CN1531045A - 热探针的监控晶圆片的制成方法 - Google Patents

热探针的监控晶圆片的制成方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1531045A
CN1531045A CNA031157092A CN03115709A CN1531045A CN 1531045 A CN1531045 A CN 1531045A CN A031157092 A CNA031157092 A CN A031157092A CN 03115709 A CN03115709 A CN 03115709A CN 1531045 A CN1531045 A CN 1531045A
Authority
CN
China
Prior art keywords
wafer
thermal probe
monitoring
probe
present
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA031157092A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1271695C (zh
Inventor
吴金刚
刘玉红
王粒子
黄晋德
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp
Original Assignee
Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp filed Critical Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Priority to CN 03115709 priority Critical patent/CN1271695C/zh
Publication of CN1531045A publication Critical patent/CN1531045A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1271695C publication Critical patent/CN1271695C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

本发明提供一种热探针(thermo－probe)的监控晶圆片的制成方法，该热探针用以测试一般晶圆片的品质，该方法包含在加热炉中，在P型晶圆片上成长多晶硅膜；然后使该多晶硅晶圆片在1025℃的温度下，在有/无氧化下，退火20秒。

Description

热探针的监控晶圆片的制成方法
技术领域
本发明涉及一种热探针的监控晶圆片的制成方法及使用这种方法制成的晶圆片。
背景技术
在晶圆片的制造过程中，不正确的掺杂量会导致所形成的晶圆片的品质不良。因此，一般使用热探针加以监控。已知的如热探针500中，使用一监控晶圆片以监控晶圆片制造过程中的离子植入部份，以测量一般圆片的不规则性，杂质，或晶格缺陷等。
在已知的热探针中，使用砷(As)或硼(B)植入晶圆片监控热探针中，以确保热探针量测机台的稳定性。
但是，已知的砷(As)或硼(B)植入晶圆片因为植入的自我退火而需要约两周以准备一适当的监控晶圆片。因此，在效率上相当不便。此外，即使适当的准备此监视晶圆片，监控数据亦会随着使用时间而逐渐下降(如图1所示)，而变成不适于用作监控晶圆片。
发明内容
有鉴于上述已知使用在热探针中的监控晶圆片的缺点，本发明揭示了一种新的热探针监控晶圆片及其形成方法，其中该监控晶圆片可快速的形成和使用，且该监视圆片可使用长达2个月，数据很稳定。
依照本发明的第一观点，本发明提供一种热探针(thermo-probe)的监控晶圆片的形成方法，该热探针用以测试一般晶圆片的品质，该方法包含在加热炉中，在P型晶圆片上成长多晶硅膜；和使该多晶硅圆片在1025℃的温度下退火20秒。
依照本发明的一个观点，较佳的，该多晶硅膜为2000。
依照本发明的另一观点，较佳的，在退火时未使用氧气。
依照本发明的再一观点，较佳的，在退火时使用氧气。
依照本发明，本发明揭示一种监控晶圆片，其使用如本发明提供的热探针的监视圆片的形成方法形成。
附图说明
通过以下的说明和附图，可更加明了本发明的目的、特征和优点，其中：
图1为已知砷植入晶圆片当成监控晶圆片使用在热探针500中的时间数据图，其中横座标为时间，而纵座标为TW值；
图2为本发明的多晶硅晶圆片监控热探针500的数据图，其中●表示在1025℃下，退火20秒而未使用氧化的情形，▲表示在1025℃下，退火20秒，而使用20％氧化的情形，和
Figure A0311570900041
表示在1025℃下，退火20秒，而使用40％氧化的情形。
具体实施方式
依照本发明的较佳实施例，本发明的热探针监控晶圆片的形成方法包含的步骤为首先在加热炉中，在P型晶圆片上成长多晶硅膜。而后，使该多晶硅圆片，在1025℃的温度下退火20秒。
在上述热探针监控晶圆片的形成方法中，该多晶硅膜的厚度约为2000。
在上述的热探针的监视圆片的形成方法中，在退火时可使用氧气或不使用氧气。
参考图2，其中●表示在1025℃下，退火20秒而未使用氧化的情形，▲表示在1025℃下，退火20秒，而使用20％氧化的情形，和
Figure A0311570900042
表示在1025℃下，退火20秒，而使用40％氧化的情形。由图2可看出，在1025℃下，退火20秒而未使用氧化的情形下，数据的偏移度为约0.89％；在1025℃下，退火20秒，而使用20％氧化的情形下，数据偏移度为约0.77％；和在1025℃下，退火20秒，而使用40％氧化的情形下，数据偏移度为约0.72％。因此，由图2知，最佳的情形为在在1025℃下，退火20秒而使用氧化的情形。
本发明亦提供一种热探针监控晶圆片，其使用如上述热探针的监控晶圆片的形成方法形成。
藉由使用如本发明所揭示的监控晶圆片，该监视圆片可在刚退火后即可使用于热探针中，而非如已知砷/硼植入晶圆片需等待约2周的时间才可使用。因此，监视效率可显著的提高。此外，由于本发明的监控晶圆片的数据较不易随时间而变化，因此其一般可使用长达2个月，而非如已知砷/硼植入晶圆片之数据易于随时间而下降。
本发明并不限于上述之实施例，且于此仍可达成各种改变和修饰，但其仍属本发明的精神和范畴。因此，本发明的精神和范畴应由所附的权利要求书来界定。

Claims (5)

1.一种热探针的监控晶圆片的形成方法，该热探针用以测试一般晶圆片的品质，该方法包含：
在加热炉中，在P型晶圆片上成长多晶硅膜；和
使该晶圆片在1025℃的温度下退火20秒。
2.如权利要求1所述的热探针的监控晶圆片的形成方法，其特征在于，该多晶硅膜为2000。
3.如权利要求1所述的热探针的监控晶圆片的形成方法，其特征在于，在退火时未使用氧气。
4.如权利要求1所述的热探针的监视圆片的形成方法，其特征在于，在退火时使用氧气。
5.一种热探针的监控晶圆片，其使用如权利要求1所述的热探针的监控晶圆片的形成方法形成。
CN 03115709 2003-03-10 2003-03-10 热探针的监控晶圆片的制成方法及其产品 Expired - Lifetime CN1271695C (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 03115709 CN1271695C (zh) 2003-03-10 2003-03-10 热探针的监控晶圆片的制成方法及其产品

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 03115709 CN1271695C (zh) 2003-03-10 2003-03-10 热探针的监控晶圆片的制成方法及其产品

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1531045A true CN1531045A (zh) 2004-09-22
CN1271695C CN1271695C (zh) 2006-08-23

Family

ID=34284398

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 03115709 Expired - Lifetime CN1271695C (zh) 2003-03-10 2003-03-10 热探针的监控晶圆片的制成方法及其产品

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN1271695C (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101246841B (zh) * 2007-02-12 2010-05-19 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种减少sti hdp制成中蛋卷状颗粒的方法
CN102623366A (zh) * 2011-01-27 2012-08-01 无锡华润上华半导体有限公司 监测退火过程温度的方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101246841B (zh) * 2007-02-12 2010-05-19 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种减少sti hdp制成中蛋卷状颗粒的方法
CN102623366A (zh) * 2011-01-27 2012-08-01 无锡华润上华半导体有限公司 监测退火过程温度的方法
CN102623366B (zh) * 2011-01-27 2014-10-29 无锡华润上华半导体有限公司 监测退火过程温度的方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN1271695C (zh) 2006-08-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2204476B1 (en) Method of manufacturing a silicon wafer
KR101461531B1 (ko) 실리콘 웨이퍼 및 그 제조 방법, 그리고, 반도체 디바이스의 제조 방법
US20070231932A1 (en) Method of revealing crystalline defects in a bulk substrate
EP1739213A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Tempern von III-V-Wafern sowie getemperte III-V-Halbleitereinkristallwafer
KR101856012B1 (ko) 에피택셜 웨이퍼의 제조방법 및 에피택셜 웨이퍼
CN101399163A (zh) 校正外延反应腔温度的方法
CN101606239A (zh) 硅晶片的评价方法
CN1191608C (zh) 硅半导体基板及其制备方法
CN1271695C (zh) 热探针的监控晶圆片的制成方法及其产品
TWI670488B (zh) 半導體錠中之間隙氧濃度的特性分析方法
EP1786023A1 (en) Simox substrate manufacturing method
DE112017003436T5 (de) Einkristalliner, plattenförmiger Siliziumkörper und Verfahren zu dessen Herstellung
US6599816B2 (en) Method of manufacturing silicon epitaxial wafer
CN102623366B (zh) 监测退火过程温度的方法
CN103946431B (zh) 制造碳化硅半导体器件的方法
CN111106029A (zh) 一种晶圆快速热处理机台的监控方法
CN107123593A (zh) 一种掺锗碳化硅欧姆接触形成方法
TWI681185B (zh) 半導體錠中之間隙氧濃度的特性分析方法
CN110364449A (zh) 栅氧掺氮退火温度的监控方法
JP4035886B2 (ja) シリコンエピタキシャルウェーハとその製造方法
CN1217398C (zh) 快速热退火工艺的每日监控的控片
US20120299156A1 (en) Wafer processing method
CN103996608B (zh) 改善外延层电阻率均匀性的方法
JPH04340741A (ja) イオン注入量測定方法、イオン注入量測定用シリコン結晶の作製方法及び半導体装置の製造方法
JPS63198334A (ja) 半導体シリコンウエ−ハの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SEMICONDUCTOR MANUFACTURING INTERNATIONAL (BEIJING

Effective date: 20111129

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20111129

Address after: 201203 No. 18 Zhangjiang Road, Shanghai

Co-patentee after: Semiconductor Manufacturing International (Beijing) Corp.

Patentee after: SEMICONDUCTOR MANUFACTURING INTERNATIONAL (SHANGHAI) Corp.

Address before: 201203 No. 18 Zhangjiang Road, Shanghai

Patentee before: SEMICONDUCTOR MANUFACTURING INTERNATIONAL (SHANGHAI) Corp.

CX01 Expiry of patent term
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20060823