CN1585215A - 带单片生长光电探测器的长波长垂直腔面发射激光器 - Google Patents

带单片生长光电探测器的长波长垂直腔面发射激光器 Download PDF

Info

Publication number
CN1585215A
CN1585215A CNA2004100465556A CN200410046555A CN1585215A CN 1585215 A CN1585215 A CN 1585215A CN A2004100465556 A CNA2004100465556 A CN A2004100465556A CN 200410046555 A CN200410046555 A CN 200410046555A CN 1585215 A CN1585215 A CN 1585215A
Authority
CN
China
Prior art keywords
quantum well
surface emitting
cavity surface
vertical cavity
emitting laser
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA2004100465556A
Other languages
English (en)
Inventor
金泽
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of CN1585215A publication Critical patent/CN1585215A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
    • H01S5/0262—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices
    • H01S5/0264—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices for monitoring the laser-output
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/34313—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer having only As as V-compound, e.g. AlGaAs, InGaAs

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

本发明公开了一种带单片生长光电探测器的长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)。该光电探测器安装于该长波长VCSEL的下分布式布拉格反射器的中间部分中或底部表面上。光电探测器与长波长VCSEL整体形成。其上晶体生长有长波长VCSEL和光电探测器的衬底未吸收由长波长VCSEL发射的激光束。因此，准确探测了朝向衬底的激光束，并且激光束的增益得到了有效控制。

Description

带单片生长光电探测器的长波长垂直腔面发射激光器
技术领域
本发明涉及一种带单片生长光电探测器的长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)。
背景技术
通常，VCSEL二极管与光电探测器结合用于功率监测和基于该功率监测的自动功率控制(APC)。例如，在美国专利第5,943,357号中，通过晶片熔合将光电探测器贴附在长波长VCSEL上。
图1为其上熔合有光电探测器的传统VCSEL的简化截面图。参照图1，传统VCSEL包括顺序沉积在衬底(未示出)上的分布式布拉格反射器(DBR)的上半导体层12、有源区11、以及DBR的下半导体层13。有源区11为发生激光共振的腔。PIN光电探测器20熔合或焊接在具有该构造的VCSEL的底部。
如上所述，光电探测器(例如，PIN光电探测器)贴附于1300至1600nm长波长的VCSEL的底部，并监测该VCSEL的功率输出。通常，该贴附技术可以为晶片焊接、晶片熔合、或者透明金属粘结。
由于工艺问题，晶片熔合不适用于大规模生产。另外，晶片熔合在光电探测器与VCSEL之间的界面处产生电压降。结果，必须增大输出电压值。
传统VCSEL的缺点在于光电探测器无法仅仅准确探测VCSEL的输出，因为自发发射和由VCSEL发射的光束都会到达光电探测器。
参照图2，由自发发射产生的光和从传统VCSEL的有源区发射的激光束都传出有源区。由于VCSEL的结构基本与共振腔发光二极管(LED)相同，因此该自发发射指向所有方向。
当VCSEL设计为使得朝向VCSEL上部的光束可用作输出时，VCSEL下半导体层的DBR具有比其上半导体层更高的折射率。因此，朝向VCSEL下部的激光束的强度比朝向VCSEL上部的激光束更低。由于从VCSEL发射的激光束具有约10μm的直径但自发发射指向所有方向，因此在激光光束通过的光电探测器的特定区域(即，直接位于VCSEL中心下，直径约为10μm的区域)，激光束的强度比自发发射的高。然而，由光电探测器的整个区域接收的自发发射的百分比相当高。特别地，此特征出现在图1和2所示的VCSEL中，在该VCSEL的底部表面上结合有光电探测器20的宽度为约200至300μm的光接收面从而接收来自VCSEL的光。
在具有单片生长光电探测器的短波长VCSEL中，光电探测器必须贴附在该短波长VCSEL的上表面上，因为若光电探测器贴附在VCSEL的底部表面上，则与VCSEL的基底相对应的衬底吸收了由VCSEL发射的激光束，且因此无法监测VCSEL的准确功率输出。
发明内容
本发明提供一种带单片生长光电探测器的长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)，其可以容易地制得并可有效监测从长波长VCSEL发射的激光束。
该长波长VCSEL包括：半导体衬底；下分布式布拉格反射器，其包括多个层，并生长在该半导体衬底上；有源区，其包括多个半导体材料层，并生长在该下分布式布拉格反射器上；以及上分布式布拉格反射器，其包括多个层，并生长在该有源区上。该下分布式布拉格反射器层包括探测从该有源区发射朝向该半导体衬底的激光束的光电探测器。
附图说明
通过参照附图详细介绍本发明的典型实施例，将使其上述和其它特征及优点变得更加明显易懂，附图中：
图1为带光电探测器的传统垂直腔面发射激光器(VCSEL)的简化垂直截面图；
图2示出由传统VCSEL至光电探测器的激光束和自发发射的光流；
图3为根据本发明第一实施例，带光电探测器的垂直腔面发射激光器(VCSEL)的简化垂直截面图；以及
图4为根据本发明第二实施例，带光电探测器的垂直腔面发射激光器(VCSEL)的简化垂直截面图。
具体实施方式
在图3的第一实施例中，作为光电探测器的PIN二极管120具有(Al)GaAs/吸收层/(Al)GaAs叠层结构，并晶体生长在砷化镓(GaAs)衬底100上，下金属电极110形成在衬底100的底部表面上。吸收层包括InGaAs量子阱、铟镓砷氮(InGaAsN)量子阱、以及In(Ga)(N)As量子点中之一，其中吸收层的带隙小于或等于下述有源层151。
中间金属电极130形成在PIN二极管120的两台肩上。作为垂直腔面发射激光器(VCSEL)部件的下分布式布拉格反射器(DBR)140具有GaAs/AlAs或AlGaAs/AlGaAs堆叠结构，即(Al)GaAs/Al(Ga)As堆叠结构，并生长在PIN二极管120的中间部分的上表面上。
包括两个盖层152和夹持在盖层152之间的有源层151的有源区150生长在下DBR 140上。有源层151包括铟镓砷(InGaAs)量子阱、铟镓砷氮(InGaAsN)量子阱、以及In(Ga)(N)As量子点中之一，以及分别形成在选定量子阱或点的上和下表面上的两个垒层。
具有GaAs/AlAs或AlGaAs/AlGaAs堆叠结构(即，(Al)GaAs/Al(Ga)As堆叠结构)的上DBR 160生长在有源区150上。
两个上金属电极170形成在上DBR 160上，使得其分别位于激光束通过其中的中间区域(w)的两侧。
在此特定实施例中，PIN二极管120存在于下DBR 140之下。或者，PIN二极管120可形成在下DBR 140的中间部分内。换言之，PIN二极管120可与下DBR 140一起生长。
在图4的第二实施例中，作为光电探测器的PIN二极管220具有InP/吸收层/InP叠层结构，并晶体生长在磷化铟(InP)衬底200上，下金属电极210形成在衬底200的底部表面上。吸收层包括InGaAsP量子阱、InGaAlAs量子阱、InGaAs量子阱、In(Ga)(N)As量子点、以及AlGaAsSb量子阱中之一，其中吸收层的带隙小于或等于下述有源层251。
若如第二实施例中，其上生长有光电二极管的衬底由InP形成，优选有源区包括InGaAsP量子阱、InGaAlAs量子阱、InGaAs量子阱、In(Ga)(N)As量子点、以及铝镓砷锑(AlGaAsSb)量子阱中之一。
中间金属电极230形成在PIN二极管220的两台肩的每一个上。作为VCSEL部件的下DBR 240具有InP/InGaAsP或InP/InGaAlAs堆叠结构，并生长在PIN二极管220的中心部分的上表面上。
包括两个盖层252和夹持在盖层252之间的有源层251的有源区250生长在下DBR240上。有源层251包括InGaAsP量子阱、InGaAlAs量子阱、InGaAs量子阱、In(Ga)(N)As量子点、以及AlGaAsSb量子阱中之一，以及分别形成在选定量子阱或点的上和下表面上的两个垒层。
具有InP/InGaAsP或InP/InGaAlAs堆叠结构的上DBR 260生长在有源区250上。
两个上金属电极270形成在上DBR 260上，使得其分别位于激光束通过其中的中间区域(w)的两侧。
在此特定实施例中，PIN二极管220存在于下DBR 240之下。然而，PIN二极管220可形成在下DBR 240的中间部分内。换言之，PIN二极管220可与下DBR 240一起生长。
如上所述，在本发明中，光电探测器安装在VCSEL的有源区与衬底之间，即无用激光束经过的区域。进而，实际使用的激光束未减少。在此结构中，当长波长激光束朝衬底进行时，衬底吸收的激光束减少很多，因此，可以精确探测激光束并获得对激光束的控制。然而，在短波长VCSEL的情况下，衬底吸收激光束是不可避免的，使得难以进行精确的光电探测。
本发明的VCSEL可以通过首先在生长于衬底上的光电二极管上顺序生长下DBR、有源区、以及上DBR，其后通过蚀刻暴露光电探测器的一部分，随后形成中间金属电极。中间金属电极由光电探测器和VCSEL共享。
光电探测器上所得的柱形VCSEL有助于减小自发发射为光电探测器所吸收而产生噪音的现象。因而，如图3和4所示，本发明的VCSEL优选通过暴露衬底100或200上的光电探测器120或220的两台肩而具有宽度小于光电探测器120或220的柱形形状。根据此结构，离开下DBR的光由位于下DBR下的光电二极管接收并由该光电二极管检测。
本发明中，其上单片晶体生长有长波长VCSEL和光电探测器的衬底未吸收由长波长VCSEL发射的长波长激光束，因为衬底的能隙比该长波长大。例如，本发明中采用的上述衬底为GaAs或InP衬底。
本发明的VCSEL适用于任何使用长波长激光的领域，如光通讯领域。
虽然，已参照本发明的典型实施例具体示出和介绍了本发明，本领域技术人员应理解，可以在不脱离由所附权利要求所限定的本发明的精神和范围的基础上，对其形式和细节作各种改动。

Claims (16)

1.一种长波长垂直腔面发射激光器，包括：
半导体衬底；
下分布式布拉格反射器，其包括多个层，并生长在该半导体衬底上；
有源区，其包括多个半导体材料层，并生长在该下分布式布拉格反射器上；以及
上分布式布拉格反射器，其包括多个层，并生长在该有源区上，
其中，该下分布式布拉格反射器层包括探测从该有源区发射朝向该半导体衬底的激光束的光电探测器。
2.如权利要求1的长波长垂直腔面发射激光器，其中该光电探测器安装于该下分布式布拉格反射器的中间部分中或该下分布式布拉格反射器的底部表面上。
3.如权利要求1或2的长波长垂直腔面发射激光器，其中暴露该光电探测器的两台肩，使得在该光电探测器上，该下分布式布拉格反射器、有源区、以及上分布式布拉格反射器的叠层具有柱形形状。
4.如权利要求3的长波长垂直腔面发射激光器，其中该衬底由砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)中之一制成。
5.如权利要求1的长波长垂直腔面发射激光器，其中该衬底由GaAs和InP中之一制成。
6.如权利要求2的长波长垂直腔面发射激光器，其中该衬底由GaAs和InP中之一制成。
7.如权利要求1的长波长垂直腔面发射激光器，其中该衬底由GaAs制成，该有源区由铟镓砷(InGaAs)量子阱、铟镓砷氮(InGaAsN)量子阱、以及In(Ga)(N)As量子点中之一制成。
8.如权利要求2的长波长垂直腔面发射激光器，其中该衬底由GaAs制成，该有源区由铟镓砷(InGaAs)量子阱、铟镓砷氮(InGaAsN)量子阱、以及In(Ga)(N)As量子点中之一制成。
9.如权利要求1的长波长垂直腔面发射激光器，其中该衬底由GaAs制成，该吸收层包括铟镓砷(InGaAs)量子阱、铟镓砷氮(InGaAsN)量子阱、以及In(Ga)(N)As量子点中之一。
10.如权利要求6的长波长垂直腔面发射激光器，其中该上和下分布式布拉格反射器每个都是(Al)GaAs/Al(Ga)As叠层。
11.如权利要求7的长波长垂直腔面发射激光器，其中该上和下分布式布拉格反射器每个都是(Al)GaAs/Al(Ga)As叠层。
12.如权利要求1的长波长垂直腔面发射激光器，其中该衬底由InP制成，该有源区由InGaAsP量子阱、InGaAlAs量子阱、InGaAs量子阱、In(Ga)(N)As量子点、以及铝镓砷锑(AlGaAsSb)量子阱中之一制成。
13.如权利要求2的长波长垂直腔面发射激光器，其中该衬底由InP制成，该有源区由InGaAsP量子阱、InGaAlAs量子阱、InGaAs量子阱、In(Ga)(N)As量子点、以及铝镓砷锑(AlGaAsSb)量子阱中之一制成。
14.如权利要求l的长波长垂直腔面发射激光器，其中该衬底由InP制成，该吸收层包括InGaAsP量子阱、InGaAlAs量子阱、InGaAs量子阱、In(Ga)(N)As量子点、以及AlGaAsSb量子阱中之一。
15.如权利要求12的长波长垂直腔面发射激光器，其中该上和下分布式布拉格反射器每个都是InP/InGaAsP或InP/InGaAlAs叠层。
16.如权利要求13的长波长垂直腔面发射激光器，其中该上和下分布式布拉格反射器每个都是InP/InGaAsP或InP/InGaAlAs叠层。
CNA2004100465556A 2003-08-19 2004-06-02 带单片生长光电探测器的长波长垂直腔面发射激光器 Pending CN1585215A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030057283A KR20050019484A (ko) 2003-08-19 2003-08-19 광검출소자가 일체적으로 성장된 장파장 수직 면발광 레이저
KR57283/2003 2003-08-19

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN1585215A true CN1585215A (zh) 2005-02-23

Family

ID=34192136

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2004100465556A Pending CN1585215A (zh) 2003-08-19 2004-06-02 带单片生长光电探测器的长波长垂直腔面发射激光器

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7324574B2 (zh)
JP (1) JP2005064480A (zh)
KR (1) KR20050019484A (zh)
CN (1) CN1585215A (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102474072A (zh) * 2009-08-10 2012-05-23 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有有源载流子限制的垂直腔表面发射激光器
CN101794966B (zh) * 2009-02-02 2013-01-02 索尼公司 半导体发光装置
CN102956777A (zh) * 2012-10-26 2013-03-06 江苏威纳德照明科技有限公司 具有界面绒化层的GaP基发光二极管及其制造方法
CN104952968A (zh) * 2015-05-13 2015-09-30 北京工业大学 一种vcsel激光器收发一体探测集成器件
CN108616033A (zh) * 2018-05-10 2018-10-02 中山大学 集成超表面于vcsel的轨道角动量发射器件及其制备方法
CN109787085A (zh) * 2018-12-28 2019-05-21 华灿光电（浙江）有限公司 一种垂直腔面发射激光器及其制作方法

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7212556B1 (en) * 1999-02-17 2007-05-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor laser device optical disk apparatus and optical integrated unit
US7403553B2 (en) * 2004-06-25 2008-07-22 Finisar Corporation Absorbing layers for reduced spontaneous emission effects in an integrated photodiode
US7746911B2 (en) * 2004-06-25 2010-06-29 Finisar Corporation Geometric optimizations for reducing spontaneous emissions in photodiodes
ES2297972A1 (es) * 2005-05-30 2008-05-01 Universidad Politecnica De Madrid Fotodetector de infrarrojos de banda intermedia y puntos cuanticos.
US7642562B2 (en) * 2006-09-29 2010-01-05 Innolume Gmbh Long-wavelength resonant-cavity light-emitting diode
JP4600776B2 (ja) * 2006-11-17 2010-12-15 ソニー株式会社 半導体レーザ装置
US7642974B2 (en) * 2007-01-26 2010-01-05 Thales Avionics, Inc. Window mounted antenna for a vehicle and a method for using the same
EP2218152B1 (en) 2007-12-11 2011-05-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Semiconductor laser with integrated phototransistor
TWI385376B (zh) * 2008-03-28 2013-02-11 Delta Electronics Inc 生物感測器
CN102017338B (zh) * 2008-05-09 2013-02-27 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有单片集成光电二极管的垂直腔表面发射激光器件
TW201017863A (en) * 2008-10-03 2010-05-01 Versitech Ltd Semiconductor color-tunable broadband light sources and full-color microdisplays
JP5190038B2 (ja) * 2009-08-19 2013-04-24 キヤノン株式会社 面発光レーザ
GB2480265B (en) * 2010-05-10 2013-10-02 Toshiba Res Europ Ltd A semiconductor device and a method of fabricating a semiconductor device
EP2434274A1 (en) 2010-09-27 2012-03-28 Stichting IMEC Nederland Sensor, method for detecting the presence and / or concentration of an analyte using the sensor and use of the method
WO2013147946A1 (en) * 2012-03-30 2013-10-03 The Regents Of The University Of Michigan Gan-based quantum dot visible laser
US10122153B2 (en) 2016-08-29 2018-11-06 International Business Machines Corporation Resonant cavity strained group III-V photodetector and LED on silicon substrate and method to fabricate same
US10522787B1 (en) 2018-11-27 2019-12-31 Sharp Kabushiki Kaisha High efficiency quantum dot LED structure
EP3977574A1 (en) * 2019-06-03 2022-04-06 TRUMPF Photonic Components GmbH Vertical cavity surface emitting laser device with monolithically integrated photodiode
US10826010B1 (en) 2019-06-20 2020-11-03 Sharp Kabushiki Kaisha High-efficiency QLED structures
US11549799B2 (en) * 2019-07-01 2023-01-10 Apple Inc. Self-mixing interference device for sensing applications
US11316135B2 (en) 2019-07-22 2022-04-26 Sharp Kabushiki Kaisha High-efficiency QLED structures
US10930888B2 (en) 2019-07-22 2021-02-23 Sharp Kabushiki Kaisha High-efficiency QLED structures
US10886486B1 (en) 2019-08-05 2021-01-05 Sharp Kabushiki Kaisha QLED with asymmetrical quantum emitters
US11322630B2 (en) * 2019-09-23 2022-05-03 Apple Inc. Monolithic infrared transceiver
DE102023116889A1 (de) 2022-06-29 2024-01-04 Ifm Electronic Gmbh Optoelektronisches Bauelement ausgebildet als VCSEL und Verfahren zur Herstellung eines solchen

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5475701A (en) * 1993-12-29 1995-12-12 Honeywell Inc. Integrated laser power monitor
US5892786A (en) * 1997-03-26 1999-04-06 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Output control of vertical microcavity light emitting device
US5943357A (en) 1997-08-18 1999-08-24 Motorola, Inc. Long wavelength vertical cavity surface emitting laser with photodetector for automatic power control and method of fabrication
US6023485A (en) * 1998-02-17 2000-02-08 Motorola, Inc. Vertical cavity surface emitting laser array with integrated photodetector
DE10004398A1 (de) * 2000-02-02 2001-08-16 Infineon Technologies Ag VCSEL mit monolithisch integriertem Photodetektor
DE60107679T2 (de) * 2001-09-18 2005-12-15 Avalon Photonics Ag Oberflächenemittierender Laser mit vertikalem Resonator auf Indiumphosphid-Basis

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101794966B (zh) * 2009-02-02 2013-01-02 索尼公司 半导体发光装置
CN102474072A (zh) * 2009-08-10 2012-05-23 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有有源载流子限制的垂直腔表面发射激光器
CN102474072B (zh) * 2009-08-10 2014-11-05 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有有源载流子限制的垂直腔表面发射激光器
CN102956777A (zh) * 2012-10-26 2013-03-06 江苏威纳德照明科技有限公司 具有界面绒化层的GaP基发光二极管及其制造方法
CN102956777B (zh) * 2012-10-26 2015-07-15 江苏威纳德照明科技有限公司 具有界面绒化层的GaP基发光二极管及其制造方法
CN104952968A (zh) * 2015-05-13 2015-09-30 北京工业大学 一种vcsel激光器收发一体探测集成器件
CN108616033A (zh) * 2018-05-10 2018-10-02 中山大学 集成超表面于vcsel的轨道角动量发射器件及其制备方法
CN109787085A (zh) * 2018-12-28 2019-05-21 华灿光电（浙江）有限公司 一种垂直腔面发射激光器及其制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
US7324574B2 (en) 2008-01-29
JP2005064480A (ja) 2005-03-10
US20050041714A1 (en) 2005-02-24
KR20050019484A (ko) 2005-03-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1585215A (zh) 带单片生长光电探测器的长波长垂直腔面发射激光器
US5953361A (en) DFB laser diode structure having complex optical grating coupling
US5903586A (en) Long wavelength vertical cavity surface emitting laser
US6967981B2 (en) Nitride based semiconductor structures with highly reflective mirrors
US5943359A (en) Long wavelength VCSEL
US5978398A (en) Long wavelength vertical cavity surface emitting laser
US5883912A (en) Long wavelength VCSEL
CN1585216A (zh) 具有集成的光探测器的长波长垂直腔表面发射激光器
US5455429A (en) Semiconductor devices incorporating p-type and n-type impurity induced layer disordered material
US5159603A (en) Quantum well, beam deflecting surface emitting lasers
EP0580104A2 (en) Semiconductor laser
US6097041A (en) Light-emitting diode with anti-reflector
CN102282489A (zh) 表面发射光子器件
US10461507B1 (en) Substrate emitting vertical-cavity surface-emitting laser
CA2659421A1 (en) Surface-emitting laser element, fabrication method thereof, surface-emitting laser array, and fabrication method thereof
CN1181600C (zh) 埋入式异质结构
US5815524A (en) VCSEL including GaTlP active region
US20230102405A1 (en) Semiconductor laser diode including multiple active layers and a grating layer
JPH04225588A (ja) 半導体レーザ構造体
JPH06334215A (ja) 面発光型発光ダイオード
JPH04211186A (ja) 垂直型半導体レーザ
CN105914581A (zh) 面发光型半导体激光器和面发光型半导体激光器阵列
CN110943369A (zh) 单片串联连接的激光器二极管阵列及其形成方法
CN1246943C (zh) 一种具有侧向光限制的半导体激光二极管
US6876006B1 (en) Radiation source

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication