图案化间隙壁层160。
如图6所示，第二非晶硅层130形成于镜面结构120、间隙壁160a及间隙壁160b上。第二非晶硅层130可利用习知化学气相沉积步骤形成，且在一例示实施例中，第二非晶硅层的厚度实质为9000埃。
图7说明在完成反射式隐藏镜面后，形成I型的镜面结构120。第一非晶硅层110及第二非晶硅层130于后续移除以松开镜面结构120，其中镜面结构120是利用习知微机电系统方法制得且藉由枢纽170与基材100耦合。因为间隙壁160a及间隙壁160b完全覆盖镜面结构120的中间反射层122的每一侧壁(如图6所示)，当移除第一非晶硅层110及第二非晶硅层以松开镜面结构120时，中间反射层122并无任何的暴露部分会产生镜桥而导致尖峰现象。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的方法及技术内容作出些许的更动或修饰为等同变化的等效实施例，但是凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (9)

1、一种用于制造反射式隐藏镜面的间隙壁的制造方法，其特征在于其至少包含：
形成一I型镜面结构；
形成一间隙壁层于该I型镜面结构上；以及
图案化该间隙壁层，以沿着该I型镜面结构的一侧形成至少一间隙壁。
2、根据权利要求1所述的用于制造反射式隐藏镜面的间隙壁的制造方法，其特征在于其中形成该镜面结构的步骤至少包含：
形成一非导体层于一基材上；
形成一反射层于该非导体层上；
形成一阻障层于该反射层上；
图案化该非导电性层、该反射层及该阻障层；以及
进行一蚀刻步骤，以使该非导体层和该阻障层悬突出于该反射层，以形成该I型镜面结构。
3、根据权利要求2所述的用于制造反射式隐藏镜面的间隙壁的制造方法，其特征在于其中所述的蚀刻步骤包括等向性蚀刻，且蚀刻该反射层的速率是高于蚀刻该非导体层及该阻障层的速率。
4、根据权利要求2所述的用于制造反射式隐藏镜面的间隙壁的制造方法，其特征在于其中所述的蚀刻步骤包含一选择性蚀刻步骤。
5、根据权利要求2所述的用于制造反射式隐藏镜面的间隙壁的制造方法，其特征在于其中在图案化该间隙壁的步骤时，该阻障层作为一硬罩幕。
6、根据权利要求1所述的用于制造反射式隐藏镜面的间隙壁的制造方法，其特征在于其中所述的I型镜面结构形成该反射式隐藏镜面的一零件。
7、一种微机电系统，其特征在于其至少包含：
一基材；
一I型镜面结构形成于该基材上；以及
沿着该I型镜面结构的一侧设有至少一间隙壁。
8、根据权利要求7所述的微机电系统，其特征在于其中所述的I型镜面结构至少包含：
一非导体层设于一基材上；
一反射层设于该非导体层上；以及
一阻障层设于该反射层上，且该非导体层和该阻障层悬突出于该反射层。
9、根据权利要求7所述的微机电系统，其特征在于其中所述的I型镜面结构形成一反射式隐藏镜面的一零件。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102360121A (zh) * 2011-09-30 2012-02-22 上海丽恒光微电子科技有限公司 数字微镜器件及其形成方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9134529B2 (en) 2011-07-21 2015-09-15 Pixronix, Inc. Display device with tapered light reflecting layer and manufacturing method for same

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5216537A (en) * 1990-06-29 1993-06-01 Texas Instruments Incorporated Architecture and process for integrating DMD with control circuit substrates
TW346664B (en) * 1997-09-13 1998-12-01 United Microelectronics Corp Mixed-mode IC separated spacer structure and process for producing the same
US6150223A (en) * 1999-04-07 2000-11-21 United Microelectronics Corp. Method for forming gate spacers with different widths
JP2001093984A (ja) * 1999-09-20 2001-04-06 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体装置およびその製造方法
KR100312432B1 (ko) * 1999-11-25 2001-11-05 오길록 마이크로 구조체를 이용한 광스위치
US6316304B1 (en) * 2000-07-12 2001-11-13 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Method of forming spacers of multiple widths
US6344398B1 (en) * 2000-10-17 2002-02-05 United Microelectronics Corp. Method for forming transistor devices with different spacer width
US6608712B2 (en) * 2001-05-15 2003-08-19 Network Photonics, Inc. Hidden flexure ultra planar optical routing element
US6617215B1 (en) * 2002-03-27 2003-09-09 Advanced Micro Devices, Inc. Memory wordline hard mask
CN100343948C (zh) * 2003-10-17 2007-10-17 台湾积体电路制造股份有限公司 形成多种宽度间隙壁的方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102360121A (zh) * 2011-09-30 2012-02-22 上海丽恒光微电子科技有限公司 数字微镜器件及其形成方法

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Publication number Publication date
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