CN1581570A - 电介质双工器 - Google Patents

Abstract

本发明所涉及的电介质双工器(1)的构成为并置形成天线端子(11)的同轴电介质谐振器(2)、形成发送端子(12)的同轴电介质谐振器(3)、以及形成接收端子(13)的同轴电介质谐振器(4)，在这些同轴电介质谐振器(2)、(3)、(4)的接合部分设置使得电介质块间的导体层(22)、(32)、(42)脱落的谐振器接合部分(5)、(6)。

Description

电介质双工器

技术领域

本发明涉及装备在移动通信机等的通信装置上的决定发送信号和接收信号的频率频带通过特性的电介质双工器。

背景技术

以往，在接收发送数百MHz～数GHz的频率频带信号的移动通信机中，如图20所示的，构成为通过在天线(7)上的电介质双工器(9)连接发送电路(71)和接收电路(72)，通过电介质双工器(9)的装备，在发送电路(71)和接收电路(72)上共用一根天线(7)(参照日本专利公开公报平9-83214号)。

现有技术的电介质双工器(9)如图9所示，具有由陶瓷构成的单一电介质块(91)，在该电介质块(91)上开设多个贯通孔(96)(97)(98)，同时在该电介质块(91)的表面、里面、两侧面、背面以及所述贯通孔的里面形成由银构成的导体层(92)。而且由该导体层的一部分形成适合连接天线的天线端子(93)、适合连接发送电路的发送端子(94)、和适合连接接收电路的接收端子(95)(参照美国专利第5250916号公报)。

在该电介质双工器(9)中，在天线端子(93)和发送端子(94)之间构成发送的谐振器滤波器，同时在天线端子(93)和接收端子(95)之间构成接收的谐振器滤波器。

而且，作为上述的单模块型的电介质双工器，提出了在构成各个谐振器滤波器的谐振器之间，开设有用来调整谐振器之间结合强度的贯通孔(参考美国专利第5994978号公报)。

并且，在如图9所示的单模块型的电介质双工器(9)中，使电介质块(91)的前面成为使得导体层脱落的开放面(90)，电介质块(91)的背面成为由导体层所覆盖的短路面(99)，对于构成谐振器滤波器的多个谐振器的开放面是面向同一方向的。在该电介质双工器(9)的制造工序中，通过研磨加工除去在电介质块(91)前面形成的导体层，由此而形成开放面(90)。

对此，可以制作成对构成电介质双工器的多个谐振器的开放面和短路面的方向进行切替的电介质双工器(参照美国专利第5994978号公报的附图7)，而在该情况，在电介质块(91)的前面和背面设有台阶，必须要能够进行前述的研磨加工。

在现有技术的单模块型的电介质双工器中，调整通过频带的频率特性较为容易，而对于高频成分，就具有得不到充分衰减效果的问题。例如，图11(a)(b)分别表示接收信号和发送信号的频率特性，如图4所示在4GHz左右产生较大的副振荡模S。

并且，在开设有用来调整谐振器间的结合的贯通孔的电介质双工器中(美国第5994978号公报)，虽然由贯通孔结合的强度可以调整为某个程度，不仅其效果不是很充分，还具有来自接收电路所接收的信号经由电介质双工器流向接收电路的问题。例如图13表示现有技术的单模块型的电介质双工器的发送端子与接收端子之间的绝缘特性测试结果，如图所示的不超过在发送频带Tx上得到50.0dB、在接收频带Rx上得到40.8dB的衰减量。

本发明的目的是提供一种使得高频域成分充分衰减而绝缘特性良好的电介质双工器。

发明内容

本发明涉及的电介质双工器具有适合连接天线的天线端子、适合连接发送电路的发送端子、和适合连接接收电路的接收端子，在天线端子和发送端子之间构成发送谐振器滤波器，同时在天线端子和接收端子之间构成接收谐振器滤波器。

在所述的发送及接收两个谐振器滤波器内，至少任何一方的谐振器滤波器构成为并置有多个同轴电介质谐振器，各个同轴电介质谐振器具有至少有一个贯通孔的电介质块、以及在电介质块的表面、里面、两侧面、背面和所述贯通孔的内周面上形成的导体层，邻接的两个同轴电介质谐振器在各自的侧面上相互接合，在两个同轴电介质谐振器的接合部分上设置有介于电介质块之间导体层的谐振器屏蔽部分、使得电介质块间的导体层脱落的谐振器结合部分。

在上述的本发明的电介质双工器中，由于设置有介于邻接的两个同轴电介质谐振器的电介质块之间导体层的谐振器屏蔽部分、电介质块之间不介于导体层的谐振器结合部分，因而通过调整该谐振器屏蔽部分和谐振器结合部分的大小比率，来增减谐振器的结合强度。

这里，设置在构成谐振器滤波器的两个同轴电介质谐振器的电介质块之间的谐振屏蔽部分由于是由介于两块之间的导体层所形成，因而由该导体层发挥了充分的屏蔽效果。并且，覆盖电介质双工器表面和里面的导体层由通过在同轴电介质谐振器之间的导体层相互连接，因而在电介质双工器的表面和里面上产生的电位差极小，增大了相对于导体层的接地效果。其结果是实现了充分抑制高频率成分的频率特性。

而且，介于电介质体块之间的导体层由于为介于发送的电介质滤波器和接收电介质滤波器之间，因而通过发挥该导体层的屏蔽效果，抑制了两个导电体滤波器之间的结合，改善了绝缘特性。

在具体的结构中，在适合所述的两个同轴电介质谐振器相互接合的两个侧面上分别凹陷设置有导体层厚度以上深度的从同轴电介质谐振器的表面到里面延伸的沟，形成所述谐振器结合部分。

按照其具体的结构，由电介质双工器的制造工程，在适合被接合的两个电介质块的侧面上分别形成导体层后，对于该导体层，通过施加具有其厚度以上深度的沟加工，来切除导体层形成谐振器接合部分。

并且，作为所述的沟采用的是从同轴电介质的前面和被面到分离的接合面中央部分上凹陷设置的沟，或者是向同轴电介质的前面和背面两方或任何一方开口凹陷设置的沟。

而且，在本发明所涉及的电介质双工器中，邻接的两个同轴电介质谐振器分别在侧面相互接合，在所述的两个同轴电介质谐振器的接合部分上，设置有由覆盖所凹陷设置的向同轴电介质谐振器的前面和背面的两方或任何一方开口的沟的导体层所构成的谐振器屏蔽、以及使得在两同轴电介质谐振器的电介质块之间的导体层脱落的谐振器接合部分。

而且，在具体的结构中，所述多个同轴电介质谐振器分别在所述贯通孔的一端开口的电介质的前面具有没有形成导体层的开放面，同时在所述的贯通孔的另一端开口的电介质块的背面上，具有形成导体层的短路面，全部的同轴电介质谐振器的开放面为面向相同方向，或者开放面和短路面的方向是交互切替排列。

在开放面和短路面的方向交互切替的电介质双工器中，在分别制造多个同轴电介质谐振器后，由于采用的是将这些同轴电介质谐振器相互接合的制造工艺，因而省略了现有技术的单模块型电介质双工器中所必须台阶的形成。

在更为具体的结构中，构成所述的发送谐振器滤波器的同轴电介质谐振器的电介质块，与构成所述的接收谐振器滤波器的同轴电介质谐振器的电介质块是由具有不同的介质常数的介质材料所构成的。

按照该具体的构成，即使在接收频带与发送频带之间具有较大的间隔，通过对构成所述的发送谐振器滤波器的同轴电介质谐振器的电介质块的介质常数，和构成所述的接收谐振器滤波器的同轴电介质谐振器的电介质块的介质常数的个别地调整，也能够形成相同长度的两同轴电介质谐振器。其结果是，可以将电介质双工器整体形成为没有台阶的长方体。由此，有效地利用将该电介质双工器实装在电路基板的情况下的专有面积。而且，在该电介质双工器中，通过组合了各个同轴电介质双工器的不同特性，实现了其作为整体的较高的特性。

如上所述，根据涉及本发明的电介质双工器，充分地抑制了经过接收发送谐振器滤波器的高频带成分，防止了副振荡模的产生，同时改善了发送端子和接收端子之间的绝缘特性。

附图说明

图1为涉及本发明的第1实施形态的电介质双工器的侧视图。

图2为该电介质双工器的分解侧视图。

图3为第2实施形态的电介质双工器的侧视图。

图4为该电介质双工器的分解侧视图。

图5为第3实施形态的电介质双工器的侧视图。

图6为第4实施形态的电介质双工器的侧视图。

图7为第5实施形态的电介质双工器的平面图。

图8为第6实施形态的电介质双工器的平面图。

图9为现有的电介质双工器的侧视图。

图10为表示本发明的第4实施形态的电介质双工器的频率特性的曲线图。

图11为表示现有技术的电介质双工器的频率特性的曲线图。

图12为表示本发明的第4实施形态的电介质双工器的绝缘特性的曲线图。

图13为表示现有的电介质双工器的绝缘特性的曲线图。

图14为涉及本发明的第7实施例的电介质双工器的侧视图。

图15为该电介质双工器的分解侧视图。

图16为第8实施形态的电介质双工器的侧视图。

图17为第9实施形态的电介质双工器的平面图。

图18为第10实施形态的电介质双工器的平面图。

图19为表示本发明的第8实施形态电介质双工器的频率特性曲线图。

图20为表示移动通信设备的结构模块图。

具体实施方式

以下对本发明的实施形态，根据图面进行具体地说明。

第1实施例

如图1所示的本实施例的电介质双工器(1)是由三个同轴电介质谐振器(2)、(3)、(4)并置所构成的3个模块型的电介质双工器。这些同轴电介质谐振器(2)、(3)、(4)在各自的侧面上相互接合，进行一体化。中央同轴电介质谐振器(2)是由开设的两个贯通孔(23)、(24)长方体的电介质块(21)，和在电介质块(21)的表面、里面、两侧面、背面以及贯通孔(23)(24)的内周面上形成的导体层(22)所构成，由该导体层(22)的一部分形成天线端子(11)。在该同轴电介质谐振器(2)中，削除电介质块(21)前面的导体层(22)，形成开放面(20)，同时由覆盖电介质块(21)背面的导体层(22)形成短路面(25)。

右侧的同轴电介质谐振器(3)是由开设的两个贯通孔(33)(34)长方体的电介质块(31)，和在电介质块(31)的表面、里面、两侧面、背面以及贯通孔(33)(34)的内周面上形成的导体层(32)所构成的，由该导体层(32)的一部分形成发送端子(12)。在该同轴电介质谐振器(3)中，削除电介质块(31)前面的导体层(32)，形成开放面(30)，同时由覆盖电介质块(31)背面的导体层(32)形成短路面(35)。

左侧的同轴电介质谐振器(4)是由开设的两个贯通孔(43)(44)长方体的电介质块(41)，和在电介质块(41)的表面、里面、两侧面、背面以及贯通孔(43)(44)的内周面上形成的导体层(42)所构成的，由该导体层(42)的一部分形成发送端子(12)。在该同轴电介质谐振器(4)中，削除电介质块(41)前面的导体层(42)，形成开放面(40)，同时通过覆盖电介质块(41)背面的导体层(42)形成短路面(45)。

如图2(a)所示，左侧的同轴电介质谐振器(4)的右侧面，在其中央的部位，施加有具有与导体层(42)的厚度一致的深度，从同轴电介质谐振器(4)的表面到里面的沟加工，形成导体层(42)脱落的谐振器接合部分(6)，同时在该谐振器接合部分(6)的两侧形成由分离为两个领域的导体层(42)构成的谐振器屏蔽部分(42a)(42b)。

如图2(b)所示，在中央同轴电介质谐振器(2)的左侧面，与左侧的同轴电介质谐振器(4)的谐振器接合部分(6)相对应的位置上，施加有具有与导体层(22)的厚度一致的深度，从同轴电介质谐振器(2)的表面到里面的沟加工，形成导体层(22)脱落的谐振器接合部分(6)，同时在该谐振器接合部分(6)的两侧形成由分离为两个领域的导体层(22)构成的谐振器屏蔽部分(22a)(22b)。

而且，在中央的同轴电介质谐振器(2)的右侧面，在其中央部位，施加有具有与导体层(22)的厚度一致的深度，从同轴电介质谐振器(2)的表面到里面的沟加工，形成导体层(22)脱落的谐振器接合部分(5)，同时在该谐振器接合部分(5)的两侧形成由分离为两个领域的导体层(22)构成的谐振器屏蔽部分(22c)(22d)。

如图2(c)所示，在右侧的同轴电介质谐振器(3)的左侧面，在与中央的同轴电介质谐振器(2)的谐振器接合部分(5)相对应的位置，施加有具有与导体层(32)的厚度一致的深度，从同轴电介质谐振器(3)的表面到里面的沟加工，形成导体层(32)脱落的谐振器接合部分(5)，同时在该谐振器接合部分(5)的两侧形成由分离为两个领域的导体层(32)构成的谐振器屏蔽部分(32a)(32b)。

如图1所示，三个同轴电介质谐振器(2)(3)(4)的开放面(20)(30)(40)朝向相同的方向。这里，在中央的同轴电介质谐振器(2)和右侧的同轴电介质谐振器(3)的接合部分上形成的谐振器接合部分(5)的宽度L1、在中央同轴电介质谐振器(2)和左侧的同轴电介质谐振器(4)的接合部分上形成的谐振器接合部分(6)的宽度L2可以分别独立地设定，对应谐振器间适合实现的强度来进行调整。

第2实施例

本实施例的电介质双工器(1)如图3所示，在由三个同轴电介质谐振器(2)(3)(4)并置构成方面具有与第一实施例相同的构成，但经过这些同轴电介质谐振器(2)(3)(4)的接合部分的谐振器接合部分(51)(61)的形状(沟深)与第一实施例不同。

也就是说，如图4(a)所示，左侧的同轴电介质谐振器(4)的右侧面，施加有具有比导体层(42)的厚度深的深度，从同轴电介质谐振器(4)的表面到里面的沟加工，形成导体层(42)和电介质块(41)的一部分脱落的谐振器接合部分(61)。在该谐振器接合部分(61)的两侧形成相同的谐振器屏蔽部分(42a)(42b)。

如图4(b)所示，在中央的同轴电介质谐振器(2)的左侧面，施加有具有比导体层(22)的厚度深的深度，从同轴电介质谐振器(2)的表面到里面的沟加工，形成导体层(22)和电介质块(21)的一部分脱落的谐振器接合部分(61)。在该谐振器接合部分(61)的两侧形成相同的谐振器屏蔽部分(22a)(22b)。

而且，在中央的同轴电介质谐振器(2)的右侧面，施加有具有比导体层(22)的厚度深的深度的，从同轴电介质谐振器(2)的表面到里面的沟加工，形成导体层(22)和电介质块(21)的一部分脱落的谐振器接合部分(51)。在该谐振器接合部分(51)的两侧形成相同的谐振器屏蔽部分(22c)(22d)。

如图4(c)所示，在右侧的同轴电介质谐振器(3)的左侧面，施加有具有比导体层(32)的厚度深的深度，从同轴电介质谐振器(3)的表面到里面的沟加工，形成导体层(32)和电介质块(31)的一部分脱落的谐振器接合部分(51)。在该谐振器接合部分(51)的两侧形成相同的谐振器屏蔽部分(32a)(32b)。

第3实施例

本实施例的电介质双工器(1)，如图5所示，在并置构成三个同轴电介质谐振器(2)(3)(4)、设置沟深较小的谐振器接合部分(5)(6)的方面具有与第一实施例相同的构成，而两侧的同轴电介质谐振器(3)(4)的开放面(30)(40)的朝向，在与中央的同轴电介质谐振器(2)的开放面(20)是相逆的方面与第1实施例是不同的。

第4实施例

本实施例的电介质双工器(1)，如图6所示，在由三个同轴电介质谐振器(2)(3)(4)并置构成、设置沟深较大的谐振器接合部分(51)(61)的方面与第2实施例具有相同的结构，但与第3实施例相同，两侧的两个同轴电介质谐振器(3)(4)的开放面(30)(40)的朝向，在与中央的同轴电介质谐振器(2)的开放面(20)是相逆的方面与第2实施例是不同的。

第5实施例

本实施例的电介质双工器(1)如图7所示的，在三个同轴电介质谐振器(2)(3)(4)并置的构成、这些同轴电介质谐振器(2)(3)(4)的开放面(20)(30)(40)面向相同的方向的方面具有与实施例1相同的构成，但其中央和右侧的同轴电介质谐振器(2)(4)之间的谐振器屏蔽部分(52)(53)与中央与左侧的同轴电介质谐振器(2)(4)之间的谐振器屏蔽部分(62)(63)分别沿同轴电介质谐振器的前面或背面进行凹陷设置，在前面或背面上开口，将邻接的电介质块不经由导体层而相互接合，这点与实施例1不同。

并且，三个同轴电介质谐振器(2)(3)(4)通过粘合剂相互接合电介质块，或在谐振器屏蔽部分的沟内填充粘合剂，使之一体化。

第6实施例

本实施例的电介质双工器(1)，如图8所示，为三个同轴电介质谐振器(2)(3)(4)并置的结构，在这些同轴电介质谐振器(2)(3)(4)的开放面(20)(30)(40)的方向为交互的放置的方面，具有与第3实施例相同的构成，而其中央和右侧的同轴电介质谐振器(2)(3)之间的谐振器屏蔽部分(52)(53)与中央和左侧的同轴电介质谐振器(2)(4)之间的谐振器屏蔽部分(62)(63)分别沿同轴电介质谐振器的前面或背面进行凹陷设置，在前面或背面开口，在邻接的电介质块不经由导体层而相互接合的方面其与实施例3不同。

并且，三个同轴电介质谐振器(2)(3)(4)通过粘合剂相互接合电介质块，或在谐振器屏蔽部分的沟内填充粘合剂，使之一体化。

特性比较

试作图6所示第4实施例的电介质双工器(1)和图9所示的现有的电介质双工器(9)，分别测定各自的频率特性和绝缘特性，得到图10～图13所示的结果。

图10(a)(b)表示的是有关第4实施例的电介质双工器(1)的接收信号和发送信号的频率特性，图11(a)(b)表示的是有关现有技术的电介质双工器(9)的接收信号和发送信号的频率特性。

如图所示，证实了第4实施例的电介质双工器(1)充分地抑制了现有技术中的电介质双工器(9)中产生的4GHz左右的副振荡模，改善了频率特性。

并且，图12表示第4实施侧的电介质双工器(1)的绝缘特性，图13表示了现有技术的电介质双工器(9)的绝缘特性。如图所示，第4实施例的电介质双工器(1)得到了在发送频带Tx上54.9dB，在接收频带Rx上43.5dB的衰减量，现有技术的电介质双工器(9)得到了在发送频带Tx上50.0dB，在接收频带Rx上40.8dB的衰减量，证实了绝缘特性的改善。

并且，在三个同轴电介质谐振器(2)(3)(4)的开放面和绝缘面的方向相互交替的放置的电介质双工器(1)的制造中，由于采用将这些同轴电介质谐振器(2)(3)(4)分别制造后相互接合的工程，因而省略了现有技术的单模块型的电介质双工器中必须具有的台阶的形成。

并且，作为构成三个同轴电介质谐振器(2)(3)(4)的电介质块(21)(31)(41)的材料，采用介质常数相互不同的介质材料的情况下，通过组合每个同轴电介质谐振器不同的特性，作为整体来实现较高的特性。然而，接收频带和发送频带之间即使具有较大的间隔，通过对三个同轴电介质谐振器(2)(3)(4)的介质常数分别进行调整，可以使这些同轴电介质谐振器在轴方向上具有相同的长度。其结果是，电介质双工器(1)整体形成没有台阶的长方体，由此，有效地活用了在将该电介质双工器(1)实装在电路基板上的情况的专有面积。

另外，在本发明涉及的电介质双工器(1)的制造中，由于通过沟加工形成谐振器接合部分(5)(6)，因而通过将沟的宽度(L1，L2)缓缓扩大的操作，可以调整频带阻抗。

第7实施例

如图14所示的本实施例的电介质双工器(1)，是并置两个同轴电介质谐振器(2)(3)所构成的两模块型电介质双工器，将这些同轴电介质谐振器(2)(3)各自的侧面相互接合，进行一体化。图中，左侧的同轴电介质谐振器(2)是由开设了3个贯通孔(23)(24)(43)的长方体的电介质块(21)，和在电介质块(21)的表面、里面、两侧面、背面以及贯通孔(23)(24)(43)的内周面上所形成的导体层(22)所构成的，由该导体层(22)的一部分，形成天线端子(11)和发送端子(13)。在该同轴电介质谐振器(2)中，在削除电介质块(21)前面的导体层(22)形成开放面(20)的同时，通过覆盖电介质块(21)背面的导体层(22)形成短路面(25)。

右侧的同轴电介质谐振器(3)是由开设了2个贯通孔(33)(34)的长方体的电介质块(31)，和在电介质块(31)的表面、里面、两侧面、背面以及贯通孔(33)(34)的内周面上所形成的导体层(32)所构成的，通过该导体层(32)的一部分，形成接收端子(12)。在该同轴电介质谐振器(3)中，在削除电介质块(31)前面的导体层(32)形成开放面(30)的同时，通过覆盖在电介质块(31)的背面的导体层(32)形成短路面(35)。

如图15(a)所示的，在左侧的同轴电介质谐振器(2)的右侧面，在其中央部分，施加有具有与导体层(22)的厚度以上的深度，从同轴电介质谐振器(2)的表面到里面的沟加工，形成导体层(22)脱落的谐振器接合部分(5)，同时在该谐振器接合部分(5)的两侧形成由分离为两个领域的导体层(22)构成的谐振器屏蔽部分(22a)(22b)。

如图15(b)所示的，在右侧的同轴电介质谐振器(3)的左侧面，在对应于左侧的同轴电介质(2)的谐振器接合部分(5)的位置，施加从具有与导体层(32)厚度一致深度的同轴电介质谐振器(2)的表面到里面的沟加工，形成导体层(22)脱落的谐振器接合部分(5)，同时在该谐振器接合部分(5)的两侧形成由分离为两个领域的导体层(32)构成的谐振器屏蔽部分(32a)(32b)。

如图14所示，两个同轴电介质谐振器(2)(3)的开放面(20)(30)为朝向相同的方向。这里，在左侧的同轴电介质谐振器(2)的右侧和在右侧的同轴电介质谐振器(3)的接合部分上形成的谐振器接合部分(5)的宽L1可以进行任意的设定，能够调整谐振器之间的结合强度。

第8实施例

本实施例的电介质双工器(1)，如图16所示在并置两个同轴电介质谐振器(2)(3)的构成、在接合部分设置谐振接合部分(5)的方面与第7实施例相同，而在两个同轴电介质谐振器(2)(3)的开放面(20)(30)的朝向是相逆的这方面其与第7实施例不同。

第9实施例

本实施例的电介质双工器(1)，如图17所示，在并置两个同轴电介质(2)(3)的构成、这些同轴电介质谐振器(2)(3)的开放面(20)(30)朝向相同方向方面与第7实施侧具有相同的构成，而沿左侧和右侧的同轴电介质谐振器(2)(3)之间的谐振器屏蔽部分(52)(53)的前面或背面进行凹陷设置，在前面或背面开口，在将邻接的电介质块不经由导体层而相互接合这方面其与实施例7不同。

并且，两个同轴电介质谐振器(2)(3)通过粘接剂将电介质块相互接合，或者通过在谐振器屏蔽部分的沟内填充粘接剂，进行一体化。

第10实施例

本实施例的电介质双工器(1)，如图18所示，在并置两个同轴电介质(2)(3)的构成、这些同轴电介质谐振器(2)(3)的开放面(20)(30)的朝向是交替配置的这方面其与第8实施侧具有相同的构成，而左侧和右侧的同轴电介质谐振器(2)(3)之间的谐振器屏蔽部分(52)(53)沿着同轴电介质谐振器的前面或背面进行凹陷设置，在前面或背面上开口，将邻接的电介质块不经由导体层而相互接合，其在这方面与实施例8不同。

并且，两个同轴电介质谐振器(2)(3)通过粘接剂，将电介质块相互接合，或者通过将粘接剂填充到谐振器屏蔽部分的沟内，进行一体化。

特性比较

试作如图16所示的第8实施例的电介质双工器(1)，对接收信号和发送信号测定频率特性，得到图19所示的结果。如图所示，证实了在第8实施例的电介质双工器(1)中，充分地抑制了现有技术的电介质双工器(9)产生的4GHz左右的副振荡模，改善了频率特性。

并且，在两个同轴电介质谐振器(2)(3)的开放面和短路面的朝向是相互交替配置的电介质双工器(1)的制造中，由于采用了将这两个同轴电介质谐振器(2)(3)分别制造后进行相互接合的工程，因而省略了现有技术的单模块电介质双工器所必须具有台阶的形成。

而且，作为构成两个同轴谐振器(2)(3)的电介质块(21)(31)的材料，在采用了介质常数不同的介质材料的情况，通过组合每个同轴电介质谐振器，作为整体能够实现高特性。然而，接收频带和发送频带之间即使有较大的间隔，通过分别调整两个同轴电介质谐振器(2)(3)的介质常数，可以得到这两个同轴电介质谐振器轴方向的相同的长度。其结果是，可以将电介质双工器(1)整体形成为没有台阶的长方体，由此，有效地活用了在将该电介质双工器(1)实装在电路基板上的情况下的专有面积。另外，在本发明涉及的电介质双工器(1)的制造中，由于通过沟加工形成谐振器接合部分(5)(6)，因而通过缓缓增大沟的宽度(L1)的操作，可以调整频带阻抗。

Claims (10)

1.一种电介质双工器，具有适合连接天线的天线端子，适合连接发送电路的发送端子，和适合连接接收电路的接收端子，在天线端子和发送端子之间构成发送谐振器滤波器，同时在天线端子和接收端子之间构成接收谐振器滤波器，其特征在于：在所述发送和接收的两个谐振器滤波器内，至少有一个谐振器滤波器是由并置多个同轴电介质谐振器所构成，各个同轴电介质谐振器具有至少有一个贯通孔的电介质块，以及在电介质块的表面、里面，两侧面、背面和所述的贯通孔的内周面上形成的导体层，将邻接的两个同轴电介质谐振器各自侧面相互接合，在两同轴电介质谐振器的接合部分，设置通过电介质块间的导体层的谐振器屏蔽部分、和使得电介质块间的导体层脱落的谐振器接合部分。

2.如权利要求1所述的电介质双工器，其特征在于：分别在适合所述的两个同轴电介质谐振器相互接合的两个侧面，凹陷设置有大于导体层的厚度的深度的，从同轴电介质谐振器的表面到里面延伸的沟，形成所述的谐振器接合部分。

3.如权利要求2所述的电介质双工器，其特征在于：所述沟是凹陷设置在从同轴电介质谐振器的前面和背面分离的接合面的中央部分上。

4.如权利要求1所述的电介质谐振器，其特征在于：所述的多个同轴电介质谐振器分别在所述的贯通孔的一端开口的电介质的前面，具有不形成导体层的开放面，同时在所述的贯通孔的另一端开口的电介质块的背面，具有形成导体层的短路面，全部的同轴电介质谐振器的开放面朝向相同方向。

5.如权利要求1所述的电介质双工器，其特征在于：所述的多个同轴电介质谐振器分别在所述的贯通孔的一端开口的电介质的前面，具有不形成导体层的开放面，同时在所述的贯通孔的另一端开口的电介质块的背面，具有形成导体层的短路面，此多个同轴电介质谐振器的开放面和短路面的朝向是交替配置的。

6.如权利要求1所述的电介质双工器，其特征在于：构成所述发送谐振器滤波器的同轴电介质谐振器的电介质块和构成所述接收谐振器滤波器的同轴电介质谐振器的电介质块是由不同介质常数的介质材料所构成的。

7.一种电介质双工器，具有适合连接天线的天线端子，适合连接发送电路的发送端子，和适合连接接收电路的接收端子，在天线端子和发送端子之间构成发送的谐振器滤波器，同时在天线端子和接收端子之间构成接收的谐振器滤波器，其特征在于：在所述发送和接收的两个谐振器滤波器内，至少有一个谐振器滤波器是由并置多个同轴电介质谐振器所构成的，各个同轴电介质谐振器具有至少有一个贯通孔的电介质块，以及在电介质块的表面、里面、两侧面、背面和所述的贯通孔的内周面上形成的导体层，将邻接的两个同轴电介质谐振器各个的侧面相互接合，在前述两同轴电介质谐振器的接合部分，设置有由覆盖凹陷设置在两同轴电介质谐振器的前面和背面或任一个上开口的沟的导体层构成的谐振器屏蔽部分，和使得两同轴电介质谐振器的电介质块间的导体层脱落的谐振器接合部分。

8.如权利要求7所述的电介质谐振器，其特征在于：所述的多个同轴电介质谐振器分别在所述的贯通孔的一端开口的电介质的前面，具有不形成导体层的开放面，同时在所述的贯通孔的另一端开口的电介质块的背面，具有形成导体层的短路面，全部的同轴电介质谐振器的开放面朝向相同方向。

9.如权利要求7所述的电介质双工器，其特征在于：所述的多个同轴电介质谐振器分别在所述的贯通孔的一端开口的电介质的前面，具有不形成导体层的开放面，同时在所述的贯通孔的另一端开口的电介质块的背面，具有形成导体层的短路面，这许多同轴电介质谐振器的开放面和短路面的朝向是相互交替的。

10.如权利要求7所述的电介质双工器，其特征在于：构成所述发送谐振器滤波器的同轴电介质谐振器的电介质块和构成所述接收谐振器滤波器的同轴电介质谐振器的电介质块是由不同介质常数的介质材料所构成的。

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