CN1627484A - 集成电路硅片表面颗粒清除方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种集成电路硅片表面颗粒清除方法,该方法将硅片表面带电,使其表面及其颗粒带上同一电荷;在硅片表面正对面设置一反电极,将带电颗粒吸引到该反电极上,达到将颗粒清除的目的。本发明不需要用化学药液和离子水,可以减少有害化学药液及水的使用量,有利环境保护,同时也比较经济。
Description
技术领域
本发明涉及一种集成电路硅片表面颗粒清除方法。
背景技术
半导体集成电路生产过程中必须将其硅片表面上的颗粒清除,否则会使制成的器件产生各种缺陷。
目前,清除集成电路硅片表面颗粒的方法主要有以下几种:1.化学法,采用酸、碱、有机等药液将硅片表面的颗粒除去,这种方法需要大量的化学药液,在化学处理后又需要大量的离子水进行后洗净,使集成电路制造工厂成为用水大户,同时在环保上的投入也非常巨大。2.物理法,用刷子、超声波等物理方法将硅片表面的颗粒除去,这种方法也需要用大量的离子水。3.浸泡法,将一批或几批制成品同时至于处理槽中,用化学药液或离子水进行处理,这种方法会造成相互间的交叉污染。
发明内容
本发明解决的技术问题是提供一种集成电路硅片表面颗粒清除方法,可以减少有害化学药液及水的使用量,有利环保,同时也比较经济。
为解决上述技术问题,本发明集成电路硅片表面颗粒清除方法包括如下步骤:
1.在硅片表面设置一直流正电源或负电源,在硅片表面正对面设置一反电极;
2.接通硅片表面的电源,使其表面及颗粒带上同一电荷;
3.断开硅片表面的电源,接通反电极电源,将带电颗粒吸引到反电极上。
由于本发明采用静电方法将硅片表面的颗粒直接清除,不需要用化学药液和离子水,可以减少有害化学药液及水的使用量,有利环境保护,同时也比较经济。另外,在除去颗粒的过程中也不会造成制成品之间的交叉污染。
附图说明
图1~3是本发明集成电路硅片表面颗粒清除方法的示意图。
具体实施方式
如图1~3所示,本发明集成电路硅片表面颗粒清除方法包括如下步骤:
1.在硅片1表面设置一直流电源6,该直流电源6可为正电源,也可为负电源,在硅片1表面正对面设置一反电极2;
2.接通硅片1表面的电源开关4,使其表面及颗粒7带上同一电荷;
3.断开硅片1表面的电源开关4,接通反电极2的电源开关3,使反电极2与电源5相通,将带电后的颗粒7吸引到反电极2上。
Claims (1)
1.一种集成电路硅片表面颗粒清除方法,其特征在于:它包括如下步骤:
(1)在硅片表面设置一直流正电源或负电源,在硅片表面正对面设置一反电极;
(2)接通硅片表面的电源,使其表面及颗粒带上同一电荷;
(3)断开硅片表面的电源,接通反电极电源,将带电颗粒吸引到反电极上。
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CN 200310109225 CN1627484A (zh) | 2003-12-10 | 2003-12-10 | 集成电路硅片表面颗粒清除方法 |
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CN 200310109225 CN1627484A (zh) | 2003-12-10 | 2003-12-10 | 集成电路硅片表面颗粒清除方法 |
Publications (1)
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CN1627484A true CN1627484A (zh) | 2005-06-15 |
Family
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Family Applications (1)
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CN 200310109225 Pending CN1627484A (zh) | 2003-12-10 | 2003-12-10 | 集成电路硅片表面颗粒清除方法 |
Country Status (1)
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2003
- 2003-12-10 CN CN 200310109225 patent/CN1627484A/zh active Pending
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