CN1585001A - 光学头,光信息媒体驱动装置及传感器 - Google Patents

Abstract

本发明的目的在于提供一种光学头，能够充分发挥检测光盘倾斜的功能且结构简洁。该光学头具备LED晶片35，将所述LED晶片35射出的射出光对准光盘6聚光的聚光元件，驱动所述聚光元件的聚光元件驱动机构和检测所述光盘6的倾斜或位置偏离的传感器38。该传感器38包括，将LED晶片35搭载在设置了多个受光晶片31a，31b的半导体基材30上，所述LED晶片35射出的射出光照射在所述光盘6上，所述多个受光晶片31a，31b接收经所述光盘6反射的反射光，根据所述多个受光晶片31a，31b接收的光量，可以检测出所述光盘6的倾斜或位置偏离。

Description

光学头，光信息媒体驱动装置及传感器

技术领域

本发明涉及一种光学头，光信息媒体驱动装置及传感器，特别是用于检测光信息媒体的倾斜与位置的偏离的小型传感器，设置了此传感器的光学头及光信息媒体驱动装置，用于检测构成光学头的构成部件中需要变位的某光学部件的倾斜与位置的传感器，以及设置了此传感器的光学头和光信息媒体驱动装置。

背景技术

如今的信息化时代，关于高密度大容量存储器的技术开发非常盛行。对存储器的性能要求有例如：高密度、大容量、高信赖性及重写功能等，现有的光盘就是满足了以上功能要求的一例。有关光盘中的用于将信息以光学形式记录并再生的光学头用于检测光盘倾斜的技术在过去也有许多的报道。例如专利文献1(日本专利公开公报平7-82657号)中所记载的技术就是为了解决，由于配备LED(Light Emitting Diode)和一对光学检测器而造成的成本增加及小型化困难的问题而开发的技术。

图18是示意专利文献1中的光学头的结构的概况图，以下就其结构和动作进行说明。

在图18中，1是半导体激光光源(以下简称LD)，2是LD1射出的光束，4是光束分裂器(beam splitter)，是将光盘6反射的反射光束与射出光束分离的分离部件，7是开口限制部件，限制射入作为聚光部件的物镜5的射入光束的开口，9是聚光点，LD1射出的光束2被聚集在光盘6的信息记录面上的光点，10是光检测器(light detector)，用于接收经光盘6反射并穿过物镜5和光束分裂器4的光束，并进行光电变换，40是物镜5的透镜光轴，8是从LD1射出的射出光束中，除去穿过开口限制部件7后射入物镜5的有效光束2以外的无用光束(用于检测倾斜(tilt)的光束即用于检测光盘6的倾斜的光束)，17是无用光束8被聚集在光盘6的信息记录面上的光点，14是作为，用于接收无用光束8经光盘6反射的反射光束的第2光检测部件的倾斜检测用光检测器，9是反射镜，用于改变无用光束8的部分光束的前进方向通过开口限制部件7使其射入透镜5的前进方向改变部件，所述倾斜检测用光检测器14具有14a和14b两个检测区域，14a，14b各区域的输出分别供给减法器15。此倾斜检测用光检测器14的输出，被用于检测物镜5的光轴与光盘6的信息记录面之间形成的角度，即光盘6的倾斜。

下面参照图18对检测光盘6的倾斜的动作进行说明。LD1射出的发散光束中，由开口限制7决定的有效光束2被用于光盘6的记录和再生。其它无用光束8的部分光束的前进方向被反射镜9改变后穿过开口限制部件7，经物镜5照射在光盘6的聚光点17上。聚光点17被照射的部位与用于记录和再生的聚光点9被照射的部位不同。聚光点9，17经光盘6反射的反射光束，在不同的位置被成像，并由光检测器10，14分别受光。光检测器14用于检测倾斜(光盘的倾斜)，是由检测区域14a，14b构成的2分割光检测器。光检测器14被设置成，当光盘6垂直于物镜5的光轴时，使其检测区域14a和检测区域14b接收到的由用于检测倾斜的光束8所产生的聚光点17的光量相等的状态。在图18中，光盘6的半径是沿着X轴的方向。当光盘6的旋转轴倾斜于Y轴(Y轴的旋转方向)时，用于检测倾斜的光束8在光检测器14的±X方向上移动。因此，根据对检测区域14a和检测区域14b的受光量进行求差运算处理(检测区域14a的受光量一检测区域14b的受光量)，便可检测出光盘6的倾斜。此倾斜信息由减法器15以倾斜信号VTILT形式输出。这样，通过在原本没有被利用的LD1的无用光束中，只需设置一个反射镜90，便可以在不使用LED等另外的光源的情况下，得到检测倾斜用的光束。

在此，有关构成应用了此光学头的光信息媒体驱动装置的构成要素，例如，致动机构，马达，电路及机械装置等，因与本发明的发明点无关，省略其图示及说明。

然而，上述专利文献1的结构中存在如下的问题。如图18所示的结构，由于试图通过不使用LED等另外的光源即获得检测倾斜用的光束，以达到使光学头减少该部分所对应的体积的目的，而光检测器14，通过用于检测倾斜的光束8使聚光点17成像并受光，这种结构使得此光检测器14不得不被设置在光检测器10的附近，因而形成光学头构造上不必要的体积。此外，由于使用的是LD1射出的无用光束8，所以检测倾斜用的光束的光量和发散程度，会因为每个LD1特性的不同而产生偏差，因此检测倾斜(光盘倾斜)的性能也会产生偏差。再者，关于光检测器14的位置调节，由于是让聚光点17成像并受光，因此为了使检测区域14a和检测区域14b的受光量相同，需要对光检测器14的位置进行高精度的调节。加之，LD1的附近是光学头中温度最易上升的部分，因此，从LD1射出的无用光束8的位置和方向因温度变化而变化的可能性很大，造成检测倾斜(光盘倾斜)时容易产生误差而性能下降。也就是说，试图通过不使用LED等另外的光源使光学头小型化并降低成本的方法，不仅无法使其结构充分简化，还造成不能充分发挥检测倾斜(光盘倾斜)的功能的问题。

另一方面，用LED作为另外一种光源与受光元件一体化的产品，即所谓倾斜传感器也有被实际应用。但是，由于这种倾斜传感器的尺寸例如在7mm×7mm×高9mm左右，所以装载在小型光学头上比较困难。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种能够充分发挥检测光盘的倾斜或光学部件的位置偏离等功能，且结构简洁的小型传感器，以及设置了此传感器的光学头，光信息媒体驱动装置。

为达到所述目的，本发明所提供的一种光学头，是以使激光光源射出的用于信息的记录和再生的光束在光信息媒体上聚光，并接收经此光信息媒体反射的反射光束为前提，它包括传感器，用于检测所述光信息媒体相对于指定基准的倾斜或位置偏离，所述传感器包括基材，设置在所述基材上的光源晶片元件，设置在所述基材上的受光区域，用于接受由所述光源晶片元件射出且经由所述光信息媒体反射回来的光束，其中，所述受光区域被分割成多个区域，可根据各区域的受光量的比率来检测所述光信息媒体的倾斜或位置偏离。

另外，本发明还提供一种光学头，以使激光光源射出的光束穿过规定的光学部件后在光信息媒体上聚光，并接收经此光信息媒体反射的光束为前提，它包括传感器，用于检测所述光学部件相对于指定基准所发生的位置偏离，所述传感器包括基材，设置在所述基材上的光源晶片元件，设置在所述基材上的受光区域，用于接受由所述光源晶片元件射出且经由所述光学部件或支撑此光学部件的支撑部件反射回来的光束，其中，所述受光区域被分割成多个区域，根据各区域的受光量的比率来检测所述光学部件的倾斜或位置偏离。

另外，本发明还提供一种光学头，以使激光光源射出的用于信息的记录和再生的光束穿过规定的光学部件后在光信息媒体上聚光，并接收经此光信息媒体反射的光束为前提，它包括传感器，用于检测所述光学部件相对于规定标准发生的位置偏离，所述传感器包括基材，设置在所述基材上的光源晶片元件，设置在所述基材上的受光区域，用于接受所述光源晶片元件射出且经所述光学部件或支撑此光学部件的支撑部件反射的光束，所述光学部件或支撑此光学部件的支撑部件中，用于反射从所述光源晶片元件射出的光束的反射区域，包括各自具有不同反射率的多个区域，所述发射区域反射出的光束被所述受光区域接收，根据接收到的反射光的受光量来检测所述光学部件的倾斜或位置偏离。

而且，所述基材的表面上还可以形成凹部，所述光源晶片元件可以设置在所述凹部中。

而且，所述凹部的侧面还可以呈倾斜状。

而且，所述光源晶片元件最好是使用LED。

而且，所述基材由半导体构成，所述光源晶片元件还可以与所述基材为一体成形。

而且，还可以在所述基材上设置将受光区域的光电流放大并运算的电路单元。

而且，所述光信息媒体还可以呈圆板状，在所述光信息媒体与所述受光区域之间的光径中还可以设有柱形元件，所述受光区域，可以被与在所述光信息媒体的直径方向的平行的方向上延伸的分割线分割，所述柱形元件还可以被设置成其母线倾斜于所述分割线的状态。

而且，本发明还提供一种光信息媒体驱动装置，它包括所述的光学头，用于将信息记录在光信息媒体上并将记录下来的信息再生。

另外，本发明还提供一种传感器，以检测对象物体相对于指定基准的倾斜或位置偏离为前提，它包括基材，设置在在所述基材上的光源晶片元件，设置在所述基材上的受光区域，用于接收由所述光源晶片元件射出且经所述对象物体反射的光束，其中，所述受光区域被分割成多个区域，根据各区域的受光量的比率来检测所述对象物体的倾斜或位置偏离。

另外，本发明还提供一种传感器，以检测对象物体相对于指定基准的倾斜或位置偏离为前提，它包括基材，设置在在所述基材上的光源晶片元件，设置在所述基材上的受光区域，用于接收所述光源晶片元件射出且经所述对象物体反射的光束，其中，所述对象物体中，用于反射从所述光源晶片元件射出的光束的反射区域，包括各自具有不同反射率的多个区域，所述发射区域反射出的光束被所述受光区域接收，根据接收到的反射光的受光量来检测所述对象物体的倾斜或位置偏离。

如上所述，本发明所提供的光学头，由于其传感器的基材上设有被分割成多个区域的受光区域及光源晶片元件，根据所述多个受光区域接收到的经光信息媒体反射出的反射光束的受光量，即可以检测出所述光信息媒体的倾斜或位置偏离。因此，这种结构简洁的传感器，不仅可以充分发挥检测光信息媒体的倾斜或位置偏离的功能，还可以被设置在不会对光学头原本的形状产生影响的位置上，而且无需对其位置进行高精度的调整，再者，由于是使用不同于激光光源的另外的光源晶片元件来检测倾斜等，因此，可以减小所述的偏差特性以及由于温度变化而对光源晶片元件射出的光束的位置及方向产生的影响，综合而言一种低成本且小型化的光学头得以实现。

另外，本发明提供的另一种光学头，由于其传感器的基材上设有被分割成多个区域的受光区域及光源晶片元件，根据所述多个受光区域接收到的经光学部件或支撑此光学部件的支撑部件反射出的反射光束的受光量，即可以检测出所述光学部件的倾斜或其位置。因此，根据检测出的信息，在光学头内部可通过驱动机构对引起倾斜或位置变化的光学部件进行详细地控制。例如，针对由于光盘的厚度而发生的球差问题，可通过在光学头内部对光学部件的位置进行控制，从而修正球差。

另外，本发明提供的另一种光学头，由于其传感器的基材上设有受光区域及光源晶片元件，其中所述受光区域用于接收由各自具有不同反射率的多个区域构成的反射区域反射出的光束，因此无需将传感器的受光区域进行分割。这样，光学头得以小型化，同时还能够对光学部件的位置进行详细地控制。

另外，在设置了受光区域的基材上形成有凹部，将光源晶片元件搭载在此凹部的时候，通过将光源晶片元件射出的射出光束照射在光信息媒体上，经光信息媒体反射的反射光束射入受光区域，用能够充分发挥检测光信息媒体的倾斜或其位置的简单的结构，而且由于光源晶片元件射出的无用光束被凹部的侧面散射掉，因此检测性能得以提高。另外，由于能够抑制光源晶片元件突出于基材，因此一种便于使用的作为一个零部件的小型传感器得以实现。再者，由于使凹部的侧面呈倾斜状，与凹部的侧面呈垂直状相比，不仅便于光源晶片元件的搭载还便于基材的成型，而且形成易于散热的结构。

另外，当使用LED作为光源晶片元件时，由于易于固定在基材上且发光稳定，从而一种能够充分发挥检测光信息媒体的倾斜或其位置的功能，结构简洁的小型传感器得以实现。

另外，当基材由半导体构成时，例如通过加工工序使光源晶片元件与基材一体成形，这样可以消除使用分体光源晶片元件搭载在基材上时产生的内面位置及角度的误差，因此可以抑制光束的光轴倾斜或发光位置的偏差。另外，由于可以减少搭载光源晶片元件的凹部的面积，则该减少的面积则可以用于扩大受光晶片的面积。综上所述，一种可以更加精确地检测光信息媒体的倾斜或其位置的传感器得以实现。

另外，当基材上设置了将受光区域的光电流放大并运算的电路单元时，由于传感器的输出更加稳定，所以一种结构简洁且能充分发挥检测光信息媒体的倾斜或其位置的功能的传感器得以实现。

另外，当经光信息媒体反射出的反射光束穿过柱形元件射入受光区域时，由于即使光信息媒体的记录了信息的部分和未记录信息的部分的反射率不同，也不会受到反射率不同的影响，可以安定地检测出光信息媒体产生的倾斜或其位置，所以一种结构简洁且能够充分发挥检测光信息媒体的倾斜或其位置的传感器得以实现。

另外，本发明所提供的光学头由激光光源，聚光元件驱动机构，接收经光信息媒体反射的信号反射光的光学受光元件构成，且由于具备了所述的传感器，因此一种搭载了结构简洁且能够充分发挥检测光学头的构成部件例如聚光元件驱动机构的倾斜或位置的功能的小型传感器的光学头得以实现。

另外，本发明所提供的传感器，由于是受光区域被分割成多个区域，根据各区域的受光量的比率来检测对象物体的倾斜或位置偏离的，因此一种结构简洁且能检测出对象物体的倾斜或位置偏离的小型传感器得以实现。

另外，本发明提供的另一种传感器，由于基材上设有受光区域及光源晶片元件，而所述的受光区域接收由分别产生不同反射率的多个区域构成的发射区域反射的光束，因此，无需将受光区域分割即可检测出对象物体的倾斜或位置偏离。因此，一种结构简洁的小型传感器得以实现。

附图说明

图1(a)是本发明实施例1的光学头中的倾斜传感器的俯视图。图1(b)是本发明实施例1的光学头中的倾斜传感器的侧视图。图1(c)是本发明实施例1的光学头中的倾斜传感器的正视图。

图2(a)是本发明实施例1的光学头的俯视图。图2(b)是本发明实施例1的光学头的侧视图。图2(c)是本发明实施例1的光学头正视图。

图3(a)是在R方向上没有相对倾斜时，本发明实施例1的倾斜传感器与反射光束的关系的示意图。图3(b)是在R方向的“+”方向上发生相对倾斜时，本发明实施例1的倾斜传感器与反射光束的关系的示意图。图3(c)是在R方向的“-”方向上发生相对倾斜时，本发明实施例1的倾斜传感器与反射光束的关系的示意图。

图4是本发明实施例1的倾斜传感器的结构的剖面图。

图5(a)是本发明实施例3的光学头中的倾斜传感器的俯视图。图5(b)是本发明实施例3的光学头中的倾斜传感器的侧视图。图5(c)是本发明实施例3的光学头中的倾斜传感器的正视图。

图6(a)是本发明实施例4的光学头中的倾斜传感器的俯视图。图6(b)是本发明实施例4的光学头中的倾斜传感器的侧视图。图6(c)是本发明实施例4的光学头中的倾斜传感器的正视图。

图7(a)是本发明实施例5的柱形元件的位置关系的俯视图。图7(b)是本发明实施例5的柱形元件的位置关系的侧视图。图7(c)是本发明实施例5的柱形元件的位置关系的正视图。

图8是本发明实施例5的光学头的在光盘上形成的照射光束的示意图。

图9(a)是本发明实施例5的光学头的倾斜传感器被反射光束照射的示意图。图9(b)是本发明实施例5的光学头的倾斜传感器的侧面剖视图。图9(c)是本发明实施例5的光学头的倾斜传感器的正面剖视图。

图10是LED晶片射出的射出光束的光线和经光盘反射的反射光束的光线轨迹的示意图。

图11是本发明实施例5中的光盘上的照射光束的模式图。

图12(a)是光盘没有发生倾斜时，本发明实施例5的传感器上光束分布的示意图。图12(b)是光盘发生倾斜时，本发明实施例5的传感器上光束分布的示意图。图12(c)是光盘发生倾斜时，本发明实施例5的传感器上光束分布的示意图。

图13是本发明实施例6的用于检测光学头和光盘的位置偏离的传感器的俯视图。

图14是本发明实施例7的光学头的结构的侧视图。

图15是本发明实施例7的在支撑部件上形成的照射光束的示意图。

图16是本发明实施例8的光学头的结构的侧视图。

图17是本发明实施例9的光信息媒体驱动装置的结构概略图。

图18是以往的检测光盘倾斜的光学头的结构示意图。

具体实施方式

以下，就本发明的实施方式参照附图进行说明。

(实施例1)

图1(a)，图1(b)，图1(c)分别是与本发明的实施例1相关的倾斜传感器的俯视图，侧视图和正面图。该图1是示意倾斜传感器的结构的概略图。图2(a)，图2(b)，图2(c)分别是搭载了此倾斜传感器的光学头的俯视图，侧视图和正视图，该图2是示意光学头的结构的概略图。以下，就它们的结构和功能进行说明。

在图1(a)，图1(b)，图1(c)，图2(a)，图2(b)和图2(c)中，符号6示意的是作为反射体的光信息媒体的一例的光盘。倾斜传感器38具有被设置在距离光盘63mm处，厚度为0.3mm的俯视呈矩形状的半导体基材(semiconductor substrate)30。此半导体基材30由硅，GaAsP(镓、砷、磷)，Ge(锗)，InGaAs(铟、镓、砷)等半导体材料构成。在半导体基材30上设有作为受光区域的一例的受光晶片。此受光晶片在本实施例1中、被分割成两个区域(第1受光晶片31a和第2受光晶片31b)。第1受光晶片31a和第2受光晶片31b被以直线状延伸的分割线34分割。两受光晶片31a和31b分别由大小为1.2mm×1.5mm的半导体构成(关于结构的详细叙述在此省略)。也就是说，两受光晶片31a、31b以分割线34为中线呈对称状。

分别在第1受光晶片31a上设有第1电极32a、在第2受光晶片31b上设有第2电极32b。另外、在半导体基材30上设置有同时对两受光晶片31a、31b起作用的第3电极33。

在半导体基材30上，设有作为光源晶片元件的一例的LED晶片35。此LED晶片35的大小为0.31mm×0.21mm×高0.35mm。LED35被设置成使其发光点37在分割线34的延长线上的状态。LED晶片35，介于第4电极36被设置在半导体基材30上。另外、图1(b)中的符号11是指从LED晶片35射出的射出光束、图1(a)中的符号12是指经光盘6反射的反射光束。

传感器38由以上的元件而构成。这种结构的传感器38的大小为2.7mm×2.4mm×高0.65mm。本实施例中，以应用此传感器作为检测光盘6的倾斜的倾斜传感器38为例进行说明。

图2中，符号39是指与倾斜传感器38电连接的配线板。这里的与配线板39的电连接是指，第3电极33通过焊接被连接且固定在配线板39的配线上，第1电极32a、第2电极32b、LED晶片35以及第4电极36，分别用金属线(图示省略)通过引线结合法(wire bonding)被连接且固定在配线板39的配线上。

在同图中，分别示意有搭载了以下光学元件的光学模块：42是聚光元件的物镜，43是驱动物镜42的聚光元件驱动机构的致动机构(actuator)，41是作为激光光源的半导体光源，44是将半导体激光41射出的光束引向物镜42，用于检测光盘6的信息信号。搭载了倾斜传感器38的光学头45是由以上的结构构成的。

在此，R方向是指光盘6的半径方向，T方向是指光盘6的切线方向。倾斜传感器38被设置成，使其分割线34与T方向基本平行的状态。

以下，就由所述结构构成的本发明实施例1中的倾斜传感器38及搭载了此倾斜传感器38的光学头的动作进行说明。

首先，通过配线板39与外部电路(图省略)连接且通了电的LED晶片35发光，并如图1(b)及图1(c)所示射出发散光。此射出光束11射入光盘6并被反射。反射光束12，以例如图1(a)所示的大小射入倾斜传感器38。LED晶片35射出的射出光束11不穿过任何光学部件直接照射到光盘6上，而且其反射光束12也不穿过任何光学部件直接射入受光晶片31a，31b。在此，倾斜传感器38被设置在，当相对于光学头45的规定标准，光盘6没有发生相对倾斜时，受光晶片31a和受光晶片31b分别接收到的光量是相等的位置上。

其次，由于两受光晶片31a，31b是通过第3电极33与配线板39的配线电连接的，而且第1电极32a和第2电极32b是分别通过金属线与配线板39的配线电连接的，因此各受光晶片31a，31b将接收到的光量变成相应的光电流，并通过配线输出。受光晶片31a，31b起到所谓2分割光电二极管(two-split photodiode)的作用。

关于倾斜传感器38的功能，参照图3(a)，图3(b)，图3(c)进行说明。图3(a)，图3(b)和图3(c)是示意倾斜传感器38和反射光束12之间关系的示意图。为方便起见，在这些图中省略了配线板39及其配线，而图示了受光晶片31a，31b所产生的光电流从第1电极32a及第2电极32b通过信号线向作为电路单元一例的差动电路(differential circuit)13输出。图3(a)示意的是图2(c)中的相对于光学头45光盘6在R方向(T方向的旋转方向)上没有相对倾斜时的状态。在此状态下，由于反射光12以分割线34为中线呈对称，因此两受光晶片31a，31b的受光量相等，由第1电极32a及第2电极32b产生的光电流也相等。因而，差动电路13的R方向倾斜信号为“0”。

图3(b)示意的是相对于光学头45光盘6在图2(c)所示的R方向(T方向的旋转方向)的“+”方向上发生倾斜的状态。此状态下，由于反射光束12相对于分割线34偏向第1受光晶片31a一侧，因此第1受光晶片31a的受光量大于第2受光晶片31b的受光量，由第1电极32a产生的光电流也大于第2电极32b产生的光电流。因而，差动电路13的R方向倾斜信号为“+”。

图3(c)示意的是相对于光学头45光盘6在R方向(T方向的旋转方向)的“-”方向上发生倾斜的状态。此状态下，由于反射光束12相对于分割线34偏向第2受光晶片31b一侧，因此第1受光晶片31a的受光量小于第2受光晶片31b的受光量，由第1电极32a产生的光电流小于第2电极32b产生的光电流。因而，差动电路13的R方向倾斜信号为“-”。如此，倾斜传感器38可根据光学头45相对于光盘6在R方向(T方向的旋转方向)的相对倾斜，输出R方向倾斜信号。换而言之，倾斜传感器38可以检测出光学头45与光盘6在R方向(T方向的转轴方)上的相对倾斜。

就本实施例的结构特征做以下两点论述。一点是，光学头45与光盘6在T方向(R方向的转轴方向)上即使发生相对倾斜，也不过是反射光束12沿着T方向即分割线34移动，因此只需对其进行自动增益控制，R方向倾斜信号就不会发生变化。另一点是，光盘6即使在聚焦方向上发生位移，由于反射光束12的中心位置不变，变化的只是直径大小，所以只要进行自动增益控制，R方向倾斜信号就不会发生变化。如上所述，本实施例1中的倾斜传感器38，即使光盘6在聚焦方向发生位移或光学头45与光盘6在T方向(R方向的旋转方向)发生相对倾斜，也能够不受其影响，而检测出光学头45与光盘6在R方向(T方向的旋转方向)上的相对倾斜。

另外，实施例1中的倾斜传感器38和搭载了此倾斜传感器38的光学头45还具有以下的效果。首先，由于倾斜传感器38的体积小，因此对光学头45的形状不产生影响。其次，由于使用LED晶片35作为检测相对倾斜的光源，所以偏差也小。另外，由于LED晶片35和受光晶片31a，31b与半导体基材30形成一体，因此无需在光学头45中对倾斜传感器38的位置进行精密地调整。再者，由于可以将倾斜传感器38设置在远离半导体激光41即光学头中温度最易上升的部分，因此可以减少由半导体激光41的热量产生的影响。其结果是，LED晶片35射出的射出光束11因为温度变化而产生光束位置、方向变化的可能性变小，检测相对倾斜时产生误差的可能性也小。

再者，由于只需将接收反射光束12的受光区域分割成两部分，即可使倾斜传感器38的功能生效，因此即能避免倾斜传感器38结构的复杂化，还能使其小型化。

本实施例1的光学头45中，虽然没有图示，但设有倾斜修正机构。此倾斜修正机构，根据倾斜传感器38的输出结果，驱动控制驱动致动机构43。通过对致动机构43的驱动控制，物镜的聚焦方向及追踪方向的位置得到修正。而且，倾斜修正机构不只局限于驱动控制致动机构43，还可以是对例如光学头45自身的位置、姿势进行控制的结构。

(实施例2)

实施例1是在半导体基材30成型之后，将LED晶片35搭载在半导体基材30上的结构。本发明的实施例2，如图4所示，LED晶片35是通过加工工序与半导体基材30一体成型的。图4是示意与本实施例2相关的传感器38，沿图1(a)的IV-IV线箭头方向的剖视图。

半导体基材30包括，N型不纯物质的含有量较高的N⁺型半导体层30a和N型不纯物质的含有量较低的N^-型半导体层30b。N^-型半导体层30b的不纯物质浓度被设定在充分低的水准，实质上作为高阻抗的“本征半导体(intrinsic semiconductor)”而发挥其作用。

N^-型半导体层30b的上层部分设有，P型不纯物质含有量较高的不纯物质扩散区域。此不纯物质扩散区域用于构成受光晶片31a，31b。由于第1受光晶片31a和第2受光晶片31b具有相同的不纯物质浓度分布，因此实质上两者的光学及电气特性基本相同。使两受光晶片31a，31b具有同样的不纯物质浓度分布意味着两受光晶片31a，31b的成型可以同时进行。

半导体基材30的底面(下表面)蒸镀了一层作为阴性电极(cathodeelectrode)的第3电极33。此第3电极与图示被省略的阴性端子相连接。另一面，半导体基材30的上表面覆盖着绝缘膜62和保护膜63。此外，作为阳性电极的第1电极32a通过绝缘膜62和保护膜63中的连接孔与第1受光晶片31a相连接。此第1电极32a与图示被省略的阳性端子相连接。第2电极32b和第1电极32a具有相同的结构，与第2受光晶片31b相连接。

第1电极32a，第2电极32b和第3电极33之间形成有一纵向PIN型二极管，此纵向PIN型二极管根据受光量产生相应的光电流。通过直接地或间接地检测流过此纵向PIN型二极管的光电流，可得知各受光晶片31a，31b被照射的光的量。

绝缘层62的上侧有一由金属构成的第4电极36，此第4电极36的上侧形成有PN结合的半导体层64。此半导体层64的上表面除去中央部分以外，形成有绝缘膜65和第5电极66。半导体层上表面的中央部位是发光点37。根据此结构，在半导体基材30上可一体地成形LED晶片35。

本实施例2由于消除了当将分体LED晶片搭载在半导体基材30上时所产生的内面位置及角度的误差，因此可以抑制射出光束11的光轴倾斜或发光位置的偏差等问题。由此，能够更加精确的检测光盘6产生的倾斜的光学头45得以实现。

本实施例2的其他的结构，作用和效果与实施例1相同。

(实施例3)

下面就本发明实施例3的结构及动作，参照图5(a)，图5(b)和图5(c)进行说明。

图5(a)，图5(b)和图5(c)分别是示意与实施例3相关的光学头45中的倾斜传感器38的俯视图，侧视图和正视图，这些图是示意倾斜传感器38的概略图。以下就其结构和功能进行说明。另外，在图5(a)，图5(b)和图5(c)中，与图1(a)，图1(b)和图1(c)相同的部分使用同样的符号，在此仅对与实施例1相异的部分进行说明。

半导体基材30的一端形成有凹部61，因此形成此凹部61的一端的厚度比其他的部位的厚程薄。凹部61是通过将形成有受光晶片31a，31b的一侧(图5(b)中的右侧)的表面切除而形成的。

半导体基材30的整体厚度为0.5mm，形成凹部61的一端的厚度为0.2mm。LED晶片35则搭载在此凹部61中。由此，与实施例1相比抑制了LED晶片35高出半导体基材30的部分，从而可以容易地对倾斜传感器38进行处理。

由于凹部61的侧面是倾斜于半导体基材30的，因此LED晶片35与受光晶片31a，31b之间需要一定的间隔，所以倾斜传感器38的尺寸为2.7mm×2.65mm×高0.55mm。

搭载了此倾斜传感器38的光学头45的结构与实施例1的图2(a)，图2(b)和图2(c)相同。因此，本实施例3中的倾斜传感器38具有与图3(a)，图3(b)和图3(c)所示的倾斜传感器38相同的功能，即能够以R方向倾斜信号的形式，检测出光学头45和光盘6在R方向(T方向的旋转方向)上的相对倾斜的功能。

本实施例3，由于是将LED晶片35设置在凹部61上，除了实施例1的特征以外，还可以抑制LED晶片35相对于半导体基材30的突出，因此具有倾斜传感器38作为一个零部件，便于操作使用的优点。加之，由于凹部61的侧面呈倾斜状，LED晶片35射出的无用光，可通过利用凹部61的倾斜状的侧面进行反射，以防止其到达光盘6。

然而，在本实施例3中，也可以和实施例2一样，通过加工工序使LED晶片35与半导体基材30一体成形。本实施例3的其他的结构，作用和效果与实施例1相同。

(实施例4)

下面就本发明实施例4的结构和动作，参照图6(a)，图6(b)和图6(c)进行说明。

图6(a)，图6(b)和图6(c)分别是示意与实施例4相关的光学头中的倾斜检测传感器38的正视图，侧面剖视图和正面剖视图，这些图是示意了倾斜传感器38的概略图。本实施例4是使实施例3的特征更加显著的实施例。因此，在图6(a)，图6(b)和图6(c)中，与图5(a)，图5(b)和图5(c)相同的部分使用同样的符号，且在此仅对与实施例3相异的部分进行说明。

半导体基材30的整体厚度为0.5mm，半导体基材30的其中一侧面(图6(b)中的右侧)的中央部分形成凹部61。在形成此凹部61的侧面，几乎一整面形成有把凹部61围在中间的受光晶片31a，31b。在半导体基材30的中央部分形成有凹部61，通过将LED晶片35设置在凹部61中，使半导体基材30的整体呈平板状。

形成凹部61的中央部分的厚度为0.2mm。在此凹部61中，搭载LED晶片35使该LED晶片35的中央部位与发光点37的位置相对应。。由于凹部61的侧面呈倾斜状，因此LED晶片35与受光晶片31a，31b之间需要一定的间隔，所以倾斜传感器38的尺寸为2.7mm×4.5mm×高0.55mm。

搭载了此倾斜传感器38的光学头45的结构与实施例1的图2(a)，图2(b)和图2(c)相同。因此，本实施例4中的倾斜传感器38具有与图3(a)，图3(b)和图3(c)所示的倾斜传感器38相同的功能，即能够以R方向倾斜信号的形式，检测出光学头45和光盘6在R方向(T方向的旋转方向)上的相对倾斜的功能。

本实施例4，在实施例1的基础上，使实施例3的特征更加显著。也就是说，由于是将LED晶片设置在凹部61中，除了实施例1的特征以外，还可以抑制LED晶片35相对于半导体基材30的突出，因此具有倾斜传感器38作为一个零部件，便于操作使用的优点。加之，由于凹部61的侧面呈倾斜状，LED晶片35射出的无用光难以到达光盘6。

然而，在本实施例4中，也可以和实施例2一样，通过加工工序使LED晶片35与半导体基材30一体成形。本实施例4的其他的结构，作用和效果与实施例1相同。

(实施例5)

下面就本发明实施例5的结构和动作，参照图7(a)，图7(b)和图7(c)进行说明。

图7(a)，图7(b)和图7(c)分别为实施例5的光学头中的倾斜检测器38的俯视图，侧面剖视图和正面剖视图，这些图是示意了倾斜检测器38构成的概略图。图7(a)，图7(b)和图7(c)中，与图6(a)，图6(b)和图6(c)相同的部分使用同样的符号，在此仅对与实施例4相异的部分进行说明。此倾斜检测器38搭载的光学头45的基本构成与实施例1的图2(a)，图2(b)和图2(c)所示的相同。

在倾斜检测器38与光盘6之间，设置的柱形元件46为圆柱形透镜(cylindrical lens)。此柱形元件46的俯视图近似于正方形，被设置成其母线相对于受光晶片31a，31b的分割线34成45度角的状态。柱形元件46的中央部分有一贯穿孔46a。此贯穿孔46的作用是使LED晶片35射出的射出光束11从其中穿过。既，LED晶片35射向光盘6的射出光束11不穿过柱形元件46。而经光盘6反射的反射光束12，则穿过柱形元件46。柱形元件46对射入第1受光晶片31a及第2受光晶片31b的反射光束12的全体产生作用。柱形元件46的最佳配置状态是使其母线与受光晶片31a，31b的分割线成45度角，不过在40度至50度角的允许范围内也可得到相同的效果。

下面对光盘6的记录了信息的部分和未记录信息部分的反射率相异的情况进行说明。此记录了信息的部分和未记录信息的部分在光盘6的R方向上互相邻接，且各自的反射率不同。因此，当LED晶片35射出的光束11照射在光盘6上时，光盘6上形成的照射光束47如图8所示在R方向上其中一半变得黯淡，在R方向上产生有明暗差。而射出光束11在此状况下，被反射到倾斜检测器38处。

如果象所述实施例4(参照图6)那样，倾斜传感器38在没有设置柱形元件的情况下，由于反射光束12同样也在R方向上产生明暗差，而造成第2受光晶片31b的受光量比第1受光晶片31a的少。因此，即使光学头45和光盘6没有发生相对倾斜，也会有R方向倾斜信号输出，使得对光学头45和光盘6在R方向上(T方向的旋转方向)的相对倾斜的检测不能稳定地进行。

针对此问题，本实施例5提供的倾斜传感器38，让经光盘6反射的在R方向上有明暗差的反射光束12，穿过柱形元件46。此时的反射光束12，其母线所在的光束截面能在不受任何影响的情况下穿过柱形元件46，而与其母线直交的光束截面则受到透镜的影响而被收敛。接着，此反射光束12通过柱形元件46的聚焦之后再次呈发散状态。此时由于作为柱形元件46的圆柱形透镜被设置成相对于R方向其母线旋转了45度，因此光束收敛后再发散的方向也相对于R方向呈45度倾角，其结果是发散光束的明暗界线相对于穿过柱形元件之前的光束旋转了90度。倾斜传感器38被设置在，使发散光束与包含没有发生变化的母线所在的光束截面的大小大致相同的光轴方向的位置上。这样，射入柱形元件46的光束的成像，在倾斜传感器38的位置上，旋转了90度的状态下呈近似圆形。

因此，本实施例5中的经光盘6反射在R方向上有明暗差的反射光束12，如图9所示，在倾斜传感器38的位置成的像，变成了旋转了90度在与R方向直交方向上有明暗差的光束。从而，被沿T方向上延伸的分割线34分割的第1受光晶片31a和第2受光晶片31b处的受光量变成相等，即使在光盘6的记录了信息的部分和未记录信息部分的反射率相异的状态下，差动电路13的R方向倾斜信号也不会受到此影响。也就是说，本实施例4可以解决当光学头45和光盘6没有发生相对倾斜的状态下，由于照射光束47的明暗差而输出R方向倾斜信号，因此产生无法稳定地检测光学头45和光盘6的相对倾斜的问题。

关于此，将参照模式化的图10至12进行说明。图10是将图7的构成模式化了的图，示意了LED晶片35射出的射出光束11的光线和光盘6反射出的反射光束12的光线的轨迹。图11是将光盘6上照射光束47的分布概念化后的示意图，如此图所示，照射光束47含有低反射率部分47a。此低反射率部分47a的分布，例如是沿T方向延伸。此外，图12(a)-(c)是示意光盘6反射的反射光束12射入倾斜传感器38的第1受光晶片31a及第2后光晶片31b时的分布图。图12(a)是示意在T的轴向上不存在倾斜的状态，图12(b)及图12(c)是示意在T的轴向上的倾斜不断增大的状态。此反射光束12和照射光束47同样，也含有低反射率部分12a。但是，此倾斜传感器38处的低反射率部分12a的分布，如上所述由于是相对照射光束47的明暗图像旋转90度，因此是沿R方向延伸的分布。并且，当光盘6在T的轴向上发生倾斜时，由于此倾斜而产生的反射光束12的位移，如图3所示成为R方向上产生的位置偏离。不过，由于低反射率部分12a分布在R方向上，所以即使光盘6在T的轴向上发生倾斜且反射光束12发生位置偏离，第1受光晶片31a和第2受光晶片31b各自的受光量也很难受到低反射率部分12a的影响，于是可以根据受光晶片31a，31b的差动检测输出R方向倾斜信号。

本实施例5，在实施例1，2，3的基础上，即使光盘6记录了信息的部分和未记录信息部分的反射率不同，且照射光束47的R方向上存在部分的低反射率部分时，光学头45和光盘6在R方向(T方向的轴向)的相对倾斜也可以R方向倾斜信号的形式检测出。

而且，在本实施例5中，也可以和实施例2一样，通过加工工序使LED晶片35与半导体基材30一体成形。本实施例的其他的结构，作用和效果与

实施例1相同。

(实施例6)

所述实施例1至5，对反射体为光盘6，搭载在光学头45上为倾斜传感器38进行了说明。且，倾斜传感器38，以R方向倾斜信号形式来检测光学头45和光盘6之间在R方向(T方向的旋转方向)上的相对倾斜的。但是本发明的宗旨，并不仅局限于所述的这些结构，还包括检测光盘6的位置偏离。即，通过改进倾斜传感器38，还可以检测出光盘6相对光学头45的规定基准，在聚焦方向上的位移(位置偏离)。

实施例1中的倾斜传感器38的受光晶片31a，31b的分割线34被设置成与T方向平行的状态(参照图1(a))，不过如图13所示，也可将分割线34设置成与R方向平行的状态。这样，倾斜传感器38便可成为检测光学头45和光盘6的位置的传感器。

换而言之，当光盘6在聚焦方向上发生位移时，反射光束的中心位置保持不变而直径发生变化。这样，根据反射光束12的光束径，第1受光晶片31a和第2受光晶片32b的受光量也发生相应的变化，由此根据受光晶片31a，31b的受光量，可得知光盘6相对于光学头45在聚焦方向上的位移(位置偏离)。

在本实施例6中，也可以和实施例2一样，通过加工工序使LED晶片35与半导体基材30一体成形。本实施例的其他的结构，作用和效果与实施例1相同。

(实施例7)

如图14所示，与本发明实施例7相关的传感器38和所述的实施例1至6中的有所不同，是用于检测光学部件等的位置偏离或倾斜的传感器。

例如，当光学部件的物镜与其支撑部件(以后详述)连成一体发生位移的时候，例如让位置传感器38的LED晶片35射出的光束照射在支撑部件处，并将传感器设置在其受光区域可以接收到经支撑部件反射的发射光的位置(例如支撑部件的近旁)的话，便可检测出支撑部件的倾斜或位置偏离，由此可检测出由支撑部件支撑的物镜的倾斜或位置偏离。

以下进行具体说明。如图14所示，光学头45包括光学系统44和作为聚光元件驱动机构的致动机构43。致动机构43包括，固定机构51，支撑部件48和物镜42。支撑部件48通过设置在固定机构51上的4根钢丝50被固定在固定机构51上。物镜42由支撑部件48支撑。

光学系统44包括，半导体激光41，准直透镜(collimating lens)52和反射镜(mirror)49等主要构成要素。由半导体激光41射出的射出光束经准直透镜变为近似平行光束，再由反射镜49反射，射入支撑部件48上的物镜42，记录和再生光盘6的信息信号。

本实施例的倾斜传感器38，被设置在致动机构43的固定机构51上，且中间夹装有配线电路板39。此倾斜传感器38，用受光晶片接收向支撑部件48射出的光束的反射光束。在此，如果受光晶片的结构和实施例1相同，也被分割成两等分的话，那么用和检测光盘6的倾斜相同的原理，同样可以检测出支撑部件48的倾斜。由此，根据物镜42的位置检测信号，在例如光盘驱动机构的姿势发生变化的状况下，由于能够检测出因物镜42的自重而产生的位移，并在光学头45内部，对物镜的位置进行修正，从而可以对光盘6进行稳定地控制。

另外，也可以不将倾斜传感器38的受光晶片分割成两部分，取而代之的是不分割受光晶片而是将支撑部件48的射出光束的反射区域分割成各自具有不同反射率的多个区域。例如如图15所示的，反射区域包括反射率较高的第1反射区域67a和比此第1反射单元67a的反射率低的第2反射区域67b。而倾斜检测器38被设置成，使在反射区域67上形成的照射光束47横跨第1反射区域67a和第2反射区域67b的状态。于是，当支撑部件48在如图15所示的上下方向发生位移的时候，由于与此位移相对应的反射区域67的照射光束47的反射率会不同，从而能够检测出支撑部件48的位移。既能够检测出在与LED晶片35的射出方向近似直交的方向上的支撑部件48的位移。另外，在此状况下也可检测出支撑部件48在左右方向上的位移。

在本实施例7中，也可以和实施例2一样，通过加工工序使LED晶片35与半导体基材30一体成形。本实施例的其他的结构，作用和效果与实施例1相同。

(实施例8)

如图16所示，与本发明的实施例8相关的传感器38，是用于检测设置在半导体激光41和物镜42之间的作为光学元件的准直透镜(collimatinglens)52产生的倾斜或位置偏离。

将半导体激光41射出的光束变成平行光束的准直透镜52，与其支撑部件53连成一体，通过驱动机构54在光轴方向上移动的结构中，如果将本实施例的传感器38的位置设置成，使LED晶片35射出的光束照射在支撑部件53处，且传感器38的受光区域能够接收到由支撑部件53反射出的反射光的位置的话(例如支撑部件的近旁)，便可检测出支撑部件53的位置，由此可检测出由支撑部件53支撑的准直透镜52的位置。

以下进行具体说明。如图16所示，光学头45包括，半导体激光41，准直透镜52，支撑部件53，驱动机构54，反射镜49和物镜42等主要构成要素。准直透镜52由支撑部件53支撑且被设置在半导体激光41与反射镜49之间。驱动机构54用于在光轴方向上驱动支撑部件53。

倾斜传感器38被设置在光学系统44上，且中间夹装有配线电路板39。此倾斜传感器38，用受光晶片接收向支撑部件53射出的光束的反射光束。由此，可检测出支撑部件53产生的倾斜或位置偏离。这样，根据检测出的准直透镜52的位置检测信号，对于例如由于光盘6的厚度而产生的球差(spherical aberration)，可在光学头45内部对准直透镜52的位置进行调整，使球差得以修正。再者，当准直透镜52与物镜42之间还包括有接收从准直透镜52射出的平行光束的至少2片的透镜(图示省略)，支撑这2片透镜中的1片的支撑部件(图示省略)和使其中的1片透镜与支撑部件连成一体在光轴方向上移动的移动装置(图示省略)时，如果将本实施例中说明的传感器38的位置设置成，使LED晶片35射出的光束照射在支撑部件处，且传感器38的受光区域能够接收到由支撑部件反射的反射光的位置的话(例如支撑部件的近旁)，便可检测出支撑部件的位置，由此可检测出支撑部件所支撑的光学元件的其中一片透镜的位置。根据此结构，利用其中一片透镜的位置检测信号，对于例如由于光盘的厚度而产生的球差(sphericalaberration)，可在光学头内部对其中一片透镜的位置进行控制，从而使球差得以修正。

然而，以上说明的实施例1至8中，倾斜传感器38是被搭载在光学头45上，用于检测作为反射体的光盘6或光学头45的构成元件产生的倾斜或位置偏离的。然而，倾斜传感器38并不局限于搭载在光学头45上，反射体也并不局限于光盘6或光学头45的构成元件。在此，根据所述结构，检测反射体的倾斜或位置偏离的传感器才是本发明的主要发明点所在。

另外，以上说明的实施例1至8中，虽然倾斜传感器38的半导体基材30上形成有受光晶片31a，31b，即作为所谓的2分割光电二极管来发挥其作用，然而在半导体基材30上设置使受光晶片31a，31b产生的光电流增大并运算的电路单元的传感器，也是本发明的主要发明点所在。

(实施例9)

下面对应用了本实施例1中的光学头45的光信息媒体驱动装置的结构进行说明。此光信息媒体驱动装置如图17所示，包括光学头45，旋转驱动机构71，检测电路72，再生电路73，跟踪控制电路74和聚焦控制电路75等主要构成要素。

旋转驱动机构71，根据图示省略的马达对光盘6进行旋转驱动。检测电路72，根据由光学头45分出的反射光，产生再生信号，跟踪错误信号及聚焦错误信号。再生电路73，根据再生信号使光盘6中记录的信息再生。跟踪控制电路74，根据跟踪错误信号，控制光学头45从而补偿跟踪误差。聚焦控制电路75，根据聚焦错误信号，控制光学头45从而补偿聚焦误差。

另外，本实施例应用的是实施例1中的光学头45，然而应用其他实施例2至7中的任意一个光学头45也是可以的。

Claims (12)

1.一种光学头，使激光光源射出的用于信息的记录和再生的光束聚光在光信息媒体上，并接收经此光信息媒体反射的反射光，其特征在于包括：

用于检测所述光信息媒体相对于指定基准的倾斜或位置偏离的传感器，其中，所述传感器包括：

基材；

设置在所述基材上的光源晶片元件；

设置在所述基材上的受光区域，用于接收由所述光源晶片元件射出且经所述光信息媒体反射的反射光，其中，

所述受光区域被分割成多个区域，根据各区域的受光量的比率，检测所述光信息媒体的倾斜或位置偏离。

2.一种光学头，使激光光源射出的光束穿过指定的光学部件后聚光在光信息媒体上，并接收经此光信息媒体反射的反射光，其特征在于包括：

用于检测所述光学部件相对于指定基准的倾斜或位置偏离的传感器，其中，所述传感器包括：

基材；

设置在所述基材上的光源晶片元件；

设置在所述基材上的受光区域，用于接收由所述光源晶片元件射出且经所述光学部件或支撑此光学部件的支撑部件反射的反射光，其中，

所述受光区域被分割成多个区域，根据各区域的受光量的比率，检测所述光学部件的倾斜或位置偏离。

3.一种光学头，使激光光源射出的用于信息的记录和再生的光束穿过指定的光学部件后聚光在光信息媒体上，并接收经此光信息媒体反射的反射光，其特征在于包括：

用于检测所述光学部件相对于指定基准的倾斜或位置偏离的传感器，其中，所述传感器包括：

基材；

设置在所述基材上的光源晶片元件；

设置在所述基材上的受光区域，用于接收由所述光源晶片元件射出且经所述光学部件或支撑此光学部件的支撑部件反射的反射光，其中，

所述光学部件或支撑此光学部件的支撑部件的用于反射从所述光源晶片元件射出的光束的反射区域，包括各自反射率不同的多个区域，根据所述反射区域反射出的反射光在所述受光区域的受光量的比率，检测所述光信息媒体的倾斜或位置偏离。

4.根据权利要求1至3其中之一所述的光学头，其特征在于，

所述基材的表面形成有凹部；

所述光源晶片元件被设置在所述凹部中。

5.根据权利要求4所述的光学头，其特征在于，

所述凹部的侧面呈倾斜状。

6.根据权利要求1至3其中之一所述的光学头，其特征在于，

所述光源晶片元件为LED元件。

7.根据权利要求1至3其中之一所述的光学头，其特征在于，

所述基材由半导体构成；

所述光源晶片元件与所述基材为一体成形。

8.根据权利要求1至3其中之一所述的光学头，其特征在于，

在所述基材上设置有将所述受光区域产生的光电流放大并运算的电路单元。

9.根据权利要求1所述的光学头，其特征在于，

所述光信息媒体呈圆板形；

在所述光信息媒体和所述受光区域之间的光径上设有柱形元件；

所述受光区域以与所述光信息媒体直径的方向平行的方向上的延伸线为分割线被分割；

所述柱形元件被设置成其母线倾斜于所述分割线。

10.一种光信息媒体驱动装置，将信息记录在光信息媒体上或者将记录的信息进行再生，其特征在于包括：

如权利要求1至9其中任意1项所述的光学头。

11.一种传感器，用于检测对象物体相对于指定基准的倾斜或位置偏离，其特征在于包括：

基材；

设置在所述基材上的光源晶片元件；

设置在所述基材上的受光区域，用于接收从所述光源晶片元件射出且经所述对象物体反射的反射光，其中，

所述受光区域被分割成多个区域，根据各区域的受光量的比率，检

测所述对象物体的倾斜或位置偏离。

12.一种传感器，用于检测对象物体相对于指定基准的倾斜或位置偏离，其特征在于包括：

基材；

设置在所述基材的光源晶片元件；

设置在所述基材的受光区域，用于接收从所述光源晶片元件射出且经所述对象物体反射的反射光，其中，

所述对象物体的用于反射所述光源晶片元件射出的光束的反射区域，包括各自反射率不同的多个区域，根据所述反射区域反射出的反射光在所述受光区域的受光量的比率，检测所述对象物体的倾斜或位置偏离。

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