CN1536766B - 表面声波器件和使用表面声波器件的通信设备 - Google Patents

表面声波器件和使用表面声波器件的通信设备 Download PDF

Info

Publication number
CN1536766B
CN1536766B CN2004100078445A CN200410007844A CN1536766B CN 1536766 B CN1536766 B CN 1536766B CN 2004100078445 A CN2004100078445 A CN 2004100078445A CN 200410007844 A CN200410007844 A CN 200410007844A CN 1536766 B CN1536766 B CN 1536766B
Authority
CN
China
Prior art keywords
resonator type
sound wave
longitudinal coupling
type surface
coupling resonator
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CN2004100078445A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1536766A (zh
Inventor
大内峰文
中桥宪彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of CN1536766A publication Critical patent/CN1536766A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1536766B publication Critical patent/CN1536766B/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/0023—Balance-unbalance or balance-balance networks
    • H03H9/0028—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices
    • H03H9/0047—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having two acoustic tracks
    • H03H9/0052—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having two acoustic tracks being electrically cascaded
    • H03H9/0061—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having two acoustic tracks being electrically cascaded the balanced terminals being on opposite sides of the tracks
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/0023—Balance-unbalance or balance-balance networks
    • H03H9/0028—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices
    • H03H9/0047—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having two acoustic tracks
    • H03H9/0052—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having two acoustic tracks being electrically cascaded
    • H03H9/0057—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having two acoustic tracks being electrically cascaded the balanced terminals being on the same side of the tracks
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/0023—Balance-unbalance or balance-balance networks
    • H03H9/0028—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices
    • H03H9/0085—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having four acoustic tracks
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14544—Transducers of particular shape or position
    • H03H9/14576—Transducers whereby only the last fingers have different characteristics with respect to the other fingers, e.g. different shape, thickness or material, split finger
    • H03H9/14582—Transducers whereby only the last fingers have different characteristics with respect to the other fingers, e.g. different shape, thickness or material, split finger the last fingers having a different pitch
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14544—Transducers of particular shape or position
    • H03H9/14588—Horizontally-split transducers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

一种表面声波器件，包括第一级纵向耦合谐振器型表面声波元件和第二级纵向耦合谐振器型表面声波元件，它们相互级联并设置在一个压电基板上。第一和第二级纵向耦合谐振器型表面声波元件当中的每一个都设有至少3个沿表面声波传输方向排列的叉指式换能器。每个纵向耦合谐振器型表面声波元件的中央叉指式换能器都包括窄间距电极指部分。将第一级纵向耦合谐振器型表面声波元件的窄间距电极指部分的电极指的数目和间距中的至少一个设定成与第二级纵向耦合谐振器型表面声波元件不同。

Description

表面声波器件和使用表面声波器件的通信设备
技术领域
本发明涉及表面声波器件和通信设备，具体地说，涉及诸如通信设备中所用的表面声波器件，如便携式电话机，还涉及包括表面声波器件的通信设备。
背景技术
近年来，对于提供表面声波滤波器的要求一直在增加，表面声波滤波器用于便携式电话机的射频段，具有平衡-不平衡变换功能，即所谓的平衡-不平衡阻抗变换器功能。具体来说，易于适应平衡-不平衡信号变换功能的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器，作为便携式电话机的射频段的带通滤波器已经变为主流产品。具有这种平衡-不平衡变换功能的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器连接到具有平衡的或差分的输入和输出端的混频器IC(下称平衡混频器IC)。使用这种平衡混频器IC可以减小对噪声的敏感度，并可实现输出稳定。于是，还将改善便携式电话机的特性。因此，近来，平衡混频器IC得到频繁的使用。
虽然射频段所用的表面声波滤波器的阻抗通常为50Ω，但在大多数情况下，平衡混频器IC都具有高阻抗，如约为100-200Ω。由于200Ω是主流，所以对于纵向耦合谐振器型表面声波滤波器，要求表现出输入阻抗和输出阻抗之间相差约4倍的特性。另外，对于射频段的带通滤波器，通常还要求具有低损耗和高衰减的特性。
为了使输入阻抗和输出阻抗之间相差大约4倍，广泛采用专利文献1(日本未审专利公开NO.10-117123)中公开的方法。如图35所示，专利文献1中公开的表面声波器件(对照例)包括两个两级连接的表面声波滤波器105和106。在这种两级连接的表面声波滤波器105中，表面声波元件101和103相互级联。在两级连接的表面声波滤波器106中，表面声波元件102和104相互级联。通过使表面声波元件104改变相位180度，可使两级连接的表面声波滤波器105和106具有平衡-不平衡变换功能。再有，可将两级连接的表面声波滤波器105的一端与两级连接的表面声波滤波器106的一端以并联方式与不平衡端111电连接。可将两级连接的表面声波滤波器105的另一端与两级连接的表面声波滤波器106的另一端分别串联连接到平衡端112和113。
不仅要求平衡混频器IC具有200Ω的阻抗，而且所要求的阻抗范围要扩展到100Ω或150Ω。按照这一要求，必须设计具有平衡-不平衡变换功能的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器，使其输入阻抗与输出阻抗之比为1∶2或1∶3。例如，在专利文献2：日本专利NO.3239064(日本未审专利公开NO.9-321574)的表面声波器件中(对照例2)，可以将输入端与输出端的阻抗比设定为一个期望数值，为此要使包括叉指式换能器(下称IDT)203-205的表面声波元件201的交叉宽度W1与包括叉指式换能器(IDT)206-208的表面声波元件202的交叉宽度W2有所不同，如图36所示。在表面声波元件201和202中，IDT203和206相互级联，IDT205和208相互级联。并且，表面声波元件201和202分别连接到输入端211和输出端212。
然而，图36所示表面声波器件的布置存在使电压驻波比(VSWR)性能下降问题.产生这个问题的原因之一是，所述表面声波元件201的交叉宽度W1与表面声波元件202的交叉宽度W2有所不同，这种不同引起级联的IDT203和206的阻抗差，以及级联的IDT205和208的阻抗差，而且这种阻抗差使这些表面声波元件201和202的接合面内发生失配.于是，理想的是，期望只调节与表面声波器件的输入端211相连之IDT204的阻抗和与表面声波器件的输出端212相连之IDT207的阻抗，如图36所示.然而，在只改变IDT204和207的交叉宽度以调节阻抗的情况下，在表面声波的传输路径中将产生表面声波泄漏，因此使特性变差.因而，难以通过使表面声波元件201的交叉宽度W1与表面声波元件202的交叉宽度不同，而将输入端211与输出端212的阻抗比设定成所期望的数值，同时又不降低特性.
现在探讨将图36所示表面声波器件的布置应用于有如图35所示的表面声波器件上，从而实现从不平衡端到平衡端的阻抗比的调节。
图37-39表示具有平衡-不平衡变换功能的、比如图35所示纵向耦合谐振器型表面声波滤波器的特性，不平衡端阻抗为50Ω，平衡端阻抗为200Ω。由图35所示表面声波器件提供这些特性，该表面声波器件被设计成个人通信系统(PCS)的接收滤波器，并且通频带所需的频率范围在1，930MHz和1,990MHz之间。其中，把不平衡端一侧连接的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器的表面声波元件的交叉宽度W1设定成等于平衡端一侧连接的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器的表面声波元件的交叉宽度W2。图37、38、39分别表示在通频带附近的传输特性、阻抗特性和VSWR。图38和39中，参考标号S11代表输入侧，参考标号S22代表输出侧。从图38可以看出，不平衡端与平衡端的阻抗比约为1∶4。另外，从图39可以看出，可以实现在通频带中VSWR约为1.7的优异特性。
图40-42表示有如图35所示的表面声波器件的特性，其中，把连接在不平衡端一侧的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器的表面声波元件的交叉宽度W1设定成不同于连接在平衡端一侧的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器的表面声波元件的交叉宽度W2，比如在专利文献2中公开的，把不平衡端与平衡端的阻抗比设定为1∶3。为了将不平衡端与平衡端的阻抗比设定为1∶4和1∶3，交叉宽度W1必须小于交叉宽度W2。这里，将所述交叉宽度W1和W2设定成使它们满足条件W2/W1≈1.57。图40、41、42分别表示在通频带附近的传输特性、阻抗特性和VSWR。在图41和42中，参考标号S11代表输入侧，参考标号S22代表输出侧。有如从图42可见者，通频带中的VSWR下降到2.3，这是因为利用所期望的不平衡端与平衡端的阻抗比(50Ω∶100Ω)不可能实现匹配。
因此，对于具有图35所示布置(对照例1)和图36所示的布置(对照例2)的组合装置的表面声波器件，设定不平衡端与平衡端的阻抗比为1∶2或1∶3也是很困难的。产生这个问题的原因之一是，与在图36所示表面声波器件中产生的问题类似，使表面声波元件的交叉宽度互相不同将要引起级联的IDT的阻抗的不同，并且，这种阻抗的不同将要引起在两个表面声波元件的接合表面中的阻抗失配。因此，与图36所示表面声波器件中产生的问题类似，对于具如图35所示布置和图36所示布置组合的布置的表面声波器件，也很难通过使这两个交叉宽度的不等，来设定输入端与输出端的阻抗比为期望的数值，而又不使特性下降。
于是，曾用一种方法来实现匹配，为此，在表面声波器件的外部加一个匹配元件，比如在平衡端一侧加一个并联的电感元件和一个串联的电容元件，而不用改变表面声波器件的设计，就可以具有大约两倍或3倍的不平衡端和平衡端的阻抗差.然而，这种方法存在的问题是，由于添加了外部元件，因而使元部件的数量增加，从而有碍实现微型化.因此，这种方法不适合于当前的需要.
发明内容
为了解决上述的问题，本发明的优选实施例提出一种表面声波器件，它具有优异的VSWR，并且表现出所期望的输入端与输出端阻抗比；并且，还提出包含这种新颖的表面声波器件的通信设备。
按照本发明一种优选实施例的表面声波器件，包括：第一纵向耦合谐振器型表面声波元件，它包含沿表面声波传输方向布置的至少3个叉指式换能器，每个叉指式换能器提供有多个电极指；以及第二纵向耦合谐振器型表面声波元件，它包含沿表面声波传输方向布置的至少3个叉指式换能器，每个叉指式换能器提供有多个电极指。所述第一纵向耦合谐振器型表面声波元件和第二纵向耦合谐振器型表面声波元件相互级联，并设在一个压电基板上。所述第一纵向耦合谐振器型表面声波元件和第二纵向耦合谐振器型表面声波元件当中每一个的至少一个叉指式换能器在相邻的叉指式换能器附近具有一个窄间距电极指部分，该窄间距电极指部分的电极指的间距小于其它电极指的间距。所述第一纵向耦合谐振器型表面声波元件的窄间距电极指部分的电极指的数目和间距与第二纵向耦合谐振器型表面声波元件的窄间距电极指部分的电极指的数目和间距不同。
按照本发明另一优选实施例的表面声波器件，包括：第一纵向耦合谐振器型表面声波元件，它包含沿表面声波传输方向布置的至少3个叉指式换能器，每个叉指式换能器提供有多个电极指；以及第二纵向耦合谐振器型表面声波元件，它包含沿表面声波传输方向布置的至少3个叉指式换能器，每个叉指式换能器提供有多个电极指。所述第一纵向耦合谐振器型表面声波元件和第二纵向耦合谐振器型表面声波元件相互级联，并设在一个压电基板上。所述第一纵向耦合谐振器型表面声波元件和第二纵向耦合谐振器型表面声波元件当中每一个的至少一个叉指式换能器在相邻的叉指式换能器附近具有一个窄间距电极指部分，该窄间距电极指部分的电极指的间距小于其它电极指的间距。N1不等于N2，其中N1代表第一纵向耦合谐振器型表面声波元件的窄间距电极指部分的电极指的数目，N2代表第二纵向耦合谐振器型表面声波元件的窄间距电极指部分的电极指的数目。
按照本发明又一优选实施例的表面声波器件，包括：第一纵向耦合谐振器型表面声波元件，它包含沿表面声波传输方向布置的至少3个叉指式换能器，每个叉指式换能器提供有多个电极指；以及第二纵向耦合谐振器型表面声波元件，它包含沿表面声波传输方向布置的至少3个叉指式换能器，每个叉指式换能器提供有多个电极指。所述第一纵向耦合谐振器型表面声波元件和第二纵向耦合谐振器型表面声波元件相互级联，并设在一个压电基板上。所述第一纵向耦合谐振器型表面声波元件和第二纵向耦合谐振器型表面声波元件当中每一个的至少一个叉指式换能器在相邻的叉指式换能器附近具有一个窄间距电极指部分，该窄间距电极指部分的电极指的间距小于其它电极指的间距。第一纵向耦合谐振器型表面声波元件和第二纵向耦合谐振器型表面声波元件相互级联，并设在一个压电基板上。P1不等于P2，其中P1代表第一纵向耦合谐振器型表面声波元件的窄间距电极指部分的电极指的间距，P2代表第二纵向耦合谐振器型表面声波元件的窄间距电极指部分的电极指的间距。
换言之，按照本发明各优选实施例的两级级联的表面声波器件，每个表面声波器件包括级联的两个纵向耦合的表面声波元件，第一纵向耦合谐振器型表面声波元件的窄间距电极指部分的电极指的数目和间距中的至少一个不同于第二纵向耦合谐振器型表面声波元件的窄间距电极指部分的电极指的数目和间距。
采用上述布置，可以提供展示优异的VSWR，并能将输入端与输出端的阻抗比设定成期望值的表面声波器件。另外，由于可以匹配输入端与输出端的阻抗比，而又不用附加电感元件或类似元件，可以使上述表面声波器件微型化。
另外，在具有上述布置的本发明各优选实施例表面声波器件中，优选的是，所述第一和第二纵向耦合谐振器型表面声波元件中的每一个都包含3个叉指式换能器。优选的还在于，所述第一纵向耦合谐振器型表面声波元件的中央叉指式换能器的电极指数目不同于第二纵向耦合谐振器型表面声波元件的中央叉指式换能器的电极指的数目。
此外，在具有上述布置的本发明各优选实施例表面声波器件中，优选的是，至少一个表面声波谐振器级联在第一纵向耦合谐振器型表面声波元件与第二纵向耦合谐振器型表面声波元件之间。通过提供这样的表面声波谐振器，可以给出具有下述特性的表面声波器件：能保证高于通频带区域的衰减，并且衰减的变化是突然的。
按照本发明再一优选实施例的表面声波器件包括第一表面声波滤波器元件，该第一表面声波滤波器元件包含：第一纵向耦合谐振器型表面声波元件，它设有沿表面声波传输方向布置的至少3个叉指式换能器，每个叉指式换能器提供有多个电极指；以及第二纵向耦合谐振器型表面声波元件，它设有沿表面声波传输方向布置的至少3个叉指式换能器，每个叉指式换能器提供有多个电极指；所述第一纵向耦合谐振器型表面声波元件和第二纵向耦合谐振器型表面声波元件相互级联，并设在一个压电基板上。所说的这种表面声波器件还包括第二表面声波滤波器元件，该第二表面声波滤波器元件包含：第三纵向耦合谐振器型表面声波元件，它设有沿表面声波传输方向布置的至少3个叉指式换能器，每个叉指式换能器提供有多个电极指；以及第四纵向耦合谐振器型表面声波元件，它设有沿表面声波传输方向布置的至少3个叉指式换能器，每个叉指式换能器提供有多个电极指；所述第三纵向耦合谐振器型表面声波元件和第四纵向耦合谐振器型表面声波元件相互级联，并设在所述压电基板上。所述第二纵向耦合谐振器型表面声波元件的输入和输出信号相位与第一纵向耦合谐振器型表面声波元件的输入和输出信号相位相差180度。所述第一表面声波滤波器元件的一端与第二表面声波滤波器元件的一端以并联方式电连接。所述第一表面声波滤波器元件的另一端与第二表面声波滤波器元件的另一端以串联方式电连接。所述第一、第二、第三和第四纵向耦合谐振器型表面声波元件当中每一个的至少一个叉指式换能器，在相邻的叉指式换能器附近具有一个窄间距电极指部分，该窄间距电极指部分的电极指的间距小于其它电极指的间距。所述第一纵向耦合谐振器型表面声波元件的窄间距电极指部分的电极指的数目和间距不同于第二纵向耦合谐振器型表面声波元件的窄间距电极指部分的电极指的数目和间距。所述第三纵向耦合谐振器型表面声波元件的窄间距电极指部分的电极指的数目和间距不同于第四纵向耦合谐振器型表面声波元件的窄间距电极指部分的电极指的数目和间距。
按照本发明再一优选实施例的表面声波器件，包括第一表面声波滤波器元件，该第一表面声波滤波器元件包含：第一纵向耦合谐振器型表面声波元件，它设有沿表面声波传输方向布置的至少3个叉指式换能器，每个叉指式换能器提供有多个电极指；以及第二纵向耦合谐振器型表面声波元件，它设有沿表面声波传输方向布置的至少3个叉指式换能器，每个叉指式换能器提供有多个电极指；所述第一纵向耦合谐振器型表面声波元件和第二纵向耦合谐振器型表面声波元件相互级联，并设在一个压电基板上.所说的这个表面声波器件还包括第二表面声波滤波器元件，该第二表面声波滤波器元件包含：第三纵向耦合谐振器型表面声波元件，它设有沿表面声波传输方向布置的至少3个叉指式换能器，每个叉指式换能器提供有多个电极指；以及第四纵向耦合谐振器型表面声波元件，它设有沿表面声波传输方向布置的至少3个叉指式换能器，每个叉指式换能器提供有多个电极指；所述第三纵向耦合谐振器型表面声波元件和第四纵向耦合谐振器型表面声波元件相互级联，并设在所述压电基板上.所述第二纵向耦合谐振器型表面声波元件的输入和输出信号相位与第一纵向耦合谐振器型表面声波元件的输入和输出信号相位相差180度.所述第一表面声波滤波器元件的一端与第二表面声波滤波器元件的一端以并联方式电连接.所述第一表面声波滤波器元件的另一端与第二表面声波滤波器元件的另一端以串联方式电连接.所述第一、第二、第三和第四纵向耦合谐振器型表面声波元件当中每一个的至少一个叉指式换能器，在相邻的叉指式换能器附近具有一个窄间距电极指部分，该窄间距电极指部分的电极指的间距小于其它电极指的间距.所述第一纵向耦合谐振器型表面声波元件的窄间距电极指部分的电极指的数目不同于第二纵向耦合谐振器型表面声波元件的窄间距电极指部分的电极指的数目.所述第三纵向耦合谐振器型表面声波元件的窄间距电极指部分的电极指的数目不同于第四纵向耦合谐振器型表面声波元件的窄间距电极指部分的电极指的数目.
按照本发明再一优选实施例的表面声波器件，包括第一表面声波滤波器元件，该第一表面声波滤波器元件包含：第一纵向耦合谐振器型表面声波元件，它设有沿表面声波传输方向布置的至少3个叉指式换能器，每个叉指式换能器提供有多个电极指；以及第二纵向耦合谐振器型表面声波元件，它设有沿表面声波传输方向布置的至少3个叉指式换能器，每个叉指式换能器提供有多个电极指；所述第一纵向耦合谐振器型表面声波元件和第二纵向耦合谐振器型表面声波元件相互级联，并设在一个压电基板上.所说的这个表面声波器件还包括第二表面声波滤波器元件，该第二表面声波滤波器元件包含：第三纵向耦合谐振器型表面声波元件，它设有沿表面声波传输方向布置的至少3个叉指式换能器，每个叉指式换能器提供有多个电极指；以及第四纵向耦合谐振器型表面声波元件，它设有沿表面声波传输方向布置的至少3个叉指式换能器，每个叉指式换能器提供有多个电极指；所述第三纵向耦合谐振器型表面声波元件和第四纵向耦合谐振器型表面声波元件相互级联，并设在所述压电基板上.所述第二纵向耦合谐振器型表面声波元件的输入和输出信号相位与第一纵向耦合谐振器型表面声波元件的输入和输出信号的相位相差180度.所述第一表面声波滤波器元件的一端与第二表面声波滤波器元件的一端以并联方式电连接.所述第一表面声波滤波器元件的另一端与第二表面声波滤波器元件的另一端以串联方式电连接.所述第一、第二、第三和第四纵向耦合谐振器型表面声波元件当中每一个的至少一个叉指式换能器在相邻的叉指式换能器附近具有一个窄间距电极指部分，窄间距电极指部分的电极指的间距小于其它电极指的间距.所述第一纵向耦合谐振器型表面声波元件的窄间距电极指部分的电极指的间距不同于第二纵向耦合谐振器型表面声波元件的窄间距电极指部分的电极指的间距.所述第三纵向耦合谐振器型表面声波元件的窄间距电极指部分的电极指的间距不同于第四纵向耦合谐振器型表面声波元件的窄间距电极指部分的电极指的间距.
换言之，在本发明各优选实施例的表面声波器件中，每个表面声波器件包括两个两级级联的表面声波滤波器元件，每个表面声波滤波器元件包括两个纵向耦合的表面声波元件，一个纵向耦合谐振器型表面声波元件的窄间距电极指部分的电极指的数目和间距中的至少一个不同于每个表面声波滤波器元件中的另一个纵向耦合谐振器型表面声波元件的窄间距电极指部分的电极指的数目和间距中的至少一个。
采用上述布置，可以提供展示优异的VSWR，并能把输入端与输出端的阻抗比设定成期望值的表面声波器件。另外，由于可以匹配输入端与输出端的阻抗比，而又不用附加电感元件或类似元件，可以使上述表面声波器件微型化。
另外，在具有上述结构的本发明各优选实施例表面声波器件中，优选的是，使第一、第二、第三和第四纵向耦合谐振器型表面声波元件当中的每一个都包含3个叉指式换能器。优选的还在于，使第一纵向耦合谐振器型表面声波元件的中央叉指式换能器的电极指数目不同于第二纵向耦合谐振器型表面声波元件的中央叉指式换能器的电极指的数目。使第三纵向耦合谐振器型表面声波元件的中央叉指式换能器的电极指数目不同于第四纵向耦合谐振器型表面声波元件的中央叉指式换能器的电极指的数目。
另外，在具有上述布置的本发明各优选实施例表面声波器件中，优选的是，使至少一个表面声波谐振器级联在第一纵向耦合谐振器型表面声波元件与第二纵向耦合谐振器型表面声波元件之间，并级联在第三纵向耦合谐振器型表面声波元件与第四纵向耦合谐振器型表面声波元件之间。通过提供这种表面声波谐振器，可以提供具有下述特性的表面声波器件：能保证高于通频带的区域的衰减，而且衰减的变化是突然的。
再有，在具有上述布置的本发明各优选实施例表面声波器件中，优选的是，使输入阻抗与输出阻抗之比约为1∶2或1∶3，或者使输出阻抗与输入阻抗之比约为1∶2或1∶3。
此外，在具有上述布置的本发明各优选实施例表面声波器件中，优选的是，提供平衡-不平衡变换功能。
按照本发明的再一优选实施例，一种通信设备，包括上述任何一种表面声波器件。采用上述布置，由于包含其中实现阻抗匹配的具有优异特性表面声波器件，这种通信设备能够改善传输特性。
如以上所述，按照本发明各优选实施例的表面声波器件，包括相互级联并安排在一个压电基板上的第一纵向耦合谐振器型表面声波元件和第二纵向耦合谐振器型表面声波元件。所述第一和第二纵向耦合谐振器型表面声波元件当中的每一个，都提供有沿表面声波传输方向布置的至少三个IDT。所述第一和第二纵向耦合谐振器型表面声波元件当中每一个的至少一个IDT在靠近相邻的IDT附近具有所谓窄间距电极指部分，该窄间距电极指部分的电极指周期(间距)不同于其它部分的电极指(周期)间距。所述第一纵向耦合谐振器型表面声波元件的窄间距电极指部分的数目或间距不同于第二纵向耦合谐振器型表面声波元件的窄间距电极指部分的数目或间距。因此，可以提供能够把输入端与输出端的阻抗比设定为一个期望值的表面声波器件。
附图说明
从以下结合附图对本发明优选实施例的详细描述，将使本发明的其它特征、要素、特性和优点变得愈为清晰。
图1是表述本发明第一优选实施例表面声波器件电路图；
图2是表示本发明第一优选实施例之工作实例1的表面声波器件通频带附近的传输特性(输入阻抗与输出阻抗之比为1∶2)曲线；
图3是表示本发明第一优选实施例之工作实例1的表面声波器件阻抗特性的斯密斯图形；
图4是表示本发明第一优选实施例之工作实例1的表面声波器件的VSWR曲线图，；
图5是表示本发明第一优选实施例之比较例1的表面声波器件通频带附近的传输特性(输入阻抗与输出阻抗之比为1∶2)曲线；
图6是表示本发明第一优选实施例之比较例1的表面声波器件阻抗特性的斯密斯图形；
图7是表示本发明第一优选实施例之比较例1的表面声波器件的VSWR曲线图；
图8是表示本发明第一优选实施例之比较例2的表面声波器件通频带附近传输特性(输入阻抗与输出阻抗之比为1∶2)曲线；
图9是表示本发明第一优选实施例之比较例2的表面声波器件阻抗特性的斯密斯图形；
图10是表示本发明第一优选实施例之比较例2的表面声波器件的VSWR曲线图；
图11是表示本发明第一优选实施例之工作实例2的表面声波器件通频带附近的传输特性(输入阻抗与输出阻抗之比为1∶2)曲线；
图12是表示本发明第一优选实施例之工作实例2的表面声波器件阻抗特性的斯密斯图形；
图13是表示本发明第一优选实施例之工作实例2的表面声波器件的VSWR曲线图；
图14是表示本发明优选实施例之工作实例3的表面声波器件通频带附近的传输特性(输入阻抗与输出阻抗之比为1∶2)曲线；
图15是表示本发明第一个优选实施例之工作实例3的表面声波器件阻抗特性的斯密斯图形；
图16是表示本发明第一优选实施例之工作实例3的表面声波器件的VSWR曲线图；
图17是表示本发明第一优选实施例之工作实例4的表面声波器件通频带附近的传输特性(输入阻抗与输出阻抗之比为1∶2)曲线；
图18是表示本发明第一优选实施例之工作实例4的表面声波器件阻抗特性的斯密斯图形；
图19是表示本发明第一优选实施例之工作实例4的表面声波器件的VSWR曲线图；
图20是表示本发明第一优选实施例之工作实例5的表面声波器件通频带附近的传输特性(输入阻抗与输出阻抗之比为1∶2)曲线；
图21是表示本发明第一优选实施例之工作实例5的表面声波器件阻抗特性的斯密斯图形；
图22是表示本发明第一优选实施例之工作实例5的表面声波器件的VSWR曲线图；
图23是表示本发明第一优选实施例一种改型的表面声波器件电路图；
图24是表示本发明第一优选实施例另一种改型的表面声波器件电路图；
图25是表示本发明第一优选实施例又一种改型的表面声波器件电路图；
图26是表示本发明第二优选实施例表面声波器件的电路图；
图27是表示本发明第二优选实施例者工作实例6的表面声波器件通频带附近的传输特性(输入阻抗与输出阻抗之比为1∶2)曲线；
图28是表示本发明第二优选实施例之工作实例6的表面声波器件阻抗特性的斯密斯图形；
图29是表示本发明第二优选实施例之工作实例6的表面声波器件的VSWR曲线图；
图30是表示在从本发明第二优选实施例之工作实例6的表面声波器件中取消表面声波谐振器时，表面声波器件通频带附近的传输特性(输入阻抗与输出阻抗之比为1∶2)曲线；
图31是表示在从本发明第二优选实施例之工作实例6的表面声波器件中取消表面声波谐振器时，表面声波器件阻抗特性的斯密斯图形；
图32是表示在从本发明第二优选实施例之工作实例6的表面声波器件中取消表面声波谐振器时，表面声波器件的VSWR曲线图，；
图33是表示本发明第二个优选实施例一种改型表面声波器件的电路图；
图34是表示使用上述本发明各优选实施例表面声波器件之通信设备的主要部分方块图；
图35是表示对照例1的表面声波器件电路图；
图36是表示对照例2的表面声波器件电路图；
图37是表示对照例1表面声波器件通频带附近的传输特性(输入阻抗与输出阻抗之比为1∶4)曲线；
图38是表示对照例1表面声波器件阻抗特性的斯密斯图形，；
图39是表示对照例1表面声波器件的VSWR曲线图；
图40是表示通过组合对照例1和对照例2所得表面声波器件之通频带附近的传输特性(输入阻抗与输出阻抗之比为1∶3)曲线；
图41是表示通过组合对照例1和对照例2所得表面声波器件之阻抗特性的斯密斯图形；
图42是表示通过组合对照例1和对照例2所得表面声波器件的VSWR曲线图。
具体实施方式
第一优选实施例
以下参照图1-25描述本发明的第一优选实施例。
第一优选实施例作为一种实例，说明个人通信系统(PCS)接收滤波器(表面声波器件)，这种滤波器具有平衡-不平衡变换功能，并包括两个纵向耦合谐振器型表面声波元件。
参照附图1，本发明一种优选实施例的表面声波器件500包括布置在压电基板(未示出)上的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器元件(第一表面声波滤波器元件)505和纵向耦合谐振器型表面声波滤波器元件(第二表面声波滤波器元件)506。所述纵向耦合谐振器型表面声波滤波器元件505和506最好由铝电极形成。在第一优选实施例中，最好使用X方向传播、Y向切角为40°±5°的LiTaO3基板作为压电基板。
所述纵向耦合谐振器型表面声波滤波器元件505包含纵向耦合谐振器型表面声波元件(第一级纵向耦合谐振器型表面声波元件)501和纵向耦合谐振器型表面声波元件(第二级纵向耦合谐振器型表面声波元件)502。
纵向耦合谐振器型表面声波元件501包含设有多个电极指的叉指式换能器(下称IDT)508，被布置成夹持IDT508的IDT507和509，并在IDT507-509的左侧和右侧设置反射器535。另如图1所示，在相邻的IDT507和508之间，以及相邻的IDT508和509之间的某些电极指的间距(电极指周期)，换句话说也就是窄间距电极指部分519、520、521和522的间距(电极指周期)小于每个IDT507-509的其它部分的间距(电极指周期)。
类似地，纵向耦合谐振器型表面声波元件502包含IDT511、被布置成夹持IDT510的IDT510和512，并在IDT510-512的左侧和右侧设置反射器536。另如图1所示，在相邻的IDT510和511之间，以及相邻的IDT511和512之间的某些电极指的间距，换句话说也就是窄间距电极指部分523、524、525、和526的间距小于每个IDT510-512的其它部分的间距。纵向耦合谐振器型表面声波元件502的输入信号和输出信号的相位关系与纵向耦合谐振器型表面声波元件501的输入信号和输出信号的相位关系近似相同。
另外，在纵向耦合谐振器型表面声波滤波器元件505中，使IDT507与IDT510级联，使IDT509与IDT512级联。换言之，纵向耦合谐振器型表面声波滤波器元件505是一个两级连接的表面声波滤波器。
纵向耦合谐振器型表面声波滤波器元件506包含纵向耦合谐振器型表面声波元件(第一级纵向耦合谐振器型表面声波元件)503和纵向耦合谐振器型表面声波元件(第二级纵向耦合谐振器型表面声波元件)504。
纵向耦合谐振器型表面声波元件503包含IDT514、被布置成夹持IDT514的IDT513和515，并在IDT513-515的左侧和右侧设置反射器537。另如图1所示，在相邻的IDT513和514之间，以及相邻的IDT514和515之间的某些电极指的间距，换句话说也就是窄间距电极指部分527、528、529和530的间距小于每个IDT513-515的其它部分的间距。纵向耦合谐振器型表面声波元件503的输入信号和输出信号的相位关系与纵向耦合谐振器型表面声波元件501的输入信号和输出信号的相位关系近似相同。
纵向耦合谐振器型表面声波元件504包含IDT517、被布置成夹持IDT517的IDT516和518，并在IDT516-518的左侧和右侧设置反射器538.另如图1所示，在相邻的IDT516和517之间以及相邻的IDT517和518之间的某些电极指的间距，换句话说也就是窄间距电极指部分531、532、533和534的间距小于每个IDT516-518的其它部分的间距.将IDT516-518布置成，使所述纵向耦合谐振器型表面声波元件504的输入信号和输出信号的相位关系与纵向耦合谐振器型表面声波元件501的输入信号和输出信号的相位关系不同，二者相差近似180°.
另外，在纵向耦合谐振器型表面声波滤波器元件506中，使IDT513与IDT516级联，使IDT515与IDT518级联。换言之，纵向耦合谐振器型表面声波滤波器元件506是一个两级连接的表面声波滤波器。
将纵向耦合谐振器型表面声波滤波器元件505的IDT508以及纵向耦合谐振器型表面声波滤波器元件506的IDT514并联连接到不平衡信号端(输入端)539。将纵向耦合谐振器型表面声波滤波器元件505的IDT511以及纵向耦合谐振器型表面声波滤波器元件506的IDT517分别连接到平衡信号端(输出端)540和541。
为使说明简单，图1中的电极指的数目比实际的要少。
以下将描述本发明第一优选实施例的工作实例1的表面声波器件500中第一级纵向耦合谐振器型表面声波元件501和503，以及第二级纵向耦合谐振器型表面声波元件502和504详细设计实例。
下面描述第一级纵向耦合谐振器型表面声波元件501和503的详细设计。
交叉宽度：约74μm
IDT(507和513/508和514/509和515)的电极指数目：23/28/23
窄间距电极指部分的电极指数目(519和527/520和528/521和529/522和530)：4/3/3/4
窄间距电极指部分(519和527/520和528/521和529/522和530)的间距P1：约0.9360μm。
下面描述第二级纵向耦合谐振器型表面声波元件502和504的详细设计。
交叉宽度：74μm
IDT(510和516/511和517/512和518)的电极指数目：23/30/23
窄间距电极指部分的电极指数目(523和531/524和532/525和533/526和534)：4/6/6/4
窄间距电极指部分(523和531/524和532/525和533/526和534)的间距P2：约0.9535μm。
将IDT之间的间隙设定为周期性连续的。另外，在上述各设计参数中，最好将输入阻抗设定成约为50Ω，将输出阻抗设成成约为100Ω。换句话说，输入阻抗与输出阻抗之比设定成1∶2。另外，在所述工作实例1的表面声波器件中，纵向耦合谐振器型表面声波元件501和503的中央叉指式换能器508和514的电极指数目NA分别不同于纵向耦合谐振器型表面声波元件502和504的中央叉指式换能器511和517的电极指数目NB(工作实例1中，将数目NA设定成小于数目NB)，最好把这两个数目NA和NB设定成偶数。
图2、3和4中分别示出所述工作实例1表面声波器件500通频带附近的传输特性、阻抗特性和VSWR。图3和4中的参考标号S11代表输入侧，参考标号S22代表输出侧。
在表面声波器件中，最好使通频带内的阻抗尽可能接近终端阻抗。当用ZL代表终端阻抗，并用ZO代表表面声波器件的特性阻抗时，则由方程Γ＝(ZL+ZO)/(ZL-ZO)表示，VSWR用(1+|Γ|)/(1-|Γ|)表示反射系数Γ.这样，就可将VSWR用为从表面声波器件的终端阻抗的漂移的指示符.根据市场的需要，所述VSWR最好至少约为2或更小.
为与第一优选实施例之工作实例1的表面声波器件500比较，下面描述比较例1的表面声波器件，其中的设计参数不同于工作实例1的设计参数。下面描述比较例1表面声波器件的设计参数。由于比较例1的表面声波器件本身的布置几乎与工作实例1相同，所以，这里使用与表面声波器件500所用的相同标号。
下面描述比较例1的第一级纵向耦合谐振器型表面声波元件501和503的详细设计。
交叉宽度：74μm
IDT(507和513/508和514/509和515)的电极指数目：23/28/23
窄间距电极指部分的电极指数目(519和527/520和528/521和529/522和530)：4/4/4/4
窄间距电极指部分(519和527/520和528/521和529/522和530)的间距P1：约0.9432μm。
下面描述比较例1表面声波器件的第二级纵向耦合谐振器型表面声波元件502和504的详细设计。
交叉宽度：74μm
IDT(510和516/511和517/512和518)的电极指数目：23/28/23
窄间距电极指部分的电极指数目(523和531/524和532/525和533/526和534)：4/4/4/4
窄间距电极指部分(523和531/524和532/525和533/526和534)的间距P2：约0.9432μm。
在比较例1的表面声波器件中，将输入阻抗设定成约为50Ω，将输出阻抗设定成约为100Ω。换句话说，输入阻抗与输出阻抗之比被设定成1∶2，这是由于将一个电感元件并联连接到平衡的输出端，实现了匹配的缘故。换句话说，将比较例1的表面声波器件布置成工作实例1的表面声波器件，只是将第一纵向耦合谐振器型表面声波元件和第二纵向耦合谐振器型表面声波元件布置成具有相同的设计参数，并增加电感元件。
图5、6、和7分别示出比较例1表面声波器件通频带附近的传输特性、阻抗特性和VSWR。图6和7中的参考标号S11代表输入侧，参考标号S22代表输出侧。
与图4和图7比较，所述比较例1的表面声波器件显示的通频带中的VSWR约为2.3，工作实例1表面声波器件显示的通频带中的被提高了的VSWR约为1.8。这是因为布置了所述工作实例1之表面声波器件的结果，因而，对于纵向耦合谐振器型表面声波元件501的IDT508的窄间距电极指部分520和521以及纵向耦合谐振器型表面声波元件503的IDT514的窄间距电极指部分528和529而言，其中的IDT514和508连接到不平衡信号端539，将电极指的数目N1设定为3，并将电极指的间距P1设定约为0.9360μm；而对于纵向耦合谐振器型表面声波元件502的IDT511的窄间距电极指部分524和525而言，其中的IDT511连接到平衡信号端540，对于纵向耦合谐振器型表面声波元件504的IDT517的窄间距电极指部分532和533而言，其中的IDT517连接到平衡信号端541，将电极指的数目N2设定为6，并将电极指的间距P2设定约为0.9535μm。换言之，通过数目N1设定得小于数目N2，并将间距P1设定得小于间距P2，能够提供可显示优异VSWR的表面声波器件。
通过与第一优选实施例之工作实例1的表面声波器件500比较，描述比较例2的表面声波器件，比较例2中的设计参数不同于工作实例1中的设计参数。下面描述比较例2的表面声波器件的设计参数。由于比较例2的表面声波器件本身的布置与工作实例1几乎相同，所以，这里使用与表面声波器件500所用相同的标号。
下面描述比较例2之表面声波器件的第一级纵向耦合谐振器型表面声波元件501和503的详细设计。
交叉宽度：82μm
IDT(507和513/508和514/509和515)的电极指数目：23/28/23
窄间距电极指部分的电极指数目(519和527/520和528/521和529/522和530)：4/4/4/4
窄间距电极指部分(519和527/520和528/521和529/522和530)的间距P1：约0.9432μm。
下面描述比较例2zh5表面声波器件的第二级纵向耦合谐振器型表面声波元件502和504的详细设计。
交叉宽度：103μm
IDT(510和516/511和517/512和518)的电极指数目：23/28/23
窄间距电极指部分的电极指数目(523和531/524和532/525和533/526和534)：4/4/4/4
窄间距电极指部分(523和531/524和532/525和533/526和534)的间距P2：约0.9432μm。
在比较例2的表面声波器件中，第一级纵向耦合谐振器型表面声波元件501和503与第二级纵向耦合谐振器型表面声波元件502和504的不同点只在于：交叉宽度、IDT的电极指数目和窄间距电极指部分的电极指数目；第一级纵向耦合谐振器型表面声波元件501和503的窄间距电极指部分的间距被布置成第二级纵向耦合谐振器型表面声波元件502和504的窄间距电极指部分的间距具有相同的设计参数。在比较例的表面声波器件中，按照上述的设计参数，将输入阻抗设定为50Ω，输出阻抗设定为100Ω。换句话说，使输入阻抗与输出阻抗之比为1∶2。
图8、9、10中分别示出比较例2表面声波器件通频带附近的传输特性、阻抗特性和VSWR。图9和10中的参考标号S11代表输入侧，参考标号S22代表输出侧。特别如图10所示，在比较例2的表面声波器件中，VSWR性能下降。
现在描述第一优选实施例之工作实例2的表面声波器件，所述工作实例2中的数目N1被设定成小于数目N2，间距P1被设定成等于间距P2，与工作实例1的表面声波器件500具有相同的布置。针对工作实例1表面声波器件500的设计参数，将工作实例2的表面声波器件布置成：第一级纵向耦合谐振器型表面声波元件501的窄间距电极指部分519-522、第一级纵向耦合谐振器型表面声波元件503的窄间距电极指部分527-530、第二级纵向耦合谐振器型表面声波元件502的窄间距电极指部分523-526、第二级纵向耦合谐振器型表面声波元件504的窄间距电极指部分531-534的间距都设定成约为0.9454μm。
图11、12、13分别示出工作实例2之表面声波器件通频带附近的传输特性、阻抗特性和VSWR。图12和13中的参考标号S11代表输入侧，参考标号S22代表输出侧。
有如从图13可以清楚看到的，工作实例2表面声波器件的VSWR约为1.9。换句话说，在工作实例2的表面声波器件中，通过将数目N1设定成小于数目N2，并通过将间距P1设置得等于间距P2，可使VSWR小于2。于是，可以看出，通过设计，可以实现表面声波器件中的阻抗匹配。换句话说，通过将第一级纵向耦合谐振器型表面声波元件的窄间距电极指部分的电极指数目设定成，使得它不同于第二级纵向耦合谐振器型表面声波元件的窄间距电极指部分的电极指数目，可以实现表面声波器件中的阻抗匹配。
现在描述第一优选实施例之工作实例3的表面声波器件，工作实例3中的数目N1被设定成等于数目N2、间距P1被设定成小于间距P2、与工作实例1之表面声波器件有相同的布置。针对工作实例1的表面声波器件500的设计参数，将工作实例3的表面声波器件布置成：最好将IDT508和514的电极指数目设定成28；最好将第一级纵向耦合谐振器型表面声波元件501的窄间距电极指部分520和521以及第一级纵向耦合谐振器型表面声波元件503的窄间距电极指部分528和529的电极指数目设定成4；最好窄间距电极指部分520、521、528、和529的电极指间距设定成约为0.9423μm；并且，最好将第二级纵向耦合谐振器型表面声波元件502的窄间距电极指部分524和525，以及第二级纵向耦合谐振器型表面声波元件504的窄间距电极指部分532和533的间距设定成4，最好将窄间距电极指部分524、525、532、533的电极指间距设定成约为0.9564μm。
图14、15、16分别示出工作实例3之表面声波器件的通频带附近的传输特性、阻抗特性和VSWR。图15和16中的参考标号S11代表输入侧，参考标号S22代表输出侧。
有如从图16可以清楚看到的，工作实例3之表面声波器件的VSWR约为1.9。换句话说，在工作实例3的表面声波器件中，通过将数目N1设定得等于数目N2，并通过将间距P1设定成小于间距P2，可使VSWR小于2。于是，可以看出，通过设计，可以实现表面声波器件中的阻抗匹配。换句话说，通过把第一级纵向耦合谐振器型表面声波元件的窄间距电极指部分的电极指间距设定成，使得它不同于第二级纵向耦合谐振器型表面声波元件的窄间距电极指部分的电极指间距，可以实现表面声波器件中的阻抗匹配。
从工作实例1、2、3可以看出，把数目N1设定成小于数目N2，或者把间距P1设定成小于间距P2，是在表面声波器件中实现阻抗匹配的必要条件；最好同时满足这两个条件。
现在描述第一优选实施例之工作实例4的表面声波器件，工作实例4中的数目NA被设定成等于数目NB、并且与工作实例1的表面声波器件500有相同的布置。针对工作实例1之表面声波器件500的设计参数，将工作实例4的表面声波器件布置成：最好使第一级纵向耦合谐振器型表面声波元件501和503的IDT508和514的电极指数目NA，以及第二级纵向耦合谐振器型表面声波元件502和504的IDT511和517的电极指数目NB都被设定成约为28。
图17、18、19分别示出工作实例4之表面声波器件通频带附近的传输特性、阻抗特性和VSWR。图18和19中的参考标号S11代表输入侧，参考标号S22代表输出侧。
有如从图19可以清楚看到的，工作实例4之表面声波器件的VSWR约为1.8。换句话说，在工作实例4的表面声波器件中，即使数目NA等于数目NB，也能使VSWR小于2。于是，可以看出，通过设计，可以实现表面声波器件中的阻抗匹配。
现在描述第一优选实施例之工作实例5的表面声波器件，最好把工作实例5中的不平衡端与平衡端的阻抗比设定成约为1∶3，并与工作实例1的表面声波器件500有相同的布置.下面描述工作实例5之表面声波器件500的设计参数.因为工作实例5的表面声波器件本身的布置几乎与工作实例1相同，所以，这里使用与表面声波器件500所用相同的标号.
下面描述工作实例5之表面声波器件的第一级纵向耦合谐振器型表面声波元件501和503的详细设计。
交叉宽度：64μm
IDT(507和513/508和514/509和515)的电极指数目：23/28/23
窄间距电极指部分的电极指数目(519和527/520和528/521和529/522和530)：4/3/3/4
窄间距电极指部分(519和527/520和528/521和529/522和530)的间距P1：约0.9410μm。
下面描述工作实例5之表面声波器件的第二级纵向耦合谐振器型表面声波元件502和504的详细设计。
交叉宽度：64μm
IDT(510和516/511和517/512和518)的电极指数目：23/30/23
窄间距电极指部分的电极指数目(523和531/524和532/525和533/526和534)：4/5/5/4
窄间距电极指部分(523和531/524和532/525和533/526和534)的间距P2：约0.9460μm。
如以上所述，在工作实例5的表面声波器件中，最好把纵向耦合谐振器型表面声波元件501-504的交叉宽度、窄间距电极指部分519-522、527-530、523-526、531-534的电极指间距，以及窄间距电极指部分524、525、532、533的电极指的数目都设定成与工作实例1的表面声波器件不同的数值。
图20、21、21分别示出工作实例5之表面声波器件通频带附近的传输特性、阻抗特性和VSWR。图21和22中的参考标号S11代表输入侧，参考标号S22代表输出侧。
在工作实例5中，由于将数目N1设定成小于数目N2，间距P1设定成小于间距P2，所以可以减小VSWR。换言之，可以看出，在工作实例5中，通过设定数目N1，使之小于数目N2，并且通过设定P1，使之小于P2，同时，最好将所有的交叉宽度都设定成约为64μm，可以实现约为1∶3的阻抗比匹配，或者说约为1∶3的输入阻抗与输出阻抗之比的匹配。
在工作实例1-5中，虽然将各个IDT之间的间隔设定成周期连续的，但本发明不局限于此。在某些情况下，也可以将IDT之间的间隔设定成断续的。
如以上所述，在第一优选实施例中，把包含两个级联的纵向耦合谐振器型表面声波元件的一个表面声波器件布置成，使满足条件N1＜N2、或条件P1＜P2，或者最好同时满足两个条件N1＜N2和条件P1＜P2，其中N1和P1分别代表在输入(或输出)端一侧表面声波元件的窄间距电极指的数目和间距，N2和P2分别代表在输出(或输入)端一侧表面声波元件的窄间距电极指的数目和间距。于是，可以提供其中实现所期望之输入端与输出端的阻抗比的匹配。这里，并未对纵向耦合谐振器型表面声波元件的IDT数目做具体限制。
进而，将所述表面声波器件布置成，使NA小于NB，其中的NA代表连接到输入(或输出)端一侧之IDT的电极指数目，NB代表连接到输出(或输入)端一侧之IDT的电极指数目尤好.从而，能够给出实现具有另一种所期望的输入端与输出端阻抗比匹配的表面声波器件.
由于可使输入端与输出端的阻抗比匹配，而又不必添加电感元件或其它元件，所以可使上述表面声波器件微型化。
另外，在第一优选实施例中，虽然最好使表面声波器件的中央叉指式换能器的电极指数目为偶数，但是，中央叉指式换能器的电极指数目也可以是奇数，如图23所示。
另外，在第一优选实施例中，表面声波器件最好包括两个两级的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器元件，每个纵向耦合谐振器型表面声波元件设有第一级纵向耦合谐振器型表面声波元件和第二级纵向耦合谐振器型表面声波元件。然而，通过将第一级纵向耦合谐振器型表面声波元件的窄间距电极指部分的电极指的数目或间距设定成，使它不同于第二级纵向耦合谐振器型表面声波元件的窄间距电极指部分的电极指的数目或间距；或者通过把第一级纵向耦合谐振器型表面声波元件的窄间距电极指部分的电极指的数目和间距设定成，使它不同于第二级纵向耦合谐振器型表面声波元件的窄间距电极指部分的电极指的数目和间距，就可以在如图24和25所示的包含第一级纵向耦合谐振器型表面声波元件和第二级纵向耦合谐振器型表面声波元件的表面声波器件中实现阻抗匹配。
第二优选实施例
以下参照图26-33描述本发明的第二优选实施例。作为一个例子，第二优选实施例描述码分多址(CDMA)800的接收滤波器。所述CDMA800接收滤波器的通频带所需的频率范围在869MHz与894MHz之间。
参照图26，本发明第二优选实施例的表面声波器件600包括设在压电基板(未示出)上的纵向耦合谐振器型表面声波滤波器元件(第一纵向耦合谐振器型表面声波滤波器元件)605和纵向耦合谐振器型表面声波滤波器元件(第二纵向耦合谐振器型表面声波滤波器元件)606。最好由铝电极形成所述纵向耦合谐振器型表面声波滤波器元件605和606。在第二优选实施例中，最好使用X方向传播、Y向切角为40°±5°的LiTaO3基板作为压电基板。
所述纵向耦合谐振器型表面声波滤波器元件605包含纵向耦合谐振器型表面声波元件(第一级纵向耦合谐振器型表面声波元件)601和纵向耦合谐振器型表面声波元件(第二级纵向耦合谐振器型表面声波元件)602，以及表面声波谐振器642。
所述纵向耦合谐振器型表面声波元件601包含设有多个电极指的叉指式换能器IDT608，被布置成夹持IDT608的IDT607和609，并且在IDT607-609的左侧和右侧设置反射器635。另如图26所示，在相邻的IDT607和608之间，以及相邻的IDT608和609之间的某些电极指的间距，换句话说也就是窄间距电极指部分619、620、621、和622的间距小于每个IDT607-609的其它部分的间距。
类似地，所述纵向耦合谐振器型表面声波元件602包含IDT611、被布置成夹持IDT611的IDT610和612，并且在IDT610-612的左侧和右侧设置反射器636。另如图26所示，在相邻的IDT610和611之间，以及相邻的IDT611和612之间的某些电极指的间距，换句话说也就是窄间距电极指部分623、624、625、和626的间距小于每个IDT610-612的其它部分的间距。所述纵向耦合谐振器型表面声波元件602的输入信号和输出信号的相位关系与所述纵向耦合谐振器型表面声波元件601的输入信号和输出信号的相位关系近似相同。
所述表面声波谐振器642包含一个IDT和设置在这IDT的左侧和右侧的反射器。
在所述纵向耦合谐振器型表面声波滤波器元件605中，把表面声波谐振器642布置在纵向耦合谐振器型表面声波元件601和纵向耦合谐振器型表面声波元件602之间。具体地说，使表面声波谐振器642与纵向耦合谐振器型表面声波元件601的IDT607以及纵向耦合谐振器型表面声波元件602的IDT610级联，并且与纵向耦合谐振器型表面声波元件601的IDT609以及纵向耦合谐振器型表面声波元件602的IDT612级联。换句话说，所述纵向耦合谐振器型表面声波滤波器元件605是一个两级连接的表面声波滤波器。
所述纵向耦合谐振器型表面声波滤波器元件606包含纵向耦合谐振器型表面声波元件(第一级纵向耦合谐振器型表面声波元件)603和纵向耦合谐振器型表面声波元件(第二级纵向耦合谐振器型表面声波元件)604，以及表面声波谐振器643。
所述纵向耦合谐振器型表面声波元件603包含IDT614、被布置成夹持IDT614的IDT613和615，并且在IDT613-615的左侧和右侧设置反射器637。另如图26所示，在相邻的IDT613和614之间，以及相邻的IDT614和615之间的某些电极指的间距，换句话说也就是窄间距电极指部分627、628、629、和630的间距小于每个IDT613-615的其它部分的间距。使所述纵向耦合谐振器型表面声波元件603的输入信号和输出信号的相位关系与纵向耦合谐振器型表面声波元件601的输入信号和输出信号的相位关系近似相同。
所述纵向耦合谐振器型表面声波元件604包含IDT617、被布置成夹持IDT617的IDT616和618，并且在IDT616-618的左侧和右侧设置反射器638。另如图26所示，在相邻的IDT616和617之间，以及相邻的IDT617和618之间的某些电极指的间距，换句话说也就是窄间距电极指部分631、632、633、和634的间距小于每个IDT616-618的其它部分的间距。将IDT616-618布置成，使所述纵向耦合谐振器型表面声波元件604的输入信号和输出信号的相位关系与纵向耦合谐振器型表面声波元件601的输入信号和输出信号的相位关系不同，二者相差近似180°。
所述表面声波谐振器643包括一个IDT和设置在这IDT的左侧和右侧的反射器。
在所述纵向耦合谐振器型表面声波滤波器元件606中，将表面声波谐振器643布置在纵向耦合谐振器型表面声波元件603与纵向耦合谐振器型表面声波元件604之间。具体地说，使表面声波谐振器643与纵向耦合谐振器型表面声波元件603的IDT613以及纵向耦合谐振器型表面声波元件604的IDT616级联，并且与纵向耦合谐振器型表面声波元件603的IDT615以及纵向耦合谐振器型表面声波元件604的IDT618级联。换句话说，所述纵向耦合谐振器型表面声波滤波器元件606是一个两级连接的表面声波滤波器。
纵向耦合谐振器型表面声波滤波器元件605的IDT608以及纵向耦合谐振器型表面声波滤波器元件606的IDT614并联连接到不平衡信号端(输入端)639。另外，纵向耦合谐振器型表面声波滤波器元件605的IDT611以及纵向耦合谐振器型表面声波滤波器元件606的IDT617分别连接到平衡信号端(输出端)640和641。
为使说明简单，图26中的电极指的数目比实际的要小。
现在，将描述本发明的第二优选实施例之工作实例6的表面声波器件600中第一级纵向耦合谐振器型表面声波元件601和603，以及第二级纵向耦合谐振器型表面声波元件602和604，还有表面声波谐振器642和643详细设计的实例。
下面描述第一级纵向耦合谐振器型表面声波元件601和603的详细设计。
交叉宽度：150μm
IDT(607和613/608和614/609和615)的电极指数目：27/31/27
窄间距电极指部分的电极指数目(619和627/620和628/621和629/22和630)：4/3/3/4
窄间距电极指部分(619和627/620和628/621和629/622和630)的间距P1：约2.0258μm。
下面描述第二级纵向耦合谐振器型表面声波元件602和604的详细设计。
交叉宽度：150μm
IDT(610和616/611和617/612和618)的电极指数目：27/39/27
窄间距电极指部分的电极指数目(623和631/624和632/625和633/626和634)：4/5/5/4
窄间距电极指部分(623和631/624和632/625和633/626和634)的间距P2：约2.0732μm。
将IDT之间的间隔设定成周期连续的。
下面描述表面声波谐振器642和643的详细设计。
交叉宽度：70μm
IDT的电极指数目：231
IDT的电极指的间距：约2.2078μm。
另外，在工作实例6的表面声波器件中，按照上述的设计参数，最好将输入阻抗设定成约为50Ω，将输出阻抗设定成约为100Ω。换句话说，将输入阻抗与输出阻抗之比设定成1∶2。另外，在工作实例6的表面声波器件中，所述纵向耦合谐振器型表面声波元件601和603的中央叉指式换能器608和614的电极指数目NA分别不同于纵向耦合谐振器型表面声波元件602和604的中央叉指式换能器611和617的电极指数目NB(工作实例6中将数目NA设定成小于数目NB)。
图27、28、29分别示出工作实例6之表面声波器件通频带附近的传输特性、阻抗特性和VSWR。图28和29中的参考标号S11代表输入侧，参考标号S22代表输出侧。
有如从图27具体可以看到的，实现了保征高于通频带的区域的衰减并且衰减的变化是突然发生的特性。另外，如从图28可以看到的，不平衡信号端与平衡信号端的阻抗比的关系约为1∶2。进而，如从图29可以看到的，实现了优异的约为1.7的VSWR。
下面参照图30-32描述表面声波谐振器642和643的效果。图30-32中的曲线示出表面声波器件的特性，其中从工作实例6的表面声波器件中省去表面声波谐振器642和643，将这个表面声波器件布置成与工作实例1的表面声波器件类似。图30、31、32分别示出表面声波器件通频带附近的传输特性、阻抗特性和VSWR。图31和32中的参考标号S11代表输入侧，参考标号S22代表输出侧。另外，图30中示出表面声波谐振器642和643的频率特性。
从图31和32可以看出，不平衡信号端与平衡信号端的阻抗比约为1∶2，即使不提供表面声波谐振器642和643的情况下，亦是如此.如图30所示，将表面声波谐振器642和643设计成具有在915MHz附近抗谐振的频率特性.换言之，由于表面声波谐振器642和643的这种频率特性，所以在工作实例6的表面声波器件中，可以实现在915MHz附近有优异衰减性能的特性.
如以上所述，在第二优选实施例中，将包含两个级联的纵向耦合谐振器型表面声波元件的一个表面声波器件布置成，满足条件N1＜N2、或条件P1＜P2，或者最好同时满足两个条件N1＜N2和条件P1＜P2，其中N1和P1分别代表在输入(或输出)端一侧表面声波元件的窄间距电极指的数目和间距，N2和P2分别代表在输出(或输入)端一侧表面声波元件的窄间距电极指的数目和间距。于是，可以实现给出所期望之输入端与输出端的阻抗比匹配，并给出优异的通频带外衰减性能的匹配的表面声波器件。这里，对于纵向耦合谐振器型表面声波元件的IDT数目没有具体限制。
进而，将所述表面声波器件布置成使NA小于NB尤好，这里，NA代表连接到输入(或输出)端一侧的IDT的电极指数目，NB代表连接到输出(或输入)端一侧的IDT的电极指数目。于是，可以实现给出具有另一种所期望之输入端与输出端的阻抗比匹配的表面声波器件。
另外，由于可以使输入端与输出端的阻抗比匹配，而又不必添加电感元件或其它元件，所以，能够使上述表面声波器件微型化。
虽然在第二优选实施例的表面声波器件中，使用包含一个IDT的表面声波谐振器，但是在表面声波器件中可以使用包含两个或多个IDT的表面声波谐振器，如图33所示那样。在使用包含两个或三个IDT的表面声波谐振器的表面声波器件中，也能实现阻抗匹配。
以下参照图34描述包含上述本发明各优选实施例表面声波器件的通信设备1300。所述通信设备1300作为接收器一侧(Rx侧)包括：天线1301、天线双工器/射频高端滤波器1302、放大器1303、接收器侧级间滤波器1304、混频器1305、第一中频滤波器1306、混频器1307、第二中频滤波器1308、第一和第二本地综合器1311、温度补偿晶体振荡器(TCXO)1312、除法器1313和本地滤波器1314。
如图34中的双线所示，为了平衡，首选平衡信号从接收器侧级间滤波器1304传送到混频器1305。
通信设备1300作为发送器一侧(Tx侧)包括：发送器侧中频滤波器1321、混频器1322、发送器侧级间滤波器1323、放大器1324、耦合器1325、隔离器1326和自动功率控制(APC)1327，此外还包括共享的天线1301和天线双工器/射频高端滤波器1302。
上述各优选实施例中任何一种表面声波器件都可适用于接收器侧滤波器1304、第一中频滤波器1306、发送器侧中频滤波器1321和发送器侧级间滤波器。
本发明各优选实施例的表面声波器件具有能够给出阻抗匹配的优异特性。于是，本发明另一种优选实施例的包含上述表面声波器件的通信设备能够改善传输特性。
本发明不限于上述每个优选实施例。在权利要求书的范围内可以作出各种变化和改型。在本发明的技术范围内，还可以包括适当组合不同实施例中公开的技术装置所得到的实施方案。

Claims (36)

1.一种表面声波器件，包括：
第一纵向耦合谐振器型表面声波元件，它包含沿表面声波传输方向布置的至少3个叉指式换能器，每个叉指式换能器提供有多个电极指；
第二纵向耦合谐振器型表面声波元件，它包含沿表面声波传输方向布置的至少3个叉指式换能器，每个叉指式换能器提供有多个电极指，第一纵向耦合谐振器型表面声波元件和第二纵向耦合谐振器型表面声波元件相互级联，并设置在一个压电基板上；其中
第一纵向耦合谐振器型表面声波元件和第二纵向耦合谐振器型表面声波元件当中每一个的至少一个叉指式换能器在相邻的叉指式换能器附近具有一个窄间距电极指部分，该窄间距电极指部分的电极指的间距小于其它电极指的间距；
第一纵向耦合谐振器型表面声波元件的窄间距电极指部分的电极指的数目和间距不同于第二纵向耦合谐振器型表面声波元件的窄间距电极指部分的电极指的数目和间距。
2.根据权利要求1所述的表面声波器件，其中，所述第一和第二纵向耦合谐振器型表面声波元件当中的每一个都包含3个叉指式换能器；第一纵向耦合谐振器型表面声波元件之中央叉指式换能器的电极指数目不同于第二纵向耦合谐振器型表面声波元件之中央叉指式换能器的电极指的数目。
3.根据权利要求1所述的表面声波器件，其中，至少一个所述表面声波谐振器级联在第一纵向耦合谐振器型表面声波元件与第二纵向耦合谐振器型表面声波元件之间。
4.根据权利要求1所述的表面声波器件，其中，所述输入阻抗与输出阻抗之比为1∶2或1∶3，或者输出阻抗与输入阻抗之比为1∶2或1∶3。
5.根据权利要求1所述的表面声波器件，其中，提供平衡-不平衡变换功能。
6.一种通信设备，其中，包含权利要求1所述的表面声波器件。
7.一种表面声波器件，包括：
第一纵向耦合谐振器型表面声波元件，它包含沿表面声波传输方向布置的至少3个叉指式换能器，每个叉指式换能器提供有多个电极指；
第二纵向耦合谐振器型表面声波元件，它包含沿表面声波传输方向布置的至少3个叉指式换能器，每个叉指式换能器提供有多个电极指，第一纵向耦合谐振器型表面声波元件和第二纵向耦合谐振器型表面声波元件相互级联，并设置在一个压电基板上；其中
第一纵向耦合谐振器型表面声波元件和第二纵向耦合谐振器型表面声波元件当中每一个的至少一个叉指式换能器在相邻的叉指式换能器附近具有一个窄间距电极指部分，该窄间距电极指部分的电极指的间距小于其它电极指的间距；
N1不等于N2，这里的N1代表第一纵向耦合谐振器型表面声波元件的窄间距电极指部分的电极指的数目，N2代表第二纵向耦合谐振器型表面声波元件的窄间距电极指部分的电极指的数目。
8.根据权利要求7所述的表面声波器件，其中，所述第一和第二纵向耦合谐振器型表面声波元件当中的每一个都包含3个叉指式换能器；第一纵向耦合谐振器型表面声波元件之中央叉指式换能器的电极指数目不同于第二纵向耦合谐振器型表面声波元件之中央叉指式换能器的电极指的数目。
9.根据权利要求7所述的表面声波器件，其中，至少一个所述表面声波谐振器级联在第一纵向耦合谐振器型表面声波元件与第二纵向耦合谐振器型表面声波元件之间。
10.根据权利要求7所述的表面声波器件，其中，所述输入阻抗与输出阻抗之比为1∶2或1∶3，或者输出阻抗与输入阻抗之比为1∶2或1∶3。
11.根据权利要求7所述的表面声波器件，其中，提供平衡-不平衡变换功能。
12.一种通信设备，其中，包含权利要求7所述的表面声波器件。
13.一种表面声波器件，包括：
第一纵向耦合谐振器型表面声波元件，它包含沿表面声波传输方向布置的至少3个叉指式换能器，每个叉指式换能器提供有多个电极指；
第二纵向耦合谐振器型表面声波元件，它包含沿表面声波传输方向布置的至少3个叉指式换能器，每个叉指式换能器提供有多个电极指；第一纵向耦合谐振器型表面声波元件和第二纵向耦合谐振器型表面声波元件相互级联，并设置在一个压电基板上；其中
第一纵向耦合谐振器型表面声波元件和第二纵向耦合谐振器型表面声波元件当中每一个的至少一个叉指式换能器在相邻的叉指式换能器附近具有一个窄间距电极指部分，该窄间距电极指部分的电极指的间距小于其它电极指的间距；
P1不等于P2，这里的P1代表第一纵向耦合谐振器型表面声波元件的窄间距电极指部分的电极指的间距，P2代表第二纵向耦合谐振器型表面声波元件的窄间距电极指部分的电极指的间距。
14.根据权利要求13所述的表面声波器件，其中，所述第一和第二纵向耦合谐振器型表面声波元件当中的每一个都包括3个叉指式换能器；第一纵向耦合谐振器型表面声波元件之中央叉指式换能器的电极指数目不同于第二纵向耦合谐振器型表面声波元件之中央叉指式换能器的电极指的数目。
15.根据权利要求13所述的表面声波器件，其中，至少一个所述表面声波谐振器级联在第一纵向耦合谐振器型表面声波元件与第二纵向耦合谐振器型表面声波元件之间。
16.根据权利要求13所述的表面声波器件，其中，所述输入阻抗与输出阻抗之比为1∶2或1∶3，或者输出阻抗与输入阻抗之比为1∶2或1∶3。
17.根据权利要求13所述的表面声波器件，其中，提供平衡-不平衡变换功能。
18.一种通信设备，其中，包含权利要求13所述的表面声波器件。
19.一种表面声波器件，包括：
第一表面声波滤波器元件，第一表面声波滤波器元件包含：第一纵向耦合谐振器型表面声波元件，它设有沿表面声波传输方向布置的至少3个叉指式换能器，每个叉指式换能器提供有多个电极指；第二纵向耦合谐振器型表面声波元件，它设有沿表面声波传输方向布置的至少3个叉指式换能器，每个叉指式换能器提供有多个电极指；第一纵向耦合谐振器型表面声波元件和第二纵向耦合谐振器型表面声波元件相互级联，并设置在一个压电基板上；和
第二表面声波滤波器元件，第二表面声波滤波器元件包含：第三纵向耦合谐振器型表面声波元件，它设有沿表面声波传输方向布置的至少3个叉指式换能器，每个叉指式换能器提供有多个电极指；第四纵向耦合谐振器型表面声波元件，它设有沿表面声波传输方向布置的至少3个叉指式换能器，每个叉指式换能器提供有多个电极指；第三纵向耦合谐振器型表面声波元件和第四纵向耦合谐振器型表面声波元件相互级联，并设置在所述压电基板上；第二纵向耦合谐振器型表面声波元件的输入和输出信号的相位与第一纵向耦合谐振器型表面声波元件的输入和输出信号的相位相差180°；第一表面声波滤波器元件的一端与第二表面声波滤波器元件的一端以并联方式电连接，第一表面声波滤波器元件的另一端与第二表面声波滤波器元件的另一端以串联方式电连接，其中
所述第一、第二、第三和第四纵向耦合谐振器型表面声波元件当中每一个的至少一个叉指式换能器在相邻的叉指式换能器附近具有一个窄间距电极指部分，该窄间距电极指部分的电极指的间距小于其它电极指的间距；
第一纵向耦合谐振器型表面声波元件的窄间距电极指部分的电极指的数目和间距不同于第二纵向耦合谐振器型表面声波元件的窄间距电极指部分的电极指的数目和间距；
第三纵向耦合谐振器型表面声波元件的窄间距电极指部分的电极指的数目和间距不同于第四纵向耦合谐振器型表面声波元件的窄间距电极指部分的电极指的数目和间距。
20.根据权利要求19所述的表面声波器件，其中，所述第一、第二、第三和第四纵向耦合谐振器型表面声波元件当中的每一个都包括3个叉指式换能器；第一纵向耦合谐振器型表面声波元件的中央叉指式换能器的电极指数目不同于第二纵向耦合谐振器型表面声波元件的中央叉指式换能器的电极指的数目；第三纵向耦合谐振器型表面声波元件的中央叉指式换能器的电极指数目不同于第四纵向耦合谐振器型表面声波元件的中央叉指式换能器的电极指的数目。
21.根据权利要求19所述的表面声波器件，其中，至少一个所述表面声波谐振器级联在第一纵向耦合谐振器型表面声波元件与第二纵向耦合谐振器型表面声波元件之间，并且级联在第三纵向耦合谐振器型表面声波元件与第四纵向耦合谐振器型表面声波元件之间。
22.根据权利要求19所述的表面声波器件，其中，所述输入阻抗与输出阻抗之比为1∶2或1∶3，或者输出阻抗与输入阻抗之比为1∶2或1∶3。
23.根据权利要求19所述的表面声波器件，其中，提供平衡-不平衡变换功能。
24.一种通信设备，其中，包含权利要求19所述的表面声波器件。
25.一种表面声波器件，包括：
第一表面声波滤波器元件，第一表面声波滤波器元件包含：第一纵向耦合谐振器型表面声波元件，它设有沿表面声波传输方向布置的至少3个叉指式换能器，每个叉指式换能器提供有多个电极指；第二纵向耦合谐振器型表面声波元件，它设有沿表面声波传输方向布置的至少3个叉指式换能器，每个叉指式换能器提供有多个电极指；第一纵向耦合谐振器型表面声波元件和第二纵向耦合谐振器型表面声波元件相互级联，并设置在一个压电基板上；
第二表面声波滤波器元件，第二表面声波滤波器元件包含：第三纵向耦合谐振器型表面声波元件，它设有沿表面声波传输方向布置的至少3个叉指式换能器，每个叉指式换能器提供有多个电极指；第四纵向耦合谐振器型表面声波元件，它设有沿表面声波传输方向布置的至少3个叉指式换能器，每个叉指式换能器提供有多个电极指；第三纵向耦合谐振器型表面声波元件和第四纵向耦合谐振器型表面声波元件相互级联，并设置在所述压电基板上；第二纵向耦合谐振器型表面声波元件的输入和输出信号的相位与第一纵向耦合谐振器型表面声波元件的输入和输出信号的相位相差180°；第一表面声波滤波器元件的一端与第二表面声波滤波器元件的一端以并联方式电连接，第一表面声波滤波器元件的另一端与第二表面声波滤波器元件的另一端以串联方式电连接；其中
所述第一、第二、第三和第四纵向耦合谐振器型表面声波元件当中每一个的至少一个叉指式换能器在相邻的叉指式换能器附近具有一个窄间距电极指部分，该窄间距电极指部分的电极指的间距小于其它电极指的间距；
第一纵向耦合谐振器型表面声波元件的窄间距电极指部分的电极指的数目不同于第二纵向耦合谐振器型表面声波元件的窄间距电极指部分的电极指的数目；
第三纵向耦合谐振器型表面声波元件的窄间距电极指部分的电极指的数目不同于第四纵向耦合谐振器型表面声波元件的窄间距电极指部分的电极指的数目。
26.根据权利要求25所述的表面声波器件，其中，所述第一、第二、第三和第四纵向耦合谐振器型表面声波元件当中的每一个都包括3个叉指式换能器；第一纵向耦合谐振器型表面声波元件的中央叉指式换能器的电极指数目不同于第二纵向耦合谐振器型表面声波元件的中央叉指式换能器的电极指的数目；第三纵向耦合谐振器型表面声波元件的中央叉指式换能器的电极指数目不同于第四纵向耦合谐振器型表面声波元件的中央叉指式换能器的电极指的数目。
27.根据权利要求25所述的表面声波器件，其中，至少一个所述表面声波谐振器级联在第一纵向耦合谐振器型表面声波元件与第二纵向耦合谐振器型表面声波元件之间，并且级联在第三纵向耦合谐振器型表面声波元件与第四纵向耦合谐振器型表面声波元件之间。
28.根据权利要求25所述的表面声波器件，其中，所述输入阻抗与输出阻抗之比为1∶2或1∶3，或者输出阻抗与输入阻抗之比为1∶2或1∶3。
29.根据权利要求25所述的表面声波器件，其中，提供平衡-不平衡变换功能。
30.一种通信设备，其中，包含权利要求25所述的表面声波器件。
31.一种表面声波器件，包括：
第一表面声波滤波器元件，第一表面声波滤波器元件包含：第一纵向耦合谐振器型表面声波元件，它设有沿表面声波传输方向布置的至少3个叉指式换能器，每个叉指式换能器提供有多个电极指；第二纵向耦合谐振器型表面声波元件，它设有沿表面声波传输方向布置的至少3个叉指式换能器，每个叉指式换能器提供有多个电极指；第一纵向耦合谐振器型表面声波元件和第二纵向耦合谐振器型表面声波元件相互级联，并设置在一个压电基板上；
第二表面声波滤波器元件，第二表面声波滤波器元件包含：第三纵向耦合谐振器型表面声波元件，它设有沿表面声波传输方向布置的至少3个叉指式换能器，每个叉指式换能器提供有多个电极指；第四纵向耦合谐振器型表面声波元件，它设有沿表面声波传输方向布置的至少3个叉指式换能器，每个叉指式换能器提供有多个电极指；第三纵向耦合谐振器型表面声波元件和第四纵向耦合谐振器型表面声波元件相互级联，并设置在所述压电基板上；第二纵向耦合谐振器型表面声波元件的输入和输出信号的相位与第一纵向耦合谐振器型表面声波元件的输入和输出信号的相位相差180°；第一表面声波滤波器元件的一端与第二表面声波滤波器元件的一端以并联方式电连接，第一表面声波滤波器元件的另一端与第二表面声波滤波器元件的另一端以串联方式电连接；其中
所述第一、第二、第三和第四纵向耦合谐振器型表面声波元件当中每一个的至少一个叉指式换能器在相邻的叉指式换能器附近具有一个窄间距电极指部分，该窄间距电极指部分的电极指的间距小于其它电极指的间距；
第一纵向耦合谐振器型表面声波元件的窄间距电极指部分的电极指的间距不同于第二纵向耦合谐振器型表面声波元件的窄间距电极指部分的电极指的间距；
第三纵向耦合谐振器型表面声波元件的窄间距电极指部分的电极指的间距不同于第四纵向耦合谐振器型表面声波元件的窄间距电极指部分的电极指的间距。
32.根据权利要求31所述的表面声波器件，其中，所述第一、第二、第三和第四纵向耦合谐振器型表面声波元件当中的每一个都包括3个叉指式换能器；第一纵向耦合谐振器型表面声波元件的中央叉指式换能器的电极指数目不同于第二纵向耦合谐振器型表面声波元件的中央叉指式换能器的电极指的数目；第三纵向耦合谐振器型表面声波元件的中央叉指式换能器的电极指数目不同于第四纵向耦合谐振器型表面声波元件的中央叉指式换能器的电极指的数目。
33.根据权利要求31所述的表面声波器件，其中，至少一个所述表面声波谐振器级联在第一纵向耦合谐振器型表面声波元件与第二纵向耦合谐振器型表面声波元件之间，并且级联在第三纵向耦合谐振器型表面声波元件与第四纵向耦合谐振器型表面声波元件之间。
34.根据权利要求31所述的表面声波器件，其中，所述输入阻抗与输出阻抗之比为1∶2或1∶3，或者输出阻抗与输入阻抗之比为1∶2或1∶3。
35.根据权利要求31所述的表面声波器件，其中，提供平衡-不平衡变换功能。
36.一种通信设备，其中，包含权利要求31所述的表面声波器件。
CN2004100078445A 2003-04-10 2004-03-04 表面声波器件和使用表面声波器件的通信设备 Expired - Lifetime CN1536766B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003-106002 2003-04-10
JP2003106002A JP3985717B2 (ja) 2003-04-10 2003-04-10 弾性表面波装置およびそれを用いた通信装置
JP2003106002 2003-04-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1536766A CN1536766A (zh) 2004-10-13
CN1536766B true CN1536766B (zh) 2010-05-12

Family

ID=32866758

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2004100078445A Expired - Lifetime CN1536766B (zh) 2003-04-10 2004-03-04 表面声波器件和使用表面声波器件的通信设备

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7005948B2 (zh)
EP (1) EP1467485B1 (zh)
JP (1) JP3985717B2 (zh)
KR (1) KR100598434B1 (zh)
CN (1) CN1536766B (zh)
AT (1) ATE406691T1 (zh)
DE (1) DE602004016071D1 (zh)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100499368C (zh) * 2004-08-23 2009-06-10 株式会社村田制作所 平衡型声表面波滤波器
JP4069917B2 (ja) 2004-09-15 2008-04-02 株式会社村田製作所 バランス型弾性表面波フィルタ
JPWO2006095570A1 (ja) * 2005-03-11 2008-08-14 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ装置
ATE543254T1 (de) * 2006-04-06 2012-02-15 Murata Manufacturing Co Duplexer
CN101529722B (zh) * 2006-10-31 2012-05-30 株式会社村田制作所 弹性表面波滤波器装置及双工器
DE112009002361B4 (de) * 2008-09-24 2016-07-21 Murata Manufacturing Co., Ltd. Filtervorrichtung für elastische Wellen
JP5933355B2 (ja) * 2012-06-12 2016-06-08 太陽誘電株式会社 フィルタ及びデュプレクサ
JP5796604B2 (ja) 2013-06-13 2015-10-21 株式会社村田製作所 分波装置
CN104467734B (zh) * 2014-11-07 2017-10-20 深圳华远微电科技有限公司 Gps和bds用声表面波滤波器及其小型化封装工艺
DE102015116223B4 (de) * 2015-09-25 2019-05-09 Snaptrack, Inc. SAW-Filter mit unterdrückter Scher-Mode
CN105406834B (zh) * 2015-11-19 2017-12-01 北京中讯四方科技股份有限公司 一种基于电容加权的扇形单相单向换能器声表滤波器
JP6625579B2 (ja) * 2017-03-21 2019-12-25 太陽誘電株式会社 弾性波フィルタ

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1338820A (zh) * 2000-06-26 2002-03-06 株式会社村田制作所 纵向耦合谐振器型的声表面波滤波器
CN1340916A (zh) * 2000-07-25 2002-03-20 株式会社村田制作所 纵向连接谐振器型的声表面波滤波器

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3239064B2 (ja) 1996-05-28 2001-12-17 富士通株式会社 弾性表面波装置
JP3186604B2 (ja) 1996-10-09 2001-07-11 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ装置
JP2001144574A (ja) 1999-11-11 2001-05-25 Toyo Commun Equip Co Ltd 入出力インピーダンスを異にした弾性表面波フィルタ
JP4415360B2 (ja) 2000-01-28 2010-02-17 エプソントヨコム株式会社 縦結合弾性表面波フィルタ
JP3419402B2 (ja) * 2001-04-16 2003-06-23 株式会社村田製作所 弾性表面波装置、通信装置
JP3391346B2 (ja) * 2000-04-18 2003-03-31 株式会社村田製作所 縦結合共振子型弾性表面波フィルタ
JP3435640B2 (ja) * 2000-05-22 2003-08-11 株式会社村田製作所 縦結合共振子型弾性表面波フィルタ
JP2003087081A (ja) 2001-09-07 2003-03-20 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置
US6815868B2 (en) 2001-04-09 2004-11-09 Murata Manufacturing Co., Ltd. Surface acoustic wave apparatus and communication unit
JP3509771B2 (ja) 2001-04-18 2004-03-22 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ装置、通信装置
JP3873802B2 (ja) * 2001-06-12 2007-01-31 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ
JP3826816B2 (ja) * 2001-08-29 2006-09-27 株式会社村田製作所 弾性表面波装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1338820A (zh) * 2000-06-26 2002-03-06 株式会社村田制作所 纵向耦合谐振器型的声表面波滤波器
CN1340916A (zh) * 2000-07-25 2002-03-20 株式会社村田制作所 纵向连接谐振器型的声表面波滤波器

Also Published As

Publication number Publication date
KR100598434B1 (ko) 2006-07-11
KR20040089551A (ko) 2004-10-21
EP1467485A3 (en) 2005-09-07
ATE406691T1 (de) 2008-09-15
EP1467485A2 (en) 2004-10-13
DE602004016071D1 (de) 2008-10-09
US20040201435A1 (en) 2004-10-14
JP3985717B2 (ja) 2007-10-03
JP2004312576A (ja) 2004-11-04
US7005948B2 (en) 2006-02-28
CN1536766A (zh) 2004-10-13
EP1467485B1 (en) 2008-08-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7194247B2 (en) Dual-channel passband filtering system using acoustic resonators in lattice topology
US6713940B2 (en) Surface acoustic wave device
EP2015451B1 (en) Duplexer
US7986200B2 (en) Acoustic wave filter including first and second multimode filters with different aperture lengths
US20010028286A1 (en) Surface acoustic wave device
US20010013815A1 (en) Surface acoustic wave filter device
CN1536766B (zh) 表面声波器件和使用表面声波器件的通信设备
KR100898480B1 (ko) 필터
KR19980032698A (ko) 탄성표면파 필터 장치
US6753641B2 (en) Surface acoustic wave device and communication device
KR102059739B1 (ko) 멀티플렉서, 송신 장치 및 수신 장치
US9374123B2 (en) Device, module and circuit assembly for wireless communications, and configured for interference suppression via use of first and second phase shifters, a band stop filter and/or a diversity duplexer circuit
US6756867B2 (en) Surface acoustic wave filter and communication apparatus
US11863162B2 (en) Filter, multiplexer, radio frequency front-end circuit, and communication device
US20030137365A1 (en) Surface acoustic wave device and communication apparatus including the same
KR100485734B1 (ko) 탄성표면파 장치 및 통신 장치
CN107911096B (zh) 具有利用表面声波进行操作的四个滤波器的芯片
US11901879B2 (en) Multiplexer, radio-frequency front end circuit, and communication device
US11121700B2 (en) Filter and multiplexer

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CX01 Expiry of patent term
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20100512