CN1707702A - 同轴直流块 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种新颖的具有圆周电容性屏蔽的同轴DC块。同轴DC块包括内部DC块，该内部DC块可电耦合到第一段同轴电缆的第一内导体并且可电耦合到第二段同轴电缆的第二内导体。内部DC块提供用来将第一内导体电容性耦合到第二内导体并且阻断感兴趣的第一频率范围的电容。内部DC块被电容性套电气密封和屏蔽，所述电容性套被围绕内部DC块同心布置以形成法拉第笼。电容性套可电耦合到第一段同轴电缆的第一外导体并且可电耦合到第二段同轴电缆的第二外导体。电容性套形成圆周电容，该圆周电容将第一外导体圆周电耦合到第二外导体，并且阻断感兴趣的第二频率范围。

Description

同轴直流块
技术领域
本发明一般地涉及同轴直流(DC)块。
背景技术
如本领域中公知的那样，同轴电缆是由被电介质分隔的两个同心导体形成的。这种独特的构造使得电磁场被限制在内导体和外导体之间的区域中，这在电缆的内部场和外部场之间产生接近完美的屏蔽。
同轴电缆通常被用来从一个电气设备向另一电气设备传播高频信号。通常，两个电气设备可以处于相同的地电势。然而，一些应用，例如使用高频信号和低频信号两者的大系统，可能对由接地回路引起的低频噪声(例如，近似1kHz及更低)敏感。在这种情况下，希望断开电势接地回路。解决此问题的一种方式是断开同轴线中的接地连接。例如，在需要在高频范围和低频范围(例如，数字、低频模拟、RF等)两者中进行测试的工业RF半导体测试器中，在单独的机架(rack)中产生RF信号，并且利用一个或多个同轴电缆，该RF信号被连接到半导体测试接口。RF机架通过AC电源连接或通信链路被联系到保护接地。半导体测试接口也可以通过操纵器(将半导体自动放置到测试器上的设备)、AC电源连接或通信链路联系到保护接地。这样，在RF机架和半导体测试接口之间的同轴连接可以完成在RF机架和数字测试器之间的一个接地回路，该接地回路可能产生低频噪声。在这种情况下，期望通过在接地回路成为问题的低频处断开同轴连接来断开接地回路。
然而，这样的配置有问题。即使当两个设备通过公共电源连接或其它装置而都被接地时，每个设备的接地电势取决于连接的电气长度和阻抗也有些许不同。当一个电气设备(或者该设备的一部分)在一个电势处接地而另一电气设备在不同电势处接地时，设备的噪声电势在幅度和相位方面不同。这样，当利用同轴电缆与DC块相连接的时候，在低频处，在DC块的每一侧的接地中存在不连续性。由于该不连续性，使得在DC块的每一侧的接地噪声电势不同。这导致噪声被引入系统。
因此，系统设计者曾尝试制造一种DC块，该DC块阻止沿着同轴电缆的DC电流，同时允许RF功率流过DC块。为实现此目标的一般方案是切割同轴电缆，然后用对于DC具有高阻抗的电容来将两段同轴电缆电容性耦合到一起，从而断开接地环路，而在较高频率仍有效地耦合信号。该解决方案由于同轴电缆传输线的同轴配置而存在问题。尽管在两段同轴电缆的两个内导体之间插入电容器是简单明了的，但是在两段同轴电缆的两个外导体之间插入电容却存在问题。在两段同轴电缆的两个外导体之间插入电容器通常会劣化同轴电缆的屏蔽特性，进而不利地影响通过同轴电缆传播的信号的完整性。
理想地，DC块应当在信号传播的期望频率范围内在外导体上具有非常低的阻抗，而在非常低频范围内具有高阻抗，以便断开接地回路。当然，这些频率的实际值将取决于应用。
尽管已经开发了用于电容性断开外部同轴连接的一些DC块，但是迄今为止，在所期望的信号传播频率范围包括较低频率时(但是大于接地回路上所见的非常低频)，这些DC块不具有足够低的阻抗。低频处的较高阻抗可能在传播信号上引入低频噪声。为了降低外部连接的阻抗开始增加之处的频率，耦合电容需要以某种方式显著地增加，使得在整个连续频带(无谐振点)内阻抗都非常低。此外，需要保持微波结构，并且该结构不能暴露给外部干扰。在现有技术的DC块中，由于它的构造，外部连接局限于电容。
因此，需要一种DC块，其用高阻抗阻断非常低频的信号，而在较高频，保持通过DC块的标准同轴传输线的电场抵消效应。
发明内容
本发明涉及一种新颖的同轴DC块，该同轴DC块以下述方式显著增加在整个外部同轴连接上的电容，其中所述方式使接地路径阻抗作为频率的函数而非常小且外部干扰被最小化。
通过改进同轴接地连接，在不劣化高频性能的同时改进了低频噪声性能。改进将取决于系统条件和环境噪声条件。
同轴DC块包括内部DC块、同轴屏蔽套和电容性垫圈。内部DC块断开内部同轴连接和外部同轴连接两者。通过使用PCB层的内层作为平板电容器并使用分立电容器，外部同轴连接被电容性联系。同轴屏蔽套与电容性垫圈相结合，实质上围绕内部DC块形成了电容性联系的法拉第笼或电容性套。
附图说明
通过参考下面的详细说明并结合附图，在更好地理解本发明的同时，本发明的许多相应优点及对本发明的全面把握将变得更加清楚，附图中相似的参考标号指示相同或相似的组件，其中：
图1是图示在两个设备之间的同轴电缆连接的框图；
图2A是一段同轴电缆的剖视图；
图2B是图2A的同轴电缆的横截面图；
图2C是图示由沿图2A和2B的同轴电缆传播的信号产生的电场的电场图；
图3A是根据本发明实现的用于同轴电缆的DC块的优选实施例的侧视图；
图3B是图3A的DC块的横截面侧视图；
图3C是图3A和3B的DC块的立体图；
图3D是图3A、3B和3C的DC块的分解图；
图4A是图3A-3D的内部DC块的俯视图；
图4B是图4A的内部DC块的侧视图；
图4C是图4A的内部DC块的印刷电路板的仰视图；
图4D是图4A的内部DC块的印刷电路板的示意图；
图5A是3A-3D的内罩的优选实施例的立体图；
图5B是图5A的内罩的横截面侧视图；
图5C是图5A和图5B的内罩的开口端视图；
图5D是图5A、5B和5C的内罩的视图；
图5E是图5A、5B、5C和5D的内罩的封口端视图；
图6A是图3A-3D的外罩的优选实施例的立体图；
图6B是图6A的外罩的横截面侧视图；
图6C是图6A和图6B的外罩的开口端视图；
图6D是图6A、6B和6C的外罩的视图；
图6E是图6A、6B、6C和6D的外罩的封口端视图；
图7A是图3A-3D的绝缘体的优选实施例的立体图；
图7B是图7A的绝缘体的前视图；
图7C是图7A和7B的绝缘体的侧视图；
图7D是图7A、7B和7C的绝缘体的后视图；
图8A是图3A-3D的电容性垫圈的俯视图；
图8B是图8A的电容性垫圈的仰视图；
图8C是图8A和8B的电容性垫圈的侧视图；
图8D是图8A、8B和8C的电容性垫圈上的分立电容器的示意图。
具体实施方式
现在参考附图，图1示出了两个设备之间的同轴电缆连接。为了消除DC和低频电压或电流分量同时允许高频信号通过，同轴DC块沿着同轴电缆连接而被串联插入。
图2A是一段同轴电缆10的剖视图，而图2B是图2A的同轴电缆10的横截面图。如图所示，同轴电缆10由同心的内部和外导体12与16、夹在内导体12与外导体16之间的电介质14、以及同心围绕外导体16的绝缘体18形成。
图2C是图示由沿同轴电缆10传播的信号产生的电场的电场图。根据标准的电磁场理论，由在内导体12的一个方向(例如，指向页面内)上流动的电流产生的电场Ej在横截面的整个360°方向上从内导体12向外导体16辐射。由沿着外导体16的返回路径在相反方向(例如，指向页面外)上流动的电流产生的电场Eo在横截面的整个360°方向上从外导体16向内导体12辐射。因此，在信号传播期间，内部与外导体12与16的电场Ei和Eo彼此抵消。从而，场抵消效应防止电缆10的辐射并且还用来屏蔽电缆10以防外部干扰。
用于防止DC流和低频电流的公知方案是电容性耦合RF连接设备的接地或返回路径。然而，电容性耦合同轴电缆的接地/返回路径不是容易的事情。内导体可以被容易地断开成两个独立的导体，这两个独立的导体随后可以利用电容器耦合到一起，即使它们是不同的结构(例如，如下文讨论的内部DC块140，从内导体线到扁平的微波传输带到标准的分立电容器)。但是，断开外导体16将允许电场向电缆10之外辐射，并且将通过电缆10传播的信号暴露给来自外部信号的干扰，除非外导体16被恰当地密封。
图3A、3B、3C和3D图示了根据本发明实现的用于同轴电缆的DC块100的优选实施例。如图所示，DC块100通常包括内部DC块140和电容性套160。内部DC块140在一端可电耦合到第一段同轴电缆的第一内导体，并且在相反端可电耦合到第二段同轴电缆的第二内导体，并且在第一段同轴电缆的第一内导体和第二段同轴电缆的第二内导体之间形成电容。设计电容使得它阻断感兴趣的第一频率范围。
套160围绕内部DC块140同心布置，并且将内部DC块140电气密封在其内部。套160可电耦合到第一段同轴电缆的第一外导体，并且可电耦合到第二段同轴电缆的第二外导体。在这方面，优选地使用公/母式超小型A系列(Sub-Miniature Series A，SMA)连接器对来实现同轴电缆耦合。SMA连接器主要包括公连接器和母连接器，其中公连接器由从电介质插头的中央延伸出的导电引脚组成，母连接器由容纳该引脚并与之电接触的套组成。标准SMA连接器使用螺纹耦合或锁定螺母作为锁定机构来连接公连接器和母连接器。
套160的横截面优选为圆环形，并且形成将第一外导体的整个圆周电耦合到第二外导体的整个圆周的圆周电容。圆周电容被设计成阻断感兴趣的第二频率范围。因为套160将内部DC块140电气密封在其内部，所以DC块实质上被完全从套160内部和外部的场屏蔽。
现在具体参考本发明DC块的优选实施例。图3D示出了同轴DC块100的分解图。如图所示，同轴DC块100包括内部DC块140、内罩104、平垫圈102、垫圈103、绝缘体109、外罩114、电容性垫圈120、平垫圈118和螺母119。
图4A、4B、4C和4D更详细图示了内部DC块140的优选实施例。如图所示，内部DC块140包括具有端部装入(end-launch)连接器141的第一同轴SMA连接器143和具有端部装入连接器142的第二同轴SMA连接器144，其中端部装入连接器142电连接到母SMA连接器144。
相应SMA连接器143与144的第一与第二同轴端部装入连接器141与142中的每个分别包括安装叉145与146，安装叉145与146包括相应的中心齿杆145b、146b和两个外齿杆145a、145c与146a、146c。母SMA连接器143和144每个包括中心导体接收器(未示出)，其电耦合到其相应的同轴端部装入连接器141与142的中心齿杆145b、146b。母SMA连接器143和144每个还包括外导体接收器(未示出)，其电耦合到其相应的同轴端部装入连接器141与142的外齿杆145a、145c与146a、146c。第一和第二同轴端部装入连接器141与142利用相应的安装叉145与146被安装在RF印刷电路板150的相对两侧。当然，SMA连接器143与144的规格取决于所使用的同轴电缆类型。在所图示的实施例中，同轴电缆是50欧姆、18GHz、RG-58电缆，并且母SMA连接器143与144是用可从总部在Waseca，MN的Johnson Components获得的零件号码为142-0711-811的SMA端部装入直隔板插座-圆形接头(SMA End Launch StraightBulkhead Jack Receptacle-Round Contact)实现的。
RF印刷电路板150包括多个分立电容器。至少一个电容器152具有被焊接到印刷电路板(PCB)150上的微波传输带(或迹线(trace))151a的第一接线端以及被焊接到PCB 150上的第二微波传输带(或迹线)151b的第二接线端。当RF印刷电路板150被安装在同轴端部装入连接器141与142之间时，各个同轴端部装入连接器141与142的中心齿杆145b、146b电连接(例如，焊接)到相应的第一与第二微波传输带151a、151b。因此，RF印刷电路板150用来在连接到SMA连接器的同轴电缆的相应第一与第二内导体之间耦合内导体电容Ci 152。尽管在优选实施例中，RF印刷电路板150被配置成具有单个分立电容152来在两段引入的同轴电缆的内导体之间提供期望的内导体电容Ci，但是本领域普通技术人员将能理解，内导体电容Ci还可以被配置为用来一起提供所期望的内导体电容Ci152的任何数目的电容器和/或其它组件，以滤出感兴趣的第一频率范围内的频率分量。在优选实施例中，感兴趣的第一频率范围f1是0＜f1＜1kHz，对于10MHz至8GHz范围内传播的信号，期望的内导体电容Ci 152是330皮法。
RF印刷电路板150还包括在外齿杆焊盘之间并联连接(利用迹线、过孔和焊接连接)的电容器153a、153b、153c、153d、153e、153f、153g、153h、153i，其中相应端部装入连接器141和142的外齿杆145a、145c、146a、146c在装配期间被焊接到上述外齿杆焊盘上。当装配的时候，RF印刷电路板150用来在连接到SMA连接器的同轴电缆的相应第一与第二外导体之间耦合外导体电容Co。尽管在优选实施例中，RF印刷电路板150被配置成具有电容器153a、153b、153c、153d、153e、153f、153g、153h、153i的特定配置(数目和电容值)以在两段引入的同轴电缆的外导体之间提供期望的外导体电容Co，但是本领域普通技术人员将能理解，外导体电容Co还可以被配置为用来一起提供所期望的外导体电容Co的任何数目的电容器和/或其它组件，以选择感兴趣的第二频率范围内的频率分量。在优选实施例中，感兴趣的第二频率范围f2与感兴趣的第一频率范围相同，即0＜f2＜1kHz，对于在10MHz至8GHz内传播的信号，期望的外导体电容Co是2μF＜Co＜3μF。
母SMA连接器143与144每个包括中心导体和电隔离的同心外导体(通常称作返回路径或接地)。母SMA连接器外表面形成有螺纹。公SMA连接器(未示出)配置有中心引脚和与中心引脚电绝缘的同心外导体。每个公SMA连接器包括可旋转附接的螺纹螺母，当该螺母在围绕母SMA连接器的螺纹轴杆装配的时候，可以被旋紧以将公SMA连接器与母SMA连接器牢固地连接在一起，使得同轴电缆的内导体电耦合到分别附接到相应母SMA连接器的端部装入连接器的中心齿杆。将要经由同轴DC块100连接的两段同轴电缆的端部被电连接到公SMA连接器，从而各段同轴电缆的相应内导体电耦合到相应公SMA连接器的中心引脚，并且各段同轴电缆的相应外导体电耦合到相应公SMA连接器的同心外导体。因此，当利用本发明的同轴DC块100来连接两段同轴电缆时，两段同轴电缆的相应内导体通过内导体电容Ci被电容性耦合到一起，并且两段同轴电缆的相应外导体通过电容Co被电容性耦合到一起。
应当意识到，尽管外导体电容Co用来阻断外导体上的DC与低频电流分量，但是RF印刷电路板150的印刷电路板结构改变了同轴DC块100内电场的形状和方向。因为同轴电缆的外导体已经从同心同轴配置变换到平印刷电路板的配置，所以电场的形状也从放射状电场变为PCB型电场。这意味着同轴传输线的场抵消效应特性被RF印刷电路板150破坏，从而消除了对两个感兴趣电气设备之间的整个同轴线上的“完美”屏蔽，并且将通过同轴线传播的信号暴露给由外部场干扰引起的有害噪声。
因此，同轴DC块100还包括同轴屏蔽套160，同轴屏蔽套160实质上形成围绕内部DC块140的法拉第笼。参考图3D，在优选实施例中，同轴屏蔽套160优选地由内罩104、垫圈103、垫圈102、绝缘体109、外罩114、电容性垫圈120、垫圈118和螺母119形成。
在另一个实施例中，目前可从市场上得到的现有技术DC块(其在两端上包括扩展SMA母连接器)可以用于实现内部DC块140。在该实施例中，整个现有技术的DC块随后将被封包并且被电气密封在同轴屏蔽电容性套160内，以解决现有技术DC块的屏蔽劣化问题。
现在参考电容性套160，图5A、5B、5C、5D和5E图示了在同轴DC块100的优选实施例中的电容性套160中使用的内罩104的优选实施例。如图所示，内罩104是绕轴形成的中空圆柱管105，并且其中具有空腔107。圆柱管105的一端开口，而另一端覆盖有罩108。在罩108中形成了与圆柱管105的轴同心的孔106。孔106的直径基本等于内部DC块140的母SMA连接器的轴杆的直径，并且优选地以埋头孔的形式形成在罩108中。管105和罩108都是导电的。圆柱管105和罩108优选地作为一个整体单元而被形成。
图6A、6B、6C、6D和6E图示了在同轴DC块100的优选实施例中使用的外罩114的优选实施例。如图所示，外罩114也是绕轴形成的中空圆柱管115，并且其中具有空腔。圆柱管115的一端开口，而另一端覆盖有罩117。在罩117中形成了与圆柱管115的轴同心的孔116。孔116的直径基本等于内部DC块140的母SMA连接器的轴杆的直径。管115和罩117都是导电的，并且优选地作为一个整体单元而被形成。
图7A、7B、7C、和7D图示了在同轴DC块100中使用的绝缘体109的优选实施例。如图所示，绝缘体109包括绕轴形成的中空圆柱管111。中空圆柱管的一端形成平垫圈110，平垫圈110具有与圆柱管111的轴同心的中心孔112。注意，绝缘体109是由非导电绝缘材料例如电介质(例如，塑料、聚氨脂等)形成的。
图8A、8B、8C、和8D图示了在同轴DC块100中使用的电容性垫圈120的优选实施例。电容性垫圈120是其中心形成有孔128的圆环，孔128的直径基本等于母SMA连接器的带螺纹轴杆的直径。电容性垫圈120由夹在第一导电层121和第二导电层123之间的电介质122形成。第一导电层121是被层铺(即印刷或层叠)在电介质122的一个表面上的导电材料固体薄片。第二导电层123包括层铺(即印刷或层叠)在电介质122的相反的另一表面上的内环125和外环124。多个过孔126将第二导电层123的外环124与第一导电层121相连接。图8B图示出第二导电层123的内环125通过平板电容Cp而电容性耦合到第一导电层121。该电容Cp的环状配置在两段同轴电缆的外导体之间围绕外导体的整个圆周提供了耦合电容。电容Cp由多个因素确定，所述因素包括平板面积、平板间距、介电常数等。
取决于具体应用的阻抗和频率阻断要求(例如，在期望阻断非常低频信号时)，可以在第二导电层123的外环124和第二导电层123的内环125之间电容性耦合一个或多个分立电容器127。图8D示出了在本发明的示例性实施例中使用的第二导电层123的分立电容器1271-12716的等效示意图。
表1给出了当感兴趣的信号传播频率范围是10MHz至8GHz范围时的电容性垫圈120和内部DC块140的示例性电容值。
                                                   表1
  电容器   电容值
  152＝Ci   330pF
  153a   1μF
  153b   .1μF
  153c   .01μF
  153d   1000pF
  153e   100pF
  153f   1000pF
  153g   .01μF
  153h   .1μF
  153i   1μF
  Co   2μF＜Co＜3μF
  1271   0.1μF
  1272   0.1μF
  1273   0.1μF
  1274   0.1μF
  1275   0.01μF
  1276   0.01μF
  1277   0.01μF
  1278   0.01μF
  1279   1000pF
  12710   1000pF
  12711   1000pF
  12712   1000pF
  12713   100pF
  12714   100pF
  12715   100pF
  12716   100pF
为了装配同轴屏蔽套160，内部DC块140通过内罩104的开口端而被插入到空腔107，使得第一SMA连接器的轴杆穿过内罩104的罩108中的孔106。垫圈103安装在SMA连接器的带螺纹轴杆上，其后安装垫圈102。连接器螺母101将垫圈102和垫圈103固定在合适位置，以使其抵靠在内罩104的罩106的外表面上。
绝缘体109被安装在第二SMA连接器的轴杆上，使得轴杆穿过绝缘体109的孔112。当前的组装件随后被插入到外罩114的开口端中，第二SMA连接器首先被插入，使得绝缘体109的圆柱部分111(其中有第二SMA连接器的轴杆)穿过外罩114的罩117中的孔116。外罩114和内罩104被压配合在一起以围绕内部DC块140形成封闭的圆柱导电笼。
电容性垫圈120随后被安装到第二母SMA连接器的带螺纹轴杆上。垫圈118被安装到该轴杆，随后安装螺母119，然后拧紧螺母以使垫圈118抵靠电容性垫圈120，直至电容性垫圈120的第一导电层121导电性抵靠到外罩114的罩116的外表面上。
当利用具有与同轴DC块100的母SMA连接器附接的公SMA连接器的同轴电缆在两个电气设备之间进行装配和连接时，同轴屏蔽套160经由第一母SMA连接器被电耦合到第一同轴电缆的外导体。在同轴DC块100的另一端，第二同轴电缆的外导体经由垫圈118和螺母119被电耦合到电容性垫圈120的内环125。如前所述，电容性垫圈120的内环125电容性耦合到电容性垫圈120的第一导电层121，第一导电层121导电性连接到外罩114的罩116上。因此，第一与第二同轴电缆的外导体经由同轴DC块100而被电容性耦合。电容性套160形成围绕内部DC块140的“法拉第”笼，从而保持同轴电缆的电场抵消效应。因此，内部DC块140可以被实现为在预定信号传播的频率范围内具有很低的阻抗，而在非常低频处提供高阻抗以断开接地回路。
尽管为说明的目的已经描述了本发明的优选实施例，但是本领域普通技术人员将意识到，在不背离权利要求中公开的本发明的范围和精神的前提下，可以进行各种修改、添加和替换。还可能随着时间的过去，当前公开的发明的其它优点或用途将变得清楚。

Claims (17)

1.一种用于同轴电缆的直流块，所述同轴电缆包括同心地夹在内导体和外导体之间的电介质，所述外导体与所述内导体同心，所述直流块包括：
内部直流块，可电耦合到第一段同轴电缆的第一内导体并且可电耦合到第二段同轴电缆的第二内导体，所述内部直流块形成一电容，所述电容将所述第一内导体电容性耦合到所述第二内导体并且阻断感兴趣的第一频率范围；
电容性套，被围绕所述内部直流块同心布置，所述电容性套电气密封所述内部直流块，所述套可电耦合到所述第一段同轴电缆的第一外导体并且可电耦合到所述第二段同轴电缆的第二外导体，所述套形成圆周电容，所述圆周电容将所述第一外导体圆周电耦合到所述第二外导体，并且阻断感兴趣的第二频率范围。
2.根据权利要求1所述的直流块，其中：
所述感兴趣的第一频率范围与所述感兴趣的第二频率范围相同。
3.根据权利要求1所述的直流块，其中所述电容性套包括：
同心管，在第一同心管端可圆周电耦合到所述第一段同轴电缆的所述第一外导体；
电容性垫圈，包括夹在第一导电层和第二导电层之间的电介质，所述第一导电层可圆周电耦合到所述同心管以将所述内部直流块电气密封在所述同心管内，并且所述第二导电层可圆周电耦合到所述第二段同轴电缆的所述第二外导体。
4.根据权利要求3所述的直流块，包括：
穿过所述电容性垫圈的所述第一导电层、所述电介质和所述第二导电层而形成的孔，用于允许所述第二段同轴电缆的至少所述内导体穿过所述圆周电容器。
5.根据权利要求3所述的直流块，其中所述第二导电层包括：
利用所述电介质而与所述第一导电层电隔离的第一导电区域；
与所述第一导电区域同心布置的第二导电区域，所述第二导电区域电耦合到所述第一导电层；以及
耦合在所述第一导电区域和所述第二导电区域之间的至少一个分立电容器。
6.根据权利要求5所述的直流块，包括：
穿过所述电容性垫圈的所述第一导电层、所述电介质和所述第二导电层而形成的孔，用于允许所述第二段同轴电缆的至少所述内导体穿过所述圆周电容器。
7.根据权利要求1所述的直流块，其中：
所述内部直流块包括：
具有中心导体和外导体的第一超小型A系列连接器，所述中心导体可耦合到所述第一段同轴电缆的所述内导体上，并且所述外导体可耦合到所述第一段同轴电缆的所述外导体上；
具有中心导体和外导体的第二超小型A系列连接器，所述中心导体可耦合到所述第二段同轴电缆的所述内导体上，并且所述外导体可耦合到所述第二段同轴电缆的所述外导体上；以及
印刷电路板，包括：
内导体电容，用于耦合所述第一超小型A系列连接器的所述中心导体和所述第二超小型A系列连接器的所述中心导体；以及
外导体电容，用于耦合所述第一超小型A系列连接器的所述外导体和所述第二超小型A系列连接器的所述外导体。
8.根据权利要求7所述的直流块，其中所述电容性套包括：
同心管，在第一同心管端可圆周电耦合到所述第一超小型A系列连接器的所述外导体；
电容性垫圈，包括夹在第一导电层和第二导电层之间的电介质，所述第一导电层可圆周电耦合到所述同心管以将所述内部直流块电气密封在所述同心管内，并且所述第二导电层可圆周电耦合到所述第二超小型A系列连接器的所述外导体。
9.根据权利要求8所述的直流块，包括：
穿过所述电容性垫圈的所述第一导电层、所述电介质和所述第二导电层而形成的孔，用于允许所述第二超小型A系列连接器穿过所述圆周电容器。
10.根据权利要求8所述的直流块，其中所述第二导电层包括：
利用所述电介质而与所述第一导电层电隔离的第一导电区域；
与所述第一导电区域同心布置的第二导电区域，所述第二导电区域电耦合到所述第一导电层；以及
耦合在所述第一导电区域和所述第二导电区域之间的至少一个分立电容器。
11.根据权利要求10所述的直流块，包括：
穿过所述电容性垫圈的所述第一导电层、所述电介质和所述第二导电层而形成的孔，用于允许所述第二超小型A系列连接器穿过所述圆周电容器。
12.一种用于同轴电缆的圆周电容器，所述同轴电缆包括同心地夹在内导体和外导体之间的电介质，所述外导体与所述内导体同心，所述圆周电容器包括：
夹在第一导电层和第二导电层之间的电介质，所述第一导电层可圆周电耦合到第一段所述同轴电缆的第一外导体，并且所述第二导电层可圆周电耦合到第二段所述同轴电缆的第二外导体。
13.根据权利要求12所述的圆周电容器，其中：
所述第一导电层、所述电介质和所述第二导电层被形成在印刷电路板上。
14.根据权利要求12所述的圆周电容器，包括：
穿过所述第一导电层、所述电介质和所述第二导电层而形成的孔，用于允许所述同轴电缆的至少所述内导体穿过所述圆周电容器。
15.根据权利要求14所述的圆周电容器，其中：
所述孔容纳超小型A系列连接器的同心轴杆。
16.根据权利要求12所述的圆周电容器，其中：
所述第二导电层包括：
利用所述电介质而与所述第一导电层电隔离的第一导电区域；
与所述第一导电区域同心布置的第二导电区域，所述第二导电区域电耦合到所述第一导电层；以及
耦合在所述第一导电区域和所述第二导电区域之间的至少一个分立电容器。
17.根据权利要求16所述的圆周电容器，其中：
所述第一导电层、所述电介质、所述第二导电层和所述至少一个分立电容被形成在印刷电路板上。
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