CN1531045A - 热探针的监控晶圆片的制成方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种热探针(thermo－probe)的监控晶圆片的制成方法，该热探针用以测试一般晶圆片的品质，该方法包含在加热炉中，在P型晶圆片上成长多晶硅膜；然后使该多晶硅晶圆片在1025℃的温度下，在有/无氧化下，退火20秒。

Description

热探针的监控晶圆片的制成方法
技术领域
本发明涉及一种热探针的监控晶圆片的制成方法及使用这种方法制成的晶圆片。
背景技术
在晶圆片的制造过程中，不正确的掺杂量会导致所形成的晶圆片的品质不良。因此，一般使用热探针加以监控。已知的如热探针500中，使用一监控晶圆片以监控晶圆片制造过程中的离子植入部份，以测量一般圆片的不规则性，杂质，或晶格缺陷等。
在已知的热探针中，使用砷(As)或硼(B)植入晶圆片监控热探针中，以确保热探针量测机台的稳定性。
但是，已知的砷(As)或硼(B)植入晶圆片因为植入的自我退火而需要约两周以准备一适当的监控晶圆片。因此，在效率上相当不便。此外，即使适当的准备此监视晶圆片，监控数据亦会随着使用时间而逐渐下降(如图1所示)，而变成不适于用作监控晶圆片。
发明内容
有鉴于上述已知使用在热探针中的监控晶圆片的缺点，本发明揭示了一种新的热探针监控晶圆片及其形成方法，其中该监控晶圆片可快速的形成和使用，且该监视圆片可使用长达2个月，数据很稳定。
依照本发明的第一观点，本发明提供一种热探针(thermo-probe)的监控晶圆片的形成方法，该热探针用以测试一般晶圆片的品质，该方法包含在加热炉中，在P型晶圆片上成长多晶硅膜；和使该多晶硅圆片在1025℃的温度下退火20秒。
依照本发明的一个观点，较佳的，该多晶硅膜为2000。
依照本发明的另一观点，较佳的，在退火时未使用氧气。
依照本发明的再一观点，较佳的，在退火时使用氧气。
依照本发明，本发明揭示一种监控晶圆片，其使用如本发明提供的热探针的监视圆片的形成方法形成。
附图说明
通过以下的说明和附图，可更加明了本发明的目的、特征和优点，其中：
图1为已知砷植入晶圆片当成监控晶圆片使用在热探针500中的时间数据图，其中横座标为时间，而纵座标为TW值；
图2为本发明的多晶硅晶圆片监控热探针500的数据图，其中●表示在1025℃下，退火20秒而未使用氧化的情形，▲表示在1025℃下，退火20秒，而使用20％氧化的情形，和
Figure A0311570900041
表示在1025℃下，退火20秒，而使用40％氧化的情形。
具体实施方式
依照本发明的较佳实施例，本发明的热探针监控晶圆片的形成方法包含的步骤为首先在加热炉中，在P型晶圆片上成长多晶硅膜。而后，使该多晶硅圆片，在1025℃的温度下退火20秒。
在上述热探针监控晶圆片的形成方法中，该多晶硅膜的厚度约为2000。
在上述的热探针的监视圆片的形成方法中，在退火时可使用氧气或不使用氧气。
参考图2，其中●表示在1025℃下，退火20秒而未使用氧化的情形，▲表示在1025℃下，退火20秒，而使用20％氧化的情形，和
Figure A0311570900042
表示在1025℃下，退火20秒，而使用40％氧化的情形。由图2可看出，在1025℃下，退火20秒而未使用氧化的情形下，数据的偏移度为约0.89％；在1025℃下，退火20秒，而使用20％氧化的情形下，数据偏移度为约0.77％；和在1025℃下，退火20秒，而使用40％氧化的情形下，数据偏移度为约0.72％。因此，由图2知，最佳的情形为在在1025℃下，退火20秒而使用氧化的情形。
本发明亦提供一种热探针监控晶圆片，其使用如上述热探针的监控晶圆片的形成方法形成。
藉由使用如本发明所揭示的监控晶圆片，该监视圆片可在刚退火后即可使用于热探针中，而非如已知砷/硼植入晶圆片需等待约2周的时间才可使用。因此，监视效率可显著的提高。此外，由于本发明的监控晶圆片的数据较不易随时间而变化，因此其一般可使用长达2个月，而非如已知砷/硼植入晶圆片之数据易于随时间而下降。
本发明并不限于上述之实施例，且于此仍可达成各种改变和修饰，但其仍属本发明的精神和范畴。因此，本发明的精神和范畴应由所附的权利要求书来界定。

Claims (5)

1.一种热探针的监控晶圆片的形成方法，该热探针用以测试一般晶圆片的品质，该方法包含：
在加热炉中，在P型晶圆片上成长多晶硅膜；和
使该晶圆片在1025℃的温度下退火20秒。
2.如权利要求1所述的热探针的监控晶圆片的形成方法，其特征在于，该多晶硅膜为2000。
3.如权利要求1所述的热探针的监控晶圆片的形成方法，其特征在于，在退火时未使用氧气。
4.如权利要求1所述的热探针的监视圆片的形成方法，其特征在于，在退火时使用氧气。
5.一种热探针的监控晶圆片，其使用如权利要求1所述的热探针的监控晶圆片的形成方法形成。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN101246841B (zh) * 2007-02-12 2010-05-19 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种减少sti hdp制成中蛋卷状颗粒的方法
CN102623366A (zh) * 2011-01-27 2012-08-01 无锡华润上华半导体有限公司 监测退火过程温度的方法

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