CN1269090C - 低温多晶硅平面显示面板 - Google Patents

Abstract

一种低温多晶硅平面显示面板，包含一像素电路及一驱动电路，该像素电路具有多个NMOS薄膜晶体管，使所述NMOS薄膜晶体管的阈值电压在0伏特以下，使得该面板在不正常断电时，像素电路还能正常放电，解决显示面板残影的问题。

Description

低温多晶硅平面显示面板

技术领域

本发明有关于一种平面显示面板，且特别是有关于一种低温多晶硅(LawTemperature Poly Silicon，LTPS)平面显示面板。

背景技术

信息通信产业已成为现今的主流产业，特别是携带型的各式通信显示产品更是发展的重点，其中当然也包括了平面显示面板。现在应用在平面显示面板的技术主要有下列几种：等离子显示板(Plasma Display Panel，PDP)、液晶显示面板(Liquid Crystal Display，LCD)、无机电激发光显示面板(Electro-luminescent Display)、发光二极管阵列显示面板(Light EmittingDiode Display)、真空萤光显示面板(Vacuum Fluorescent Display)、场致发射显示面板(Field Emission Display，FED)以及电变色显示面板(Electro-chromic Display)等。然而，与其他平面显示技术相比较，低温多晶硅平面显示面板因其画面清晰度高、省电、制造简易、低成本、低操作温度范围等优点而具有极大的应用潜力，可望成为下一代的平面显示面板的主流。

请参照图1，图1为习知的低温多晶硅平面显示面板操作时序图，当栅极驱动信号Vg在低电平时，数据信号Vdata无法写入。而当栅极驱动信号Vg为高电平的T1时，数据信号Vdata开始写入，使得像素(Pixel)电压Vpixel开始上升。在T2时，栅极驱动信号Vg转为低电平，数据信号Vdata传送完毕，像素电压Vpixel充电完成且继续维持，以点亮该像素。在T3时，发生如拔去电池等不正常断电的情况，栅极驱动信号Vg和数据信号Vdata瞬间变为0伏特，因为像素电路的NMOS薄膜晶体管(TFT)已关断，致仍然维持其电平而无法立即完全放电，所以会在显示面板上留下残影，残影存留的时间可能为数十秒到几分钟不等。

请参照图2，图2为习知的低温多晶硅平显示面板的像素电路NMOS薄膜晶体管的特性图。其中，Vgl为栅极驱动信号Vg的低电平，Vgh为栅极驱动信号Vg的高电平。如前所述造成的残影现象的原因，是因为NMOS薄膜晶体管的阈值电压(Threshold Voltage)与驱动电路相同地为大于0伏特，因此，在栅极驱动信号Vg变为0伏特时，关断NMOS薄膜晶体管，以致像素电压Vpixel无法立即完成放电。

发明内容

因此本发明的目的就是在提供一种低温多晶硅平面显示面板，使其在不正常断电时，不会在显示面板上出现残影。

本发明提供一种低温多晶硅平面显示面板，该低温多晶硅平面显示面板包括像素电路及驱动电路，像素电路具有驱动显示面板像素的NMOS薄膜晶体管，且NMOS薄膜晶体管的阈值电压不大于0伏特。而驱动电路则连接到像素电路，用以产生一栅极驱动信号，来驱动上述的NMOS薄膜晶体管。其中栅极驱动信号具有一高电平，以及一低电平，而上述的NMOS薄膜晶体管的阈值电压大于该栅极驱动信号的低电平。

因为所述NMOS薄膜晶体管阈值电压不大于0伏特，使得低温多晶硅平面显示面板即使不正常断电，依旧不会出现残影。

本发明还提供一种低温多晶硅平面显示面板，该低温多晶硅平面显示面板，包括像素电路及驱动电路，像素电路具有驱动显示面板像素的多个PMOS薄膜晶体管，且PMOS薄膜晶体管的阈值电压不小于0伏特。而驱动电路则连接像素电路，用以产生一栅极驱动信号，来驱动所述PMOS薄膜晶体管。其中栅极驱动信号具有一高电平，以及一低电平。而上述的PMOS薄膜晶体管的阈值电压小于栅极驱动信号的高电平。

因为所述PMOS薄膜晶体管阈值电压不小于0伏特，使得低温多晶硅平面显示面板即使不正常断电，依旧不会出现残影。

为让本发明的上述和其他目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举一优选实施例，并配合附图，详细说明如下。

附图说明

图1是公知的低温多晶硅平面显示面板操作时序图；

图2是公知的低温多晶硅平面显示面板的像素电路的NMOS薄膜晶体管特性图；

图3是表示根据本发明第一实施例的一种低温多晶硅平面显示面板示意图；

图4是表示根据本发明第一实施例的低温多晶硅平面显示面板的操作时序图；

图5是表示根据本发明第一实施例的像素电路的NMOS薄膜晶体管特性图：以及

图6是表示根据本发明第二实施例的一种低温多晶硅平面显示面板示意图；

附图标记说明：

10 像素电路

11 NMOS薄膜晶体管

12 显示像素

13 电容

20 驱动电路

30 像素电路

31 PMOS薄膜晶体管

32 显示像素

33 电容

40 驱动电路

具体实施方式

请参照图3，其表示依照本发明第一实施例的低温多晶硅平面显示面板示意图，其中，所表示的像素电路图10，仅以在低温多晶硅显示面板的多个像素里的其中之一为代表。驱动电路20连接到像素电路10。其中像素电路10包含NMOS薄膜晶体管11、显示像素12、以及电容13。驱动电路20将栅极驱动信号Vg连接到NMOS薄膜晶体管11的栅极端，数据信号Vdata连接到NMOS薄膜晶体管11的漏极端。显示像素12与电容13连接到NMOS薄膜晶体管11的源(Source)极端，而像素电压Vpixel则控制显示像素12的明暗色彩的变化。

驱动电路20会送一栅极驱动信号Vg，以驱动NMOS薄膜晶体管11，栅极驱动信号Vg具有高电平为10伏特，低电平为-5伏特。而NMOS薄膜晶体管11的阈值电压小于或等于0伏特，但大于-5伏特。

当该栅极驱动信号Vg为-5伏特时，低于该NMOS薄膜晶体管11的阈值电压，数据信号Vdata不可写入。当该栅极驱动信号Vg为10伏特时，大于该NMOS薄膜晶体管11的阈值电压，数据信号Vdata可以写入，于是对电容13充电。若此时不正常的断电，栅极驱动信号Vg会瞬间变为0伏特，此时由于仍高于阈值电压，所以电容13可快速放电，而不会造成残影现象。

请参照图4，图4为根据本发明第一实施例的低温多晶硅平面显示面板的操作时序图。栅极驱动信号Vg在低电平时，数据信号Vdata不可写入，所以像素电压Vpixel维持在低电平。在栅极驱动信号Vg在高电平的T1时，数据信号Vdata开始写入，于是像素电压Vpixel开始充电。到T2时充电完成，栅极驱动信号Vg也降回低电平，于是像素电压Vpixel维持在所需的电平。在T3时，显示面板不正常断电，但像素电压Vpixel可以立即完成放电，而不会在显示面板上造成残影现象。

请参照图5，图5为根据本发明第一实施例的低温多晶硅平显示面板的像素电路的NMOS薄膜晶体管特性图，本实施例的NMOS薄膜晶体管的阈值电压不大于0伏特，所以在栅极驱动信号Vg变为0伏特时，NMOS薄膜晶体管不会关断，以致像素电压Vpixel可以立即完成放电。

请参照图6，其表示依照本发明第二实施例的低温多晶硅平面显示面板示意图，驱动电路40连接到像素电路30。其中像素电路包含PMOS薄膜晶体管31、显示像素32、以及电容33。驱动电路将栅极驱动信号Vg连接到一PMOS薄膜晶体管31的栅极端，数据信号Vdata连接到该PMOS薄膜晶体管31的漏极端。显示像素32与电容33连接到该PMOS薄膜晶体管31的源极端，电容33的端电压Vpixel，则控制显示像素32的明暗色彩的变化。

该驱动电路40会送一栅极驱动信号Vg，以驱动PMOS薄膜晶体管31，该栅极驱动信号Vg具有高电平为Vgh，低电平为Vgl。而该PMOS薄膜晶体管11的阈值电压大于或等于0伏特，但小于Vgh。

因为PMOS薄膜晶体管的工作特性，与NMOS薄膜晶体管刚好相反，所以栅极驱动信号Vg的工作情况，也与上一实施例相反，因此，在此不再赘述。

虽然本发明已以实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可进行更动与修改，因此本发明的保护范围以所提出的权利要求限定的范围为准。

Claims (3)

1.一种低温多晶硅平面显示面板，包括：

一像素电路，具有驱动显示面板像素的多个NMOS薄膜晶体管，所述NMOS薄膜晶体管的阈值电压不大于0伏特；以及

一驱动电路，连接该像素电路，产生一栅极驱动信号，用以驱动所述NMOS薄膜晶体管，且所述NMOS薄膜晶体管的阈值电压大于该栅极驱动信号的一低电平。

2.如权利要求1所述的低温多晶硅平面显示面板，其中该低电平为-5伏特。

3.一种低温多晶硅平面显示面板，包括：

一像素电路，具有驱动显示面板像素的多个PMOS薄膜晶体管，所述PMOS薄膜晶体管的阈值电压不小于0伏特；以及

一驱动电路，连接该像素电路，产生一栅极驱动信号，用以驱动所述PMOS薄膜晶体管，且所述PMOS薄膜晶体管的阈值电压小于该栅极驱动信号的一高电平。

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