CN1641891A - 覆晶式发光二极管封装结构 - Google Patents

覆晶式发光二极管封装结构 Download PDF

Info

Publication number
CN1641891A
CN1641891A CNA2004100001528A CN200410000152A CN1641891A CN 1641891 A CN1641891 A CN 1641891A CN A2004100001528 A CNA2004100001528 A CN A2004100001528A CN 200410000152 A CN200410000152 A CN 200410000152A CN 1641891 A CN1641891 A CN 1641891A
Authority
CN
China
Prior art keywords
crystal
light
encapsulating structure
emitting diodes
sidewall
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA2004100001528A
Other languages
English (en)
Inventor
许世昌
许进恭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yuanshen Photoelectric Technology Co Ltd
Original Assignee
Yuanshen Photoelectric Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yuanshen Photoelectric Technology Co Ltd filed Critical Yuanshen Photoelectric Technology Co Ltd
Priority to CNA2004100001528A priority Critical patent/CN1641891A/zh
Publication of CN1641891A publication Critical patent/CN1641891A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明是关于一种覆晶式发光二极管封装结构，包括子基座、图案化导电膜、发光二极管芯片以及凸块。其中子基座的侧壁上具有多数个沟槽，且沟槽的内壁并具有图案化导电膜，此图案化导电膜是由沟槽的内壁而往两端延伸至子基座的部分表面与部分背面。而发光二极管配置在子基座上，且发光二极管上具有二电极。凸块则是配置在发光二极管的电极与导电膜之间，以使发光二极管藉由凸块而与导电膜电性连接。当发光二极管封装结构配置于电路板上时，毋须进行打线制程，即可经由子基座背面的导电膜而与电路板上的电路电性连接。

Description

覆晶式发光二极管封装结构
技术领域
本发明涉及一种半导体发光组件，特别是涉及一种覆晶式发光二极管封装结构。
背景技术
由III-N族元素化合物半导体材料所构成的发光二极管(LightEmitting Diode，LED)是一种宽能隙(bandgap)的发光组件，其可发出的光线从红外光一直到紫外光，而涵盖所有可见光的波段。近年来，随着高亮度氮化镓(GaN)蓝/绿光发光二极管的快速发展，全彩发光二极管显示器、白光发光二极管及发光二极管交通号志等得以实用化，而其它各种发光二极管的应用也更加普及。
发光二极管组件的基本结构包含P型及N型的III-V族元素化合物磊晶层，以及其间的主动层(active layer)，也就是发光层。发光二极管组件的发光效率高低是取决于主动层的量子效率(internal quantumefficiency)，及该组件的光取出效率(light extraction efficiency)。增加量子效率的方法主要是改善主动层的长晶品质及其磊晶层(epitaxiallayer)结构设计，而增加光取出效率的关键则在于减少主动层所发出的光在发光二极管内部反射所造成的能量损失。
由于目前一般氮化镓发光二极管组件的正负电极是置于同一面，而正负电极会反射光线，所以氮化镓发光二极管大多采用覆晶式(flip-chip)的封装，令正负电极面对不透明的基板，并在面对基板的磊晶层上形成反射层，以使大部分的光线朝电极的反侧发出。采用覆晶式封装的另一个好处是，若搭配适当的表面黏着型(surface mount，一般简称surmount)基板，例如是氮化铝基板，则将有助于组件的散热，特别是在高电流操作环境下。如此一来，不但光取出效率得以提高，主动层的量子效率也不致因组件过热而降低。
请参阅图1A所示，是现有习知的覆晶式发光二极管封装结构的剖面示意图。该覆晶式发光二极管封装结构，包括子基座100以及发光二极管芯片102。其中，子基座100上配置有焊垫(bonding pad)104，而发光二极管芯片102上配置有凸块(bump)106。当发光二极管芯片102倒覆于子基座100上时，每一凸块106皆会与其所对应的焊垫104相连接，而发光二极管芯片102即是藉由凸块106而与子基座100上的焊垫104电性连接。
请参阅图1B所示，是现有习知的覆晶式发光二极管封装结构在电路板上的配置剖面示意图。当该现有习知的覆晶式发光二极管封装结构配置于电路板108上时，通常需要进行打线制程，以使导线112有一端与焊垫104连接，而另一端则与电路板108上的电极110连接。发光二极管芯片102即可藉由凸块106及导线112而与电路板108上的电路电性连接。
然而，为了降低导线112的电阻值，一般都会尽量缩小导线112的线宽，却也因此使得导线112变得脆弱易断，而容易在制程中断裂，造成成本的浪费。而且由于电路板108上通常是配置有多个LED封装结构，因此需进行多次打线制程，故成本较高。
此外，在覆晶式LED封装结构中，由于LED芯片102是倒覆在子基座上，并藉由凸块106与子基座100电性连接，因此覆晶式LED封装结构的整体体积较非覆晶式LED封装结构的体积大，且较占空间。
由此可见，上述现有的覆晶式发光二极管封装结构仍存在有诸多的缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决覆晶式发光二极管封装结构存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品又没有适切的结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。
有鉴于上述现有的覆晶式发光二极管封装结构存在的缺陷，本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，积极加以研究创新，以期创设一种新型的覆晶式发光二极管封装结构，能够改进一般现有的覆晶式发光二极管封装结构，使其更具有实用性。经过不断的研究设计，并经反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本发明。
发明内容
本发明的目的在于，克服现有的覆晶式发光二极管封装结构存在的缺陷，而提供一种新的覆晶式发光二极管封装结构，所要解决的技术问题是使其可使覆晶式发光二极管封装结构不必经由打线制程，即可与电路板上的电路电性连接，从而更加适于实用，且具有产业上的利用价值。
本发明另一目的在于，提供一种覆晶式发光二极管封装结构，所要解决的技术问题是使其整体体积较现有习知产品不占空间，从而更加适于实用。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种覆晶式发光二极管封装结构，其包括：一子基座，具有一第一表面以及相对于该第一表面的一第二表面，且该子基座的侧壁上具有多数个沟槽；一第一图案化导电膜，配置于部分该第一表面、部分该第二表面以及部分该些沟槽的内壁上；一第二图案化导电膜，配置于部分该第一表面、部分该第二表面以及其余该些沟槽的内壁上；以及一发光二极管芯片，配置于该子基座上，其中该发光二极管具有二电极，且该些电极是分别与该第一图案化导电膜以及该第二图案化导电膜电性连接。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的覆晶式发光二极管封装结构，其更包括二凸块，分别配置于该发光二极管芯片的该些电极与该第一图案化导电膜以及该第二图案化导电膜之间。
前述的覆晶式发光二极管封装结构，其中所述的该些沟槽中的m个是位于该子基座的一侧壁上，而该些沟槽中的n个是位于该子基座的另一侧壁上。
前述的覆晶式发光二极管封装结构，其中所述的该些侧壁是为相邻的侧壁。
前述的覆晶式发光二极管封装结构，其中所述的该些侧壁是为相对的侧壁。
前述的覆晶式发光二极管封装结构，其中所述的m不等于n。
前述的覆晶式发光二极管封装结构，其中所述的m等于n。
前述的覆晶式发光二极管封装结构，其中所述的m等于1，且n等于1。
前述的覆晶式发光二极管封装结构，其中所述的该些沟槽是配置于该子基座角落的侧壁上。
前述的覆晶式发光二极管封装结构，其中所述的该些凸块的材质包括锡铅合金。
前述的覆晶式发光二极管封装结构，其中所述的子基座的材质包括氮化铝、氮化硼以及氧化锌其中之一。
本发明的目的及解决其技术问题还采用以下的技术方案来实现。依据本发明提出的一种覆晶式发光二极管封装结构，其包括：一子基座，具有一第一表面以及相对于该第一表面的第二表面，且该第一表面上具有一凹杯，而该子基座的侧壁上则具有多数个沟槽；一第一图案化导电反射膜，是配置于部分该第一表面、部分该第二表面、该凹杯的一第一部分侧壁、该凹杯的部分底面以及部分该些沟槽的内壁上；一第二图案化导电反射膜，是配置于部分该第一表面、部分该第二表面、该凹杯的一第二部分侧壁、该凹杯的部分底面以及其余该些沟槽的内壁上；以及一发光二极管芯片，配置于该子基座上，并位于该凹杯内，而其中该发光二极管具有二电极，且该些电极是分别与该第一图案化导电反射膜以及该第二图案化导电反射膜电性连接。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的覆晶式发光二极管封装结构，其更包括二凸块，且每一该些凸块是分别配置于该发光二极管芯片的该些电极与该第一图案化导电反射膜及该第二图案化导电反射膜之间。
前述的覆晶式发光二极管封装结构，其中所述的该些沟槽中的m个是位于该子基座的一侧壁上，而该些沟槽中的n个是位于该子基座的另一侧壁上。
前述的覆晶式发光二极管封装结构，其中所述的该些侧壁是为相邻的侧壁。
前述的覆晶式发光二极管封装结构，其中所述的该些侧壁是为相对的侧壁。
前述的覆晶式发光二极管封装结构，其中所述的m不等于n。
前述的覆晶式发光二极管封装结构，其中所述的m等于n。
前述的覆晶式发光二极管封装结构，其中所述的m等于1，且n等于1。
前述的覆晶式发光二极管封装结构，其中所述的该些沟槽是配置于该子基座角落的侧壁上。
前述的覆晶式发光二极管封装结构，其中所述的该些凸块的材质包括锡铅合金。
前述的覆晶式发光二极管封装结构，其中所述的子基座的材质包括氮化铝、氮化硼以及氧化锌其中之一。
前述的覆晶式发光二极管封装结构，其中所述的凹杯的侧壁与该凹杯的底面所夹之角为一钝角。
本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上技术方案可知，为了达到前述发明目的，本发明的主要技术内容如下：
本发明提出一种覆晶式发光二极管封装结构，其包括子基座、第一图案化导电膜、第二图案化导电膜、发光二极管芯片以及二凸块。其中，子基座具有第一表面以及相对于第一表面的第二表面。而且，子基座的侧壁上具有多数个沟槽，且该些沟槽可以是全数配置于同一侧壁上，或是分别配置于不同的侧壁上，更可以是配置在角落的侧壁上。而每一侧壁上所配置的沟槽数可以相同也可以不同。
第一图案化导电膜是配置于部分第一表面、部分第二表面以及部分沟槽的内壁上。而第二图案化导电膜则是配置于部分第一表面、部分第二表面以及其余沟槽的内壁上。且第一图案化导电膜与第二图案化导电膜并未相连接。
发光二极管芯片是位于子基座上，且发光二极管芯片上具有二电极。而凸块是分别位于发光二极管芯片的电极与第一图案化导电膜以及第二图案化导电膜之间，以使发光二极管芯片与第一图案化导电膜以及第二图案化导电膜电性连接。
另外，本发明还提出了一种覆晶式发光二极管封装结构，其包括子基座、第一图案化导电反射膜、第二图案化导电反射膜、发光二极管芯片以及二凸块。其中，子基座具有第一表面和相对于第一表面的第二表面。且在其第一表面上是具有一凹杯的设计，而凹杯的侧壁与凹杯的底面所夹的角是成一钝角。
子基座的侧壁上具有多数个沟槽，且该些沟槽可以是全数配置于同一侧壁上，或是分别配置于不同的侧壁上，更可以是配置在角落的侧壁上。而每一侧壁上的沟槽数可以相同也可以不同。
第一图案化导电反射膜是配置于部分第一表面、部分第二表面、凹杯的第一部分侧壁、凹杯的部分底面以及部分沟槽的内壁上。而第二图案化导电反射膜则是配置于部分第一表面、部分第二表面、凹杯的第二部分侧壁、凹杯的部分底面以及其余沟槽的内壁上。且第一图案化导电反射膜与第二图案化导电反射膜并未相连接。
而发光二极管芯片是位于子基座上的凹杯内，其上并具有二电极。每一凸块则是分别位于发光二极管芯片的二电极与第一图案化导电反射膜以及第二图案化导电反射膜之间，以使发光二极管芯片与第一图案化导电反射膜以及第二图案化导电反射膜电性连接。
经由上述可知，本发明是关于一种覆晶式发光二极管封装结构，包括子基座、图案化导电膜、发光二极管芯片以及凸块。其中子基座的侧壁上具有多数个沟槽，且沟槽的内壁并具有图案化导电膜，此图案化导电膜是由沟槽的内壁而往两端延伸至子基座的部分表面与部分背面。而发光二极管是配置于子基座上，且发光二极管上具有二电极。凸块则是配置在发光二极管的电极与导电膜之间，以使发光二极管藉由凸块而与导电膜电性连接。当发光二极管封装结构配置于电路板上时，毋须进行打线制程，即可经由子基座背面的导电膜而与电路板上的电路电性连接。
借由上述技术方案，本发明至少具有以下优点：
本发明是在发光二极管封装结构的子基座的侧壁上形成沟槽，并在沟槽内壁配置导电膜，且该导电膜亦同时配置于子基座的表面与背面。因此当本发明的发光二极管封装结构配置于电路板上时，可藉由子基座背面的导电膜而与电路板上的电极电性连接，进而使配置于子基座上的发光二极管芯片可以透过凸块与导电膜而与电路板上的电路电性连接。毋须进行打线制程，可降低所需耗费的成本。
此外，在本发明的一较佳实施例中，由于发光二极管芯片是配置在子基座上的凹杯内，因此可缩小整体封装体的体积，以便于更有效地利用空间。再者，位于凹杯内的发光二极管所发出的光线可经由凹杯侧壁上的导电反射膜将其反射后，集中出射至凹杯外。所以本发明更能提高发光二极管的光输出效能。
综上所述，本发明特殊结构的覆晶式发光二极管封装结构，可使覆晶式发光二极管封装结构不必经由打线制程，即可与电路板上的电路电性连接。另本发明整体体积可较现有习知产品不占空间，更加适于实用。其具有上述诸多的优点及实用价值，并在同类产品中未见有类似的结构设计公开发表或使用而确属创新，其不论在结构上或功能上皆有较大的改进，在技术上有较大的进步，并产生了好用及实用的效果，且较现有的覆晶式发光二极管封装结构具有增进的多项功效，从而更加适于实用，而具有产业的广泛利用价值，诚为一新颖、进步、实用的新设计。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
附图说明
图1A是现有习知的覆晶式发光二极管封装结构的剖面示意图。
图1B是现有习知的覆晶式发光二极管封装结构在电路板上的配置剖面示意图。
图2A至图2B是本发明一较佳实施例的一种覆晶式发光二极管封装结构的制作流程及结构的示意图。
图2C是图2B中I-I’剖面的剖面示意图。
图3A是本发明一较佳实施例的一种覆晶式发光二极管封装结构的立体示意图。
图3B是本发明一较佳实施例的一种覆晶式发光二极管封装结构的背面视图。
图4是本发明发光二极管封装结构在电路板上的配置剖面示意图。
图5A是本发明另一较佳实施例的一种发光二极管封装结构的剖面示意图。
图5B是本发明另一较佳实施例的一种发光二极管封装结构的立体示意图。
图6是本发明一较佳实施例中导电膜在基板表面上的配置位置示意图。
图7A是本发明再一较佳实施例中具有导电膜的子基座的示意图。
图7B是本发明又一较佳实施例中具有导电膜的子基座的示意图。
100、200a：子基座             700a、700b：子基座
102、210：发光二极管芯片      104：焊垫
106、212：凸块                108、226、300：电路板
110、214、216：电极           228、230：电极
112：导线                   200、600：基板
202：小孔洞                 204、304：子基座的表面
206、306：子基座的背面      208、208a、208b：导电膜
308a、308b：导电反射膜      218a、218b：沟槽
702a、702b、702c：沟槽      704a、704b、704c：沟槽
220、602、604：切割线       222、224：子基座的侧壁
316、318：子基座的侧壁      302：凹杯
310、312：凹杯的部分侧壁    314：凹杯的底面
具体实施方式
以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的覆晶式发光二极管封装结构其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。
图2A至图2B是本发明一较佳实施例的一种覆晶式发光二极管封装结构的制作流程及结构的示意图，而图2C是图2B中I-I’剖面的剖面示意图。
请参阅图2A所示，该覆晶式发光二极管封装结构，其结构及制作方法是，先利用例如是激光或是钻孔机，在基板200上形成多个小孔洞202。其中基板200的材质例如是氮化铝、氮化硼或是氧化铍。而基板在后续制程中即是作为覆晶式发光二极管封装结构的子基座。且小孔洞202的大小、形状、排列方式以及其间的间距，皆可依实际制程所需而做调整，本发明并未对其加以限定。
在本发明的另一较佳实施例中，更在形成小孔洞202之后，即在基板上未配置小孔洞202之处形成多个凹杯(图中未示)。而凹杯的形成方法例如是蚀刻法。此实施例将在后续作更详细的说明。
接着在基板200的表面204上欲放置发光二极管芯片处以及背面206与其对应之处，分别形成一光阻层(图中未示)。在具有凹杯结构设计的实施例中，该光阻层是配置在部分基板表面、部分基板底面以及凹杯内的欲放置发光二极管芯片处。然后进行电镀，以便于在基板200镀上一层导电膜208，其方法例如是将整块基板200浸泡至电解液中，再对此电解液施加电压以进行电镀，使整块基板200以及小孔洞202的内壁皆镀有一层导电膜208。然后移除光阻层，以暴露出基板200上未镀有导电膜208之处。
请同时参阅图2B及图2C所示，在发光二极管芯片210的电极214与电极216上分别形成凸块212(bump)。其中，凸块212的材质例如是锡铅合金或是其它导电材料。之后将多个发光二极管芯片210倒覆于基板200的表面204上的预定配置处，并使发光二极管芯片210上的凸块212分别与其所对应的导电膜208a与导电膜208b相连接。则发光二极管芯片210即可透过凸块212而与基板200上的导电膜208电性连接。
接着利用激光切割或是机械刀具切割机，以对具有发光二极管芯片210的基板200进行切割。且例如是沿图2B中的标号220切割，以使每一子基座200a上仅配置有一发光二极管芯片210。图2C即为切割后的覆晶式发光二极管封装结构的剖面图，以下将对该覆晶式发光二极管封装结构加以详细叙述说明。
图3A是本发明一较佳实施例的一种覆晶式发光二极管封装结构立体示意图，即为图2C的立体示意图。而图3B是本发明一较佳实施例的一种覆晶式发光二极管封装结构的背面视图。
请同时参阅图2C、图3A及图3B所示，该覆晶式发光二极管封装结构包括子基座200a、导电膜208、凸块212以及发光二极管芯片210。其中发光二极管芯片210是倒覆于子基座200a之上，且凸块212是分别位于发光二极管芯片210的电极214及电极216与其所对应的导电膜208a及导电膜208b之间，因此发光二极管芯片210可藉由凸块212而与导电膜208a及导电膜208b电性连接。而凸块212的材质例如是锡铅合金或是其它导电材料。
而子基座200a的两侧壁上分别具有沟槽218a与沟槽218b，其例如是位于侧壁222与侧壁224上。而且沟槽218a与沟槽218b可以是长条型沟槽、角柱状沟槽或是圆柱状沟槽等等。虽然本实施例是以圆柱状沟槽为例进行说明，但本发明并未对沟槽218a与沟槽218b的形状加以限定。
沟槽218a与沟槽218b的内壁分别具有导电膜208a与导电膜208b，且导电膜208a与导电膜208b是分别由沟槽218a与沟槽218b的内壁延伸至子基座200a的部分表面204以及部分背面206上。特别值得注意的是，在子基座200a的表面204以及背面206上的导电膜208a与导电膜208b之间是具有一间隙。而在子基座200a的表面204上的间隙，即为配置发光二极管芯片210之处。
值得注意的是，在本发明一较佳实施例中，可藉由调整基板200上的小孔洞202的排列方式、导电膜的配置位置或是改变切割基板200的方式，以使沟槽在子基座200a上的配置位置有所不同。例如是有m个沟槽位于子基座200a的任一侧壁上，有n个沟槽位于子基座200a的另一侧壁上，且两侧壁可以是相邻或是相对的侧壁。而m可以等于n，也可以不等于n。在本实施例中即是在两相对的侧壁上形成沟槽，且m等于1，n也等于1。
此外，该沟槽还可以是位于子基座角落的侧壁上。以下将举二例说明沟槽在子基座上的配置位置的变化。
请参阅图6所示，是本发明一较佳实施例中导电膜在基板表面上的配置位置。其中基板600上包括有多数个小孔洞202以及导电膜208。在后续制程中，若是沿着标号602切割基板600，则所形成的封装结构的子基座即为图7A所示。
请参阅图7A所示，沟槽702a是与沟槽702b以及沟槽702c位于子基座700a相对的侧壁上，而沟槽702b与沟槽702c则是位于同一侧壁上。此外，沟槽702a的内壁、子基座700a的部分表面以及部分背面上皆配置有导电膜208a。而沟槽702b与沟槽702c的内壁、子基座700a的部分表面以及部分背面上皆配置有导电膜208b。当发光二极管芯片(图中未示)配置于子基座700a上时，发光二极管芯片上的二电极是藉由凸块(图中未示)而分别与导电膜208a及导电膜208b电性连接。
另外，请再参阅图6所示，在后续的制程中若是沿标号604切割基板600，则所形成的封装结构的子基座即为图7B所示。请参阅图7B所示，沟槽704a是与沟槽704b位于子基座700b相邻的侧壁上，而沟槽704c则是位于子基座700b角落的侧壁上。而且，沟槽704b与沟槽704c的内壁、子基座700b的部分表面以及部分背面上皆配置有导电膜208a。而沟槽704a的内壁、子基座700b的部分表面以及部分背面上皆配置有导电膜208b。当发光二极管芯片(图中未示)配置于子基座700b上时，发光二极管芯片上的二电极是藉由凸块(图中未示)而分别与导电膜208a及导电膜208b电性连接。
请参阅图4所示，是本实施例的发光二极管封装结构在电路板上的配置剖面示意图。电路板226上是具有电极228与电极230。由于发光二极管封装结构配置于电路板226上时，子基座220的背面206上的导电膜208会分别与电极228及电极230相连接，进而使得发光二极管芯片210与电路板226上的电路电性连接。因此，在将本发明的发光二极管封装结构配置于电路板226的上的过程中，并不需要经过打线制程即可使得发光二极管芯片210与电路板226上的电路电性连接，故可减少制程的繁杂度，并可降低成本。
此外，在本发明的另一较佳实施例中，还可以在子基座上设计有一凹杯，并将发光二极管芯片配置于凹杯中，以缩小整体封装结构的体积。
以下将对本实施例加以详细说明。而且，本实施例的说明图式中，组件标号与上述实施例的说明图式的组件标号相同者，其形成方法与材质皆为相似，故此处将不再赘述。
图5A是本发明的另一较佳实施例的一种发光二极管封装结构的剖面示意图，而图5B则是图5A的立体示意图。
请同时参考图5A及图5B所示，该覆晶式发光二极管封装结构，包括子基座300、导电反射膜308a、导电反射膜308b、凸块212以及发光二极管芯片210。其中发光二极管芯片210上是具有电极214及电极216，而凸块212则是配置在电极214及电极216与其所对应的导电反射膜308a及导电反射膜308b之间。
子基座300的表面304上是设计有一凹杯302，而凹杯302的形成方法例如是蚀刻法。且凹杯302的侧壁310及侧壁312与底面314的夹角较佳的是为钝角。而发光二极管即是配置在凹杯302内，并透过凸块212而与凹杯302底面314上的导电反射膜308a及导电反射膜308b电性连接。
此外，子基座300的侧壁上还形成有沟槽，其例如是在侧壁316与侧壁318上分别形成沟槽218a与沟槽218b。且沟槽218a与沟槽218b可以是长条型沟槽、角柱状沟槽或是圆柱状沟槽等等。如前一实施例所述，虽然本实施例是以圆柱状沟槽为例做说明，但本发明并未对沟槽218a与沟槽218b的形状加以限定。当然，本发明亦未对子基座300的同一例壁上的沟槽数以及总沟槽数加以限定。本实施例可将m个沟槽配置于子基座200a的任一侧壁上，并将n个沟槽配置于子基座200a的另一侧壁上，或是将沟槽配置于子基座角落的侧壁上。而且，m可以等于n，也可以不等于n。本实施例是以m等于1，且n也等于1的情况为例进行说明。
而沟槽218a与沟槽218b的内壁是分别具有导电反射膜308a及导电反射膜308b，该导电反射膜308a及导电反射膜308b是分别由沟槽218a与沟槽218b的内壁延伸至子基座300的部分表面304部分背面306、凹杯302的部分侧壁310、部分侧壁312、以及部分底面314上。在凹杯302的底面314以及子基座300的背面206上的导电反射膜208a与导电反射膜308b间是具有一间隙。而在凹杯302的底面314上的间隙，即为配置发光二极管芯片210之处。
而且本实施例的发光二极管封装结构在电路板上的配置与上述实施例相同，皆是藉由凸块与导电反射膜相连接，而使发光二极管芯片与电路板上的电路电性连接，所以亦可省去打线制程所需的成本。
特别的是，由于本实施例是将发光二极管芯片210配置于子基座300上的凹杯302内，且凹杯302的侧壁310及侧壁312上分别配置有导电反射膜308a与导电反射膜308b，因此可以侧壁310及侧壁312上的导电反射膜308a与导电反射膜308b作为反射层，使发光二极管芯片210的光线集中往凹杯302外出射，以提高亮度，并增加光的输出效能。
除此之外，由于发光二极管芯片210是配置在凹杯302内，因此整体封装结构的高度几乎等于子基座300的高度。故本实施例还可以缩小整体封装结构的体积，使其在应用上能够增加空间的利用率，更能符合现代科技产品小而薄的潮流。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (23)

1、一种覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于其包括：
一子基座，具有一第一表面以及相对于该第一表面的一第二表面，且该子基座的侧壁上具有多数个沟槽；
一第一图案化导电膜，配置于部分该第一表面、部分该第二表面以及部分该些沟槽的内壁上；
一第二图案化导电膜，配置于部分该第一表面、部分该第二表面以及其余该些沟槽的内壁上；以及
一发光二极管芯片，配置于该子基座上，其中该发光二极管具有二电极，且该些电极是分别与该第一图案化导电膜以及该第二图案化导电膜电性连接。
2、根据权利要求1所述的覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于其更包括二凸块，分别配置于该发光二极管芯片的该些电极与该第一图案化导电膜以及该第二图案化导电膜之间。
3、根据权利要求1所述的覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于其中所述的该些沟槽中的m个是位于该子基座的一侧壁上，而该些沟槽中的n个是位于该子基座的另一侧壁上。
4、根据权利要求3所述的覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于其中所述的该些侧壁是为相邻的侧壁。
5、根据权利要求3所述的覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于其中所述的该些侧壁是为相对的侧壁。
6、根据权利要求3所述的覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于其中所述的m不等于n。
7、根据权利要求3所述的覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于其中所述的m等于n。
8、根据权利要求3所述的覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于其中所述的m等于1，且n等于1。
9、根据权利要求1所述的覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于其中所述的该些沟槽是配置于该子基座角落的侧壁上。
10、根据权利要求1所述的覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于其中所述的该些凸块的材质包括锡铅合金。
11、根据权利要求1所述的覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于其中所述的子基座的材质包括氮化铝、氮化硼以及氧化锌其中之一。
12、一种覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于其包括：
一子基座，具有一第一表面以及相对于该第一表面的第二表面，且该第一表面上具有一凹杯，而该子基座的侧壁上则具有多数个沟槽；
一第一图案化导电反射膜，是配置于部分该第一表面、部分该第二表面、该凹杯的一第一部分侧壁、该凹杯的部分底面以及部分该些沟槽的内壁上；
一第二图案化导电反射膜，是配置于部分该第一表面、部分该第二表面、该凹杯的一第二部分侧壁、该凹杯的部分底面以及其余该些沟槽的内壁上；以及
一发光二极管芯片，配置于该子基座上，并位于该凹杯内，而其中该发光二极管具有二电极，且该些电极是分别与该第一图案化导电反射膜以及该第二图案化导电反射膜电性连接。
13、根据权利要求12所述的覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于其更包括二凸块，且每一该些凸块是分别配置于该发光二极管芯片的该些电极与该第一图案化导电反射膜及该第二图案化导电反射膜之间。
14、根据权利要求12所述的覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于其中所述的该些沟槽中的m个是位于该子基座的一侧壁上，而该些沟槽中的n个是位于该子基座的另一侧壁上。
15、根据权利要求14所述的覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于其中所述的该些侧壁是为相邻的侧壁。
16、根据权利要求14所述的覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于其中所述的该些侧壁是为相对的侧壁。
17、根据权利要求14所述的覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于其中所述的m不等于n。
18、根据权利要求14所述的覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于其中所述的m等于n。
19、根据权利要求14所述的覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于其中所述的m等于1，且n等于1。
20、根据权利要求12所述的覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于其中所述的该些沟槽是配置于该子基座角落的侧壁上。
21、根据权利要求12所述的覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于其中所述的该些凸块的材质包括锡铅合金。
22、根据权利要求12所述的覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于其中所述的子基座的材质包括氮化铝、氮化硼以及氧化锌其中之一。
23、根据权利要求12所述的覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于其中所述的凹杯的侧壁与该凹杯的底面所夹之角为一钝角。
CNA2004100001528A 2004-01-06 2004-01-06 覆晶式发光二极管封装结构 Pending CN1641891A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNA2004100001528A CN1641891A (zh) 2004-01-06 2004-01-06 覆晶式发光二极管封装结构

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNA2004100001528A CN1641891A (zh) 2004-01-06 2004-01-06 覆晶式发光二极管封装结构

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN1641891A true CN1641891A (zh) 2005-07-20

Family

ID=34866652

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2004100001528A Pending CN1641891A (zh) 2004-01-06 2004-01-06 覆晶式发光二极管封装结构

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN1641891A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104538529A (zh) * 2014-12-31 2015-04-22 江阴长电先进封装有限公司 一种低成本的led封装结构及其晶圆级封装方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104538529A (zh) * 2014-12-31 2015-04-22 江阴长电先进封装有限公司 一种低成本的led封装结构及其晶圆级封装方法
CN104538529B (zh) * 2014-12-31 2017-03-22 江阴长电先进封装有限公司 一种led封装结构及其晶圆级封装方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1233045C (zh) 发光器件
CN1220283C (zh) 使用led芯片的发光装置
CN101076900A (zh) 具有多个发光单元的发光装置和安装所述发光装置的封装
CN100530727C (zh) 具有多阶梯反射表面结构的发光二极管封装及其制造方法
CN1317776C (zh) 发光二极管灯
TWI303872B (en) High power light emitting device assembly with esd preotection ability and the method of manufacturing the same
TWI397193B (zh) Light emitting diode chip element with heat dissipation substrate and method for making the same
CN1870312A (zh) 制造发光二极管的方法
CN101032034A (zh) 用于封装发光器件的芯片级方法和芯片级封装的发光器件
CN101051665A (zh) 具有阳极化绝缘层的发光二极管封装及其制造方法
CN1993837A (zh) 用于半导体发光器件的正电极
CN1926694A (zh) 发光器件的制造方法和发光器件
CN1324719C (zh) 一种发光二极管
CN1881630A (zh) 杆型发光器件及其制造方法
CN1655372A (zh) 半导体发光器件及其制造方法
CN1941439A (zh) 发光装置及其制造方法
CN2867600Y (zh) 发光二极管封装结构
US20190355888A1 (en) Light emitting chip and associated package structure
CN101043061A (zh) 可防止静电破坏的发光器封装结构及其制造方法
KR102140279B1 (ko) 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지
CN1492506A (zh) 类似覆晶型的发光二极管组件封装
CN1641891A (zh) 覆晶式发光二极管封装结构
US20210111310A1 (en) Light emitting chip and associated package structure
US8076675B2 (en) Light-emitting diode chip and method of manufacturing the same
CN1179422C (zh) 封装光电元件及其封装方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication