背景技术
已知的薄膜晶体管液晶显示器(TFT LCD)技术目前分为非晶硅薄膜晶体管(α-Si TFT)与多晶硅薄膜晶体管(Poly-Si TFT)二种,一般所称的薄膜晶体管液晶显示器(TFT LCD)是指非晶硅薄膜晶体管(α-Si TFT),目前技术成熟,为液晶显示器(LCD)的主流产品。而低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)与非晶硅薄膜晶体管(α-Si TFT)最大的差异在于低温多晶硅(LTPS)的晶体管需进一步接受激光回火的制作步骤,将非晶硅薄膜晶体管(α-SiTFT)的薄膜转变为多晶硅薄膜层,使得低温多晶硅(LTPS)在硅晶结构上较非晶硅薄膜晶体管(α-Si TFT)的排列更有序,因此可以提高电子传导速率达到200cm2/V-sec。低温多晶硅(LTPS)技术可使元件做得更小,使整体TFT元件面积缩小50%以上;并提升开口率(aperture ratio),相对于α-Si TFT LCD在相同尺寸下可以制造出更高的分辨率,且降低功率的消耗。此外,低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)还具备省电、亮度高、画面精细、轻薄及接点少(小于200个接点,增加了合格率,α-Si TFT需大于3842个接点)等优点。
然而,由于低温多晶硅(LTPS)制作中所制造的薄膜晶体管须经一激光回火的过程,往往造成薄膜晶体管的起始电压(ThresholdVoltage)及漂移率(Mobility)会有所变化,使得每一个薄膜晶体管(TFT)元件的特性会有所不同,所以,当驱动系统使用模拟(analog)调变方式以表现灰阶时,常因为薄膜晶体管(TFT)在接受激光回火的制作步骤后有不同特性,即使写入相同的电压讯号,但不同像素的有机发光二极管却产生不同的电流,而发出不同大小的亮度。此现象会使有机发光二极管面板显示出灰阶错误的影像,严重破坏影像均匀性(Image Uniformity)。
又美国专利US5684365的“有机电致发光元件的薄膜显示器”,其提出一种由两个薄膜晶体管及一个电容所组成的像素电路,当此像素装置在扫描影像数据时,该开关单元呈现导通状态,此时影像数据由数据线进入开关单元里,经扫描线扫描后,而存于储存单元内(亦是开关单元导通后对储存单元充电),储存单元的电压差会提供作为驱动单元的Vsg(源极、栅极电压差),使该驱动单元输出电流到有机电激发光元件,而有机电激发光元件所发出的亮度正比于流经该元件的电流大小。然而,此种像素装置若驱动单元的元件特性因制作过程限制而出现变异时,便会造成有机电激发光元件发光不均匀,而破坏影像均匀性。
所以,为改善显示器影像均匀性的问题,便有业者发展出数字式的驱动架构,并通过时间比例(Time Ratio)调变方式来表现灰阶,其动作原理是通过控制薄膜晶体管(TFT)的导通(ON)与截止(OFF),来控制有机发光二极管(OLED)的发亮与不发亮,并通过OLED的发亮时间占帧时间(Frame Time)的比例来决定影像灰阶。
然而,以数字方式驱动有机发光二极管,却存在下述关键技术亟待突破:
(一)显示器面板上各个薄膜晶体管在导通状态时,所输出电流大小的差异必须足够小。
(二)显示器面板上各个薄膜晶体管在截止状态时,必须确保所有的TFT均能完全截止而没有任何输出。
具体实施方式
现在对本发明的详细内容及技术说明,参照附图说明如下:
请参阅图1所示,是本发明的电路示意图。如图所示:本发明的主动式有机发光二极管显示器影像均匀的方法及装置,该显示器是由多个像素装置10所构成,每一像素装置10具有一驱动单元2以驱动有机发光二极管4发亮,该有机发光二极管4的阴极是连接在一正电源5,从而通过该正电源5提供电压而提高有机发光二极管4的电位,进而使驱动单元2在动作时其Vsd(源极、漏极电压差)减小,而Vsg(源极、栅极电压差)则保持不变,则当各驱动单元2因特性变异而有不同的起始电压(Threshold Voltage)时,可使各驱动单元2在导通时其输出电流的差异缩小。
为达到上述的方法,本发明所采用的像素(pixel)装置10包括有:一开关单元1、一驱动单元2、一储存单元3及一有机发光二极管4所构成;其中,
上述的开关单元1为一薄膜晶体管(TFT),此开关单元1两输入端11、12分别各连接有一扫描线60(Scan Line)及一数据线61(Data Line);
该驱动单元2为一薄膜晶体管(TFT),此驱动单元2的输入端21连接有一电源线62(Supply Line),而另一输入端22连接至开关单元1的输出端13;
该储存单元3是由电容器所构成,一端连接有一电源线62(Supply Line),另一端连接在开关单元1的输出端13;
该有机发光二极管4的阳极与上述驱动单元2的输出端23连接,其阴极则连接至一正电源5;
通过该正电源5提供电压而增加该有机发光二极管4的阴极及阳极电位,并连带提高该驱动单元2的输出端23的电位,进而使该驱动单元2在动作时其Vsd(源极、漏极电压差)减小,而Vsg(源极、栅极电压差)则保持不变,则当各驱动单元2因特性变化而有不同的起始电压(Threshold Voltage;Vth)时,可使各驱动单元2在导通时其输出电流的差异缩小。
此外,为充分了解本案所达到的功效,请参阅图2所示,是驱动单元的电流-电压示意图。如图所示:当电源线62的输入电压Vdd为1 3V而数据线61的输入电压讯号为0V时,在已知像素装置结构下,驱动单元2有一已知负载曲线71,故已知驱动单元的Vsd工作点(Operating Point)是座落在已知负载曲线71与驱动单元2的特性曲线一72(当电源线的输入电压(Vdd)为13V而数据线的输入电压讯号(Vdata)为0V)时的交点上。
假设TFT元件的起始电压(Threshold Voltage;Vth)因制程限制而有±1.5V的变化,由图中可发现当Vth有-1.5V的变化时,将造成已有驱动单元的输出电流有23.3%的变化。
反之,当使用本发明的像素装置10时,假设有机发光二极管(OLED)的阴极电位因正电源提供电压而有5V大小时,该驱动单元2有一本发明负载曲线73,故驱动单元2的Vsd工作点(OperatingPoint)是座落在本发明负载曲线73与驱动单元2的特性曲线一72的交点上,则在TFT元件的起始电压(Vth)同样因制程限制而有-1.5V的变化时,经实验证实,其驱动单元2的输出电流则仅有13.6%的变化。
再请参阅图3所示,是驱动单元的电流-电压示意图(二)。如图所示:当特性曲线三83(该特性曲线是当电源线62的输入电压(Vdd)为8V,而数据线61的输入电压讯号(Vdata)为0V时),在传统像素装置结构下,其传统驱动单元的Vsg变小为8V,而传统驱动单元的Vsd工作点(Operating Point)是座落在负载曲线二81与驱动单元2的特性曲线三83(Vsg=8V)的交点上。则在TFT元件的起始电压Vth(Threshold Voltage)因制程限制而有±1.5V的变异时,将造成传统驱动单元的输出电流有39.6%的变异。
但是,当使用本发明的驱动装置,因为有机发光二极管(OLED)面板共阴极电位等于5V,所以输入电压(Vdd)为13V,数据线61的输入电压讯号(Vdata)为0V,驱动单元2的Vsd工作点(Operating Point)是座落在负载曲线二81与传统驱动单元特性曲线二82(Vsg=13V)的交点上。则在TFT元件的起始电压Vth(Threshold Voltage)因制程限制而有±1.5V的变化时,该驱动单元2的输出电流只有13.6%的变化。
因而,传统像素装置在电源供应电压(Vdd)变小时,虽可使传统驱动单元的Vsd变小,但也同时造成Vsg变小,反而使各个传统驱动单元的输出电流受特性变化的影响变大,而无法如本发明在降低驱动单元2的Vsd同时也维持其Vsg在一定值,故可使TFT在导通(ON)时,输出电流大小不受TFT的特性变化而影响。
上述仅为本发明的较佳实施例而已,并非用来限定本发明实施的范围。即凡依本发明申请专利范围所做的均等变化与修饰,皆为本发明专利范围所涵盖。