CN1315256C - 表面声波滤波器和使用它的通信装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种表面声波滤波器，它包括表面声波元件，该表面声波元件包含压电基片，所述压电基片具有设置在其上的IDT、输入/输出端子和基准电位端子，以及封壳，所述封壳封装了表面声波元件，并具有电极接合区和外部端子。谐振器的谐振频率(由封壳的外部端子的基准电位端子产生的电感确定)位于超外差系统中进行频率变换时产生的镜像频率附近。

Description

表面声波滤波器和使用它的通信装置

本申请为2000年3月10日提交的00103787.0号专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种用于超外差系统的表面声波滤波器，和包含这种滤波器的通信设备。

背景技术

通常，将诸如移动电话和蜂窝电话之类的移动通信设备，使用超外差系统得到高灵敏度和高稳定性。这种系统使用一种现象，即，当两个信号波f1和f2混合到一起，从而可以得到表示和和差的信号波(f1±f2)。该系统还包含将接收信号波转换为低频信号。图16示出一种典型的使用这种系统的通信设备。

如图16所示，在通信设备100中，高频模块120与天线110连接，并将信号处理电路130连接在高频模块120的后部。

高频模块120包括带通滤波器121和122，两个放大器123和124、混频器125和本机振荡器126。

可以安排第一带通滤波器121选择一个通带，从而滤波器将允许从天线110接收的信号通过，而衰减其它不是从天线110接收到的信号。

提供放大器123以放大已经通过第一带通滤波器121的接收信号。

通过本地振荡器126，其本地振荡信号的频率如此设置，从而本地振荡信号和接收到的信号的和，或接收这两个信号之间的差将称为理想的中频信号。

使用混频器125混合来自本机振荡器126馈送的本机振荡信号和接收信号，以便将这些信号转换为中频频率信号。

对于第二带通滤波器122，选择其通带从而使它衰减当本机振荡信号和接收信号在混频器125中混合时产生的理想的中频频率信号以外的镜像频率信号，由此允许理想的中频频率信号通过。

将第二放大器124用于放大已经通过第二带通滤波器122的中频频率信号，由此将信号发送到信号处理电路130，该信号处理电路130连接在高频模块120的后部。

将信号处理电路130用于处理发送到这里的中频频率信号，以便将信号转换为例如声音等等。

在这样的通信设备100中，镜像频率信号的频率(下面将称为镜像频率)将依靠本机振荡器126的本机振荡信号的频率和第二带通滤波器122的中心频率而确定。但是，这样的镜像频率通常将产生在离第二滤波器122的通带几百MHz的位置。

传统的，作为第二带通滤波器122，如第5-183380号日本未审查专利公告所示，曾经主要使用一种梯形表面声波滤波器，它以梯形结构与多个表面声波谐振器连接。

梯形表面声波滤波器包括具有高衰减量的区域，该区域原先位于其通带附近。根据第5-183380号日本未审查专利公告，如果将电感并联地加到谐振器，可以增加滤波器的通带的宽度，由此高衰减区域朝低频带移动，由此改善通带附近低频带的衰减特性。但是，通过这种方法，由于通带宽度将同时增加，故滤波器不适合用于衰减和滤波器的通带离开几百MHz位置处产生的的镜像频率信号。

另外，如第9-261002号日本未审查专利公告中描述的，相对于一个基准电位，由诸如结合线之类的连接方法引起的电感成份和由结合片的连接部分与基准电位之间引起的电容成份都可以介入并互相平行地插入，以便在通带的低频侧上的理想的点处提供高衰减区域，同时继续地防止通带宽度的增加。

但是，通过第9-261002号日本未审查专利公告，虽然它可以衰减通带的低频侧上产生的镜像频率，它仍然难以衰减通带的高频侧上产生的镜像频率。

另外，为了得到电容成份，必须增加结合垫片和浮动电极的连接部分。表面声波元件必须具有大尺寸，这使得难以产生小型的表面声波滤波器。

另外，如果需要得到充分的电容分量，并防止表面声波元件的尺寸的增加，有一点将是必要的，即，可以设置浮动电极和结合垫片的连接部分，而不必在其中形成缝隙，这导致减小设计和安排各种元件及其连接的自由度。

发明内容

为了克服上述问题，本发明的较佳实施例提供了一种表面声波滤波器，它能够衰减不论是产生在通带的高频侧或低频侧上的镜像频率，而不必增加表面声波元件的尺寸。

根据本发明的一个较佳实施例的表面声波滤波器包括至少一个含有压电基片的表面声波元件，在压电基片上设置至少一个IDT，在压电基片上设置输入/输出端子，并在压电基片上设置基准电位端子，并且它们都和至少一个IDT连接，封装表面声波元件的封壳，封壳包含分别与表面声波元件的输入/输出端子和基准电位端子相连的电极接合区，连接表面声波元件的外部电路上的电极接合区的外部端子；表面声波滤波器适合用于超外差系统中，其中具有表面声波元件的IDT电容，并具有自表面声波元件的基准电位端子到封壳的外部端子的电感的谐振器的谐振频率位于超外差系统中进行的频率变换时产生的镜像频率附近。

根据本较佳实施例的所述结构，由于电感与IDT电容串联，故可以衰减理想量的镜像频率。

另外，通过设置IDT的电容和与其串联的电感的值，可以衰减陷波谐振器的通带的高频侧或低频侧的谐振频率，由此可以处理中频频率信号的高频。

另外，由于只改变了陷波谐振器的谐振频率，可以衰减镜像频率而不影响通带中的介入损耗。

另外，由于IDT的电容结合线和封壳的电感等等用于确定使用本发明的结构的陷波谐振器，容易使整个表面声波滤波器小型化。另外，使至少一个表面声波元件的中心频率和相应的超外差系统中进行频率变换时产生的镜像频率之间的频率差大致上等于所述至少一个表面声波元件的中心频率和相应地超外差系统中进行频率变换时产生的镜像频率之间的频率差fd2。由此，对于包括多个表面声波元件的多个滤波器，可以使用用于从中频频率信号再下面的信号处理的公共电路。由此，可以减少构成装置所需要的部件的数量。

自表面声波元件的基准电位端子到封壳的外部端子的电感包含设置在封壳上的带状传输线的电感。

附图说明

为了说明本发明，附图中示出几种形式，它们是目前较好的，但是应该知道本发明不限于示出的精确的安排和手段。

图1是根据本发明的第一较佳实施例的表面声波滤波器的平面图。

图2是沿图1的线X-X的截面图。

图3是图1的表面声波滤波器的等效电路的示图。

图4是图1的表面声波滤波器的频率特性的示图。

图5是根据本发明的第一较佳实施例的第一种修改的表面声波滤波器的平面图。

图6是图5的表面声波滤波器的等效电路的示图。

图7是图5的表面声波滤波器的频率特性的示图。

图8是根据本发明的第一较佳实施例的第二修改例子的表面声波滤波器的平面图。

图9是沿图8的线Y-Y的截面图。

图10是图8的表面声波滤波器的等效电路的示图。

图11是图8的表面声波滤波器的频率特性的示图。

图12是说明根据本发明的第二较佳实施例的表面声波滤波器的频率梯形的示图。

图13是根据本发明的第二较佳实施例的第一种修改的表面声波滤波器的频率特性。

图14是根据本发明的第三较佳实施例的表面声波滤波器的平面图。

图15是指出图14的第一带通滤波器的频率特性的示图。

图16用于超外差系统的通信设备的方框图。

具体实施方式

下面，将参照图1到4描述本发明的第一较佳实施例。图1是一个表面声波滤波器的内部结构的平面图，其盖子被拿掉，由此表示出本发明的第一较佳实施例。图2是沿图1的线X-X取得的截面图。图3是图1的等效电路图。

图4是表示图1的频率特性的曲线图。

如图1所示，表面声波滤波器1最好包括封壳2和包含在封壳2中的表面声波元件3，以及用于连接表面声波元件3的结合线4。

封壳2最好由铝或其它适当的材料制成，并且设置有盖子构件。在封壳2中，输入/输出侧电极接合区5a和5b、基准电位侧电极接合区5c、5d、5e和5f最好通过印刷、烧结和电镀处理设置。另外，如图2所示，通过卷绕电极6将基准电位侧电极接合区5c和5e连接到输入/输出侧外部端子7c和7e。虽然图中未示，还类似地通过卷绕电极，将输入/输出侧电极接合区5a和5b连接到输入/输出侧外部端子。另外，基准电位侧结合区5d和5f类似地通过卷绕电极连接到基准电位侧的外部端子。

表面声波元件3包括压电基片3a、IDT(叉指式换能器)8a，8b，8c，8d，8e，输入/输出端子9a、9b和基准电位端子9c，9e，9g，它们都设置在压电基片上。

压电基片3a可以由石英、LiTa0₃、LiNbO₃或其它适当的材料制成。或者可以使用通过在诸如兰宝石板之类的绝缘基片上形成ZnO薄膜得到的压电基片。然而，如果使用36度旋转Y切割X向传播的LiTaO₃基片，则提供了宽频带的通带，这是由于它和其它材料相比具有相对高的机电耦合因素。

依靠传输线分别连接IDT8a到8e，由此形成梯形的配置，如图3所示。IDT8a和8b串联地设置，而IDT8c到8e并联地设置。

然而，将反射器设置在IDT8a到8e的表面声波传播方向的两侧上，由此有效地限制或捕获了能量。但是，在诸如有许多对IDT，或表面声波在压电基片的每一个端面处被反射之类的充分捕获能量的情况下，不必包括反射器。这些IDT8a到8e、反射器、传输线、输入/输出端子9a和9b、基准电位端子9c、9e和9g最好通过汽相沉淀Al或含Al作为重要成份的金属，并使用光刻方法形成。

另外，如图1所示，通过导线4将输入/输出端子9a连接到封壳2的输入/输出电极接合区5a，同时通过导线4将输入/输出端子9b连接到输入/输出电极接合区5b。基准电位端子9c通过导线4连接到封壳2的基准电位侧电极接合区5e，同时基准电位端子9g通过导线4连接到封壳2的输入/输出侧电极接合区5e，基准电位端子9e通过导线4连接到封壳2的输入/输出侧电极接合区5e。但是，包装壳2的基准电位侧电极接合区5d和5f不连接到表面声波元件3，而是作为不固定的电极接合区而存在。

图4示出具有这种结构的表面声波滤波器的频率特性。在这个例子中，IDT8a的电极长度是大约32μm，80对，IDT 8b的电极长度为大约32μm，80对，IDT8c电极长度大约88μm，72对，IDT8d电极长度大约117μm，116对，IDT8e电极长度大约88μm，72对。另外，从基准电位端子9c到基准电位的电感系数最好大约0.6nH，从基准电位端子9g到基准电位的电感最好大约0.8nH，从基准电位端子9e到基准电位的电感最好大约0.6nH。

如图4所示，表面声波滤波器适合于确定一个用于GSM中的接收侧RF滤波器，其中心频率最好是大约947.5MHz。当用于GSM中时，由于中频频率信号的频率通常大约71MHz，在通信设备中引起问题的镜像频率信号的中心频率通常发射在大约1089.5MHz。如图4所示，应该知道，表面声波滤波器在大约1100MHz附近包括一个陷波区，由此得到一个衰减效应，其中在该点上将有效地增大到大约42dB。这种陷波和具有安排得相互并联的IDT8c、8d和8e的电容，并具有从基准电位端子9c、9g、9e到基准电位的谐振器的谐振频率相一致。另外，如果陷波在镜像频率信号的中心频率附近，则由于改进了这附近的衰减量，故不必让陷波和镜像频率信号的中心频率一致。但是，考虑到陷波附近的衰减量，理想的是，陷波的频率控制在镜像频率信号的中心频率的大约5％的范围内。

近年来，人们已经考虑使用表面声波滤波器的GSM，并考虑EGSM，如何使中频频率信号可以具有高的频率。如果这样的中频频率信号具有高频，则镜像频率信号也将变得高。

为此，制造如图5所示的表面声波滤波器1a。表面声波滤波器1a和图1所示的表面声波滤波器1的一个差别是前者包括用于连接表面声波元件3的基准电位端子9g和封壳2的基准电位侧的结合线4。按照这样的方法，如图6的等效电路图所示，有一个由结合线4、卷绕电极6和基准电位侧外部端子7e确定的路径引起的电感，该电感被加到与设置在中心的并联臂上的IDT8d相连的基准电位端子9g。由另一个结合线4、另一个卷绕电极6和另一个基准电位侧外部端子7c确定的路径引起的电感平行于上述电感地加上和形成。为此，由基准电位端子9g到基准电位的电感将变得小于图1中的表面声波滤波器1中的情况。由此，具有IDT8d的电容，并具有由基准电位端子9g到基准电位的电感的谐振器的谐振频率高于表面声波滤波器1的情况。另外，即使是通过类似地与IDT8c连接的基准电位端子9c，由基准电位9c到基准电位的电感和图1所示的表面声波滤波器1相比也变小。相应的，具有IDT8c的电容和具有由基准电位端子9c到基准电位的谐振器的谐振频率和表面声波滤波器1相比将是高的。

图7用于表示表面声波滤波器1a的频率特性。在这个例子中，IDT8a到8e最好包括和如图4所示的具有一定的电极长度、对数和中心频率的表面声波滤波器中的相同的元件。另外，由基准电位端子9c到基准电位的电感是大约0.3nH，由基准电位端子9d到基准电位的电感是大约0.4nH，由基准电位端子9e到基准电位的电感是大约0.3nH。

如图7所示，知道表面声波滤波器在大约1170MHz附近包括陷波，在该点上的衰减量已经有效地增加为大约42dB。由此，可以处理中心频率为110MHz的中频频率信号。

下面，作为得到更高频率的例子，如图8所示制造一种表面声波滤波器1b。表面声波滤波器1b和图5所示的表面声波滤波器1a中间的差别是，前者设置有用于连接表面声波元件3的基准电位端子9d与封壳2的基准电位侧接合区5d的结合线4，并且设置有另一个用于连接表面声波元件3的基准电位端子9f和封壳2的基准电位侧接合区5f的结合线4。另外，如图9所示，在封壳2的底表面上，设置了小片连接部分10，并设置得连接到卷绕电极6。

通过这种方法，如图10的等效电路图所示，由结合线4、卷绕电极6和基准电位侧外部端子7d确定的路径引起一个电感，该电感被并联到与IDT8c相连的基准电位端子9d。另外，由另一个结合线4，另一个卷绕电极6和基准电位侧外部端子7f确定的路径引起一个电感，该电感并联到与IDT8e相连的基准电位端子9d。

另外，由于两个路径与小片连接部分10相连，故相互并联，并与IDT8c到8e相连的电感将变小。结果，具有IDT8c和8e的电容和具有分别与那里连接的电容的谐振器的谐振频率将变高。

通过表面声波滤波器1b，如图11所示，在大约1400MHz附近确定一个陷波，并且在该点上的衰减量有效地增加到大约47dB那么高。由此，可以处理中心频率为220MHz的中频频率信号。

由此，当通信设备的中频频率信号的中心频率是例如大约220MHz时，如图1所示的弹性表面声波滤波器1在大约1400MHz附近的衰减量是大约30dB，而图8所示的表面声波滤波器1b在大约1400MHz附近达到的衰减量为大约47dB，由此确保了衰减量可以进一步改进大约17dB。

下面，将描述本发明的第二较佳实施例。

第二较佳实施例减小了设置在表面声波滤波器1的并联臂上的IDT8c到8e的电容，这已经参照图1描述过了，以便增加具有IDT8c到8e的电容的谐振器的频率和连接到那里的电感。但是，作为减小IDT8c到8e的电容的方法，可以减小相交宽度或减小对数。

图12示出在IDT8c和8e的电容已经减小大约20％，而IDT8d的电容已经减小大约40％的条件下，一些测量结果，这些测量结果指出了图1的表面声波滤波器1的特性。由于这样的表面声波滤波器设置得确定了用于GSM中的，在接收侧的RF滤波器，其中心频率是大约947.5MHz，如图12所示。在这个例子中，在大约1560MHz附近提供了一个陷波，并且知道，在该点的衰减量已经有效地增加到大约40dB那么高。由此，通过使用本发明的较佳实施例的表面声波滤波器，可以处理中心频率为300MHz的中频频率信号，由此，使得对于中频频率信号可以达到更高的频率，该频率高于第一较佳实施例中所描述的频率。

另外，类似于第一较佳实施例，依靠使用的结合线的对数，对于中频频率信号的还可以期望更高频率。图13示出了一些测量结果，指出在IDT 8c和8e的电容减小大约20％，而IDT8d的电容减小大约40％的条件下，图8的表面声波滤波器1b的特性。在这个表面声波滤波器中，在大约1870MHz附近提供陷波，由于该点处的衰减量已经有效地增加到大约42dB那么高，可以处理中心频率为460MHz的中频频率信号。

为此，如果将第一较佳实施例和第二较佳实施例组合到一起，当中频频率信号在大约71到大约460MHz时，可以有效的高山镜像频率信号的衰减量。

但是，类似于第一较佳实施例，如果在镜像频率信号的中心频率附近提供了陷波，陷波改善了附近的衰减量，由此允许陷波与镜像频率信号的中心频率不一致。然而考虑到陷波附近的衰减程度，理想的是，陷波频率位于镜像频率信号中心频率的大约5％之内。

下面，将参照图14描述本发明的第三较佳实施例。图14是平面图，示出去掉了盖子的表面声波滤波器的内部结构，由此说明本发明的第三较佳实施例。

如图14所示，在本较佳实施例中，双频带表面声波滤波器11最好包括两个带通滤波器21和31，它们具有不同的中心频率。由此，滤波器11包括封壳12和密封在封壳中的压电基片13a，以及用于连接封壳12和压电基片13a上的端子的结合线。

封壳12最好由铝制成，并具有一个盖子(图中未示)。另外，在封壳12中，设置了输入/输出侧电极接合区25a，25b，35a，35b和基准电位侧电极接合区25c，25e，35c到35f，最好通过印刷、烧结和电镀处理形成。另外，类似于第一较佳实施例中描述的表面声波滤波器的封壳，输入/输出侧电极接合区25a，25b，35a，35b和基准电位侧电极接合区25c，25e和35c到35f分别通过卷绕电极连接到外部端子。

在压电基片13a上设置多个IDT，多个输入/输出端子和基准电位端子，并安排得确定两个表面声波元件，由此分别提供带通滤波器21和31。

带通滤波器21最好具有和图3的等效电路相同的结构，其中心频率设置在大约1842.5MHz。在该带通滤波器21中，如图15所示，具有设置在多个并联臂上的IDT的电容和具有延伸到连接在那里的基准电位端子的谐振器的谐振频率在大约1430MHz附近。相应地，当中频频率信号的中心频率大致上等于大约220MHz的镜像频率时，可以得到大约40dB或更大的衰减量。按照这样的方法，可以设置IDT的电容和延伸到连接到那里的基准电位端子的电感，由此使得可以处理通带的低频侧上的镜像频率。

带通滤波器31具有和图10所示的等效电路相同的结构，其中心频率设置在947.5MHz。在该带通滤波器31中，如图11所示，具有设置在多个并联臂上的IDT的电容和具有延伸到连接到那里的基准电位端子的谐振器的谐振频率设置在1400MHz附近。相应地，当中频频率信号的中心频率在大约220MHz的镜像频率处时，可以得到大约47dB或更大的衰减量。

在上述双频带表面声波滤波器中，第一表面声波滤波器中的中心频率和镜像频率之间的频率差fd1最好大致等于第二表面声波滤波器中的中心频率和镜像频率之间的频率差fd2，由此使得其中频频率信号为220MHz。为此，可以使用于由中频频率信号再下面的信号处理的电路公用。

但是，在本较佳实施例中，虽然将带通滤波器21和31设置在同一压电基片13a上，但是本发明并不限制于这样。还可以将带通滤波器21和31设置在不同的压电基片上。如果将滤波器设置在同一压电基片上，可以减少制造过程中的步骤数量，减小制造成本和产品尺寸。但是，如果想要使带通滤波器21和31的特性显著不同，最好使用不同的压电基片。

另外，本发明的第一到第三较佳实施例中描述的表面声波滤波器是可以用于图16所示的通信设备中的表面声波滤波器。具有IDT电容，并具有从IDT延伸到基准电位的电感的陷波谐振器的谐振频率可以根据要衰减的镜像频率适当地变化。

虽然已经揭示了本发明的较佳实施例，在下面的权利要求的范围内可以有实施这里所揭示的原理的各种模式。因此，应该知道，本发明的范围仅由所附的权利要求限制。

Claims (7)

1.一种表面声波滤波器，包含：

多个表面声波元件；

封装多个表面声波元件的封壳；其中

所述滤波器适合用于超外差系统中，所述超外差系统中至少一个表面声波元件的中心频率不同于其它所述表面声波元件的中心频率，其特征在于：

所述至少一个表面声波元件包括压电基片，所述压电基片具有至少一个叉指式换能器、输入/输出端子和基准电位端子，所述输入/输出端子和基准电位端子连接到所述至少一个叉指式换能器；封壳封装所述多个表面声波元件，并具有分别与所述多个表面声波元件的输入/输出端子和基准电位端子相连的电极接合区，还包括连接所述表面声波元件的外部表面上的电极接合区的外部端子；谐振器具有任一表面声波元件的叉指式换能器的电容，并具有由任一表面声波元件的基准电位端子到封壳的外部端子的电感，并且其谐振频率位于超外差系统中进行频率变换时产生的镜像频率附近；

其中所述至少一个表面声波元件的中心频率和在相应的超外差系统中进行频率变换时产生的镜像频率之间的频率差fd1等于所述其它表面声波元件的中心频率和在相应的超外差系统中进行频率变换时产生的镜像频率之间的频率差fd2。

2.一种表面声波滤波器，包含：

多个表面声波元件；

封装多个表面声波元件的封壳；其中

所述滤波器适合用于超外差系统中，所述超外差系统中至少一个表面声波元件的中心频率不同于其它所述表面声波元件的中心频率，其特征在于：

所述至少一个表面声波元件包括压电基片，所述压电基片具有设置得确定一梯形电路的输入/输出端子、基准电位端子、在输入和输出端子之间的串联臂叉指式换能器、在串联臂叉指式换能器之间的并联臂叉指式换能器和电位电极端子；封壳封装了多个表面声波元件，所述封壳具有分别与多个表面声波元件的输入/输出端子和基准电位端子连接的电极接合区，并包括连接所述表面声波元件的外部电路上的电极接合区的外部端子；具有所述至少一个表面声波元件的并联叉指式换能器的电容且具有由所述至少一个表面声波元件的基准电位端子到封壳的外部端子的电感的谐振器的谐振频率位于超外差系统中进行频率变换时产生的镜像频率附近；

其中所述至少一个表面声波元件的中心频率和在相应的超外差系统中进行频率变换时产生的镜像频率之间的频率差fd1等于所述其它表面声波元件的中心频率和在相应的超外差系统中进行频率变换时产生的镜像频率之间的频率差fd2。

3.如权利要求1所述的表面声波滤波器，其特征在于由多个表面声波元件的基准电位端子到封壳的外部端子的电感包括连接表面声波元件的基准电位端子与封壳的电极接合区的结合线的电感。

4.如权利要求1所述的表面声波滤波器，其特征在于自表面声波元件的基准电位端子到封壳的外部端子的电感包括设置在压电基片上的带状传输线的电感。

5.如权利要求1所述的表面声波滤波器，其特征在于自表面声波元件的基准电位端子到封壳的外部端子的电感包含设置在封壳上的带状传输线的电感。

6.一种通信设备，其特征在于包含表面声波滤波器，所述表面声波滤波器包含：

多个表面声波元件；

封装多个表面声波元件的封壳；其中

所述滤波器适合用于超外差系统中，所述超外差系统中至少一个表面声波元件的中心频率不同于其它所述表面声波元件的中心频率，其特征在于：

所述至少一个表面声波元件包括压电基片，所述压电基片具有至少一个叉指式换能器、输入/输出端子和基准电位端子，所述输入/输出端子和基准电位端子连接到所述至少一个叉指式换能器；封壳封装所述多个表面声波元件，并具有分别与所述多个表面声波元件的输入/输出端子和基准电位端子相连的电极接合区，还包括连接所述表面声波元件的外部表面上的电极接合区的外部端子；谐振器具有任一表面声波元件的叉指式换能器的电容，并具有由任一表面声波元件的基准电位端子到封壳的外部端子的电感，并且其谐振频率位于超外差系统中进行频率变换时产生的镜像频率附近；

其中所述至少一个表面声波元件的中心频率和在相应的超外差系统中进行频率变换时产生的镜像频率之间的频率差fd1等于所述至少一个表面声波元件的中心频率和在相应的超外差系统中进行频率变换时产生的镜像频率之间的频率差fd2。

7.一种通信设备，其特征在于包含表面声波滤波器，所述表面声波滤波器包含：

多个表面声波元件；

封装多个表面声波元件的封壳；其中

所述滤波器适合用于超外差系统中，所述超外差系统中至少一个表面声波元件的中心频率不同于其它所述表面声波元件的中心频率，其特征在于：

所述至少一个表面声波元件包括压电基片，所述压电基片具有设置得确定一梯形电路的输入/输出端子、基准电位端子、在输入和输出端子之间的串联臂叉指式换能器、在串联臂叉指式换能器之间的并联臂叉指式换能器和电位电极端子；封壳封装了多个表面声波元件，所述封壳具有分别与多个表面声波元件的输入/输出端子和基准电位端子连接的电极接合区，并包括连接所述表面声波元件的外部电路上的电极接合区的外部端子；具有所述至少一个表面声波元件的并联叉指式换能器的电容且具有由所述至少一个表面声波元件的基准电位端子到封壳的外部端子的电感的谐振器的谐振频率位于超外差系统中进行频率变换时产生的镜像频率附近；

其中所述至少一个表面声波元件的中心频率和在相应的超外差系统中进行频率变换时产生的镜像频率之间的频率差fd1等于所述至少一个表面声波元件的中心频率和在相应的超外差系统中进行频率变换时产生的镜像频率之间的频率差fd2。

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