CN1713351A - 半导体工艺的成膜装置以及方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种半导体处理用的成膜装置，包括向处理容器内供给用于在被处理基板上堆积薄膜的原料气体的原料气体供给系统、以及向处理容器内供给用于向薄膜中导入杂质的掺杂气体和用于稀释掺杂气体的混合气体的混合气体供给系统。混合气体供给系统包括：用于混合掺杂气体和稀释气体以形成混合气体并设置在处理容器外的气体混合箱体，从气体混合箱体向处理容器内供给混合气体的供给线，向气体混合箱体供给掺杂气体的掺杂气体供给系统，以及向气体混合箱体供给稀释气体的稀释气体供给系统。

Description

半导体工艺的成膜装置以及方法

技术领域

本发明涉及用于在半导体晶片等被处理基板上形成掺杂有磷(P)或者硼(B)等杂质(掺杂物)的薄膜的半导体处理用的成膜装置以及方法。这里，所谓半导体处理是指，用于通过在晶片、LCD(液晶显示器)、FPD(平板显示器)用的玻璃基板等被处理基板上，以规定图案形成半导体层、绝缘层、导电层等，在该被处理基板上制造包含半导体设备、与半导体设备连接的配线、电极等构造物而实施的各种处理。

背景技术

在构成半导体集成电路的半导体设备的制造过程中，在被处理基板、例如在半导体晶片上实施成膜、氧化、扩散、改质、退火以及蚀刻等各种处理。在作为一种成膜处理的CVD(化学蒸气沉淀)中，存在同时供给成膜用的原料气体和掺杂气体而在堆积膜中掺杂有杂质的情况。在特开2003-282566号公报中揭示有纵型热处理装置的这种CVD方法。在该方法中，在纵型处理容器内多段地收容有多枚半导体晶片。接下来，一边加热晶片一边向处理容器内供给成膜气体和含有杂质的掺杂气体。从而，在掺杂杂质的同时而在晶片上堆积薄膜。在掺杂磷的聚硅过程中，例如使用PH₃气体等做为掺杂气体。

当这种掺杂气体是蒸气压较高的原料时，能够从贮留纯粹掺杂气体的贮留容器中一边控制流量一边向处理容器内导入该掺杂气体。但是，一般来说，因为这种掺杂气体的蒸气压非常低，所以即使将纯粹气体原样导入处理容器内也不能充分扩散，使得掺杂量形成为分布不均匀的状态。

因此，通常在供给这种掺杂气体的情况下，在通过N₂等惰性气体例如预先稀释1％程度的状态下向贮留储气罐内填充该掺杂气体。在使用时，该预先稀释1％浓度的掺杂气体从贮留储气罐一边控制流量一边流出，在扩散状态良好的状态下向处理容器内导入。当稀释的掺杂气体从贮留储气罐向处理容器内导入时，仅仅被稀释部分的每单位时间的气体流量变多。因此，掺杂气体能够在短时间迅速且均匀地扩散于较大容量的处理容器内。

但是，在这种情况下，因为掺杂气体以上述稀释的状态而填充在贮留储气罐内，所以每单位时间的气体使用量(流出量)增多。因此，必须在短时间内交换贮留储气罐，因此，生产率降低，从而生产量降低。特别是随着晶片尺寸从8英寸变大到12英寸(300mm)，所谓批量式处理容器内的容量也显著变大。随着这些情况，有必要一边维持较高生产量一边更加迅速地进行向处理容器内导入掺杂气体时的均匀扩散。

发明内容

本发明的目的在于：在半导体处理用的成膜装置以及方法中，一边维持处理容器内的掺杂气体的高扩散速度，一边抑制掺杂气体源的交换频率，以此来提高生产率、即生产量。

本发明的第一方面是一种半导体处理用的成膜装置，其中包括：

收纳隔开间隔而积累的多个被处理基板的处理容器；

在上述处理容器内支持上述被处理基板的支持部材；

加热上述处理容器内的上述被处理基板的加热器；

对上述处理容器内进行排气的排气系统；

原料气体供给系统，向上述处理容器内供给用于在上述被处理基板上堆积薄膜的原料气体；

混合气体供给系统，向上述处理容器内供给用于向上述薄膜中导入杂质的掺杂气体和用于稀释上述掺杂气体的稀释气体的混合气体；以及

控制包含上述混合气体供给系统的上述装置的动作的控制部，其中，

上述混合气体供给系统包括：

气体混合箱体，用于混合上述掺杂气体和上述稀释气体以形成上述混合气体，被设置在上述处理容器外；

从上述气体混合箱体向上述处理容器内供给上述混合气体的混合气体供给线；

向上述气体混合箱体内供给上述掺杂气体的掺杂气体供给系统；以及

向上述气体混合箱体内供给上述稀释气体的稀释气体供给系统。

本发明的第二方面是一种半导体处理用的成膜方法，包括：

加热隔开间隔而积累在处理容器内的多个被处理基板的工程，

向上述处理容器内供给用于在上述被处理基板上堆积薄膜的原料气体的工程，

以及在向设置于上述处理容器外的气体混合箱体供给用于向上述薄膜中导入杂质的掺杂气体以及用于稀释上述掺杂气体的稀释气体而形成混合气体的同时，从上述气体混合箱体向上述处理容器内供给上述混合气体的工程。

本发明的第三方面是一种可由计算机读取的媒体，其中，上述计算机含有用于在处理器中实施的程序指令，

在由处理器实行上述程序指令时，在半导体处理用的成膜装置中实施下述工程：

加热隔开间隔而积累在处理容器内的多个被处理基板的工程，

向上述处理容器内供给用于在上述被处理基板上堆积薄膜的原料气体的工程，

以及在向设置于上述处理容器外的气体混合箱体供给用于向上述薄膜中导入杂质的掺杂气体以及用于稀释上述掺杂气体的稀释气体而形成混合气体的同时，从上述气体混合箱体向上述处理容器内供给上述混合气体的工程。

本发明更多的课题和优点将会在下面进行描述，它们很明显属于本发明的一部分，或者可以通过本发明的实践而被得知。发明的课题和优点可以通过具体方式和结合而被得知。

附图说明

这些附图结合构成了说明书一部分，用于描述本发明的具体实施方式，与上述通常说明一起具体描述下述实施方式，用于解释本发明的原理。

图1是表示本发明的实施方式的纵型成膜装置(CVD装置)的结构图。

图2是处理容器内的气体流入状态、气体向气体混合箱体内的流入量、各开闭阀的开闭状态、气体混合箱体内以及处理容器内的压力的示意图。

图3是表示主控制部结构的简要框图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。其中，在以下说明中，对具有大致相同功能以及结构的构成要素标注同一符号，只在必要时进行重复说明。

图1是表示本发明实施方式的纵型成膜装置(CVD装置)的结构图。如图1所示，成膜装置2具有下端开放成圆筒状的纵型处理容器4。处理容器4例如由耐热性高的石英制成。在处理容器4的天井部形成有开口的排气口6。在排气口6上连接设置有横向弯曲成直角的排气喷嘴8。排气喷嘴8与在中途设置有压力控制阀10和真空泵12的排气系统14连接。通过排气系统14能够将处理容器内的气体真空排出。

处理容器4的下端例如由不锈钢制成的圆筒状的主架16所支持。在处理容器4的下端和主架16的上端之间放入有O形环等密封部材20来维持该部分的气密性。在主架16的下端形成有开口部，通过其来装载以及卸载晶片舱18。晶片舱18由石英制成，起到以规定间距来多段载置半导体晶片W的保持构件的作用。在本实施方式的情况下，在晶片舱18中，能够以大约相等间距多段地支持50枚～100枚左右直径为300mm的晶片W。主架16的部分可以通过石英与处理容器4一侧一体成形。

晶片舱18通过石英制成的保温筒22而被放置在工作台24上。工作台24被支持在贯通开闭主架16的下端开口部的盖部26的回转轴28的上端部。在回转轴28的贯穿部例如设置有磁性流体封30，气密密闭且可旋转地支持回转轴26。在盖部26的周边部和主架16的下端部之间例如放入由O形环等构成的密封部材32，用以保持处理容器4内的密封性。

回转轴28例如被安装在支持于起卸机等升降机构34上的臂部36的前端。通过升降机构34来一体升降晶片舱18以及盖部26等。其中，向着盖部26一侧固定设置工作台24，使得即使不旋转晶片舱18也能够进行晶片W的处理。

在处理容器4的侧部以包围它的方式而配设有由碳金属丝制成的加热器38(例如记载在特开2003-209063号公报中)。通过加热器38来加热处理容器4内的气体，因此，使半导体晶片W被加热。碳金属丝加热器能够实现清净的工艺，而且在升降温特性方面具有优越性，适用于后述那样的连续进行多个处理的情况。在加热器38的外周设置有隔热材料40，以确保热稳定性。在主架16上配设有用于向处理容器4内导入并供给各种气体的各种气体供给系统。

具体地说，在主架16上接续有原料气体供给系统42、还原性气体供给系统44以及混合气体供给系统45。各气体供给系统42、44、45分别具有气体喷嘴42A、44A、45A。各气体喷嘴42A、44A、45A贯通主架16的侧壁，同时，弯曲成直角使得其端部向上。

原料气体供给系统42向处理容器4内供给用于在晶片W上堆积薄膜的原料气体。还原性气体供给系统44向处理容器4内供给用于促进原料气体分解的还原性气体。混合气体供给系统45向处理容器4内供给用于向薄膜中导入杂质的掺杂气体以及用于稀释掺杂气体的稀释气体的混合气体。而且，混合气体45与净化气体供给系统50连接。净化气体供给系统50向处理容器4内供给作为净化气体的惰性气体。

在该实施方式中，作为原料气体使用硅烷系的气体，例如SiCl₄。作为还原性气体使用氢气(H₂)。作为掺杂气体例如为了掺杂磷而使用PH₃。作为稀释气体和净化气体使用氮气(N₂)。作为稀释气体和净化气体也可以使用Ar或He等其它惰性气体来代替N₂。

更具体地说，原料气体供给系统42以及还原性气体供给系统44的气体喷嘴42A、44A通过掺杂气体供给线52以及还原性气体供给线54(气体通路)与原料气体源42S以及还原性气体源44S相连。在气体通路52、54上设置有开闭阀和质量流量控制器那样的流量控制器52B、54B。从而，能够一边控制流量一边供给原料气体以及还原性气体。

混合气体供给系统45的气体喷嘴45A经由混合气体供给线(气体通路)64与设置在处理容器4外的气体混合箱体66连接。在气体通路64上设置有开闭阀64A。混合箱体66具有用于使掺杂气体和稀释气体混合而形成混合气体的规定容量。气体混合箱体66的容量根据处理容器4的容量例如在200～5000cc的范围内。特别是当在处理容器4内收容有300mm的晶片50～100枚程度的情况下，希望气体混合箱体66的容量在600～700cc的范围。当气体混合箱体66的容量小于200cc的情况下，不能形成在成膜时所必要充分的混合气体的容量。此外，在容量大于5000cc的情况下，装置本身会过于大型化。

在掺杂气体源56内填充有不带有稀释气体的纯粹的掺杂气体。在气体通路58和62上配制有开闭阀58A、62A和质量流量控制器那样的流量控制器58B、62B。因此，能够一边控制流量一边供给掺杂气体和稀释气体。气体通路58、62在合流气体通路(合流线)63合并后，与气体混合箱体66连接。但是，各气体通路58、62也可以分别与混合箱体66连接。

此外，混合气体供给系统45的气体通路64也作为净化气体供给系统50的气体通路而被使用。即，气体通路64在开闭阀64A的下游、经由净化气体供给线(气体通路)68与净化气体源50S连接。在气体通路68上设置有开闭阀68A和质量流量控制器那样的流量控制器68B。因此，能够一边控制流量一边供给净化气体。

开闭阀52A、54A、64A、68A、58A、62A通过由微型计算机等构成的气体供给控制部70来控制其开关。在气体混合箱体66中设置有用于测定内部压力的压力计72，实时地将该压力测定值向气体供给控制部70输出。气体供给控制部70通过基于掺杂气体和稀释气体的流量比、以及压力测定值来实时地计算而能够求得掺杂气体的体积。

此外，成膜装置2具有由控制包含气体供给控制部70的装置整体动作的计算机所构成的主控制部80。主控制部80在与其随附的存储部内预先存储有成膜处理方法、例如根据被成膜的膜厚以及组成等来进行后述成膜处理。此外，在该存储部中，处理气体流量和膜的膜厚以及组成的关系作为预先控制数据而被存储。因此，主控制部80基于这些存储的处理方法而能够控制气体供给控制部70、排气系统14、升降机构34以及加热器38等。

接下来，对使用上述结构的成膜装置2进行的成膜方法进行说明。在该实施方式的方法中，分别间隔地(以脉冲状)将原料气体、还原性气体、掺杂气体以及稀释气体向处理容器4导入。因此，通过反复成膜原子层面或者分子层面的薄膜来堆积掺杂磷的聚硅膜。该成膜方法被称为所谓的ALD(原子层沉积)。

首先，在成膜装置2没有加载晶片的待机状态时，处理容器4维持在比处理温度低的温度。另一方面，将搭载有多枚例如50枚晶片W的常温晶片舱18，从常温晶片舱18的下方向上装载在处理容器4内。然后，通过使用盖部26来关闭主架16的下端开口部以密闭处理容器4的内部。

接下来，将处理容器4内抽成真空并维持在规定的处理压力。同时，通过增大向加热器38的供给电力而使晶片温度上升，升温到成膜用的处理温度为止并使其稳定。接下来，在控制流量的同时，从各气体供给系统42、44、45的气体喷嘴42A、44A、45A向处理容器4内供给每次进行各处理工程时所必要的规定处理气体。如上所述，间隔地(以脉冲状)进行各种气体的供给，这些各种气体的供给以及供给的停止是通过气体供给控制部70控制各开闭阀52A、54A、64A、68A等而进行的。

对于开闭阀58A、62A来说，若成膜处理开始则处于开状态，掺杂气体以及稀释气体N₂始终从掺杂气体源56和稀释气体源60流出。这样一来，以预定流量比连续地向气体混合箱体66内供给掺杂气体和稀释气体，在气体混合箱体66内形成均匀混合了的混合气体。

另一方面，在连续地向气体混合箱体66内供给掺杂气体和稀释气体期间，气体供给控制部70通过以脉冲状使开闭阀64A开闭，从而以脉冲状向处理容器4内供给混合气体。此外，气体供给控制部70在以脉冲状使开闭阀64A开闭的同时，通过以脉冲状使开闭阀52A、54A开闭而能够以脉冲状向处理容器4内供给原料气体以及还原性气体。而且，气体供给控制部70在以脉冲状使开闭阀52A、54A、64A开闭的同时，通过以脉冲状来使开闭阀58A闭开而逆相位地以脉冲状向处理容器4内供给净化气体、混合气体、原料气体以及还原性气体。

图2是处理容器4内的气体流入状态、向气体混合箱体66内的气体流入量、各开闭阀52A、54A、64A、68A的开闭状态、气体混合箱体66内以及处理容器4内的压力的示意图。

首先，若成膜处理开始，则开闭阀58A、62A同时开放，作为掺杂气体的PH₃和作为稀释气体的N₂开始流出，这两种气体在气体混合箱体66内均匀地混合(参照图2D以及图2E)。在该状态下，因为开闭阀64关闭，所以其混合气体不向下游侧流动。然后，当贮留了气体混合箱体66内程度的量的混合气体以后，间歇性地向处理容器4供给该混合气体(参照图2B)。与该混和气体的供给同步，也是间歇性地向处理容器4供给原料气体(SiCl₄)和还原性气体(H₂)来进行成膜处理(参照图2A)。此外，当没有同时将原料气体、混合气体向处理容器4导入时，向容器4供给作为净化气体的N₂气体以排出残留气体(参照图2C)。

上记各种气体的向处理容器4的供给和供给停止，如图2F～图2H所示那样，是通过各开闭阀52A、54A、64A、68A的开闭控制来进行的。如图2(I)中所示，气体混合箱体66内的压力形成为反复在微压力P1和压力P2之间。此外，处理容器4内的压力形成为也反复在略微压力P3和P4之间。

此时的原料气体等一次供给期间例如是T1在1～180sec范围内，N₂气体的净化期间T2例如是在1～180sec的范围内，成膜温度例如在300～650℃的范围内。成膜压力为26.6～1333Pa程度的范围内，SiCl₄的流量例如为200～5000sccm的范围内，N₂气体流量例如在200～5000sccm的范围内。掺杂气体PH₃的流量例如在0.1～1000sccm范围内，作为稀释气体的N₂气体的流量例如在1～5000sccm的范围内。

此时，气体供给控制部70根据从主控制部80接受的处理方法来操作各开闭阀52A、54A、64A、68A(设定气体供给的脉冲幅度)。在该情况下，各气体的供给和供给停止的时间能够通过定时器计测各期间T1、T2而求得。

取而代之，各气体的供给和供给停止的时间能够通过压力计72监控气体混合箱体66内的压力，并基于该压力变化而求得。例如，当气体混合箱体66到达规定压力P1时，使开闭阀64A打开。这时，基于该开始压力P1和预先决定的在一脉冲下的混合气体的供给量，立即能够算出应该停止供给的结束压力。然后，继续供给混合气体，当到达气体混合箱体66内的结束压力(在该例子中为P2)时，关闭开闭阀64A，停止混合气体的供给，这种情况下，其它的开闭阀52A、54A、68A与开闭阀64A的操作同步进行操作。

进一步说，当根据气体混合箱体66内的压力变化来求得各气体的供给和供给停止的时间的情况下，在气体混合箱体66到达规定压力P1时，设置开闭阀64A只在规定时间开放，在这种情况下，其它的开闭阀52A、54A、68A与开闭阀64A同步操作来进行操作。

与上述的实施方式相关的方法是，如上所述那样基于处理程序在主控制部80的控制下实行。图3是表示主控制部80结构的简要框图。主控制部80具有CPU210，在此连接有存储部212、输入部214、以及输出部216等。在存储部212内存储有处理程序和工艺方法。输入部214包括用于与使用者对话的输入装置、例如键盘或者随身设备、以及存储媒体的驱动等、输出部216输出用于控制处理装置的各机器的控制信号。此外，图3中还显示出可装卸于计算机的存储媒体218。

上述实施方式的方法是作为在工艺上可以实行的程序指令，通过写入计算机可读取的存储媒体内而能够适用于各种半导体处理装置。或者，这种程序指令通过通信媒体传送而能够适用于各种半导体处理装置。存储媒体例如是磁盘(软盘、硬盘(其中一个例子是存储部212中所包含的硬盘)等)、光盘(CD、DVD等)、磁光盘(MO等)、以及半导体存储等。控制半导体处理装置的动作的计算机读取存储在存储媒体上的程序指令，并通过在工艺上实行其来实行上述方法。

在上述实施方式中，作为掺杂气体源56使用填充有没有混合稀释气体的纯粹掺杂气体的储气罐。从该储气罐流出的纯粹的掺杂气体在气体混合容器66内与稀释气体均匀混合而形成大量的混合气体。然后，向处理容器4内供给该混合气体。因此，提高掺杂气体的扩散速度，使掺杂气体向处理容器4内迅速且短时间地均匀扩散成为可能。此外，因为在掺杂气体源的储气罐内填充有纯粹的掺杂气体，所以该交换频率完全减少，能够维持较高的生产率、即生产量。其中，即使掺杂气体源56中不是纯粹的气体，只要在填充到一定程度以上、例如浓度10％以上的高浓度掺杂气体的情况下也能够得到规定效果。

在上述的实施方式中，虽然例示了掺杂磷的聚硅膜的成膜方法，但是本发明也适用于掺杂其它杂质、或者成膜其它种类的膜的情况。

作为热处理装置的处理容器4，并不局限于图1所示的单管构造，例如也可以是双管构造。作为被处理基板，并不局限于半导体晶片，也可以是LCD基板、玻璃基板等其他基板。

本领域技术人员能够很容易联想到附加优点和改进。因而，本发明在其广阔范围内并不局限于上述说明和具体实施方式。因此，只要不脱离权利要求和其等效物所限定的本发明的精神和范围，可以进行各种改进。

Claims (20)

1.一种半导体处理用的成膜装置，其特征在于：

包括：

收纳隔开间隔而积累的多个被处理基板的处理容器；

在所述处理容器内支持所述被处理基板的支持部材；

加热所述处理容器内的所述被处理基板的加热器；

对所述处理容器内进行排气的排气系统；

原料气体供给系统，向所述处理容器内供给用于在所述被处理基板上堆积薄膜的原料气体；

混合气体供给系统，向所述处理容器内供给用于向所述薄膜中导入杂质的掺杂气体和用于稀释所述掺杂气体的稀释气体的混合气体；以及

控制包含所述混合气体供给系统的所述装置的动作的控制部，其中，

所述混合气体供给系统包括：

气体混合箱体，用于混合所述掺杂气体和所述稀释气体以形成所述混合气体，被设置在所述处理容器外；

从所述气体混合箱体向所述处理容器内供给所述混合气体的混合气体供给线；

向所述气体混合箱体内供给所述掺杂气体的掺杂气体供给系统；以及

向所述气体混合箱体内供给所述稀释气体的稀释气体供给系统。

2.如权利要求1所述的成膜装置，其特征在于：所述混合气体供给系统具有合流线，使来自所述掺杂气体供给系统以及所述稀释气体供给系统的所述掺杂气体和所述稀释气体合流并向所述气体混合箱体供给。

3.如权利要求1所述的成膜装置，其特征在于：

所述混合气体供给系统还具有设置在所述混合气体供给线上的第一开闭阀，所述控制部在关闭第一开闭阀的状态下，将来自所述掺杂气体供给系统以及所述稀释气体供给系统的所述掺杂气体和所述稀释气体积蓄在混合箱体内，然后，打开所述第一开闭阀向所述处理容器内供给所述混合气体。

4.如权利要求3所述的成膜装置，其特征在于：

所述混合气体供给系统还具有测定所述气体混合箱体内的压力的压力计，所述控制部基于所述压力计的测定值来开闭所述第一开关闭阀。

5.如权利要求1所述的成膜装置，其特征在于：

所述气体混合箱体的容量在200～5000cc的范围内。

6.如权利要求1所述的成膜装置，其特征在于：

所述混合气体供给系统还具有设置在所述混合气体供给线上的第一开闭阀，所述控制部在从所述掺杂气体供给系统以及所述稀释气体供给系统连续地向所述气体混合箱体内供给所述掺杂气体和所述稀释气体期间，以脉冲状开闭所述第一开闭阀。

7.如权利要求6所述的成膜装置，其特征在于：所述混合气体供给系统还具有测定所述气体混合箱体内的压力的压力计，所述控制部基于所述压力计的测定值以脉冲状来开闭所述第一开闭阀。

8.如权利要求6所述的成膜装置，其特征在于：

所述原料气体供给系统具有向所述处理容器内供给所述原料气体的原料气体供给线、以及设置在所述原料气体供给线上的第二开闭阀，所述控制部在以脉冲状来开闭所述第一开闭阀的同时，以脉冲状开闭所述第二开闭阀。

9.如权利要求8所述的成膜装置，其特征在于：

所述装置还具有向所述处理容器内供给净化气体的净化气体供给系统，所述净化气体供给系统具有向所述处理容器内供给净化气体的净化气体供给线、以及设置在所述净化气体供给线上的第三开闭阀，所述控制部在以脉冲状来开闭所述第一以及第二开闭阀的同时，在逆相位以脉冲状开闭所述第三开闭阀。

10.如权利要求9所述的成膜装置，其特征在于：

所述净化气体供给线在所述第一开闭阀的下游与所述混合气体供给线连接。

11.一种半导体处理用的成膜方法，其特征在于，包括：

加热隔开间隔而积累在处理容器内的多个被处理基板的工程，

向所述处理容器内供给用于在所述被处理基板上堆积薄膜的原料气体的工程，

以及在向设置于所述处理容器外的气体混合箱体供给用于向所述薄膜中导入杂质的掺杂气体以及用于稀释所述掺杂气体的稀释气体而形成混合气体的同时，从所述气体混合箱体向所述处理容器内供给所述混合气体的工程。

12.如权利要求11所述的成膜方法，其特征在于：

具有在连续地向所述气体混合箱体供给所述掺杂气体以及所述稀释气体期间，从所述气体混合箱体向所述处理容器内以脉冲状来供给所述混合气体的工程。

13.如权利要求12所述的成膜方法，其特征在于：

具有基于由压力计所测定的所述气体混合箱体内的压力的测定值来以脉冲状供给所述混合气体的工程。

14.如权利要求12所述的成膜方法，其特征在于：

具有以脉冲状供给所述混合气体的同时，以脉冲状供给所述原料气体的工程。

15.如权利要求14所述的成膜方法，其特征在于：

具有以脉冲状供给所述混合气体和所述原料气体的同时，在逆相位以脉冲状向所述处理容器内供给纯净气体的工程。

16.一种可由计算机读取的媒体，其中，所述计算机含有用于在处理器中实施的程序指令，其特征在于：

在由处理器实行所述程序指令时，在半导体处理用的成膜装置中实施下述工程：

加热隔开间隔而积累在处理容器内的多个被处理基板的工程，

向所述处理容器内供给用于在所述被处理基板上堆积薄膜的原料气体的工程，

以及在向设置于所述处理容器外的气体混合箱体供给用于向所述薄膜中导入杂质的掺杂气体以及用于稀释所述掺杂气体的稀释气体而形成混合气体的同时，从所述气体混合箱体向所述处理容器内供给所述混合气体的工程。

17.如权利要求16所述的媒体，其特征在于：

在由处理器实行所述程序指令时，在所述成膜装置中还实施下述工程：

在连续地向所述气体混合箱体供给所述掺杂气体以及所述稀释气体期间，从所述气体混合箱体向所述处理容器内以脉冲状供给所述混合气体的工程。

18.如权利要求17所述的媒体，其特征在于：

在由处理器实行所述程序指令时，在所述成膜装置中还实施下述工程：

基于由压力计所测定的所述气体混合箱体内的压力的测定值、以脉冲状供给所述混合气体的工程。

19.如权利要求17所述的媒体，其特征在于：

在由处理器实行所述程序指令时，在所述成膜装置中还实施下述工程：

以脉冲状供给所述混合气体的同时，以脉冲状供给所述原料气体的工程。

20.如权利要求19所述的媒体，其特征在于：

在由处理器实行所述程序指令时，在所述成膜装置中还实施下述工程：

以脉冲状供给所述混合气体和所述原料气体的同时，在逆相位以脉冲状向所述处理容器内供给纯净气体的工程。

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