CN1587197A - 钛酸锶基储能介质陶瓷及制备方法 - Google Patents
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Abstract
一种钛酸锶基储能介质陶瓷及制备方法。该陶瓷化学式为Sr(ZrxTi1-x)O3,x=0.01-0.10,并掺杂有纯度大于85%的MnO2。其制备方法为:以纯度大于99%的SrCO3、ZrO2和TiO2为起始原料,分别按SrTiO3、SrZrO3化学比配料,在去离子水中研磨后烘干,预先在1150℃保温4小时合成SrTiO3粉料,在1250℃保温6小时合成SrZrO3粉料,然后按Sr(ZrxTi1-x)O3化学比配料,式中x=0.01-0.10,并加入纯度大于85%的MnO2粉末,在去离子水中湿磨混合,在空气气氛下烘干,加入聚乙烯醇水溶液造粒,压制成型,于高温炉空气气氛中烧结,制成介质陶瓷。获得的介质陶瓷具有高介电常数、低损耗、较高击穿强度。本发明可用于各种高压储能介质的制造。
Description
技术领域
本发明涉及一种钛酸锶基储能介质陶瓷及制备方法,具体是一种以SrZrO3固溶掺杂的SrTiO3基储能介质陶瓷及制备方法
背景技术
脉冲形成技术是高压脉冲功率研究中的重要课题,脉冲形成线是加速器性能的关键因素之一,常用的脉冲压缩形成结构有同轴结构和平板结构。为适应固态脉冲形成线的发展,储能介质正向低阻强流、小型化的方向发展。应用于固态脉冲形成线的储能介质陶瓷,应满足如下介电及耐压特性的要求:(1)高的相对介电常数εr;(2)低的介电损耗tgη,一般要求在使用频率下tgη≤1×10-3;(3)高的击穿强度Eb。目前,储能介质陶瓷的研究体系有TiO2和BaTiO3。TiO2陶瓷具有高的击穿强度,其Eb≥35kv/mm,但TiO2陶瓷介电常数不高,εr≈110;BaTiO3陶瓷具有高的介电常数,其εr≥1000,但BaTiO3陶瓷击穿强度偏低,Eb=5-8kv/mm,介电损耗偏大,且存在电致伸缩现象。这些缺点限制了它们的应用。SrTiO3陶瓷介电常数相对较高,εr≈250,高频损耗小,电致伸缩小,但低频介电损耗偏大,且击穿强度Eb相对TiO2陶瓷仍有待提高,必须进行改善以满足储能介质陶瓷介电及耐压特性的要求。SrZrO3陶瓷具有体系稳定,击穿强度高,漏电密度小等特点,且能与SrTiO3陶瓷形成完全固熔体。目前,尚未见到以SrZrO3及MnO2掺杂改善SrTiO3陶瓷介电及耐压性能的报道。
发明内容
本发明的目的是提供一种具有高介电常数、低损耗、较高击穿强度的储能介质陶瓷,同时提供一种该介质陶瓷的制备方法。
本发明的目的是以下述技术方案实现的:
一种钛酸锶基储能介质陶瓷,其化学式为Sr(ZrxTi1-x)O3,其中x=0.01-0.10。并掺杂有纯度大于85%的MnO2,MnO2掺杂量占混合粉料总量的0.1-1.0wt%。
该储能介质陶瓷的制备步骤为:
第1、以纯度大于99%的SrCO3、ZrO2和TiO2为起始原料,分别按SrTiO3、SrZrO3化学比配料,在去离子水中研磨后烘干,预先在1150℃保温4小时合成SrTiO3粉料,在1250℃保温6小时合成SrZrO3粉料;
第2、取步骤1所得到的SrTiO3和SrZrO3粉料,按Sr(ZrxTi1-x)O3化学比配料,其中x=0.01-0.10,并加入纯度大于85%的MnO2,在去离子水中湿磨混合,空气气氛下烘干;
第3、外加聚乙烯醇水溶液造粒,压制成型,于高温炉空气气氛中烧结,制成化学式为Sr(ZrxTi1-x)O3,x=0.01-0.10的介质陶瓷;
其中所述的加入的MnO2量占混合粉料总量的0.1-1.0wt%;所述的聚乙烯醇水溶液浓度为0.5-2.0wt%,加入量为粉料总量的5-10wt%;所述的压制成型的压力为80-200Mpa;烧结温度为1350-1450℃;所述的烧结时间为2-6小时。
在Sr(ZrxTi1-x)O3(x=0.01-0.10)储能介质陶瓷的制备中,我们的试验结果是:当SrZrO3固溶掺杂量超过10mol%时,介质陶瓷的相对介电常数将小于250;当MnO2掺杂量超过1.0wt%时,烧结过程中有MnO2析出,且介质陶瓷的介电损耗将显著增加;若加入的聚乙烯醇(PVA)水溶液质量浓度小于0.5%,样品难以干压成型;若加入的PVA水溶液质量浓度大于2.0%,介质陶瓷表面容易产生黑心,使其耐压性能恶化;当烧结温度低于1350℃时,介质陶瓷致密度会显著下降,而当烧结温度高于1450℃时,则样品会出现熔融过烧的现象,使其介电及耐压性能恶化;若保温时间低于2小时,样品介质损耗会上升,若保温时间超过6小时,其耐压性能会下降。
本发明通过控制SrZrO3的固溶掺杂量,并加入MnO2进一步改善性能,克服了SrTiO3陶瓷低频损耗偏大,击穿强度不高的缺点,获得了一种具有高介电常数、低损耗、较高击穿强度的储能介质陶瓷。
附图说明
图1为直径20mm厚度5mm的钛酸锶基储能介质陶瓷样品照片。
图2为直径45mm厚度8mm的钛酸锶基储能介质陶瓷样品照片。
图3为直径20mm厚度3mm的钛酸锶基储能介质陶瓷镀银电极后的照片,银电极直径为16mm。
图4为直径45mm厚度4mm的钛酸锶基储能介质陶瓷镀银电极后的照片,银电极直径为40mm。
具体实施方式
本发明实施例采用固相反应法制备Sr(ZrxTi1-x)O3介质陶瓷。
具体实施如下:以纯度大于99%的SrCO3、ZrO2和TiO2为起始原料,分别按SrTiO3、SrZrO3化学比配料,在去离子水中研磨12小时后烘干,预先在1150℃保温4小时合成SrTiO3粉料,在1250℃保温6小时合成SrZrO3粉料,然后按Sr(ZrxTi1-x)O3化学比配料,其中x=0.01-0.10,并加入纯度大于85%的MnO2,在去离子水中湿磨24小时。烘干后的物料加入浓度为0.5-2.0wt%的聚乙烯醇水溶液造粒、其加入量为粉料总量5-10wt%,然后用80-200Mpa的压力压制成型,于1350-1450℃烧结2-6小时。制得介质陶瓷。该制备方法可用作各种高压储能介质的制造。
SrTiO和SrZrO3粉体合成条件列入表1,制备Sr(ZrxTi1-x)O3的配方和条件列入表2,产品于室温环境下0.5MHz-50MHz频率范围内的介电性能及直流耐压性能检测结果列入表3。
表1
SrTiO3粉体合成温度:1150℃,4小时。
SrZrO3粉体合成温度:1250℃,6小时。
表2
1 | 1350℃ | 98.7g | 1.2g | 0.1g | 0.5 | 2 |
2 | 1350℃ | 98.6g | 1.2g | 0.2g | 0.5 | 2 |
3 | 1350℃ | 96.1g | 3.7g | 0.2g | 0.5 | 3 |
4 | 1400℃ | 93.5g | 6.1g | 0.4g | 1.0 | 3 |
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8 | 1425℃ | 91.2g | 8.5g | 0.3g | 0.5 | 3 |
9 | 1400℃ | 87.6g | 12.1g | 0.3g | 1.0 | 6 |
10 | 1425℃ | 87.6g | 12.1g | 0.3g | 1.0 | 4 |
成型压力:80-200Mpa
表3
Claims (2)
1、一种钛酸锶基储能介质陶瓷,其特征在于:其化学式为Sr(ZrxTi1-x)O3,其中x=0.01-0.10,并掺杂有纯度大于85%的MnO2,MnO2掺杂量占该陶瓷总量的0.1-1.0wt%。
2、一种制备权利要求1所述的储能介质陶瓷的方法,其特征在于制备步骤为:
第1、以纯度大于99%的SrCO3、ZrO2和TiO2为起始原料,分别按SrTiO3、SrZrO3化学比配料,在去离子水中研磨后烘干,预先在1150℃保温4小时合成SrTiO3粉料,在1250℃保温6小时合成SrZrO3粉料;
第2、取步骤1所得到的SrTiO3和SrZrO3粉料,按Sr(ZrxTi1-x)O3化学比配料,x=0.01-0.10,并加入纯度大于85%的MnO2,在去离子水中湿磨混合,空气气氛下烘干;
第3、外加聚乙烯醇水溶液造粒,压制成型,于高温炉空气气氛中烧结,制成化学式为Sr(ZrxTi1-x)O3,x=0.01-0.10的介质陶瓷;
其中加入的MnO2量占混合粉料总量的0.1-1.0wt%;所述的聚乙烯醇水溶液浓度为0.5-2.0wt%,加入量为粉料总量的5-10wt%;所述的压制成型的压力为80-200Mpa;所述的烧结温度为1350-1450℃;所述的烧结时间为2-6小时。
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